Qu es el CPU?

El CPU es el que permite que todas las tareas a realizar en un ordenador se realicen de
forma eficiente. En pocas palabras en la central del ordenador. En este se alojan los micro
procesadores, las memorias internas, los discos duros, y ofrece puertos en los cuales se
puede conectar diversos dispositivos como monitores, teclados, discos duros, pen drive,
tabletas grficas digitales, impresoras, micrfonos, auriculares, y cmaras web. Es el que
logra interpretar las funciones que se registran en los programas, y a la vez llega a procesar
ciertas informaciones. Tambin se le suelen conocer bajo el nombre de microprocesador,
nombre dado cuando este se presenta con circuitos integrados. Los mismos datan desde
1970, donde se fabric con un solo chip y bajo el nombre de CPU. Estos se clasifican segn
su tamao ya que esto determina la impresin y fabricacin de la plata.

Historia del CPU:

Ordenadores de tubo de vaco y rels.
La historia del CPU comienza con los primeros ordenadores, como por ejemplo el Eniac, el
cual era capaz de realizar solo una tarea, debido a que si se quera realizar otro este debera
ser recableado por completo, a estos tipos de mquinas se les conoci con el nombre de
ordenadores de programa fijo. Poco despus surgieron los ordenadores de programa
almacenado, los cuales le dieron origen al termino CPU.
Uno de los primeros ordenadores de programa almacenado, fue el Edvac, creado por John
von Neumann, el cual permiti realizar muchas ms instrucciones sin necesidad de un
recableado, permitiendo almacenar programas en la memoria de la mquina, y superar con
gran margen las limitaciones de su anterior modelo, el Eniac. Es importante mencionar que
antes de la llegada del Edvac se haban creado varias mquinas capaces de trabajar con
programa almacenado, como lo fueron la maquina experimental de pequea escala de
Manchester, y la Harvard Mark 1. El mtodo de crear procesadores para un ordenador
especfico ha desaparecido; gracias a la llegada de los transistores y los circuitos integrados
el tamao, rendimiento y estandarizacin de los procesadores cambi, permitiendo que hoy
en da se encuentren procesadores en la gran mayora de dispositivos.
Otro importante ordenador de programa almacenado fue el Harvard Mark 1, que a
diferencia del Edvac, este no posea una memoria electrnica si no una cinta de papel
perforada. La gran diferencia entre el Mark 1 y el Edvac, fue el hecho de que el primero
separaba el almacenamiento de los datos de las instrucciones, mientras que el segundo
utilizaba el mismo espacio de memoria para guardar toda la informacin. Siendo el modelo
de funcionamiento del Edvac el usado actualmente en los CPU estandarizados.
Los ordenadores necesitan de elementos de conmutacin para poder funcionar, es por esto
que el Edvac utilizaba tubos de vaco, mientras que el Mark 1 utilizaba rels. Los tubos de
vaco eran rpidos pero tenan un tiempo de vida muy corto, a diferencia de los reles que
eran muy confiables y duraderos, pero demasiado lentos, en este caso la velocidad primo
sobre la confiabilidad, siendo el modelo del Edvac el ms utilizado. Las frecuencias de la
seal de reloj tenan un rango de 100kHz, hasta 4 MHz.

CPU de transistores y circuitos integrados discretos

La complejidad del diseo del CPU aumento con la construccin de dispositivos
electrnicos ms pequeos y confiables, siendo una de las primeras mejoras el transistor.

Teora de bandas de energa

La conductividad vara enormemente entre aislantes y conductores. El cociente de
conductividades entre los mejores conductores (como el cobre a bajas temperaturas) y los
mejores aisladores.
Representa el rango de valores ms amplio para una propiedad fsica de los slidos. La
enormidad de este rango constituye un fuerte indicio de que las propiedades de trasporte
de carga no son susceptibles de una explicacin basada en un modelo clsico. Como
veremos a continuacin, una adecuada explicacin para este fenmeno solo puede ser
proporcionada por la mecnica cuntica. La teora cuntica nos ensea que los tomos
tienen niveles de energa discretos cuando estn aislados unos de otros. Sin embargo, si
consideramos una gran cantidad de tomos la situacin cambia dramticamente.
Realicemos un experimento imaginario en el que un conjunto de N tomos idnticos
inicialmente aislados son gradualmente acercados entre si para formar una red
cristalina. Observaremos los siguientes cambios en la estructura electrnica:
Cuando los N tomos se encuentran muy prximos, las funciones de onda
electrnicas se empiezan a traslapar y la interaccin entre ellos ocasiona que cada
nivel energtico se divida en N niveles con energas ligeramente diferentes.
23,
En un slido macroscpico, N es del orden de 10 de modo que cada nivel se
divide en un nmero muy grande de niveles energticos llamados una banda. Los
niveles estn espaciados casi continuamente dentro de una banda.
Las bandas de energa, llamadas tambin bandas permitidas, se encuentran separadas
unas de otras por brechas, denominadas bandas prohibidas. El ancho de estas bandas
depender del tipo de tomo y el tipo de enlace en el slido. Las bandas se designan
por las letras s, p, d etc. de acuerdo al valor del momentum angular orbital del nivel
energtico al cual estn asociadas.

De acuerdo al principio de exclusin de Pauli, si consideramos un cristal compuesto por N

tomos, cada banda podr acomodar un mximo de 2 (2l + 1) N Electrones, correspondientes a
las dos orientaciones del espn ya las 2l + 1 orientaciones del momentum angular orbital.
Agreguemos finalmente que, de no ser por el principio de exclusin, los electrones se agolparan en
su estado de mnima energa haciendo imposible la formacin de bandas.

Conductor es toda sustancia en que la energa del primer estado

electrnico vaco se encuentra inmediatamente adyacente a la energa del
 ltimo estado electrnico ocupado. En otros trminos, un conductor es un
material en el cual la ltima banda ocupada no est completamente llena.
Aislador es toda sustancia en que la energa del primer estado electrnico vaco se
encuentra separada, por una brecha finita, de la energa del ltimo estado electrnico
ocupado.
Semiconductor es un material aislador en que el ancho de banda prohibida es menor
que 1eV.

Es por esto que las CPU de los aos 1950 y 1960, contaron con tamaos muchos ms
pequeos, muchos ms rpidos, y mucho menos frgiles. Los ordenadores transistorizados
consistan de un circuito integrado (semiconductor) en el cual se aadan los transistores.
Primero surgieron los circuitos integrados SSI (small scale integration, pequea escala de
integracin) los cuales contenan transistores del orden de los mltiplos de 100, despus
surgieron los circuitos de Mediana escala de integracin (MSI), conteniendo un mayor
nmero de transistores. Seguidamente aparecieron los circuitos de gran escala de
integracin, los cuales contenan an ms transistores, hasta llegar a hoy en da donde
encontramos circuitos de ULSI escala ultra larga de integracin que tienen ms de 100000
millones de transistores incorporados.
En 1964 La arquitectura del ordenador System/360 de IBM permiti un gran avance en los
ordenadores, debido a que fueron los primeros que podan ejecutar los mismos programas,
eso si, a diferentes desempeos. Este fue un gran avance para la estandarizacin del CPU.
A comparacin del desempeo y velocidades del CPU hecho con transistores y el de tubos
de Vaco, hay un cambio enorme, siendo mucho ms rpido, eficiente la conmutacin de los
transistores alcanzando velocidades de reloj del orden de los megahercios.

Microprocesador
En la dcada de 1970 los inventos fundamentales de Federico Faggin (nueva metodologa
de diseo de lgica aleatoria) permitieron un cambio muy importante en el diseo y la
implementacin del CPU, facilitando la induccin del procesador al mercado, siendo el
primero el Intel 4004, y posteriormente el Intel 8080 en el ao 1974. El anterior
microprocesador implemento por primera vez la retro compatibilidad entre hardware y
software, permitiendo el uso de los microprocesadores para cualquier dispositivo.
Hoy en da los microprocesadores o CPU se fabrican sobre un solo circuito integrado o
pastilla, lo que permite tiempos de conmutacin mucho ms cortos gracias al decrecimiento
de fenmenos fsicos como la capacitancia parasita de las puertas. Es por esto que
actualmente los procesadores sncronos alcanzan tiempos de reloj del orden de los
megahercios y gigahercios. La complejidad y el nmero de transistores en los
microprocesadores han aumentado dramticamente, comprobando con mucha certeza la
teora planteada por Moore, llamada Ley de Moore. Aunque cabe mencionar que el nmero
de transistores en los microprocesadores est llegando a su lmite, por lo que se estn
haciendo estudios sobre nuevos mtodos de computacin, como la computacin cuntica, o
ampliar el funcionamiento del procesador mediante mtodos como paralelismo, o la
implementacin de otros materiales para la fabricacin de los procesadores.

Ley de Moore

La ley de Moore es un postulado que se enunci en el ao 1965 y que, desde entonces, se

ha venido cumpliendo; una ley que se suele citar mucho cuando se lanzan nuevos
microprocesadores al mercado y que vale la pena conocer en profundidad que me dice :La
complejidad de los componentes se ha multiplicado aproximadamente por 2 cada ao. A
corto plazo, se puede esperar que esta tasa se mantenga o incluso que aumente. A largo
plazo, la tasa de crecimiento es menos predecible, aunque no hay razn para creer que no
permanecer constante por lo menos durante otros 10 aos. Es decir, en 1975 el nmero de
componentes en cada circuito integrado de bajo coste ser de 65.000. Creo que un circuito
tan grande puede construirse en una nica oblea de silicio; El responsable del enunciado
de esta ley fue Gordon Moore en un artculo para la revista Electronics que se public el 19
de abril de 1965. Moore, uno de los 8 traidores que fundaron Fairchild Semiconductor,
enunci este postulado basndose en sus propias observaciones y en la evolucin que vea
dentro de la cadena de produccin de Fairchild. Su extrapolacin era muy interesante: cada
ao se duplicaba el nmero de transistores que formaban parte de un circuito integrado, por
tanto, aumentaba la capacidad de los mismos.

Quiz nos pueda parecer una observacin sin mucha importancia, pero cabe destacar que
Gordon Moore (que luego se unira a Robert Noyce para fundar Intel en 1968) la hizo seis
aos antes del desarrollo del primer microprocesador. De hecho, su intencin por aquel
entonces era demostrar que el transistor sera un componente fundamental para los
dispositivos electrnicos y validar as el modelo de negocio de Fairchild. Aunque
formulada de manera emprica, la ley de Moore se convirti en un modelo perfectamente
validado por la industria. El nmero de transistores por unidad de superficie se duplicaba e
iba llegando una nueva tecnologa (con mayor escala de integracin) que dejaba obsoleta la
anterior. El ritmo, al inicio, fue vertiginoso pero, en 1975, Gordon Moore tuvo que reajustar
su propia ley para cambiar el factor del tiempo y ajustarlo a 2 aos porque la industria no
avanzaba tan rpidamente. Desde el ajuste de 1975, la ley de Moore ha seguido siendo
el patrn de referencia dentro del desarrollo de circuitos integrados pero, evidentemente, el
aumento de la escala de integracin (reduccin del tamao de transistores) implica
muchsimos retos para los fabricantes. Los procesadores Intel Haswell estn compuestos
por 1.400 millones de transistores de apenas 22 nanometros de tamao cada uno; la
tecnologa de 22 nanometros es, prcticamente, la gran barrera del silicio y nos
acercamos a un terreno en el que este material podra presentar inestabilidades si seguimos
aumentando la escala de integracin.
EL Transistor principal componente del CPU
Fue el fsico austro-hngaro Julius Edgar Lilienfeld que inicio los estduiso sobre el
transistor cuando solicit en Canad en el ao 1925 una patente para lo que l denomin
"un mtodo y un aparato para controlar corrientes elctricas" y que se considera el
antecesor de los actuales transistores de efecto campo, ya que estaba destinado a ser un
reemplazo de estado slido del triodo. Lilienfeld tambin solicit patentes en los Estados
Unidos en los aos 1926 y 1928. Sin embargo, Lilienfeld no public ningn artculo de
investigacin sobre sus dispositivos ni sus patentes citan algn ejemplo especfico de un
prototipo de trabajo. Debido a que la produccin de materiales semiconductores de alta
calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de
estado slido no encontraron un uso prctico en los aos 1920 y 1930, aunque un
dispositivo de este tipo ya se haba construido.
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los fsicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell llevaron a
cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro eran
aplicados a un cristal de germanio, se produjo una seal con una potencia de salida mayor
que la de entrada. El lder del Grupo de Fsica del Estado Slido William Shockley vio el
potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabaj para ampliar en gran medida el
conocimiento de los semiconductores. El trmino "transistor" fue sugerido por el ingeniero
estadounidense John R. Pierce, basndose en dispositivos semiconductores ya conocidos
entonces, partiendo de dispositivos como el termistor y el varistor y basndose en la
propiedad de transrresistencia que mostraba el dispositivo. Segn una biografa de John
Bardeen, Shockley haba propuesto que la primera patente para un transistor de los
Laboratorios Bell deba estar basado en el efecto de campo y que l fuera nombrado como
el inventor. Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido
aos atrs, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de Shockley
porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su lugar, lo que
Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1947 fue el primer transistor de contacto de
punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de
1948, a la cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo. En
reconocimiento a este logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados
conjuntamente con el Premio Nobel de Fsica de 1956 "por sus investigaciones sobre
semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".
Los lmites del silicio
Acercarnos a los lmites del silicio puede ser un gran problema. Si bien las proyecciones
realizadas por Gordon Moore se vienen cumpliendo, prcticamente, desde su enunciado en
1965, Aunque hayamos salvado, hasta ahora, los lmites fsicos del silicio, es un escenario
que se acerca irremediablemente. Durante la ltima LinuxCon, Linus Torvalds habl,
precisamente, de la ley de Moore y su posible fin; un gran reto para que el tal vez la
industria no est preparada pero que, de manera inevitable, llegar quizs en los prximos
10 15 aos. En el ao 2005, el propio Gordon Moore afirm en una entrevista que su
enunciado tendra validez durante unos 10 15 aos ms; por tanto, podramos tocar techo
entre 2015 y 2020, al menos, en cuanto al silicio se refiere. Llegaremos a un punto en el
que si bajamos ms el tamao de los transistores, estos dejarn de funcionar y dejarn de
comportarse como se espera.

Nuevos materiales y procesos de fabricacin

El fin de la ley de Moore no implica el colapso de nuestra tecnologa pero s traer El

cambio de ciclo se acerca y la industria lleva tiempo preparndose para ello. Consigo
cambios en los materiales utilizados para el desarrollo de componentes electrnicos y,
evidentemente, a los procesos de fabricacin de chips. Quizs an sea pronto para afirmar
que el grafeno sustituir al silicio, pero es cierto que se ha postulado como un perfecto
complemento que permite estabilizar el silicio cuando se superan sus barreras fsicas.
Adems, tambin se estn realizando mltiples investigaciones que giran alrededor del
grafeno y el desarrollo de una nueva generacin de chips de este material que permitan
trabajar a muy alta frecuencia.

Adems de la inclusin de nuevos materiales, los procesos de fabricacin tambin

cambiarn. Evidentemente, el reto es grande pero son muchas las empresas que ya han
puesto en marcha estos cambios y, por ejemplo, Samsung o Matrix Semiconductor llevan
tiempo trabajando en sus chips tridimensionales que permiten aumentar la escala de
integracin sin cambiar sustancialmente los procesos actuales de fotolitografa. La
consultora McKinsey public recientemente un informe, precisamente, analizando el
impacto del fin de la ley de Moore en la industria de los circuitos integrados. Desde su
perspectiva, McKinsey predice una transicin que pasar primero por los cambios en los
procesos de fabricacin con el objetivo de alargar la vida del silicio. Un cambio que no se
estima como rentable para los fabricantes y que podra derivar en el fin de la ley de Moore
para el ao 2018 y, quizs, el arranque de una nueva era en la electrnica. Es impresionante
cmo un enunciado, formulado hace casi 50 aos, ha sido capaz de marcar la tecnologa
que hoy en da conocemos; una ley basada en la observacin que, quizs, est viviendo sus
ltimos aos.

Diseo e implementacin
Rango de enteros
La manera en la que la CPU representa la informacin mediante nmeros (representacin
numrica), afecta directamente al diseo y funcionamiento del mismo, siendo as puede
funcionar con un sistema base 10, un sistema base tres, o el ms utilizado actualmente, la
representacin de los nmeros de forma binaria (sistema base 2). Con la representacin
numrica relaciona el tamao y precisin de los nmeros que un CPU puede representar. Es
as que en el caso de un CPU binario, un bit se refiere a una posicin significativa en los
nmeros de la memoria del CPU, y el nmero de bits que el CPU usa para representar un
nmero se llama ancho de bits. Por ejemplo, un procesador que maneja un rango de bits de
8 nmeros que se pueden representar por 8 dgitos binarios, si solo se tienen dos posibles
valores, la cantidad de nmeros discretos corresponde a 2^8 = 256. Por lo tanto a mayor
nmero de enteros se aumenta la complejidad, tamao, y uso de energa que requiere el
CPU.

Frecuencia de reloj
La mayora de dispositivos de lgica secuencial son de naturaleza sncrona, y es por esto
que deben estar diseados para operar en funcin de una seal, esta seal es conocida como
seal de reloj, la cual tiene forma de onda cuadrada peridica.
Si se calcula el tiempo mximo en el que la seal recorre todos los circuitos del CPU, se
puede seleccionar un periodo al cual funcionara la seal. Este periodo debe ser ms largo
que el tiempo que le toma a la seal moverse por todo el circuito, con el fin de evitar
retardos en la propagacin de la seal. Debido a que la seal est sujeta a retardos de
cualquier otra seal elctrica, se han buscado mtodos para reducir este retardo, uno de
ellos es usar ms de una seal de reloj, con el fin de mantener todo sincronizado. Este
esquema es el usado actualmente en los microprocesadores, el problema es que, al
aumentar las seales de reloj aumenta la velocidad del reloj y por lo tanto aumenta la
disipacin de calor, requiriendo de enfriamientos ms efectivos. Otro mtodo aplicado, es el
de retirar completamente la seal de reloj, esto aumenta considerablemente la complejidad
del diseo, pero mejora el consumo de energa y la disipacin de calor.

Paralelismo
Un CPU subes calar es aquel que solo ejecuta una instruccin con una o dos piezas de datos
a la vez, lo cual genera que se desperdicien los recursos del CPU, debido a que mientras se
ejecuta una instruccin, todo el CPU para hasta que esta se complete. Los CPU escalares
mejoran un poco el rendimiento de los CPU anteriores, debido a que ejecutan una
instruccin por ciclo de reloj. A manera de mejorar el rendimiento y la eficiencia de los
procesadores, se ha buscado una serie de mtodos que permiten un funcionamiento ms
paralelo (muchas instrucciones por ciclo) del procesador, y es as como se crean las tcnicas
de diseo conocidas como paralelismo a nivel de instruccin, y paralelismo a nivel de hilo
de ejecucin. El paralelismo a nivel de instruccin (ILP) busca aumentar la utilizacin de
los recursos de ejecucin del procesador, mientras que el paralelismo a nivel de hilo de
ejecucin (TLP) busca aumentar la cantidad de programas que puede ejecutar un CPU.

Fabricacin del CPU

El proceso de fabricacin de un procesador comienza con arena compuesta en su mayor
parte por dixido de silicio, el cual es calentado a miles de grados de temperatura y
sometido a diversos procesos qumicos para obtener silicio puro. Obteniendo como
resultado un cilindro de silicio puro. El cilindro se parte en obleas que son pulidas
posteriormente, y a las cuales se les aplica un qumico fotosensible. Mediante un proceso
llamado fotolitografa se plasma el circuito diseado por el fabricante. Debido a que los
circuitos son pequeos, estos se pueden imprimir cientos de veces sobre la oblea que tiene
un dimetro de 90 cm. Despus de haber plasmado el circuito en la oblea estas son
sumergidas en disolvente que deja el patrn del circuito plasmado. Una maquina graba el
patrn en la oblea y procede a bombardear con iones al sillico, permitiendo cambiar la
manera en la que conducen la electricidad creando as los transistores. Los transistores
actan como conmutadores, permitiendo tomar valores de 0 y 1, valores a los cuales el
procesador recibe y procesa informacin. Al igual que en el proceso de creacin de
transistores, se crean las conexiones entre los transistores a partir de pequeas cables de
cobre. Finalmente el circuito resultante es testeado, y posteriormente son empaquetados en
una carcasa de metal, la cual actual como disipador de calor del procesador.