UNIVERSIDAD DE GUADALAJARA

DEPARTAMENTO DE ELECTRNICA, CUCEI

CIRCUITOS ELECTRNICOS PARA COMUNICACIONES

MODELOS DE DISPOSITIVOS EN RF

Realice en cada punto lo que se indica. Entrguelo resuelto el da designado por

su profesor.

Modelos de dispositivos de un puerto

1.- Calcule la resistencia de un alambre de cobre AWG 30, si la longitud del
alambre es de 5cm, cuando: a) Se aplica DC; b) Se aplica una seal de RF de
1MHz.

2.- Calcule la inductancia que presenta un trozo de alambre recto de cobre AWG
30 con una longitud de 5cm.

3- La longitud y el dimetro del cilindro sobre el cual se construye un inductor son

de 10mm y 5mm respectivamente. Si el inductor tiene 50 vueltas de alambre AWG
28 uniformemente distribuidas, calcule:
a) La inductancia del inductor.
b) La resistencia equivalente del alambre a 100 KHz
c) El factor de calidad estimado para el inductor.

4- Un capacitor tiene un modelo serie Cs=10nF y rs=10 ohms. Determine el

modelo paralelo del capacitor a una frecuencia de 1MHz.

5- Un filtro LC paralelo se implementa usando un inductor de 150nH y un capacitor

de 1 nF. La impedancia de fuente es de 1 k y la impedancia de carga es de 10
k: a) Calcule la frecuencia central, las prdidas por insercin y el ancho de banda
del filtro; b) Considerando el valor del inductor como aquel del modelo paralelo, y
si ste tiene un factor de calidad de 30 a la frecuencia central, calcule de nuevo,
las prdidas por insercin y el ancho de banda. De qu forma afecta el factor de
calidad del inductor, a la respuesta del filtro?

6.- Haciendo uso de internet:

a) Identifique fabricantes de componentes pasivos para RF.
b) Elija 3 componentes representativos, e indique algunas caractersticas
elctricas como:
Parmetro principal (resistencia, capacitancia o inductancia)
Parmetros secundarios (voltaje/corriente/potencia mximos, factor de
calidad, frecuencia de auto-resonancia, etc.)
Frecuencia mxima recomendada por el fabricante.
7- Un diodo de silicio opera en seal pequea. Estime el valor del capacitor de
difusin cuando I CQ 100 A sabiendo que el tiempo de vida de los portadores en
el diodo es de 2ns. (suponga VT 35mV ).

8- Haciendo uso de internet:

a) Identifique fabricantes de diodos PIN y diodos Schotkky.
b) Elija un componente de cada tipo e indique algunas caractersticas elctricas
como:
Corriente en directa mxima
Voltaje en inversa mxima
Tiempo de vida medio
Capacitancia de unin
Resistencia en encendido

Modelos de dispositivos de dos puertos

9- Estimar el valor de los elementos del modelo hbrido-pi de un transistor con

hfe=100, fT=800MHz, Cob=1.5pF @ VCB=10V y V A 100 V . Sabiendo que ICQ=5mA
y VCBQ=5V.

10- Haciendo uso de internet

a) Identifique fabricantes de transistores para alta frecuencia (HBT, HFET y
MESFET)
b) Elija dos dispositivos de cada tipo e indique las siguientes caractersticas
elctricas:
Voltaje de colector a emisor mximo (voltaje drenaje a fuente mximo)
Corriente de colector mxima (corriente de drenaje mximo)
Potencia de disipacin mxima
Frecuencia de transicin (fT) o frecuencia mxima (fmax)
Capacitancias del dispositivo.

11- Calcule el parmetro S11 de la red mostrada, usando una impedancia de

referencia de 50 ohms

12- Determine si la red cuya matriz de dispersin es la mostrada es recproca y si

tiene prdidas.
13- Determine los parmetros de dispersin del circuito mostrado, usando una
impedancia de referencia de 50 ohms.