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MODELADO Y SIMULACIN DE CELDAS Y

PANELES SOLARES

Conference Paper October 2013

DOI: 10.13140/2.1.4192.8968

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Everardo E Granda-Gutirrez J. C. Daz-Guilln

Universidad Autnoma del Estado de Mxico ( CONACYT- Corporacin Mexicana de Investigac
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Marco A. Jimnez Mario Osorio

Instituto Tecnolgico de Cd. Victoria Instituto Tecnologico de Nuevo Leon
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ISSN 1405-2172

MODELADO Y SIMULACIN DE CELDAS Y PANELES SOLARES

E. E. Granda-Gutirrez1,*, O. A. Orta2, J.C. Daz-Guilln1, M. A. Jimenez1, M. Osorio1, M. A. Gonzlez1

1
Corporacin Mexicana de Investigacin en Materiales S. A. de C. V.
Ciencia y Tecnologa No. 790 Fraccionamiento Saltillo 400, Saltillo, Coahuila, Mxico
2
Instituto Tecnolgico de Saltillo
Venustiano Carranza No. 2400 Col. Tecnolgico, Saltillo, Coahuila, Mxico
egranda@comimsa.com

RESUMEN radiacin solar incidente en energa elctrica de

Se presenta un modelo empleado para la
simulacin del comportamiento de una celda, y
por extensin, de un panel solar. Tomando como
base el efecto que ocasionan la irradiacin y
temperatura en una celda solar, se muestran las
caractersticas de voltaje, corriente y potencia por
medio de la representacin grfica del modelo
matemtico que describe el comportamiento de
una celda. Una de las principales ventajas de la
simulacin, es que la descripcin y evolucin de
una variable bajo diferentes condiciones puede
ser fcilmente apreciada, siendo de suma utilidad
para el diseo y dimensionamiento de dispositivos
en los sistemas fotovoltaicos. Adems, esta
herramienta puede ser utilizada con fines
acadmicos, en la enseanza didctica del
fenmeno que se describe.
1. INTRODUCCIN
El agotamiento de energticos fsiles y el dao
ocasionado a la naturaleza y sus ecosistemas,
demanda la planeacin e implantacin de un
nuevo modelo energtico donde las necesidades
del hombre y la estabilidad de la naturaleza se
mantengan en un nivel equilibrado. El desarrollo
continuo de nuevas tecnologas ha permitido que
poco a poco las consideradas energas
renovables tomen una posicin importante y se
perfilen como una de las principales soluciones al
dficit energtico y a los problemas ambientales
que amenazan con colapsar el desarrollo de las
principales actividades humanas.
De las fuentes de energa renovable, la energa
solar puede ser considerada como la ms
importante debido a su abundancia y
disponibilidad [1]. Una de las formas para
aprovecharla es mediante la conversin de la
radiacin solar en energa elctrica por medio del
efecto fotoelctrico, con ayuda de
semiconductores. Los dispositivos fotovoltaicos
son semiconductores que convierten parte de la
corriente directa [2,3].
Una celda solar es un dispositivo que representa la
unidad fundamental de un sistema fotovoltaico.
Tpicamente, genera un voltaje de entre 0.5 y 0.8
V dependiendo del semiconductor utilizado y la
tecnologa con la que fue fabricado [4]. Un panel
solar es el conjunto de un determinado nmero de
celdas solares (entre 36 y 72) conectadas en serie-
paralelo y montadas sobre una placa metlica
encapsulada por un aislante trmico. Un arreglo
fotovoltaico es el conjunto de un determinado
nmero de paneles solares conectados en serie-
paralelo para la generacin de una cantidad
determinada de energa [1,2].
La generacin de energa de una celda solar se ve
afectada principalmente por la variacin en la
radiacin solar incidente y en la temperatura de la
celda [5]. Al acoplar un conjunto de celdas
solares, la energa generada aumenta linealmente
debido a la variacin incremental del voltaje y de
corriente gracias a la configuracin serie-paralelo.
Una configuracin en serie permitir que el
voltaje del conjunto incremente, manteniendo
constante el flujo de la corriente. Por otro lado,
una configuracin en paralelo mantendr un nivel
de voltaje constante, incrementando el flujo de la
corriente [1].
Se han desarrollado diversos modelos
matemticos que describen el comportamiento de
una celda solar. Todos los modelos se basan en la
relacin corriente-voltaje resultante de un diodo,
cuya fabricacin representa a los semiconductores
dopados tipo n y tipo p, utilizados en la
manufactura de una celda solar [3]. Debido a la
relacin no lineal entre la corriente y el voltaje en
un dispositivo fotovoltaico, se hace poco prctica
la simulacin de un circuito elctrico equivalente
de una celda solar con dispositivos pasivos como
resistencias, capacitores e inductores, por lo que

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se requiere de un lenguaje de programacin que
soporte directamente la inclusin de parmetros
elctricos en forma de funciones matemticas. En
la actualidad, existen diversas plataformas
computacionales en las que se puede realizar la
simulacin de un dispositivo fotovoltaico,
basndose en su modelo matemtico, por ejemplo
Matlab [6].
En este trabajo se presenta un mtodo
desarrollado mediante Matlab con Simulink, para
la implementacin de un modelo verstil para la
simulacin de las caractersticas elctricas de una
celda o un panel solar, en funcin de los
parmetros fsicos que la rigen, tales como la
irradiancia y la temperatura. La simulacin,
adems de proporcionar una herramienta didctica
para entender el funcionamiento de estos
semiconductores, es til para determinar el punto
de operacin de mxima potencia en las
aplicaciones fotovoltaicas.
2. DESARROLLO
Una celda solar se construye a partir de una oblea
delgada de silicio, fabricada a partir de la unin de
dos semiconductores p n, y que por medio del
efecto fotoelctrico convierte la radiacin solar en
energa elctrica de corriente directa.
Generalmente, el circuito elctrico equivalente de
una celda solar, consta de una fuente de corriente
foto generada por accin de la radiacin solar, un
diodo, una resistencia en paralelo y una resistencia
en serie (que representa a la resistencia interna del
material al flujo de la corriente), tal como se
representa en la Figura 1.
Rs
IL D1 Rsh V factor de idealidad. El factor de idealidad permite
Figura 1. Representacin elctrica de una celda
solar
El modelo matemtico de la celda se obtiene a
partir de su representacin elctrica, y se
encuentra en funcin principalmente de la
radiacin solar y de la temperatura de la celda.
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2.1. Modelo matemtico de una celda
Las caractersticas tpicas de una celda solar
suelen representarse por medio de grficas: voltaje
corriente y voltaje potencia. En la Figura 2, se
pueden observar los puntos ms representativos de
las curvas, tales como: la corriente de corto
circuito (ISC), el voltaje de circuito abierto (VOC),
el punto de mxima potencia (MPP), la corriente
en el punto de mxima potencia (IMPP), el voltaje
en el punto de mxima potencia (VMPP) y la
potencia en el punto de mxima potencia (PMPP).
Potencia disponible [W]
Corriente [W]
Voltaje de la celda [V]
Figura 2. Curva voltaje corriente y voltaje
potencia de una celda solar
El modelo matemtico que describe la curva
voltaje-corriente en una celda solar, generalmente
se describe por medio de la siguiente ecuacin:
q(V IR S ) V IR S
I I L I O exp( ) 1 (1)
a RSH
donde, IL es la corriente foto generada, Io es la
corriente de saturacin inversa, RS es la resistencia
en serie, RSH es la resistencia en paralelo, V es el
voltaje, q es la carga de un electrn (1.6 x 10-19C),
y a es un parmetro dado por la ecuacin:
a kTC A (2)
siendo k la constante de Boltzman (1.38x10-23
J/K), TC es la temperatura de la celda y A es el
distinguir el comportamiento entre una celda de
silicio y una de germanio, dependiendo as de la
tecnologa de fabricacin de la celda solar.
La corriente foto generada vara en funcin de la
radiacin solar y de la temperatura de trabajo en la
celda [7], y se describe por:
IL
S
S REF
I L, REF ISC (TC TC , REF )
(3)
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donde, S es la irradiacin solar, SREF es la
irradiacin solar en condiciones de referencia
(1000 W/m2), IL, REF es la corriente foto generada
en condiciones de referencia y se puede tomar
como la corriente de cortocircuito (IL, REF = ISC), y
ISC es el coeficiente de cortocircuito, el cual
generalmente esta dado por el fabricante.
La corriente de saturacin inversa est dada por la
expresin siguiente [7]:
I O I O, REF (TC / TREF ) 3 expqEG (1/ TREF 1/ TC ) / kA
(4)
donde, EG es la energa del semiconductor en su
banda de gap y IO,REF es la corriente de saturacin
inversa en condiciones de referencia.
Generalmente, la eficiencia de una celda solar no
se afecta con la variacin en la resistencia en
paralelo (debida a impurezas en el Silicio), por lo
que se puede asumir que RSH . Por otro lado,
una pequea variacin en la resistencia serie
afecta significativamente el comportamiento y
eficiencia de una celda solar [5].
Ya que la resistencia en paralelo no representa un
porcentaje significativo de prdidas, se simplifica
el modelo matemtico planteado en (1). Entonces,
el valor de (V IR S ) / RSH puede ser igualado a
cero y as la ecuacin se simplifica como sigue:
q(V IR S )
I I L I O exp( ) 1 (5)
a Tabla 1. Ficha tcnica de un panel solar de Silicio
2.2. Modelo matemtico de un panel
Las celdas solares deben de ser conectadas en una
configuracin serie paralelo para poder generar
un nivel ms alto de energa y as formar un panel
solar. El modelo matemtico que describe a un
panel solar se muestra en la ecuacin (6), donde el
nmero de celdas en paralelo viene dado por el
prefijo Np , mientras que el nmero de celdas en
serie viene dado por el prefijo Ns .
q(V / Ns IR S / Np)
I NpI L NpI O exp( ) 1
a Voltaje en Circuito Abierto
(6)
Es importante considerar que el modelo
matemtico de un panel solar puede ser utilizado
para el anlisis de una sola celda solar si se
consideran que los coeficientes Np 1 y Ns 1 .
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Finalmente, la corriente de saturacin inversa en
condiciones de referencia se obtiene por (7):
I SC
I O, REF (7)
exp(VOC / N S a) 1
2.3. Representacin del modelo
El modelo matemtico de una celda solar
expresado como se indica en la ecuacin (6)
puede ser esquematizado por medio de
Matlab/Simulink para su posterior simulacin,
permitiendo observar las curvas de voltaje-
corriente y voltaje-potencia para el anlisis del
punto de mxima potencia. Una simulacin,
permite la observacin y el anlisis de una, o ms
variables en funcin del tiempo.
Los parmetros requeridos para la simulacin,
generalmente pueden ser obtenidos de las hojas de
datos proporcionadas por el fabricante. Uno de los
parmetros ms importantes, es el voltaje de
circuito abierto (VOC), el cual se obtiene
asumiendo que la corriente de salida es cero. Por
otro lado, la corriente de corto circuito (Isc) se
obtiene asumiendo que el voltaje de salida es cero.
Para ilustrar la simulacin, como ejemplo, se
utiliz un panel solar de silicio policristalino de
250 W en condiciones de referencia (STC,
Temperatura de Celda = 25C, Irradiacin= 1000
W/m2, AM=1.5), constituido por 60 celdas solares
y cuyas caractersticas se identifican en la Tabla 1.
poli cristalino de 250 W (STC)
Parmetros Valores
Potencia mxima 250 W
Voltaje en Punto de Mxima 30.12 V
Potencia
Corriente en Punto de Mxima 8.30 A
Potencia
Corriente de corto circuito 8.65 A
Voltaje circuito abierto 37.85 V
Coeficiente de Temperatura de 0.062%/C
Corto Circuito
Coeficiente de Temperatura de -0.330 %/C
Coeficiente de Temperatura de -0.45 %/C
Potencia Mxima
El modelo matemtico de un panel solar se
muestra de una forma esquematizada en el
ambiente Matlab/Simulink en el bloque que se
muestra en la Figura 3, y que a su vez contiene
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por medio de subsistemas, a las ecuaciones (1),
(2), (3), (4), (7) y (8). Se puede apreciar que las
entradas del bloque son: la temperatura de celda,
la radiacin solar y el voltaje. Mientras que a la
salidas del bloque, se obtiene la corriente de salida
y la potencia que es capaz de producir.
El subsistema encargado de calcular la corriente
foto generada, est en funcin de la radiacin
solar y de la temperatura de celda, de acuerdo a
(3). Por otra parte, la corriente de saturacin
inversa del diodo vara como una funcin cbica
de la temperatura y esta expresada en (4).

3. RESULTADOS
Los resultados obtenidos por medio de las curvas
de voltaje corriente y voltaje potencia para una
celda y un panel solar bajo los efectos de la
variacin de la irradiacin solar y de la
temperatura de celda se presentan en esta seccin.

Para la simulacin de la celda solar, el tiempo de

Figura 3. Modelo esquematizado de una celda (o
panel solar) en Matlab/Simulink
La Figura 4, representa el conjunto de subsistemas
que conforman al bloque de la Figura 3. Se
identifican los bloques que representan a la
corriente foto generada definida bajo la ecuacin
(6), y la corriente de saturacin inversa expresada
en la ecuacin (7). Ambos bloques estn
conectados a un multiplexor, cuya salida
alimentar a un bloque de funcin para realizar las
operaciones necesarias para la resolucin de la
ecuacin (6).
simulacin se consider en 15 segundos
(arbitrario, pero lo suficientemente lento para no
causar variaciones transitorias), asignando un
incremento de .05 V por cada segundo.
La naturaleza de una celda solar se describe
gracias a la interpretacin de las curvas
caractersticas que muestran el punto de mxima
potencia. La Figura 5 muestra las curvas
caractersticas de voltaje corriente y voltaje
potencia para una celda solar bajo condiciones de
referencia. Estas seales, obtenidas por medio del
modelo desarrollado, corresponde a las curvas
caractersticas de una celda de Silicio, lo que se
manifiesta por la diferencia de potencial en
corriente cero en 0.6 V [1].

1
V 2
Voltaje (V)
Potencia
Product
3 S
S
Irradiacin (S)

Sref Sref
Sref
Ref. Irradiacin IL

Tref f(u) 1
Tref Tref
Tref Corriente
Salida
Ref.
Temperatura
Tref Out1 Isc Ref

Corriente fotogenerada
2 TcellOut2
Temperatura de Celda
Corriente de Saturacin

273

Constante de Kelvin

Figura 4. Diagrama a bloques para la simulacin de una celda o panel solar mediante la resolucin de su
modelo matemtico

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Figura 5. Curva caracterstica voltaje corriente
(arriba) y voltaje potencia (abajo)
Como se ha mencionado, el modelo propuesto
permite simular celdas de Germanio, por lo que
utilizando los valores adecuados la diferencia de
potencial a corriente cero se encuentra
aproximadamente en 0.3 V.
En la Figura 6 se puede apreciar que con el
incremento en la temperatura de celda, el punto de
mxima potencia disminuye debido a una
reduccin importante en el voltaje de salida. Esto
es provocado por el incremento en la agitacin
trmica de los portadores de carga en el
semiconductor, lo que se manifiesta como una
reduccin en el potencial de la unin. Este efecto
sin duda repercute en el desempeo de la celda, y
por extensin en la eficiencia de un arreglo
fotovoltaico, por lo que es un parmetro de diseo
muy importante; la simulacin permite cuantificar
el efecto en el arreglo final, tanto para una celda,
como para un panel solar, pudiendo predecir el
impacto de esta variable.
Figura 6. Curva de voltaje potencia para una
celda solar con variacin en la temperatura
Sin embargo, un efecto ms significativo que las
variaciones en la temperatura, lo constituyen las
variaciones en la irradiacin solar, es decir, en la
intensidad de la luz que incide sobre la celda
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solar. Dado que este es un efecto que se
multiplica con el nmero de celdas conectadas en
el arreglo, a continuacin se presentan los
resultados del modelo para un panel solar.
Para la simulacin en un panel solar, se utiliz un
tiempo de simulacin de 15 segundos con un
incremento de 3.785 V por segundo y una
conexin en serie de las 60 celdas solares que
constituye un arreglo tpico en paneles
comerciales para uso residencial.
El decremento en la irradiacin solar (Figura 7) se
ve manifestado como una reduccin proporcional
en la corriente de corto circuito. La corriente de
cortocircuito es la mxima corriente disponible
para producir energa elctrica con el panel solar,
por lo que una reduccin de este valor representa
una disminucin en el punto de mxima potencia,
y por lo tanto, en la capacidad del sistema
fotovoltaico para producir potencia elctrica. Esto
ocurre debido a que el voltaje de circuito abierto
es logartmicamente dependiente de la irradiacin
solar, mientras que la corriente de corto circuito es
directamente proporcional a la intensidad de
radiacin solar [5].
Figura 7. Curva de voltaje corriente para una
celda solar con variacin en la irradiacin solar
Para comprobar la validez de este modelo, se
presenta en la Figura 8 la curva caracterstica de
voltaje corriente proporcionada por el
fabricante, la cual se obtiene usualmente mediante
pruebas experimentales de laboratorio bajo
condiciones estndar certificadas (25 C y 1.5
AM).
Se puede apreciar la dependencia directa de la
corriente de cortocircuito con la irradiacin solar.
Se muestra tambin la curva experimental
obtenida en condiciones nominales (1000 W/m2,
45 C y 1.5 AM)
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Figura 8. Curva voltaje corriente proporcionada
por el fabricante
Comparando la Figura 9, obtenida mediante la
simulacin, se puede apreciar que la simulacin
realizada nos lleva a un resultado muy similar al
mostrado en la curva del fabricante, con una
pequea variacin ocasionada por ciertos factores
fsicos (interconexin de celdas, resistencias, etc.),
que s son observadas bajo las condiciones
experimentales.
Figura 9. Curva de voltaje potencia para un
panel solar con variacin en la irradiacin solar.
4. CONCLUSIONES
Se desarroll un modelo esquematizado para la
simulacin del comportamiento de una celda solar
en el programa Maltab / Simulink, partiendo de su
modelo matemtico.
La simulacin de una celda solar manifiesta su
aproximacin al obtener un voltaje de unin que
corresponde con la diferencia de potencial
generada en celdas de Silicio (0.6 V) y Germanio
(0.3 V).
Como resultado de la simulacin de un arreglo de
celdas, se obtuvieron las grficas que describen el
comportamiento del panel solar ante cambios en
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irradiacin y temperatura; este comportamiento
coincide de una manera bastante aproximada con
los resultados prcticos obtenidos en condiciones
estndar y nominales de una celda comercial.
El anlisis del comportamiento de una celda solar
es una herramienta muy til cuando se requiere
dimensionar sistemas fotovoltaicos, ya que por
medio de este tipo de simulaciones se puede
predecir la cantidad de energa que se puede
generar con una mayor exactitud ante cambios
fsicos y climatolgicos.
5. AGRADECIMIENTOS
Este proyecto ha sido financiado por el Fondo
Mixto de Fomento a la Investigacin Cientfica y
Tecnolgica CONACYT Gobierno del Estado
de Coahuila y la Corporacin Mexicana de
Investigacin en Materiales S.A. de C.V.
6. REFERENCIAS
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Energy: Principles of Thermal Collection and
Storage, 3rd. ed. Delhi, India: McGraw Hill,
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[5] H. L. Tsai, C. S. Tu, and Y. J. Su,
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[6] S. Silvestre, L. Castaer, and D. Guasch,
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1st. ed. San Diego, California, Elsevier Inc, 2009,
469 519.
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Ttulo Congreso internacional de ingeniera electrnica. Memoria electro
Ttulo Abreviado Congr. int. ing. electrn. mem. electro.
Pas Mxico
Situacin Vigente
Ao Inicio 1979
Ao Terminacin 9999
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0188-9729]
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