TeseLivDoc IFUSP2006 Fullfigures

Srgio Luiz Morelho
Fsica de raios X aplicada

cristalografia, nanotecnologia e
oftalmologia
Tese de Livre-Docente
Edital IF-051/2006
Departamento de Fsica Aplicada
Instituto de Fsica
Universidade de So Paulo - USP
So Paulo
2006
Prefcio
O texto original da Tese de Livre Docncia, como apresentado no ato da
inscrio ao concurso, edital IF-051/2006, fora editado em moldes similares aos
compatveis com um projeto de pesquisa. Dando nfase s pesquisas atualmente
em desenvolvimento, muito mais do que sistematizando criticamente toda a obra
realizada pelo candidato at ento.
Inconfundivelmente distinta da tese escrita, a argio de defesa da tese
perante a banca do concurso em questo conteve a necessria avaliao crtica
da obra realizado ao longo de toda a carreira cientfica.
Sabiamente a banca soube ponderar entre o texto original e o contedo
apresentado na argio, fato este que permitiu a aprovao do candidato ao
ttulo de Livre Docente.
Portanto, afim de proporcionar os interessados nesta obra, acesso a todo
material disponibilizado aos membros da banca, assim como um entendimento
claro da situao adversa enfrentada por eles, encontra-se includo ao texto
original, as imagens (slides) apresentadas juntamente com a respectiva
transcrio da argio.
Tese de Livre-Docente Edital IF-011/2006 pgina 2

ndice
Tese Original ................................................................................................. 4
Introduo ................................................................................................ 4
Faseamento cristalogrfico de quase-cristais ............................................. 6
Otimizao e aplicaes da varredura Renninger em nanotecnologia.......... 9
Imageamento de raios X em estudos avanados de doenas oftlmicas .... 13
Referncias bibliogrficas ........................................................................ 17
Transcrio da defesa de tese..................................................................... 22
Parte I - Espao recproco hbrido

(hybrid reciprocal space) ........................................................... 23
Parte II - Imageamento de raios X no estudo da catarata

(X-ray imaging in advanced studies of ophthalmic disease) ....... 58
Parte III - Fsica de raios X em cristalografia e nanotecnologia

(X-ray physics in crystallography and nanotechnology) ............. 98

Introduo
I. O fenmeno de interferncia entre feixes de raios X difratados
simultaneamente por um mesmo cristal, quando explorado em funo da
polarizao linear da radiao sncrotron, tem propiciado uma abordagem indita
do problema da fase em determinao de estruturas cristalinas [1,2]. Com as
melhorias j implantadas em instrumentao e os elaborados procedimentos
sistemticos de coleta e anlise de dados [3-5], estudos prticos baseado nesta
nova metodologia tm sido realizados [6]. Em andamento esta o estudo da
estrutura de cristais aperidicos, ou quase-cristais, de Al-Pd-Mn.
II. Aspectos da geometria tridimensional da difrao mltipla de raios X
fornecem uma ferramenta nica para medir parmetros de rede em monocristais
com altssima preciso, a/a 10-6; isto quando erros instrumentais so
devidamente corrigidos [7]. A pouca penetrao e a forte intensidade da difrao
Bragg-superfcie (BSD) um caso particular de difrao de 3-feixes tm
favorecido estudos da perfeio cristalina em superfcies [8-11] e
heteroestruturas [12-16] semicondutoras. Medidas livres de erros instrumentais,
combinadas com as caractersticas da BSD, esto originando uma tcnica capaz
de detectar tenses residuais nfimas na superfcie de substratos sob os quais
esto depositados estruturas de dimenses nanomtricas; no caso estudado, as
estruturas so pontos qunticos de InAs sobre GaAs (001) [7]. Explorar o
potencial da tcnica, aprimor-la e, ao mesmo tempo, contribuir para o cenrio
atual da nanotecnologia so os principais objetivos desta linha de pesquisa [17].

Outras tcnicas de caracterizao como refletometria raio X, difrao de raios X
incidncia rasante e microscopia de fora atmica (AFM) tambm sero
empregadas.
III. Raios X duros, com energia acima de 20 keV, interagem muito pouco com
tecidos biolgicos de baixa densidade, chamados tecidos moles. Alm da baixa
absoro propriedade essencial radiografia de raios X o pouqussimo
espalhamento da radiao pelos tecidos outra propriedade da interao
radiao-tecido, esta ainda pouco explorada. Dois processos de espalhamento
so de particular importncia aqui: i) o espalhamento difuso da radiao, mais
conhecido por espalhamento de baixo ngulo, e ii) a refrao dos raios X na
interface entre regies dos tecidos com pequenas variaes de densidade.
Recentemente comeamos a explorar as diferenas existentes na magnitude
destes processos de espalhamento para mapear leses distintas que acometem o
tecido dos cristalinos (principalmente canino) com catarata [18-20]. Porm o trato
com tecidos biolgicos e a necessidade de tcnicas complementares tem
requerido uma sinergia entre diversas especialidades, gerando vrias
colaboraes e projetos de pesquisas com caractersticas dspares [21-25].
IV. Os princpios fsicos da interao da radiao X com os materiais so um
ponto comum das pesquisas mencionadas nos pargrafos acima (I, II e III), e para
as quais tenho contribudo de diversas formas, seja como colaborador,
supervisor, orientador ou ainda com contribuies individuais. Tais pesquisas,
juntamente com as referncia citadas, representam a parte mais significativa

desta tese de Livre-Docente, mas existem ainda uma outra linha de trabalho em
fase inicial. Se trata de um trabalho independente que, a princpio, estaria mais
voltado ao ensino de Fsica Moderna do que propriamente a um trabalho de
pesquisa aplicada. Contudo a abordagem terica dada aos potenciais qunticos
unidimensionais [26], alm de fornecer uma excelente ferramenta didtica,
encontra aplicaes em tecnologia de dispositivos semicondutores, em fsica das
ligaes qumicas e em outros problemas de poucos corpos quando reduzidos
equao de Schrdinger radial.
Faseamento cristalogrfico de quase-cristais
Em 1984, D. Schechtman et. al [Phys. Rev. Lett. 53, 1951 (1984)] reportaram a
existncia de um material slido capaz de difratar eltrons como um monocristal,
mas com simetria pontual isocadrica, ou seja, com eixos de simetria 2, 3 e 5.
Cristais so arranjos peridicos de tomos, cuja periodicidade somente permite
eixos de simetria 1, 2, 3, 4 e 6. Portanto o slido descoberto no era peridico.
Surgiram assim os cristais aperidicos, ou quase-cristais. A importncia da
descoberta dos quase-cristais se deve ao fato da cristalografia de raios X, iniciada
pelo experimento de Laue em 1912, ter sido desenvolvida at a dcada de 80
sempre assumido que cristais fossem peridicos. Estava implcita a idia da
periodicidade como o estado nico da matria no amorfa, a qual teve de ser
reavaliada aps o surgimento dos quase-cristais; algo intermedirio entre o
peridico e o amorfo havia surgido.

Picos discretos de difrao ocorrem para estruturas aperidicas porque a
transformada de Fourier de seqncias aperidicas unidimensionais, tipo
seqncia de Fibonacci, geram componentes discretos, indexveis por dois
nmeros inteiros. O padro de difrao de um cristal aperidico, ou seja seu
espao recproco, tem portanto sido indexado com um total de seis nmeros
inteiros (dois para cada dimenso).
As fases das reflexes, isto as variaes relativas nas fases das ondas de
raios X difratadas por um cristal, contm uma informao estrutural importante
que perdida quando as intensidades difratadas so medidas individualmente
como feito em cristalografia de raios X. Esta perda de informao sanada
atravs de vrios mtodos, mas no sem uma significante complicao na vida
dos cristalgrafos, a qual aumenta com a complexidade das estruturas. No caso
de cristais aperidicos, tais mtodos no se aplicam porque foram desenvolvidos
para cristais com clulas unitrias bem definidas. Conseqentemente, mesmo
depois de mais de 20 anos da descoberta do primeiro quase-cristal, e de mais de
2000 artigos sobre a estrutura atmica de cristais aperidicos, no existe
nenhuma estrutura proposta que apresente um fator de credibilidade (reliability
factor) to bom quanto aqueles usualmente obtidos para os cristais peridicos.
Ou seja, os mtodos difratometricos convencionais tem sido insuficientes para
solucionar a estrutura.

O objetivo desta pesquisa seria aplicar o novo mtodo de faseamento
cristalogrfico que desenvolvemos [1-6] para resolver a estrutura dos quase-
cristal de Al-Pd-Mn. Atravs do mtodo esta sendo gerado um banco de dados
com as fases invariantes dos Umwegs (Umweg = difrao de 3-feixes) do Al-Pd-
Mn; o qual servir de referncia para descartar ou validar as estruturas atmicas
j propostas, ou ainda qualquer outro modelo terico da estrutura atmica que
venham a ser proposto.
No ano passado, 2005, foram feitas as medidas e o faseamento de uma srie
de Umwegs com uma acurcia muito boa em diversas polarizaes [27]. A razo
da excelente qualidade dos resultados conseqncia das reflexes do Al-Pd-Mn
apresentarem larguras intrnsecas (~150rad) maiores do que as larguras
instrumentais na estao XRD1 do LNLS; uma situao oposta quela
encontrada no faseamento do KDP [6].
Afim de confirmar e aumentar a credibilidade nos valores obtidos das fases
neste material antes de publica-los, resolvemos incluir a dependncia da energia
no faseamente, como feito no estudo anterior [5]; isto numa segunda amostra
preparada em condies similares. Experimentos estes realizados em
fevereiro/2006.
Esta pesquisa uma colaborao com a University of Guelph, ON, Canad.
Os quase-cristais foram crescidos no Guelph Laboratory of X-ray Diffraction, pelo

aluno de doutorado, ou PhD Candidate, Marcus Miranda (mestre pela UFC, CE,
Brasil) sob orientao do Dr. S. Kycia.
Otimizao e aplicaes da varredura Renninger em
nanotecnologia
Nanoestruturas so objetos com pelo menos uma de suas dimenses inferior
a 100nm. Devido esta pequena dimenso, notveis diferenas aparecem nas
propriedades fsicas tais como a quantizao dos nveis de energia. O novo
conjunto de propriedades encontra importantes aplicaes em microeletrnica e
optoeletrnica. O desenvolvimento de materiais nanoestruturados requer novos
mtodos de sntese, e conseqentemente novos mtodos de anlise aplicveis
estruturas de dimenses to reduzidas. A nanotecnologia, que engloba um
conjunto de mtodos de sntese, anlise e processamento dos dispositivos, uma
rea de extrema importncia nos dias atuais, no somente pelos benefcios
decorrentes de aplicaes diretas desta tecnologia, mas tambm por propiciar
meios de inspecionar o comportamento da natureza numa escala to reduzida,
isto , de ftons, eltrons e tomos, em condies peculiares e inditas que so
criada a cada dia com o prprio avano da nanotecnologia.
Os dispositivos opto-eletrnicos baseados em pontos qunticos (QDs - quantum
dots) auto-organizados de InAs tm grande potencial de aplicao em redes de
comunicao de mdio alcance, como reas metropolitanas (metropolitan-area

networks). O espectro de emisso, ou o intervalo de comprimentos de onda da luz
emitida pelos QDs, est prximo dos mnimos de absoro das fibras pticas.
Esta propriedade ptica est sendo constantemente aprimorada de modo a
viabilizar dispositivos com o melhor casamento possvel entre o espectro de
emisso dos QDs e os mnimos de absoro das fibras pticas. Contudo, o
desafio atual est em como aumentar a eficincia ptica de tais dispositivos, ou
seja, aumentar a densidade de QDs opticamente ativos.
Os QDs de InAs so obtidos via epitaxia de feixe molecular (MBE - molecular
beam epitaxy) em substratos de GaAs (001). Mas, as tenses superficiais
responsveis tanto pela formao como pelo mecanismo de auto-organizao dos
QDs tambm limitam a densidade dos mesmos. A opo encontrada tem sido o
crescimento de algumas camadas atmicas de GaAs sobre os QDs j depositados,
e assim disponibiliza-se uma nova superfcie de deposio. Todavia, uma drstica
reduo no nmero de QDs opticamente ativos ocorre aps o cobrimento. Alm
do que, tcnicas para anlise de superfcie tais como microscopia de fora
atmica (AFM - atomic force microscopy), e ainda difrao de raios X incidncia
rasante (GIXRD - grazing incidence X-ray diffraction), no so mais, em geral,
teis para investigar a estrutura fsica dos QDs enterrados (cobertos), com
exceo de casos onde ocorre um auto-ordenamento vertical dos QDs ao longo
das vrias etapas de deposio.
A necessidade de caracterizar a nanoestrutura dos QDs cobertos, para se
entender em mais detalhes as modificaes na forma, tamanho e no campo de
deformao dentro e em sua vizinhana, tem impelido o surgimento de novos

mtodos de caracterizao, cuja ferramenta principal a difrao de raios X.
Dentro deste objetivo, a pesquisa proposta aqui segue uma linha de trabalhos
pioneiros na utilizao da difrao de n-feixes (ou difrao mltipla, n > 2) como
ferramenta para caracterizao de superfcies, heteroestruturas e nanoestruturas
semicondutoras [7-16].
A varredura Renninger (XRS - X-ray Renninger scanning) um procedimento
sistemtico para excitar casos de difrao mltipla , em princpio, o mtodo
mais preciso disponvel para determinao de parmetros de rede em
monocristais. Contudo, s recentemente foi possvel equacionar erros
instrumentais inerentes (ou residuais) ao processo de alinhamento das amostras,
viabilizando a aplicao da XRS em estudos onde h necessidade de alta
sensibilidade a pequenas variaes dos parmetros de rede. Combinando a
acurcia da XRS com as propriedades da BSD (Bragg-surface diffraction)
conseguiu-se medir um campo de deformao residual mdio em amostras com
QDs cobertos [7]. Porm a origem do campo de deformao no ficou clara, o que
nos levou a traar um metodologia mais elaborada para elucidar tal questo.
Resultados recentes obtidos numa srie de amostras preparadas
especialmente para esta pesquisa, mas ainda no publicados, mostram uma
variao significativa do campo de deformao entre amostras com QDs cobertos
e expostos. Nota-se tambm que alguns dos picos de difrao mltipla, medidos
nas amostras com QDs cobertos, apresentam leve assimetria indicando
ocorrncia de interferncia entre as ondas simultaneamente difratadas por

reflexes Bragg distintas, como j observado em outras heteroestruturas [12]. Em
cristais semicondutores e monocristais em geral, a investigao das assimetrias
nos perfis das difraes de 3-feixes (Umwegs) tem propiciado medidas
experimentais dos valores das fases dos fatores de estrutura, mas a ocorrncia
deste fenmeno em semicondutores nanoestruturados est ainda por ser
devidamente estudada e explorada.
O objetivo aqui identificar a origem do campo de deformao medido via
XRS na superfcie dos substratos de GaAs (001) com QDs depositados,
discriminando o quanto a deformao de fato induzida pelos QDs ou se
provinda de tenso residual na superfcie do substrato oriunda, por exemplo, do
processo de acabamento da superfcie. A razo deste interesse advm da
possibilidade de existir, em cada caso, tenses de relaxao diferentes em torno
dos QDs durante o cobrimento. Contudo, a constatao de assimetria nos perfis
das BSD, embora muito discreta, impem um problema extra a ser resolvido. Isto
, antes de aplicar a XRS neste estudo, teremos de quantificar o error introduzido
pelas assimetrias das BSD.
A integra da pesquisa descrita neste item faz parte do projeto de doutorado
[17] do aluno Raul Oliveira Freitas, e esta sendo desenvolvido sob minha
orientao.

Imageamento de raios X em estudos avanados de doenas
oftlmicas
Caracterizao microscpica de tecidos patolgicos tem uma limitao
intrnseca majoritria: a pequena rea de amostragem com relao extenso
dos tecidos. Mapear as possveis alteraes dos tecidos em escala macroscpicos
e correlacion-las com um grande nmero de casos clnicos no um
procedimento factvel para se estudar a maioria das doenas, como por exemplo
as doenas relacionadas perda de viso e, em particular, catarata.
Embora o implante de lentes intra-oculares seja um tratamento de sucesso, a
catarata ainda uma das principais questes de sade pblica que cresce em
importncia com o crescimento das populaes e da expectativa de vida em todo
o mundo.
O sistema de viso dos mamferos so susceptveis uma variedade de
doenas relacionadas com alteraes nas propriedades pticas/fisiolgicas dos
tecidos responsveis pelo processamento da luz dentro do olho. Entender as
causas a nvel molecular necessrio para prevenir ou corrigir a perda de viso
nos estgios iniciais das doenas. Este fato tem motivado muitas pesquisas
durante as ltimas dcadas. Feixes de luz e de eltrons esto entre as sondas
mais utilizadas nessas pesquisas, mas elas tm limitaes inerentes devido
grande quantidade de luz espalhada e pouca profundidade de penetrao dos
feixes eletrnicos. Para minimizar o espalhamento de luz, de modo a aumenta a

resoluo, procedimentos histolgicos de preparao de amostras finas so
requeridos na microscopia ptica, e procedimentos similares so necessrios na
microscopia de eltrons desde que a profundidade de sondagem muito
pequena. Conseqentemente, mtodos que utilizam feixes de luz ou de eltrons
so indicados para estudos onde alta-resoluo requerda, mas no para
estudos que envolvam alteraes patologicas em tecidos de escalas
macroscpicas.
Pelas razes mencionadas acima, estamos explorando as vantagens da
radiao X para obter imagens de boa resoluo (dezenas de micra) em tecidos
com extenso de centmetros. Isto possvel desde que, na freqncia dos raios
X, o espalhamento restrito a um ngulo muito pequeno e a profundidade de
penetrao incomparavelmente maior do que para feixes de eltrons. A
sensibilidade necessria para identificar alteraes nos tecidos conseguida por
uma tcnica de imagem onde distintos processos de interao radiao-tecido
so descriminados por difrao Bragg num cristal altamente perfeito antes da
aquisio das imagens. O potencial de tal tcnica de imageamento por raios X em
oftalmologia demonstrado aqui no estudo da catarata.
A perda de transparncia da lente do olho, ou catarata, ocorre devido ao
espalhamento de luz visvel. Embora as alteraes bioqumicas e celulares que
levam catarata ainda no so bem conhecidas, tais alteraes tm que induzir
variaes de densidade, ou flutuaes no ndice de refrao, numa escala de
comprimento D, comparvel ao comprimento de onda , de modo a explicar o

espalhamento de luz visvel que turva as lentes com catarata. Uma vez que o
ngulo compreendido pelo espalhamento difuso da luz proporcional razo
/D, ferramentas que utilizem comprimentos de onda menores do que
microscopia de luz visvel so necessrias para sondar a natureza intrnseca dos
centros espalhadores.
Instalaes sncrotrons adaptadas para imageamento de raios X com
contraste acentuado por difrao (DEI - diffraction enhanced imaging), tm as
condies ideais das pticas de feixe incidente e transmitido para sondar
inhomogeneidades nos tecidos oculares. Nas tentativas anteriores realizadas no
LNLS [18,19], o baixo fluxo de ftons no intervalo de comprimento de onda
desejado permitiram o imageamento apenas de lentes fatiadas, com espessuras
em torno de 1 mm. Danos na superfcie devido ao corte e longo tempo de
exposio no colaboraram para estudo conclusivo de tecidos oculares por
imagens de raios X nestas primeiras tentativas.
Mais recentemente utilizamos as instalaes da estao X15A no National
Synchrotron Light Source (NSLS), Brookhaven, EUA. L imagens dos cristalinos
inteiros foram obtidas com raios X de 20 keV. A excelente resoluo angular do
sistema de aquisio de imagens permite uma alta sensibilidade pequenos
desvios angulares. Por exemplo, para um desvio de apenas 1 rad, o feixe que
incide nos detetores de reas (CCDs) experimenta uma variao de intensidade
da ordem de 30%. Como as oscilaes de intensidade no NSLS so menores do
que 5%, os sistema que utilizamos sensvel at para desvios inferiores 1 rad.

Os experimentos realizados no NSLS mostraram que atravs do imageamento
de raios X possvel identificar a presena de tecidos calcificados no interior das
lentes, presentes na maioria dos casos de catarata parcial, e tambm mapear
reas extensas de compactao de fibras celulares que so limitadas por fissuras
de baixa densidade e correlacionadas com a simetria axial de organizao das
fibras corticais. Todos os casos analisados de catarata total apresentavam reas
de compactao, mesmo quando essas reas no geravam nenhum
espalhamento de raios X [20].
Esta pesquisa foi realizada como parte do projeto de Ps-doutoramento [22]
da Dra. Andra Antunes, sob minha superviso, e em colaborao com a
Faculadade de Medicina Veterinria e Zootecnia da USP.
Atenciosamente,
SRGIO L. MORELHO
Prof. Dr. junto ao Depto. de Fsica Aplicada
Universidade de So Paulo - USP
So Paulo, 24 de abril de 2005

Referncias bibliogrficas
[Anexo # (do Memorial)]
[1] "Strength tuning of multiple waves in crystals"

S.L. Morelho, L.H. Avanci
Acta Crystallographica A 57, 192-196 (2001)
[Anexo 35]
[2] "Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction"

S.L. Morelho, S. Kycia
Physical Review Letters 89, 015501 (2002)
[Anexo 38]
[3] "An X-ray diffractometer for accurate structural invariant phase

determination"
S.L. Morelho
Journal of Synchrotron Radiation 10, 236-241 (2003)
[Anexo 39]
[4] "Accurate triplet phase determination in non-perfect crystals - a general

phasing procedure"
S.L. Morelho
[Anexo 40]
[5] "Study of crystalline structures by physical determination of triplet phase

invariants"
S.L. Morelho, L.H. Avanci, S. Kycia
Nuclear Instrum. and Methods in Physics Research B 238, 175-179 (2005)
[Anexo 43]
[6] "Automatic X-ray crystallographic phasing at LNLS"

S.L. Morelho, L.H. Avanci, S. Kycia

[Anexo 44]
[7] "Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrate surface: characterization
by synchrotron X-ray Renninger scanning"
S.L. Morelho, L.H. Avanci, R. Freitas, A.A. Quivy
Microelectronics Journal 36, 219-222 (2005)
[Anexo 49]
[8] "X-ray multiple diffraction phenomenon in the evaluation of semiconductor

crystalline perfection"
S.L. Morelho, L.P. Cardoso
Journal of Applied Crystallography 29, 446-456 (1996).
[Anexo 16]
[9] "Sensitivity of Bragg-surface diffraction to analyze ion-implanted

semiconductors"
M.A. Hayashi, S.L. Morelho, L.H. Avanci, L.P. Cardoso, J.M. Sasaki,
L.C. Kretly, S.L. Chang
Applied Physics Letters 71, 2614-2616 (1997)
[Anexo 28]
[10] "Investigation of Bragg-surface diffraction in semiconductors and epitaxial

structures by reciprocal-space analysis"
S.L. Morelho, E. Abramof
Journal of Applied Crystallography 32, 871-877 (1999)
[Anexo 33]
[11] "Bragg-surface dynamical diffraction"

L.H. Avanci, S.L. Morelho
[Anexo 34]

[12] "Two-dimensional intensity profiles of effective satellites"
S.L. Morelho, L.H. Avanci, A.A. Quivy, E. Abramof
Journal of Applied Crystallography 35, 69-74 (2002)
[Anexo 36]
[13] "Hybrid and effective satellites for studying superlattices"

S.L. Morelho, A.A. Quivy, J. Hrtwig
Microelectronics Journal 34, 695-699 (2003)
[Anexo 42]
[14] "Simulation of hybrid reflections in the X-ray multiple diffraction

experiments"
S.L. Morelho, L.P.Cardoso
Journal of Crystal Growth 110, 543-552 (1991).
[Anexo 9]
[15] "Hybrid multiple diffraction in renninger scan for heteroepitaxial layers"

S.L.Morelho, L.P. Cardoso, J.M. Sasaki, M.M.G. de Carvalho
Journal of Applied Physics 70, 2589-2593 (1991).
[Anexo 10]
[16] "Structural properties of heteroepitaxial systems using hybrid multiple

diffraction in renninger scans"
S.L. Morelho, L.P. Cardoso
Journal of Applied Physics 73, 4218-4226 (1993)
[Anexo 12]
[17] "A radiao X no estudo de dispositivos semicondutores nanoestruturados:

desenvolvimentos e aplicaes"
Projeto de Pesquisa, nvel: Doutorado-direto
Aluno: Raul de Oliveira Freitas
Bolsa: CNPq
Vigncia: maro/2006 - presente

[Anexo 8]
[18] "Diffraction enhanced X-ray imaging of mammals crystalline lens"

A. Antunes, M.G. Hnnicke, A.M.V. Safatle, C. Cusatis, P.S.M. Barros,
S.L. Morelho
[Anexo 45]
[19] "High contrast radiography of normal and cataractous canine lenses"

A. Antunes, M.G. Hnnicke, C. Cusatis, S.L. Morelho
Journal of Physics D: Applied Physics 38, A85-A88 (2005)
[Anexo 48]
[20] "X-ray imaging in advanced studies of ophthalmic diseases"

A. Antunes, A.M.V. Safatle, P.S.M. Barros, S.L. Morelho
Medical Physics, aceito (2006)
[Anexo 51]
[21] "In vitro Raman spectroscopy of healthy mammals crystalline lenses"

A. Antunes, S.E. Abud-Filho, M.L.A. Temperini, S.L. Morelho
Laser Physics Letters 2, 415-420 (2005)
[Anexo 47]
[22] "Caracterizao topogrfica por contraste de fase de amostras de cristalino

animal com radiao sncrotron"
Projeto de Pesquisa, nvel: Ps-Doutorado
Pesquisador: Dra. Andrea Antunes
Bolsa: CNPq
Vigncia: agosto/2003 - julho/2005
[Anexo 8]
[23] "Determinao de elementos majoritrios e trao em cristalino de mamferos:

estudo histolgico comparativo qumico"

Colaborao Internacional CAPES/GRICES, No. 140/05
Coordenador: Srgio L. Morelho
Vigncia: maro/2005 - maro/2007.
[Anexo 5]
[24] "Raios X no estudo da catarata "

Projeto de Pesquisa, nvel: Mestrado
Aluno: Wagner Fernando Fazio
Bolsa: CNPq
Vigncia: agosto/2005 - presente
[Anexo 8]
[25] "Caracterizao morfolgica e determinao de mapas de elasticidade de

tecidos oculares por microscopia de fora atmica (AFM)"
Projeto de Pesquisa, nvel: Mestrado
Aluno: Fernanda Virginia Gozzo
Bolsa: CNPq (aguardando)
Vigncia: maro/2006 - presente
[Anexo 8]
[26] "General recursive solution for one-dimensional quantum potentials"

S.L. Morelho
Revista Brasileira de Ensino de Fsica, a ser submetido (2006)
[Anexo 53]
[27] Ver relatrio final do projeto "Algoritmo para determinao da fase de

reflexes Bragg e aplicaes"
Auxlio Pesquisa FAPESP, No. 02/10387-5.
[Anexo 5]

Transcrio da defesa de tese apresentada aos membros da banca
do concurso de Livre Docncia, edital IF-051/2006
"Prezados Senhores,
vou falar aqui sobre contribuies ao entendimento da fsica de raios X aplicada
cristalografia, nanotecnologia e oftalmologia."

Parte I - Espao recproco hbrido
Slide 1:
"A possibilidade de crescer finas camadas monocristalinas (epilayer) sobre a
face de outro monocristal (substrate) tem viabilizado conquistas fundamentais em
tecnologia de semicondutores. Crescimentos epitaixiais so hoje um dos
processos mais importantes usados na confeco de dispositivos
nanoestruturados. Materiais com mltiplas camadas, tais como superredes e
poos qunticos, ou mesmo fios e pontos qunticos, requerem epitaxia em algum
estgio de seus processos de preparao.
Os primeiros, e mais simples, arranjos instrumentais para caracterizao
estrutural de camadas epitaxiais, utilizavam fontes de raios X divergentes (X-ray
focus 40m) e filmes (film) fotogrficos para registrar as linhas de difrao da
camada e do substrato (imagem a). Das separaes entre as linhas se
determinava a diferena entre os parmetros das redes cristalinas.
A mais de 25 anos atrs, Isherwood e colaboradores, ao utilizarem tal arranjo
instrumental, observaram linhas extras [J. Cryst. Growth 54, 449 (1981)], como
pequenos traos inclinados sobre as linhas de difrao esperadas, como visto
nesta imagem (imagem a). O fenmeno foi atribudo ao reespalhamento dos feixes
difratados entre as redes da camada e do substrato, e denominado de reflexo
hbrida.
Contudo, somente dez anos aps a publicao do trabalho de Isherwood,
Brown e Halliwell, surgiu uma descrio quantitativa do fenmeno, viabilizando a
simulao das reflexes hbridas (imagem b) [J. Cryst. Growth 101, 543 (1991)]. "

Slide 2:
"A geometria tridimensional intrnseca das reflexes hbridas implica, na
prtica, que elas ocorrem apenas em direes especficas do espao, ou seja, para
excitar uma reflexo hbrida necessrio satisfazer tanto o ngulo de incidncia
mega () como o ngulo azimutal phi ().
Isto pode ser visto nesta figura (figura esquerda), onde SL e LS denotam
reflexes hbridas como estas aqui em baixo (figuras a e b, direita).
O uso de feixes colimados permitiria portanto investigar detalhadamente as
condies angulares onde reflexes hbridas so excitadas. Fato que foi explorado
primeiramente com radiao X convencional (X-ray tube), levando proposio
de mtodos para anlise de camadas epitaxiais via reflexes hbridas [J. Appl.
Phys. 70, 2589 (1991); 73, 4218 (1993)].
Feixes colimados em duas direes ortogonais e intensos so comuns em
instalaes sncrotrons. Ento, alm de revelar outras propriedades das reflexes
hbridas [Appl. Phys. Lett. 73, 2194 (1998)], a radiao sncrotron e as respectivas
pticas de feixe incidente ofereciam as condies ideais para explorar o
fenmeno.
Contudo, em algum momento, achamos que seria infrutfero continuar a
explorar tal fenmeno, isto pelos seguintes motivos:
- Embora instalaes sncrotrons sejam de fcil acesso, a demanda da
indstria de semicondutores por anlises rotineiras, inviabiliza o uso de tcnicas
restritas aos sncrotrons;

- E, os difratmetros comerciais no pareciam ter uma ptica de feixe
incidente apropriada, com relao ao requisito de colimao em direes
ortogonais, para empregar os mtodos propostos. "

Slide 3:
"Embora o fenmeno reflexo hbrida houvesse deixado de ser interesse de
pesquisa, encontramos, com certa freqncia, fenmenos semelhantes ao estudar
superredes de camadas epitaxiais via difrao de raios X sncrotron, isto tanto no
LNLS como no ESRF.
Nos limitamos apenas descrever os novos aspectos do fenmeno, motivados
mais pelo fato de sabermos explica-los, do que por esperar um retorno
significante desses trabalhos [J. Appl. Cryst. 35, 69 (2002), Microelectron. J. 34, 695
(2003)]."

Slide 4:
"Aplicaes das reflexes hbridas, que pareciam fadada ao esquecimento,
tem um captulo recente e, talvez, o mais importante, capaz de levar o fenmeno
queles que seriam os mais interessados em explora-lo, ou seja, industria de
semicondutores com seus difratmetros comerciais.
Encontrar este fenmeno parecia uma sina, mesmo quando no o
procurvamos sua ocorrncia era evidente em muitos dos nossos experimentos.
Porm, ao participar da XTOP 2006, a apenas dois meses atrs, fomos,
literalmente, encontrado pelo fenmeno.
O Dr. Domagala, do Instituto de Fsica da Academia Polonesa de Cincias, me
convidou para assistir sua palestra na conferncia, onde ele exps vrios
resultados obtidos num difratmetro comercial ao investigar o espao recproco
de amostras com camadas epitaxiais.
Intrigado com as contribuies extras de intensidades difratadas (additional
peaks), ele questiona quais informaes estariam contidas nessas contribuies
extras.
Embora parecia bvio que fossem reflexes hbridas, ele no havia
conseguido correlacionar seus resultados com a formulao matemtica que
havamos desenvolvido.
Foi somente ai que percebemos que faltava uma descrio geral do fenmeno,
ou seja, faltava descreve-lo num linguagem comum aos pesquisadores
acostumados com as tcnicas de difrao de raios X de alta resoluo, as
mesmas utilizadas para analisar o espao recproco das estruturas epitaxiais."

Slide 5:
"A difrao de raios X num monocristal qualquer pode ser descrita pela sua
rede recproca, que uma rede discreta de pontos peridicos no espao recproco,
isto , no espao de momento onde o feixe incidente, com vetor de onda k0,
representado por uma superfcie esfrica.
O termo difrao de raios X de alta resoluo (HRXRD) designa um conjunto
de procedimentos que permitem mapear a forma de um dado ponto da rede
recproca (rlp), para da tirar informaes como tenso e mosaicidade presentes
na amostra (crystal).
Sendo que, pelo menos uns 15 anos, j existem difratmetros comerciais
aptos a realizar tais tcnicas de alta resoluo."

Slide 6:
"At o presente momento, o espao recproco de um sistema epitaxial
camada/substrato sempre fora visualizado como uma superposio de duas
redes recprocas, uma da camada (epilayer) e outra do substrato (substrate).
De acordo com esta viso simplista, o mapeamento do espao recproco em
torno de reflexes simtricas (symmetric) permite determinar a discordncia de
rede, isto a diferena entre os parmetros de rede da camada (a) e do
substrato (a0), apenas na direo de crescimento da camada, ou seja, na direo
perpendicular ao plano da camada. Medida esta suficiente para uma
caracterizao completa apenas de sistemas sem relaxao de tenses elsticas,
ou seja, de camadas totalmente tencionadas.
Quando h relaxao total ou parcial das tenses elsticas, os parmetros de
rede da camada (a||) e do substrato (a0) na direo paralela ao plano da camada
tambm so diferentes (a|| a0). Sendo assim, o estado de relaxao somente
poder ser medido, diretamente, pelo mapeamento do espao recproco em torno
de uma reflexo assimtrica (asymmetric).
Aqui ilustramos estas duas situaes, de camada tencionada ( esquerda) e
de camada parcialmente relaxada ( direita), para o caso de substratos cbicos
orientados na direo 001 [(001) Growth]."

Slide 7:
"Apesar da difrao de raios X de alta resoluo ser uma das ferramentas
mais utilizadas para anlise estrutural de filmes epitaxiais, e isto a pelo menos
uma dcada, o espao recproco desses materiais muito mais complexo do que
uma simples superposio de redes recprocas.
Para introduzir o quo complexo tais espao recprocos so de fato, vamos
relembrar um outro fenmeno de difrao que tambm ocorre em monocristais.
A difrao mltipla de raios X um fenmeno conhecido que ocorre em
qualquer rede recproca tridimensional.
Quando uma difrao mltipla excitada, a transferncia de momento se d
atravs de reflexes consecutivas, o que equivale a somar os vetores recprocos
dessas reflexes (P*=S+C). E, embora ela possa alterar a intensidade relativa das
reflexes Bragg, nenhum ponto extra gerado no espao recproco porque
adies de vetores recprocos sempre terminam sobre um ponto da rede recproca
j existente, ou seja P* igual a P."

Slide 8:
"Por outro lado, quando duas redes recprocas distintas esto superpostas,
como nos sistemas epitaixiais camada/substrato, a soma de vetores recprocos
pode terminar num local vazio do espao recproco, ou seja, P* diferente de P.
Isso ocorre quando um vetor recproco da soma no pertence mesma rede
dos outros vetores. Nesses casos, pontos recprocos hbridos so gerados, como
representado aqui por esta esfera em laranja."

Slide 9:
"Ao contabilizarmos todas as possveis seqncias de reflexes envolvendo
vetores de difrao de ambas as redes, percebemos que os pontos recprocos
hbridos formam uma sub-rede em torno de cada ponto da rede recproca do
substrato.
Para melhor visualizar isto, vamos considerar o caso de um substrato cbico,
com parmetro de rede a0, e orientao 001. Ento, a|| e a sero os parmetros
de rede da camada nas direes paralela e perpendicular ao plano da interface
camada/substrato, respectivamente.
Assumindo tambm que no existam rotaes nem tores relativas entre as
redes, os vetores de base (a*, b*, c*) de ambas as redes recprocas sero paralelos
entre si, ou seja aL*//aS*, bL*//bS*, onde o subscrito L indica camada e S
substrato.
Tomando como referncia um ponto da rede recproca do substrato, cujo
vetor de difrao P, e contabilizando em P* todas as possveis soma de dois
vetores de difrao onde apenas um deles pertena camada, teremos a posio
relativa, P, de todos os pontos recprocos hbridos em torno de P.
Ao fazer isto, obtemos que a rede recproca hbrida (HRL) uma rede de
pontos discretos, indexados por nmeros inteiros, h', k', l', e com periodicidades,
a*, b*, e c*, determinadas exclusivamente pelas diferenas entre os
parmetros de rede, ou seja, pela discordncia das redes."

Slide 10:
"Conseqentemente, a configurao espacial da rede recproca hbrida
depende do estado de relaxao da camada epitaxial
Por exemplo, num sistema epitaxial com camada totalmente tencionada, sem
relaxao, os pontos da rede recproca hbrida (hrlp) formam uma rede
unidimensional alinhada ao longo da direo de crescimento, tanto no caso de
reflexes simtricas (002, 004 e 006) como assimtricas (224).
Isso ocorre porque no havendo discordncia de rede paralela interface (a||
= a0), as periodicidades a* e b* da rede hbrida so nulas, fazendo com que
todos os pontos hbridos com ndices h'k'l', sejam coincidentes com o ponto 00l'.
Nestes exemplos, as posies dos pontos hbridos (em laranja), com l' positivo
ou negativo, e dos ns recprocos do substrato (S) e da camada (L), foram
calculadas assumindo a maior que a0."

Slide 11:
"Totalmente diferentes so os casos dos sistemas epitaxiais com relaxao
total ou parcial da tenso, ou seja, quando h discordncia de rede paralela
interface, isto a|| diferente de a0.
Nestes casos, a rede recproca hbrida deixa de ser unidimensional e se torna
tridimensional.
Portanto, o espao recproco de um sistema epitaxial no uma simples
superposio de duas redes recprocas. Devido aos processos de reespalhamento
dos feixes difratados, tal espao recproco se constitui de inmeros pontos em
torno de cada n da rede recproco do substrato (S).
A diferena dos pontos hbridos em relao aos ns recprocos normais esta
no fato deles somente serem excitados em valores especficos do ngulo azimutal
phi (), ou seja, do ngulo de giro da amostra em torno do vetor de difrao do
substrato."

Slide 12:
"Uma propriedade interessante dos pontos hbridos o fato da forma deles
dependerem da presena ou no de gradientes de tenso ou composio
responsveis pelos parmetros da camada, a|| e a, variarem ao longo da
espessura da camada.
Quando isto ocorrer, os pontos hbridos devero ter um formato alongado,
direcionados de acordo com as propriedades elsticas da camada e tambm
dependendo do valor de l'.
Por exemplo, no plano l' = 0, as elongaes dos sero voltados para o n
recproco do substrato, e a dimenso da elongao depender somente da
variao do a||. "
Se existir uma discordncia desde a interface, como ilustrado aqui (figura
direita), os pontos hbridos h'k'0 sero distintos do n do substrato (em verde).
Caso contrrio (figura esquerda), dever se observar apenas uma deformao
do n do substrato.

Slide 13:
"Aps elaborarmos esta descrio das reflexes hbridas no espao recproco,
nos lembramos de um resultado antigo [Appl. Phys. Lett. 71, 2614 (1997)], obtido
quando estudvamos os efeitos de implantao inica em semicondutores.
O mapeamento do espao recproco em torno da reflexo 004 do GaAs
mostrou, alm da contribuio esperada, uma intensidade extra (GaAs:Se) que
fora atribuda formao de uma camada do prprio GaAs, mas com clula
unitria deformada pela tenso de acomodao dos ons implantados.
Contudo, havia ficado sem uma explicao detalhada o processo pelo qual
esta intensidade extra aparecia no mapa. Suspeitamos agora que se trata de um
dos pontos hbridos com l' = 0 que ocorrem ao lado do n recproco do substrato
(S). S que neste caso, a camada deformada de GaAs fez a vez da camada
epitaxial. Esta medida talvez tenha sido uma das primeiras evidncias da
existncia da rede recproca hbrida.
Como uma concluso preliminar, diria que o espao recproco de sistemas
epitaxiais est muito mais interessante do que nunca, e que, existe muito
trabalho a ser feito para explorar o potencial deste fenmeno."

Slide 14:
"Bom, no sei se convenci vocs da existncia da rede recproca hbrida
(HRL). Mas, independentemente de vocs acreditarem ou no, o fato que ela
existe, e aqui esta a comprovao experimental
Estas imagens so mapas recprocos em torno da reflexo 002 obtidos num
difratmetro comercial, modelo X'pert MRD Philips, numa amostra com uma
camada epitaxial de seleneto de zinco (ZnSe), de um mcron de espessura,
crescida sobre GaAs 001.
Em (a), a direo cristalogrfica 110 estava contida no plano de incidncia, a
qual a orientao mais comum quando se analisa esses materiais. Isto se deve
ao fato dos planos 110 serem planos de clivagem do substrato GaAs e, portanto,
paralelos s bordas laterais das amostras. Nesta orientao notamos que, apenas
os ns recprocos do substrato (S) e da camada (L) so excitados.
J nos outros mapas, (b), (c) e (d), obtidos para outras orientaes azimutais,
ou seja, para outros valores do ngulo phi (, slide 8) de rotao da amostra em
torno da direo 001, vrios pontos hbridos so visveis, numerados de 1 11."

Slide 15:
"Nesta tabela, todos os pontos hbridos visveis nos mapas (slide 14) so
identificados.
As posies so condizentes com uma camada relaxada, com parmetros a||
e a muito prximos do parmetro aL esperado para o ZnSe quando livre de
tenses. Porm, a pequena diferena entre os valores destes parmetros indica
uma camada sob um mnimo de tenso residual expansiva (a|| > a).
Como a camada esta relaxada, pontos hbridos ao longo da direo 001, como
os pontos 5, 8 e 9 (slide 14), no podem ser explicados com seqncias de duas
reflexes apenas, so necessrias seqncias de trs reflexes para explica-los
(coluna P' ).
Os perfis elpticos dos pontos hbridos (nos mapas, slide 14) no so
decorrentes de gradientes de tenso, mas sim da mosaicidade da camada.
Esta fato foi constatado comparando-se as orientaes experimentais (coluna
E) dos pontos hbridos com as orientaes expiradas para o caso de existir
gradiente de tenso (coluna G) ou mosaicidade (coluna M).
Como vocs podem ver (comparando as colunas E e M), a mosaicidade era
responsvel pela forma elptica dos pontos hbridos.
Mas a exata orientao (valores de M), somente foi obtida admitindo-se uma
anisotropia espacial da mosaicidade, ou seja, que as larguras mosaicas no plano
(in-plane) e fora do plano (out-plane) da camada fossem diferentes."

Slide 16:
"Para um dado pondo hbrido (HRLP, figura esquerda), o vetor recproco C
da camada inclinado em relao ao plano da amostra e, portanto, sensvel
anisotropia espacial da mosaicidade. Em outras palavras, a desorientao
espacial do vetor recproco da camada se projeta no plano de incidncia, dando
forma elptica os pontos hbridos.
As orientaes dos pontos hbridos (, figura no alto direita) dependem da
anisotropia mosaica de acordo com este grfico (figura em baixo direita, onde
= M).
Ao compararmos as curvas tericas com os valores experimentais (quadrados
+ barra de erro), obtemos o valor de 0,67 para a razo entre as larguras mosaicas
no plano e fora do plano (in-plane/out-plane, slide 15)*."
*
Para maiores detalhes J. Appl. Cryst. 40, 546 (2007)
Slide 17:
"Como concluso deste tpico, sobre difrao de raios X em sistemas
epitaxiais, gostaria de enfatizar que a rede recproca hbrida existe.
E, sem uma descrio sistemtica do fenmeno, como a que descrevemos
aqui, a excitao acidental de uma reflexo hbrida pode comprometer a anlise
dos materiais mesmo por tcnicas usuais de difrao de raios X.
Por outro lado, o entendimento adequado de suas propriedades (das reflexes
hbrida) fornece informaes tridimensionais da camada, isto mesmo em
geometria de difrao simtrica e de alto ngulo.
Por exemplo, do mapa recproco de uma nica reflexo simtrica foi possvel
determinar:
-As discordncias de rede paralela e perpendicular;
-O estado de tenso;
-A ausncia de gradiente de tenso ao longo da espessura;
-E ainda, a desorientao espacial dos blocos mosaicos da camada.
Mas, o mais importante, o fato do fenmeno reflexo hbrida poder agora
ser explorado em difratmetros comerciais, ou seja, no mais necessrio
utilizar instalaes sncrotron para investigar ou empregar as reflexes hbridas
na anlise de estruturas epitaxiais. Fato este que colabora para que, com o
tempo, o fenmeno passe a ser vastamente utilizado em pesquisas aplicadas."

Parte II
"Nesta parte da argio vou falar sobre o trabalho que estamos
desenvolvendo em fsica mdica, mais particularmente em oftalmologia
Qual a relevncia de usar a radiao X no estudo doenas oftlmicas?
exatamente esta a questo que eu gostaria de esclarecer.
Antes de iniciarmos nosso trabalho nesta rea, ningum havia se dado conta
do potencial que certas tcnicas de imageamento por raios X tm em
oftalmologia.
E, a noo de quo grande esse potencial, o que eu vou tentar expor
aqui."

Slide 1:
"Quais doenas oftlmicas podem ser estudadas por imageamento de raios X?.
So doenas que alteram as propriedades pticas e/ou fisiolgicas dos tecidos
oculares.
Onde tecidos oculares so aqueles responsveis pelo processamento da luz visvel
dentro do olho, tais como a retina, a crnea e o cristalino.
Catarata a denominao geral dos males que acometem o cristalino, induzindo
uma perda da sua transparncia. uma das doenas mais comuns, e a lder mundial
das causas de cirurgias oftlmica, algo entre 8 a 10 milhes de cirurgias por ano. Sem
contar que, como o aumento da expectativa de vida das populaes, a incidncia da
catarata tambm tem aumentado.
Portanto, em termos de sade das populaes, existe um grande interesse por
tratamentos corretivos e/ou preventivos da catarata.
Mas, para avanarmos alm do conhecimento atual sobre a catarata, ou seja, para
que haja um maior entendimento sobre esta doena e tratamentos mais eficientes
possam ser pesquisados e desenvolvidos, novas tcnicas analticas so necessrias.
Tcnicas com sensibilidade para alteraes microscpicas em tecidos extensos, com
dimenses de dezenas de milmetros, e ainda assim aplicveis com facilidade em um
grande nmero de amostras.
Justamente a necessidade de tais tcnicas foi o que nos chamou a ateno, porque
estes pr-requisitos poderiam, a priori, serem satisfeitos pela radiao X.
O curto comprimento de onda dos raios X minimiza o espalhamento angular da
radiao pelos tecidos, o que melhora muito a razo entre resoluo-de-imagem e
penetrao. Sem conta que, vrias amostras podem ser expostas simultaneamente em
poucos minutos. "

Slide 2:
"A catarata a opacidade do cristalino (lens), tambm chamado de lente do
olho. Do ponto de vista da fsica, essa opacidade causada pelo espalhamento da
luz visvel.
Quais os possveis centros espalhadores de luz visvel?
Quais os fatores que induzem o surgimento desses centros espalhadores?
So as grandes questes no entendimento dessa doena que ainda no esto
esclarecidas.
Portanto, h a necessidade de uma ferramenta analtica que permita
correlacionar os fatores que induzem a catarata, tais como idade, medicamentos,
diabetes, causas congnitas, e outras alteraes fisiolgicas de um modo geral,
com a natureza dos centros espalhadores."

Slide 3:
"A olho nu, h muito espalhamento para se identificar a natureza dos centros
espalhadores.
Quando olhamos para um cristalino com catarata, vemos apenas que ele esta
opaco como na foto ao lado (figura no alto direita), mas no d para ver o que
esta causando o espalhamento da luz.
Para minimizar o espalhamento de luz visvel, procedimentos histolgicos so
necessrios, ou seja, laminar o tecido para poder analisa-lo em mais detalhes.
Com microscopia ptica (Light), tem se encontrado algumas estruturas multi-
lamelares capazes de atuarem como centros espalhadores. Sendo que a resoluo
ptica chega, no mximo, alguns micra.
Com a microscopia de transmisso de eltrons (TEM) a resoluo bem
maior, chegando a dcimos de micra.
Porm os eltrons, por serem partculas carregadas, tm uma penetrao
muita baixa no tecido, de modo que somente amostras muito finas podem ser
analisadas por TEM.
Portanto, embora ambas tcnicas de microscopia forneam informaes em
escala de micra e at de sub-micra, elas perdem a informao macroscpica, ou
seja, a informao de como as alteraes esto distribudas ao longo da extenso
dos tecidos
Isto, alm das dificuldades existentes na preparao das amostras."

Slide 4:
"Uma alternativa tem sido a microscopia de varredura de eltrons (SEM -
scanning electron microscopy), a qual permite mapear reas relativamente
grandes, de alguns milmetros, e ainda magnificar com boa resoluo reas de
maior interesse.
O tecido do cristalino constitudo de fibras celulares. E, indcios da
compactao de fibras na catarogeneses tm sido obtidos atravs da SEM.
Mas a tcnica tambm requer um certo preparo das amostras para se expor a
superfcie a ser analisada.
Procedimento este que impede um levantamento da configurao espacial das
reas de compactao numa mesma amostra.
Deste modo, podemos concluir que, de um modo geral, as tcnicas de
microscopia ptica e eletrnica so limitadas para investigarmos a distribuio
dos centros espalhadores e as flutuaes de densidades em tecidos patolgicos
extensos, com dimenses de centmetros, ou seja, nos cristalinos inteiros."

Slide 5:
"Por que raios X?
Quais as vantagens?
Primeiro, a penetrao da radiao X de alta energia infinitamente maior
que a de um feixe de eltrons, de modo que os raios X podem atravessar toda a
espessura das lentes.
Segundo, o espalhamento da radiao mnimo, o que favorece a resoluo
das imagens. Isto porque o ngulo de espalhamento (angular spreading) da
ordem de /D onde o comprimento de onda e D o dimetro do centro
espalhador.
Desse modo, ao passarmos da luz visvel, 500 nm, para a radiao X,
0,1 nm, o ngulo de espalhamento, por um mesmo centro espalhador, reduzido
por um fator de 5000 vezes.
Alm da absoro, a qual muito baixa mas ocorre, e do espalhamento, o
qual num jargo mais comum para quem trabalham com raio X seria o
espalhamento baixo ngulo (small angle scattering); existe ainda um terceiro
processo de interao radiao-matria que ocorre quando um feixe de raios X
transpassa uma amostra, que o fenmeno da refrao.
O fato interessante que o espalhamento ( baixo ngulo) e a refrao so
processos angularmente resolvidos.
Conseqentemente, poderamos, a princpio, mapear seletivamente
flutuaes de densidade extensas e distribuies de centros espalhadores.

Ou em outras palavras, localizar via refrao a interface entre regies de
densidades diferentes com extenso de dezenas de micra. E, via espalhamento,
identificar a presena de partculas microscpicas.
Para se ter uma idia da resoluo angular necessria para separar os
processos de refrao e espalhamento, vamos fazer algumas estimativas.
Usando a lei de Snell, podemos calcular a deflexo de um feixe de raios X
ao cruzar a interface entre duas regies com diferena n no ndice de refrao,
como ilustrado nesta figura (figura esquerda).
Na freqncia dos raios X o ndice de refrao n, difere da unidade por uma
quantidade muito pequena, da ordem de 1,510-6 .
Isto para ftons com energia de 20keV e num meio com densidade eletrnica
(e) prxima da gua.
Nestas condies, uma flutuao de densidade da ordem de 10% produziria
ento um deflexo que pode chegar a 1 micro-radiano ( 1rad) quando o
ngulo de incidncia na interface for prximo de 90o, ou seja, quando a direo
do feixe incidente for quase tangente interface entre estas regies."

Slide 6:
"Usando a teoria de espalhamento de raios X baixo ngulo para partculas
esfricas (small angle X-ray scattering for spherical particles), fizemos uma
estimativa de como o espalhamento da radiao depende do dimetro D dos
centros espalhadores.
Cada curva do grfico mostra a intensidade espalhada (I/I0) em funo do
ngulo de espalhamento 2. Como podemos ver, quanto menor o dimetro da
partcula, isto , do centro espalhador, maior ser o intervalo angular sob o qual
a radiao espalhada.
Se tomarmos o ngulo de espalhamento (desenho inserido) como sendo o
ngulo onde a intensidade espalhada vale 50% da intensidade mxima, ou seja,
I/I0 = 0,5, obteremos que o ngulo de espalhamento poder ser estimando pela
expresso = 0,58/D.
Ao compararmos o ngulo de espalhamento com a magnitude da deflexo
devida refrao (barra verde), vemos que, os dois efeitos so angularmente
resolvidos para centros espalhadores com dimetros menores que 20 micra (D =
20m), isto para ftons de 20keV ( = 0,062nm).
Resumindo, estes clculos mostram que, a presena de flutuaes de
densidade extensas, com dezenas de micra, podem ser identificadas pelo
fenmeno de refrao. Enquanto que, flutuaes localizadas, atuando como
centros espalhadores de pequeno dimetro, com D < 20 micra, podem ser
identificadas pelo espalhamento baixo ngulo que elas produzem."

Slide 7:
"Sabendo-se que o espalhamento e a refrao ocorrem em intervalos
angulares distintos, a questo passa a ser como, na prtica, este fato pode ser
usado no estudo de tecidos oftlmicos.
Em outras palavras, precisamos de um sistema de imagens com resoluo
angular de micro-radianos para separarmos os dois processos.
Tal sistema de imagem existe em estaes sncrotrons, como a X15A do
National Synchrotron Light Source (NSLS) em Brookhaven, adaptada para realizar
uma tcnica de imagem conhecida por DEI - diffraction enhanced imaging, ou
imageamento com contraste acentuado por difrao.
Nesta tcnica, esquematizada aqui em acima (figura a), os raios X
transmitidos pela amostra difratam num cristal perfeito, chamado de cristal
analisador (analyzer), antes de ser captado pelo detetor de imagens (CCD).
O feixe transmitido pela amostra (figura b) contm contribuies dos trs
principais processos de interao radiao-matria que ocorrem quando o feixe
incidente (seta 0) transpassa um tecido:
- Da absoro (seta 1) que apenas reduz a intensidade do feixe direto
(retngulo preto);
- Da refrao (setas 2) que deflete, por um ngulo no muito maior que 1
micro-radiano (1rad), os raios que passam pelos contornos das flutuaes
extensas de densidade;
- Do espalhamento baixo ngulo (setas 3), gerado por centros espalhadores,
e que cobre um intervalo angular amplo, da ordem de 0,58 /D.

A imagem coletada no CCD uma convoluo do feixe transmitido (figura b)
com a curva de refletividade do analisador (figura c), cujo perfil intrnseco tem a
forma aproximada de um tringulo:
- O centro da curva (letra P) corresponde ao mximo da condio de difrao,
isto , quando o ngulo (figura a) entre o feixe transmitido e o analisador igual
ao ngulo de Bragg B;
- Os ombros da curva (letras S) so as posies onde a intensidade refletida
metade do valor mximo. Tal que, a diferena angular da condio de Bragg, =
- B, vale metade da largura total meia altura (FWHM) da curva de
refletividade. Esta largura igual a 3,5 micro-radianos na montagem disponvel
na X15A para ftons de 20keV;
- Nos extremos da curva (letras T) a intensidade refletida menor que 2% da
intensidade mxima, e a diferena angular maior a largura total da curva.
Deste modo, dependendo da posio angular do analisador, podemos
seletivamente acentuar uma ou outra contribuio do feixe transmitido.
Nos extremos (T), os nicos raios refletidos pelo analisador na direo do
CCD so aqueles espalhados por pequenos centros espalhadores. Deste modo, os
extremos da curva de refletividade so sensveis ao espalhamento ( baixo
ngulo), e de onde vm as principais contribuies s imagens de espalhamento
das amostras.
Os ombros (S) so muito sensveis pequenas deflexes dos raios, por
exemplo, uma deflexo de 1 micro-radiano causa uma variao da ordem de 30%
na intensidade do feixe refletido. Portanto, dos ombros da curva temos
contribuies s imagens de refrao.

O centro da curva (P) apresenta forte sensibilidade perda de intensidade do
feixe direto, ou seja, do feixe transmitido sem sofrer deflexo. Sendo assim, as
imagens de absoro contm informao:
- da absoro de massa, ou absoro fotoeltrica, a qual muito baixa para
tecidos biolgicos;
- e uma outra informao, equivalente quela disponvel nas imagens de
espalhamento, pois os centros espalhadores, ao espalharem a radiao num
intervalo angular relativamente amplo (setas 3) em relao largura total da
curva de refletividade, reduzem a intensidade do feixe direto."

Slide 8:
"As primeiras tentativas de imagear cristalinos de mamferos, tais como
cachorro, porco, cavalo e coelho, foram no Laboratrio Nacional de Luz
Sncrotron (LNLS), em Campinas, numa montagem provisria adaptada estao
XRD2 pelo grupo de tica de raios X da Universidade Federal do Paran.
Caractersticas tcnicas da fonte sncrotron limitam a mxima energia de
ftons pouco mais de 10keV, acima da qual o fluxo de ftons cai abruptamente.
A baixa energia, combinada com detalhes particulares da montagem
instrumental, impediram que lentes inteiras fossem imageadas, de modo que foi
necessrio fatia-las para que imagens como as mostradas aqui fossem obtidas.
Alm disso, a curva de refletividade do analisador era muito larga, com 50
micro-radianos, o que reduzia muito a sensibilidade do arranjo ao efeito de
refrao.
Mesmo assim, conseguimos realizar alguns trabalhos [J. Phys. D: Appl. Phys.
38, A85 (2005); Nucl. Instr. Meth. B 238, 28 (2005)] que foram importantes por
abrirem caminho para os experimentos que realizaramos no sncrotron de
Brookhaven."

Slide 9:
"As primeiras imagens de lentes inteiras foram obtidas na estao X15A (slide
7), com ftons de 20keV
Nas imagens de cima temos uma lente sadia (imagem a) e uma lente com
catarata (imagem b), ambas expostas no ar.
Devido diferena de densidade eletrnica entre o ar e as lentes, ocorre um
espalhamento significante de radiao na interface ar/lente. De modo que, o que
vemos nestas duas primeiras imagens, a e b, basicamente a morfologia das
superfcies das lentes.
Podemos ver que a lente sadia apresenta uma superfcie mais lisa do que
daquela com catarata, a qual parece estar mais enrugada.
Embora exposies no ar forneam informaes morfolgicas da superfcie,
nosso objetivo era analisar o interior das lentes. Para tal utilizamos um recurso
comum quem trabalha com DEI, o qual consiste em expor as amostras imersas
em gua, reduzindo assim a diferena de densidade entre o meio externo e o
tecido e, conseqentemente, eliminando o espalhamento da superfcie.
Por meio deste recurso conseguimos obter imagens do interior das lentes,
como visto nestas imagens de baixo, das mesmas lentes mostradas em a e b, mas
que agora foram expostas imersas em gua. Na lente sadia (imagem c)
constatamos apenas que o tecido no interior da lente tem densidade uniforme,
como era de se esperar.
Nossa surpresa foi quando olhamos a lente com catarata (imagem d). Num
primeiro instante achamos que tinha alguma coisa errada com o CCD, como se
alguns pixels estivessem queimados

Levou alguns tempo at nos darmos conta de que estvamos vendo algo que
ningum havia visto antes,
E de que, todas as estruturas observadas nesta imagem (imagem d) existiam
de fato dentro da lente, mas que no eram visveis a olho nu e nem com raios X
quando a lente era exposta no ar (imagem b). "

Slide 10:
"Vamos olhar estas estruturas internas na lente com catarata em mais
detalhes:
- Na imagem de refrao (imagem d), obtida no ombro da curva de
refletividade do analisador ( = -1.2rad, slide 7), podemos ver que as estruturas
tm um cerne com densidade uniforme capaz de refratar os raios X, criando estas
sombras na parte de baixo delas e dando esta aparncia de textura em relevo que
observada aqui.
- Na imagem de espalhamento (imagem a), obtida na cauda da curva de
refletividade ( = -4.5 rad, slide 7), vemos claramente um forte espalhamento
(de baixo ngulo) em torno das estruturas, como se elas fossem constitudas a
partir de aglomerados de pequenas partculas que se coalesceram na regio
central de cada uma delas para formar um cerne de densidade uniforme, capaz
de refratar os raios X como observado na imagem de refrao (imagem d).
A alta densidade das estruturas foi evidenciada via imagem de absoro de
massa (mass aborption image, canto inferior esquerdo na imagem b), assim como
atravs de uma radiografia convencional (imagem b), obtida colocando-se um
image plate entre a amostra e o cristal analisador.
A exposio lateral da amostra usada aqui (imagem b) para comprovar que
as estruturas estavam localizadas em torno do ncleo da lente.
Estas imagens indicam que, as estruturas so devido algum processo de
mineralizao do tecido, provavelmente uma calcificao

Mas, isto somente poderia ser confirmado com uma anlise elementar, a qual
foi realizada posteriormente no sncrotron de Campinas, via micro-fluorescncia
de raios X, que comprovou a calcificao do tecido.

Slide 11:
"A amostra com tecidos calcificados na regio nuclear (slide 10) era uma
catarata hipermatura, que quando a remoo cirrgica da lente ocorre muito
depois do animal ter perdido a viso.
Na maioria dos casos, as calcificaes esto mais limitadas ao crtex das
lentes, como nestas imagens de refrao (imagem de cima esquerda) e
espalhamento (imagem de baixo esquerda) de uma lente com catarata parcial
onde apenas uma regio do tecido esta comprometida. No restante da lente o
tecido continua sadio.
As bolinhas de ar (air bubble) vista nas imagens ( esquerda) apresentam um
contraste de refrao oposto ao que se observa no tecido calcificado, ou seja, na
imagem de refrao (em cima esquerda) a sombra aparente das bolhas e das
calcificaes ocorrem em lados opostos. Isto outra evidncia da maior
densidade do tecido calcificado em relao ao tecido sadio.
Ao lado ( direita) mostramos dois outros casos de catarata parcial onde a
srie de imagens, em vista lateral, foram coletadas em diferentes posies da
curva de refletividade do analisador. De cima para baixo, temos as imagens com
acentuadas contribuies de espalhamento (-3.2), refrao (-1.2), absoro (-0.2),
espalhamento + refrao (1.8) e somente espalhamento (6.8).
Mesmo distante 6,8 micro-radianos do centro da curva de refletividade, ainda
existe algum espalhamento de baixo ngulo chegando no detetor. Usando a
relao do ngulo de espalhamento em funo do dimetro do centro espalhador,
podemos estimar um dimetro mnimo da ordem 5 micra (D=5m).

Slide 12:
"Alm dos casos de catarata parcial com calcificao no crtex das lentes,
tambm encontramos casos de catarata total mas sem calcificaes, como nestes
4 casos mostrados aqui:
- Nas imagens de espalhamento (imagens de cima: e, i, j, k) identificamos
tanto distribuies dispersas de centros espalhadores, como visto neste primeiro
caso (imagem e), assim como distribuies mais localizadas tanto ao longo do
dimetro como do permetro das lentes (imagens i, g, k)
- Nas imagens de refrao (imagens de baixo: f, j, h, l) vemos essencialmente
padres de sombras como que em torno de sulcos no tecido. A origem dos 'sulcos'
se deve provavelmente alguma forma de compactao de fibras, suficiente para
gerar flutuaes de densidade por extensas reas das lentes."

Slide 13:
"Um dos modos de entender como a compactao das fibras produz os
contrastes ao longo dos sulcos seria assumindo, por exemplo, uma compactao
transversal das fibras como se elas estivessem sendo pressionadas (figura a) ou
curvadas (figura b).
Como calculamos antes, uma compactao de 10% j seria suficiente para
gerar uma deflexo da ordem do valor observado, em torno de 1 micro-radiano.
Quando o cristal analisador estiver posicionado no ombro esquerdo da curva
de refletividade (left shoulder of the analyzer window):
- Os raios refratados para cima se afastam do centro da curva (A' < 0),
sendo portanto refletidos com menor intensidade na direo do detetor,
produzindo assim o contraste claro;
- Enquanto que os raios refratados para baixo se aproximam do centro da
curva (A' > 0) e produzem o contraste escuro."

Slide 14:
"O problema deste modelo de compactao transversal das fibras (slide 13)
que ele muito simule e impossibilita explicar a evidente correlao que existe
entre a orientao preferencial dos sulcos (low-density fissure), com um orientado
a 120 graus do outro (imagem em baixo direita), e a organizao das fibras no
crtex das lentes (figura esquerda).
As lentes de mamferos tm uma organizao conhecida por sutura Y, como
ilustrada aqui (figura a), na qual as extremidades das fibras emendam-se umas
s outras ao longo das linhas pontilhadas passando por A. Isto ocorre tanto na
parte frontal como na parte posterior das lentes.
A forma prismtica da seo transversal das fibras permite que elas se
encaixem lateralmente umas s outras sem deixar espaos vazios entre elas, fato
este responsvel por atribuir uma densidade uniforme ao tecido das lentes.
Porm, no ocorrem suturas ao longo das fronteiras laterais das fibras, de
modo que menos fora requerida para separa-las lateralmente do que ao longo
do comprimento delas.
Deste modo, nas reas B, onde as fibras fazem apenas fronteiras laterais
entre si sem ocorrncia de suturas, so muito mais sujeitas ao surgimento de
fissuras no tecido do que nas reas A.
Imaginem agora que, por alguma alterao fisiolgica, as fibras do crtex
sofram uma reduo do comprimento e da rea transversal.
Pelo fato delas terem suturas resistentes, tanto na frente como na parte
detrs, a reduo do comprimento obrigatoriamente foraria as fibras a se

compactarem da direo das reas A, gerando assim fissuras de baixa densidade
nas reas B.
Os raios X, ao passarem por uma fissura, enxergaro duas reas de
compactao com orientaes opostas, como ilustrado aqui (figura b), as quais
refratam os raios em direes opostas explicando assim o contraste claro/escuro
das fissuras.
Este mecanismo de induo de fissuras, alm de fornecer um explicao para
o contraste nas imagens de refrao, pode tambm explicar o espalhamento de
baixo ngulo observado ao longo das fissuras nas imagens de espalhamento
(imagens e, i, j, k; slide 12).
Em torno de uma fissura, as fibras teriam tamanhos diferentes devido aos
diferentes estados de compactao ou trao que elas se encontram.
As diferenas de tamanho induz defeitos no emparelhamento lateral das
fibras, e tais defeitos teriam assim dimenses da ordem da seo transversa das
fibras, as quais variam entre 2 a 7 micra.
Portanto, defeitos no emparelhamento lateral da fibras podem, em princpio,
atuarem como centros espalhadores situados ao longo das fissuras.
Um centro espalhador de 5 micra produz um espalhamento de raio X de
apenas alguns micro-radianos, ou seja dcimos de milsimos de grau, mas que
na regio do visvel a magnitude deste espalhamento seria em torno de 6 graus.
Valor mais do que suficiente para comprometer a viso*."
*
O comprometimento da viso foi estimado tomando-se a distncia intraocular cristalino-retina
com sendo 1cm. Ento um ngulo de espalhamento de 6o produzira um boro na retina com
2mm de dimetro, valor comparvel extenso da retina que tambm da ordem de milmetros.
Slide 15:
"Imageamento por raios X sncrotron, ou DEI, revela a ocorrncia de leses
em toda a extenso das lentes, permitindo localizar tecidos calcificados tanto no
crtex como no ncleo, assim como extensas das reas de compactao de fibras.
Isto abre caminho para um novo esquema de classificao da catarata.
Atualmente temos somente a classificao oftlmica, a qual leva em conta apenas
o tempo de instalao da doena, ou seja, imatura, matura e hipermatura, e o
grau de comprometimento parcial ou total da viso.
Atravs de DEI podemos agora reclassificar os casos de catarata em termos
da ocorrncia ou no de calcificaes e/ou de compactaes de fibras, e ainda em
termos das respectivas regies das lentes afetadas por estas leses.
Entre os casos que analisamos, em torno de 60 casos, obtivemos duas
correlaes diretas:
- Uma entre catarata parcial e calcificao cortical;
- E outra, entre catarata total matura, sem predominncia de calcificaes, e
a compactao de fibras revelada pelas fissuras visveis nas imagens de refrao.
Falta ainda correlacionarmos, os tipos de leses com os agentes indutores e
as espcies de mamferos susceptveis s leses.
Por exemplo, correlacionarmos a presena de tecidos calcificados com
alimentao rica em clcio, o que talvez seja o caso das lentes caninas utilizadas
neste estudo.
Tambm temos ainda que entender quais mudanas fisiolgicas poderiam
promover uma reduo do tamanho das fibras, e quais as potenciais causas
dessas mudanas fisiolgicas.

Por exemplo, diabetes ou fatores genticos talvez induzam uma desidratao
das fibras, levando a uma reduo no tamanho delas e perda da viso pela
compactao no uniforme das fibras e ocorrncia das fissuras.
Uma abordagem multi-disciplinar importante para um entendimento amplo
de todos os aspectos da doena:
- Procedimentos histolgicos que permitam uma anlise microscpica do
tecido;
- Espectroscopia Raman e ultravioleta para identificar alteraes a nveis
moleculares;
- E fluorescncia de raios X para monitorar flutuaes dos elementos traos
na catarogeneses."

Slide 16:
"Entre alguns resultados preliminares que realizamos com outras tcnicas
esto:
- A assinatura Raman do tecido sadio das lentes [Laser Phys. Lett. 2, 415
(2005)] para alguns mamferos que podero ser utilizados no estudo da catarata.
- A presena majoritria de clcio na mineralizao do tecido cortical das
lentes, caracterizada via micro-fluorescncia de raios X sncrotron (LNLS), e
quantificao de elementos traos, com radiao convencional, em colaborao
com o Centro de Fsica Atmica da Univ. de Lisboa e suporte do Projeto de
Colaborao Internacional CAPES/CRIGES (proc. No. 140/05). Estudos estes
que devero ser parte do trabalho de mestrado de Wagner Fazio.
- Medidas de alta resoluo dos arranjos e dimenses das fibras celulares via
microscopia de fora atmica [Micron, in-press*], afim de atestar a possibilidade de
estudar tecidos oftlmicos por esta tcnica e, assim, usufruir das facilidades que
a tcnica oferece no requisito preparao de amostras; isto quando comparado
com as condies de vcuo necessrias para anlise de alta-resoluo via
microscopia eletrnica. O estudo da catarata por microscopia de fora atmica,
juntamente com anlises histolgicas comparativas, consistem no projeto de
mestrado da Fernanda (Fernanda Virgnia Gozzo), e dever estar concludo em
2008."
*
No ato da transcrio desta arguio, a referncia do artigo j era conhecida:
Micron 38, 286 (2007).
Parte III
"No ltimo tpico desta argio vou falar um pouco sobre aplicaes da
difrao de 3-feixes:
- Tanto em cristalografia, no problema da fase em determinao de
estruturas cristalinas;
- Como em nanotecnologia, na anlise de dispositivos semicondutores
nanoestruturados.
E vou falar tambm, do estudo de filmes amorfos nanoestruturados via
refletometria de raios X."

Slide 1:
"O grande diferencial da difrao de raios X de 3-feixes, em relao a
qualquer outra tcnica de difrao de raios X utilizada em determinao de
estruturas, esta no fato dela fornecer uma informao absoluta sobre a estrutura
cristalina, ou mais precisamente, sobre o arranjo atmico dentro do elemento de
periodicidade da rede cristalina.
Tal informao absoluta conhecida como fase de tripleto, a qual invariante
com relao ao ponto, ou tomo, que tomamos como origem da clula unitria.
A fase de tripleto nada mais do que a diferena de fase entre dois campos
de onda, DA e DBC, que se propagam na mesma direo dentro do cristal quando
este colocado na condio de difrao de 3-feixes: k0, kA e kB;
O que simplesmente a condio angular onde duas reflexo, A e B, difratam
simultaneamente o mesmo feixe incidente k0.
Na prtica, a fase de tripleto um dos fatores que determinam como a
intensidade de uma destas reflexes simultneas, no caso ilustrado aqui, da
reflexo A, ser modulada ao excitarmos a outra reflexo, no caso a reflexo B,
pela rotao do cristal em torno do vetor de difrao da primeira reflexo, i.e. da
reflexo A.
Notem que, se no houvesse uma reflexo secundria, B, a intensidade da
reflexo A seria constante em funo da rotao .
Porm, quando o n recproco da reflexo B cruzar a esfera de Ewald (Ewald
sphere), o campo DBC gerado pelo reespalhamento do feixe secundrio, kB, na
reflexo de acoplamento C.

Ou seja, o campo de onda DBC surge devido seqncia de reflexes B+C
dentro do cristal.
Aqui ao lado (no alto direita) mostramos alguns exemplos de como o valor
da fase de tripleto (T = 0o, 180o, 90o, -90o, ) afeta a modulao da intensidade
monitorada, i.e. da intensidade da reflexo A, em funo da rotao .
Portanto, determinar experimentalmente o valor da fase de tripleto via
difrao de 3-feixes significa, reproduzir a modulao de intensidade, ou perfil de
interferncia, com uma incerteza mnima do valor da fase.
Fazer isto, extrair valores das fases de tripleto destes perfis, o que vinha
sendo tentado desde que tal possibilidade fora sugerida na dcada de 70.
Nossa primeira contribuio nesta rea de pesquisa foi propor o uso da
polarizao linear da radiao sncrotron [Acta Cryst. A57, 192 (2001); Phys. Rev.
Lett. 89, 015501 (2002)] como recurso para ajustar a intensidade relativa das
ondas, DA e DBC, de modo a aumentar a sensibilidade do perfis de interferncia
ao valor da fase (de tripleto).
Era a princpio uma idia simples, onde o mximo de resoluo de um padro
de interferncia entre duas ondas ocorre quando estas duas ondas tm
amplitudes de mesma magnitude.
Porm ao medirmos os perfis em funo do ngulo de polarizao linear ()
notamos que nenhumas das teorias usadas para descrever o fenmeno da
difrao de 3-feixes eram capazes de reproduzir tal conjunto de perfis.
Uma das razes desta discrepncia talvez seja o fato das teorias no levarem
em conta a perda parcial de coerncia entre as ondas difratadas, quer seja por
imperfeies cristalinas, ou por caractersticas da fonte de radiao.

O fato era que, mesmo se soubssemos como levar tudo em conta para
reproduzirmos os perfis com exatido, ainda existiriam variveis com valores
desconhecidos, os quais comprometem significantemente a acurcia na medida
da fase (de tripleto); a no ser nos casos de cristais com estrutura conhecida.
Alm disso, uma expresso muito complexa poderia inviabilizar a anlise dos
perfis experimentais via ajuste de curvas por rotinas comparativas.
Portanto, optamos por uma equao paramtrica que fosse relativamente
simples e rpida em termo computacionais para fazer a anlise de dados.
O uso desta equao paramtrica e procedimentos de coleta de dados com
objetivo de determinao de fase foram temas de mais alguns artigos nesta rea
de pesquisa [J. Synchrotron Rad. 10, 236 (2003); Acta Cryst. A59, 470 (2003), Nucl.
Instrum. Meth. B (2005a)*]."
*
Nucl. Instrum. Meth. B 238, 180 (2005).
Slide 2:
"Faseamento completo de cristais via difrao de 3-feixes j tinha, mesmo
antes dos nossos trabalhos, um limite intrnseco que era o pequeno nmero de
casos (de difrao de 3-feixes) cujas fases (de tripleto) poderiam ser, de fato,
medidas.
Ao incluirmos a polarizao mostramos que, alm dos poucos casos viveis
para faseamento, seria tambm necessrio medir os perfis das difraes de 3-
feixes em funo da polarizao. Isto se, um mnimo de acurcia no valor da fase
fosse desejado.
Caso contrrio, sem uma estimativa da intensidade relativa das ondas
simultaneamente difratadas (DA e DBC, slide 1), somente podemos determinar o
valor da fase como sendo 0 90o ou 180o 90o.
Contudo, em muitos estudos, um nico valor de fase de tripleto, quando
medido com boa acurcia, pode ser suficiente para um melhor entendimento da
estrutura atmica dos cristais.
Por exemplo, variaes nos valores das fases (de tripleto) devido ao efeito de
ressonncia atmica podem ser diretamente observadas nos perfis de
interferncia das difraes de 3-feixes, como mostrado aqui [Nucl. Instrum. Meth. B
(2005b)*], onde um nico caso de difrao de 3-feixes analisado em funo da
polarizao (, 30o, 45o, 60o, ) e da energia (10300 eV, 10350 eV, 10400 eV) em
torno da borda de absoro do glio (10370 eV) num cristal de antimoneto de
glio (GaSb).
*
Nucl. Instrum. Meth. B 238, 175 (2005).
Na polarizao , o plano de incidncia da reflexo primria est na posio
horizontal. Ou seja, o campo eltrico da onda de raios X incidente est contido no
plano que contm o detetor, o vetor de difrao da reflexo A (slide 1), e tambm
o eixo da rotao em torno do qual giramos o cristal para excitar a reflexo
secundria B (slide 1).
Nesta polarizao, , temos um mnimo de interferncia porque a reflexo
primria, cuja intensidade a linha de base de cada varredura , muito fraca.
Fato este que nos fornece as melhores condies para estimarmos a intensidade
relativa das ondas.
No caso particular desta difrao de 3-feixes, o mximo de interferncia entre
as ondas, isto , quando elas tm magnitudes de mesma ordem, ocorre na
polarizao , plano de incidncia vertical, como vemos pela amplitude dos perfis
de interferncia.
A variao no valor da fase de tripleto atravs da borda do glio evidente
quando comparamos os perfis obtidos com polarizao nas energias de 10350 e
10400 eltron-volts.
Mas, embora esta variao seja evidente, nosso problema era como
determinar, com acurcia, este tipo de efeito. Em outras palavras, com qual
preciso poderamos determinar os valores das fases deste perfis? "

Slide 3:
"O maior mrito, na minha opinio, do nosso trabalho em faseamento via
difrao de 3-feixes esta no procedimento de anlise de dados que propusemos.
Com tal procedimento fomos capazes no somente de obter boas estimativas
dos valores de fase, mas tambm, de determinar com exatido a acurcia desses
valores. Ou seja, colocamos barras de erro nos valores das fases (de tripleto),
coisa que at ento no existiam.
Isto foi possvel porque conseguimos resumir numa nica equao, todos os
parmetros que afetam os perfis de interferncia.
O perfil intrnseco (intrinsic profile) essencialmente a expresso de
interferncia de duas ondas, da onda primria, D1 (= DA, slide 1), e da onda
secundria, D2() (= DBC, slide 1), a qual dada em funo do ngulo de rotao
do cristal (= , slide 1). A nica diferena o parmetro csi (), o qual
introduzimos para levar em conta a perda de coerncia entre as ondas. Notem
que, se csi igual a zero (=0) o perfil ser apenas uma superposio de
intensidades sem nenhum efeito de interferncia, ou seja, ser um pico
Lorentziano superposto intensidade primria.
As direes dos campos destas ondas dependem da polarizao da onda
incidente, mas isto fcil de ser calculado.
Os outros parmetros que determinam o perfil intrnseco entram na
expresso do campo da onda secundria, D2(), os quais so: amplitude relativa
R, largura intrnseca wS, posio azimutal 0, e a fase de tripleto .

A funo do perfil terico, P(), ento obtido pela convoluo do perfil
intrnseco com uma funo Guassiana, cuja largura wG leva em conta tanto a
largura instrumental com a mosaicidade do cristal.
Deste modo, ficamos com uma equao que tem 6 parmetros ajustveis (wS,
R, , wG, , 0) para reproduzirmos um dado perfil experimental, onde a fase (de
tripleto) apenas um desses parmetros.
O procedimento que adotamos para determinar a fase foi fixar seu valor e
tentar reproduzir o perfil experimental ajustando os 5 parmetros restantes.
Obtnhamos assim curvas da qualidade do ajuste em funo da fase, como estas
curvas (grficos a e b) de minimizao da diferena entres os perfis simulado e
experimental (absolute-mean deviation versus triplet phase).
Dentre todos estes parmetros, o parmetro R, o qual esta associado
intensidade relativa das ondas, o que mais compromete a acurcia dos valores
da fase, ou seja, quanto maior a incerteza em R, maior o erro no valor da fase.
Dai a importncia de medirmos um mesmo perfil de interferncia em
polarizaes diferentes.
Na prtica, o erro no valor da fase corresponde ao conjunto de valores para os
quais o melhor ajuste possvel alcanado, ou seja, o erro dado pela largura do
mnimo das curvas de minimizao, como por exemplo nestas curvas (grfico a)
As curvas de baixo (grfico b) so do caso (de difrao de 3-feixes) mostrado
anteriormente (slide 2). Delas obtemos a variao da fase de tripleto em funo
da energia: 60o10o para 10300 eV, 70o10o para 10350 eV, e 85o2o para 10400
eV."

Slide 4:
"Para reproduzir os perfis experimentais foi necessrio empregarmos uma
rotina de ajuste de curvas que, inequivocamente, convergisse sempre para o
mnimo global da funo hexadimensional, E(p), usada para descrever a
qualidade do ajuste.
Como os 6 parmetros (wS, R, , wG, , 0) no so independentes, ou seja, a
variao de um pode ser compensada pela variao de outro, tivemos que optar
por um algoritmo gentico.
Aqui temos uma demonstrao visual da eficincia do algoritmo para
encontrar o mnimo global desta superfcie com dois mnimos prximos. Como
vocs podem ver nesta figura animada, as solues rapidamente convergem para
o mnimo da superfcie sem ficar preso no mnimo local mais raso.
Usando um processador de 1.6GHz, o ajuste de um nico perfil leva poucos
segundos, dependendo do valor da largura instrumental, wG, a qual implica
numa convoluo numrica com mais ou menos pontos.
J as curvas da funo-erro E(p) versus a fase de tripleto (grficos a e b, slide
3), com 37 pontos, so obtidas em alguns minutos.
Bom, o que apresentei para vocs foi o procedimento que desenvolvemos
para analisar os perfis de interferncia da difrao de 3-feixes, tendo como
objetivo extrair valores da fase de tripleto com boa acurcia.
Porm, em algum instante, percebemos que alm do valor da fase, um outro
parmetro tinha significado fsico, e poderia ser til em alguns estudos.
Este outro parmetro que estou falando a posio azimutal, 0, da difrao
de 3-feixes.

Com uma funo de perfil de linha capaz de extrair a posio azimutal das
difraes 3-feixes com preciso, mesmo no caso de perfis assimtricos, tnhamos
em mos ento, um mtodo ultra-preciso para se determinar parmetros de rede
em monocristais."

Slide 5:
"Alm da descrio no espao recproco, a geometria da difrao de 3-feixes
tambm pode ser visualizada no espao direto via cones de Bragg.
Ao incidirmos um feixe de raios X pela geratriz comum a dois cones de Bragg,
estaremos excitando uma difrao de 3-feixes, ou seja, as duas reflexes,
representadas aqui por P e S, estaro difratando simultaneamente o mesmo feixe
incidente.
A rotao do cristal em torno do vetor de difrao da reflexo P, chamada
de reflexo primria por conveno, excitar portanto a reflexo secundria S
duas vezes: uma quando o feixe passa de fora para dentro (OUT-IN) do cone da
reflexo S (cone verde), e outra ao sair (IN-OUT) do cone. Isto assumindo a
rotao do cristal no sentido horrio, de modo que o feixe de raio X percorre o
cone primrio (azul) em sentido oposto.
A distncia angular 2, medida sobre o cone primrio, entre estas duas
posies, OUT-IN e IN-OUT, onde uma mesma difrao de 3-feixes ocorre,
fornece, a princpio, um valor preciso do parmetro de rede do cristal.
Porm, mesmo tendo em mos um funo de perfil de linha [P(), slide 3, com
= ] capaz de levar em conta a assimetria dos perfis de interferncia observados
nas interseces dos cones, faltava ainda resolver dois outros problemas:
- A preciso mecnica da rotao por intervalos grandes, de dezenas de
graus;
- E o fato de que, na prtica, sempre existe um desalinhamento residual
entre o vetor de difrao primrio (P) e o eixo ( z ) da rotao do gonimetro."

Slide 6:
"Aqui temos o exemplo de uma varredura , que tambm chamada de
varredura azimutal (azimuthal scan) ou ainda de varredura Renninger, onde a
reflexo primria a reflexo 002 do GaAs, cuja intensidade corresponde linha
de base desta varredura.
Os picos de intensidade indicam ocorrncias de difraes de 3-feixes,
algumas das quais coincidentes.
Por motivos histricos, quando a difrao de 3-feixes claramente contribui no
sentido de aumentar a intensidade primria, ou seja, ela aparece como um pico
positivo sobre a linha de base, como nos casos vistos nesta varredura, chamamos
de umweg, que uma abreviao do termo umweganregung usado para
denominar o fenmeno pela primeira vez [Renninger 1937].
Os umwegs 4 e 5 tm reflexes secundrias da famlia 111. Numa varredura
de 360 graus, haver 8 destes umwegs, correspondendo s posies OUT-IN e IN-
OUT de quatro reflexes secundrias desta famlia (111, 1 1 1, 1 1 1, 1 11).
Por exemplo, os umwegs 1 e 4 correspondem entrada e sada da mesma
reflexo secundria 1 11 na esfera de Ewald (slide 1), ou seja, posies OUT-IN e
IN-OUT (slide 5), respectivamente.
Nosso objetivo era medir as posies destes umwegs intensos afim de
determinar tenses superficiais induzidas na rede cristalina do GaAs quando este
usado de substrato para crescimentos epitaxiais."

Slide 7:
"Para fazer isso, nosso primeiro passo foi aprender como utilizar a equao
paramtrica, ou funo de perfil de linha (line-profile function) empregada
anteriormente em determinao de fase, mas agora com o objetivo de medir as
posies (0) dos umwegs sem que a assimetria deles comprometesse as medidas.
A concluso foi mais ou menos obvia
Os erros nos valores das posies ocorriam somente quando ignorvamos a
assimetria dos umwegs, mesmo quando esta era to pouca quanto vista aqui
(figura a).
Ao fixarmos a fase em +90 ou -90 graus ( = 90o), ou ao zerarmos csi ( = 0),
o perfil intrnseco uma Lorentziana, que uma funo simtrica em relao ao
centro do pico.
Portanto, o nico detalhe no qual precisvamos prestar ateno era
identificar se o valor da fase estava no intervalo 0 90o ou 180o 90o.
Feito isso, e deixando livre os outros parmetros da equao, o algoritmo de
ajuste de curvas fornecia valores da posio 0 com uma variao, entre um
ajuste e outro, muito menor que a acurcia mecnica nominal do gonimetro
usado nas medidas.
A importncia de poder levar em conta a assimetria dos perfis estava no fato
de que, sem fazer isto, obtnhamos parmetros de rede com valores um pouco
diferentes, mas fora das barras de erro, ao medirmos reflexes em direes
ortogonais.
Isto ocorria porque, embora os umwegs investigados sejam originados por
reflexes da mesma famlia 111, o fato do GaAs ser um cristal sem centro de

inverso implica que as fases de tripleto tero magnitudes diferentes quando os
efeitos de ressonncia atmica no forem totalmente desprezveis.
Para ftons de 9320 eltron-volts, os umwegs com componentes ao longo da
direo 110 (umwegs 2, 3, 6 e 7, slide 6) tm a mesma fase de 83,3 graus [(1,1,1)
or (-1,-1,1) -> = +83.3o], mas os outros umwegs, com componentes ao longo da
direo 1 1 0 (umwegs 1, 4, 5 e 8, slide 6) tm fase de -87 graus [(-1,1,1) or (1,-
1,1) -> = -87.0o].
Quanto mais prximo de zero, ou de 180 graus, o valor da fase, maior a
assimetria do perfil (slide 1), como pode ser claramente visto aqui (figuras b e c)
ao superpormos os perfis medidos nas posies de OUT-IN e IN-OUT.
Na figura b a assimetria dos perfis com fase de 83,3 graus evidente,
enquanto que na figura c os perfis com fase de -87 graus praticamente no
apresentam assimetria.

Slide 8:
"Uma vez aprimorado o mtodo para medir com preciso as posies
azimutais dos umwegs, escolhemos um conjunto de amostras preparadas
sistematicamente para o estudo que tnhamos em mente.
Queramos entender em qual etapa do processo de preparao de dispositivos
com pontos qunticos (QDs) cobertos, era introduzida uma tenso residual que
havamos observado antes com esta mesma tcnica.
O sistema em questo eram pontos qunticos de arseneto de ndio, InAs,
crescidos por MBE (molecular beam expitaxy) sobre substrato de GaAs 001 e
cobertos com uma fina camada (cap-layer) de GaAs.
As 6 amostras usadas no estudo, esquematizadas aqui, representam as
diferentes etapas do processo de crescimento:
- Temos somente o substrato comercial (substrate) (1);
- Depois o substrato somente com a camada-tampo (buffer-layer) (2);
- Depois amostras com alta (3) e baixa (4) densidades de pontos qunticos
expostos;
- E por fim as mesmas amostras 3 e 4, mas agora com os pontos qunticos
cobertos (3 5, 4 6) por 30 nanometros de GaAs."

Slide 9:
"A motivao em tentar determinar as tenses residuais no processo de
cobrimento dos pontos qunticos, reside na possibilidade de que, dependendo da
forma e densidade dos pontos qunticos (dots), o cobrimento deles pode favorecer
ainda mais a difuso do ndio no dispositivo e com isso contribuir para reduzir a
atividade ptica das nanoestruturas aps o cobrimento.
A tenso residual nestes sistemas foi um dos temas discutidos na quinta
conferncia internacional em dispositivos e estruturas de baixa dimenso (5th
Conference on Low Dimensional Structures and Devices), quando apresentamos os
resultados obtidos para uma nica amostra com pontos qunticos cobertos.
Em funo disso, elaboramos este conjunto de amostras (slide 8) e o projeto
de pesquisa para o doutorado do Raul (Raul O. Freitas)."

Slide 10:
"Atravs da microscopia de fora atmica (AFM), podemos 'ver' os pontos
qunticos expostos.
Tanto na amostra com alta densidade (imagem #3) como na amostra com
baixa densidade (imagem #4) de pontos qunticos."

Slide 11:
"Durante o alinhamento da reflexo 002 do GaAs com o eixo de rotao do
gonimetro, notamos uma dependncia significante do perfil da curva de
refletividade (rocking-curve) em funo do ngulo azimutal .
Para caracterizar esta dependncia nas amostras (slide 8), construmos um
diagrama de polo para cada uma delas. Sendo cada diagrama formado por 24
curvas de refletividade, incrementadas de 15 graus em (azumuthal angle
increment), e interpoladas com auxlio de um programa grfico.
De um modo geral, estes diagramas permitem inferir que:
- O substrato aparentemente tem boa qualidade cristalina, apresentando um
perfil estreito e uniforme (diagrama #1);
- Mas o crescimento epitaxial da camada-tampo aumentou a largura da
curva de refletividade (imagem #2), o que indica a existncia de defeitos na
superfcie do substrato que at ento no eram visto pela reflexo simtrica 002;
- Pontos qunticos expostos aumentam o espalhamento difuso (imagens #3 e
#4) e afetam a uniformidade da curva de refletividade (imagem #3),
principalmente na amostra com maior densidade de pontos qunticos.
- O cobrimento dos pontos qunticos elimina o espalhamento difuso (
imagens #5 e #6), mas no recupera a uniformidade das curvas de refletividade
(imagem #5)."

Slide 12:
"Voltando ao nosso objetivo inicial que era medir os umwegs da famlia 111
que ocorrem sobre a reflexo primria 002, precisamos ainda resolver como
tratar eventuais imprecises mecnicas do equipamento, assim como contabilizar
possveis desalinhamentos residuais entre o vetor de difrao primrio (A, slide 1
ou P slide 5) e o eixo da rotao (9 na imagem esquerda).
Nesta foto, alm do eixo (9), podemos ver tambm a amostra (10), e os
parafusos (11,12) de alinhamento da amostra na cabea goniomtrica (6 na figura
direita).
Pelo fato do eixo rotacionar livremente por mais de 360 graus (5 na figura
direita), a impreciso mecnica facilmente aferida medido-se as posies dos
umwegs sem alterar o sentido de rotao do eixo .
O desalinhamento residual inevitvel e compromete, na mesma magnitude
de seu valor, o erro na posio de alguns umwegs."

Slide 13:
"Para demonstrar na prtica como corrigir os erros de desalinhamento
residual das amostras, fizemos um alinhamento grosseiro da amostra nmero 1,
que era somente o substrato (substrate, slide 8), e medimos as posies dos
umwegs por trs vezes conforme mostrado nesta tabela (linhas 3, 4, e 5).
Os efeitos do desalinhamento eram evidentes quando calculvamos a
abertura do cone de Bragg (linhas 6, 7 e 8 da tabela) para cada uma das reflexes
secundrias (linha 1), valor este que corresponde metade da diferena angular
(2, slide 5) entre as posies de IN-OUT e OUT-IN.
A impreciso instrumental nos valores das aberturas dos cones, dada nesta
linha (linha 9), bem menor do que a variao de uma reflexo (secundria) para
outra.
Isto claramente mostra o efeito do desalinhamento da amostra, que para ser
corrigido, basta tomarmos o valor mdio entre cones opostos.
Obtemos assim o ngulo mdio com relao a duas direes ortogonais no
plano da amostra ( [110] e [ 1 10] ), estes sim com barras de erro parcialmente
coincidentes.
A partir dos valores de mdio (linha 10), calculamos a deformao n (,
linha 11) do parmetro de rede (a||) no plano da amostra, assumindo uma clula
unitria de volume constante para pequenas deformaes tetragonais. "

Slide 14:
"As medidas de deformao no plano (in-plane strain, ) para as 6 amostras
(slide 8) esto resumidas neste grfico;
Para cada amostra temos duas medidas independentes, correspondendo s
direes 110 ([110], barra de erro escura) e -110 ([ 1 10], barra de erro clara).
O primeiro fato importante que se nota que, para as amostras de nmero 1
a 4, os valores de n () esto todos compreendidos num intervalo estreito, um
pouco menor do que 210-5 em torno de 710-5.
Isto atesta a preciso do mtodo, capaz de fornecer medidas de parmetros
de rede com um erro inferior a 10-4 angstrons, ou seja, na quinta casa decimal.
Isto tambm mostra que o crescimento da camada-tampo, amostra 2, e dos
pontos qunticos, amostras 3 e 4, no produziram nenhuma tenso residual
alm daquela que j existia no substrato, amostra 1; se que existia alguma.
Os valores medidos podem estar em torno de uma deformao nula, j que a
medida da deformao depende da razo entre os valores nominais do parmetro
de rede do GaAs (5.6534) e da energia dos ftons (9320eV).
Como a acurcia com a qual podemos escolher a energia dos ftons na
estao do LNLS baixa em relao preciso deste mtodo, mantivemos as
condies instrumentais inalteradas durante aquisio de dados para todas as 6
amostras.
Desde modo, embora no tenhamos certeza dos exatos valores nominais,
asseguramos que as medidas de deformao, relativamente amostra 1, esto
dentro das barras de erro estabelecidas.

Outro fato importante que se nota neste grfico a tendncia deformao
expansiva, ou seja, reduo no valor de n (), de 7,00,5 10-5 na amostra 4
para 4,60,4 10-5 na amostra 6, quando a superfcie com baixa-densidade de
pontos qunticos coberta.
Tendncia esta que muito mais evidente quando a superfcie com alta-
densidade de pontos qunticos coberta, fazendo a deformao variar de
6,40,7 10-5 na amostra 3 para -1841 10-5 na amostra 5.
Em resumo, neste trabalho* desenvolvemos um procedimento sistemtico
para estudar dispositivos semicondutores nanoestruturados via varredura
Renninger de raios X (XRS). Isto permite medidas ultra-precisas da deformao
da rede cristalina no plano da superfcie (in-plane strain).
Alm disso, o estudo mostra que, o cobrimento dos pontos qunticos de InAs,
mesmo que por uma fina camada de 30 nanometros, gera uma tenso expansiva
paralela superfcie, cuja magnitude esta relacionada densidade dos pontos
qunticos.
Como um resultado inesperado, constatamos a sensibilidade das curvas de
refletividade da reflexo 002 do substrato s imperfeies do crescimento
epitaxial. Permitindo uma anlise qualitativa da perfeio cristalina da camada-
tampo (buffer-layer), do espalhamento difuso dos pontos qunticos expostos, e
da anisotropia do crescimento com relao orientao azimutal da amostra."
*
Trabalho j publicado: phys. stat. sol. (a) 204, 25482554 (2007)
Slide 15:
"Ainda dentro do contexto da fsica de raios X aplica nanotecnologia,
gostaria de falar um pouco do uso da refletometria de raios X incidncia
rasante no estudo de filmes finos obtidos pelo processo sol-gel.
Existia grande dificuldade em caracterizar tais filmes devido s rugosidades
e/ou flutuaes abruptas de densidades inerentes ao mtodo sol-gel.
A refletividade especular de raios X uma tcnica ideal para analisar filmes
finos amorfos, capaz de fornecer informaes sobre a densidade, o gradiente de
composio e a rugosidade.
O problema em aplicar esta tcnica nos filmes de sol-gel estava na
complexidade dos modelos (de filme) necessrios para reproduzir as curvas de
intensidade espalhada observadas experimentalmente.
Haviam muitos parmetros para serem ajustados nos modelos, de modo que
no dava para saber se:
- O modelo estava correto mas os valores dos parmetros ajustados
indevidamente;
- Ou se, quaisquer que fossem os valores, o modelo proposto nunca seria
capaz de reproduzir a curva experimental por ele ser inadequado ou estar
incompleto.
A soluo era encontrar uma rotina de ajuste de curva capaz de sempre
encontrar o melhor ajuste possvel para cada modelo proposto.
Em palavras mais tcnicas, isto significa que, a rotina a ser utilizada deveria
sempre achar o mnimo global da funo-erro, aquela que compara as curvas de
intensidade simulada e experimental.

Usamos o algoritmo de evoluo diferencial (DEA), o mesmo algoritmo
gentico usado antes para ajustar o perfil dos umwegs.
Com este algoritmo, conseguimos encontrar estruturas modelo capazes de
reproduzir com exatido impressionante as curvas experimentais, com visto aqui
(figura esquerda).
Isto tanto para filmes simples, de um nico composto, mas preparado por
ciclos alternados de deposio e sinterizao; como para filmes de multi-camadas
de diferentes composies.
No caso desta amostra (grfico esquerda), o filme de xido de rbio (Er2O3)
havia sido obtido por 3 ciclos de preparao, fato este que ficou evidente no perfil
da densidade longitudinal (grfico direita).
A exata reproduo da curva experimental somente foi possvel quando
inclumos no modelo rugosidades internas entre camadas do mesmo composto
mas de densidades diferentes, representadas aqui pela altura destas colunas em
cinza (grfico direita), totalizando 21 parmetros ajustados pelo algoritmo."

Slide 16:
"Filmes com multicamadas de compostos diferentes tambm foram
analisados com sucesso graas ao algoritmo.
Alternado-se camadas de alta e baixa densidades possvel se obter guias de
ondas para raios X. No caso, a camada de baixa densidade era de xido de titnio
(TiO2) e a de alta densidade de xido de rbio (Er2O3).
Na curva de refletividade especular (grfico de cima esquerda), a ocorrncia
de um modo guiado identificada por uma reduo significante de intensidade
num ngulo de incidncia inferior ao ngulo crtico de reflexo total da camada
mais densa, como marcada pelo crculo vermelho.
A partir desta curva de refletividade, obtivemos a estrutura modelo mostrada
abaixo (figura de baixo esquerda) onde vemos uma grande reduo de
densidade na primeira camada de TiO2.
O quanto as imperfeies do filme real comprometem a existncia do modo
guiado pode ser analisado por meio das simulaes mostradas aqui ao lado
(figura direita) onde as imperfeies foram sanadas uma-a-uma na estrutura
modelo.
Num filme sem rugosidades e flutuaes de densidades nas camadas de um
mesmo composto, teramos um modo guiado acentuado no ngulo de incidncia
de 0,33 graus (1180 arcsec), abaixo do ngulo crtico do xido de rbio, que
ocorre em torno de 0,35 graus (1250 arcsec)."

Slide 17:
"Um modo de testar a veracidade dos modelos obtidos era verificando se o
espalhamento difuso calculado a partir dos modelos era compatvel com o
observado experimentalmente.
Gradientes de densidade e rugosidades reduzem de modo semelhante a
intensidade da curva especular, mas o espalhamento difuso que ocorre em torno
da curva especular gerado exclusivamente pela rugosidade dos filmes.
Isto pode ser claramente visto ao se mapear o espao recproco em torno da
condio de reflexo especular, que esta raia de intensidade vertical passando
pelo centro dos mapas.
Os filmes apresentaram bastante espalhamento difuso, como no caso deste
filme fino de xido de titnio dopado com rbio e lantneo (mapa direita),
quando comparado ao da superfcie do substrato (mapa esquerda) antes da
deposio do filme.
Medir estes mapas em geral toma bastante tempo, e por isto optamos em
medir apenas algumas curvas de espalhamento difuso, as quais correspondem a
uma varredura transversal (transversal scan) do mapa.
Estas primeiras curvas (grfico de baixo esquerda) que so do mapa do
filme (mapa esquerda).
Constatamos que as curvas simuladas de espalhamento difuso eram
compatveis com as experimentais, aumentando nossa confiana na veracidade
dos modelos.
Mas, o que nos chamou a ateno, foi que em alguns casos, naqueles onde
no haviam sido possvel encontrar um modelo que reproduzisse

satisfatoriamente a curva especular, a curva de espalhamento difuso tinha um
aspecto bastante diferente, como esta mostrada aqui ao lado (grfico de baixo
direita)."

Slide 18:
"Devido estranheza das curvas de espalhamento difuso suspeitamos de que
havia algo muito diferente na morfologia de alguns dos filmes.
Resolvemos utilizar a microscopia de fora atmica na anlise destes filmes
de sol-gel.
Descobrimos, para a nossa surpresa, a existncia de poros regulares, com
dimetros entre 100 e 200 nanometros nas amostras dopadas com rbio e
lantneo.
A origem destes poros, assim como controlar o tamanho e a freqncia deles
ainda esta sendo investigado."

Slide 19:
"Entre os principais alunos e pesquisadores que tm contribudo para as
pesquisas que mencionei nesta argio, esto:
- O Raul (Raul O. Freitas) que fez iniciao cientfica quando inicivamos os
estudos de pontos qunticos via varreduras Renninger de raios X, cujo trabalho
permitiu elaboramos seu projeto de doutorado-direto no mesmo tema;
- O Andr (Andr V. Perrota) que durante a iniciao cientfica escreveu um
programa em C++ para calcular tanto as fases de tripleto como as posies dos
umwegs em funo da energia dos ftons, e levando em conta efeitos de
ressonncia atmica. Programa que esta disponvel no servidor eos.if.usp.br para
acesso via internet.
- O Dr. Eduardo Abramof, do Laboratrio Associado de Sensores e Materiais,
Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE), em So Jos dos Campos, onde
realizamos muitos dos experimentos com o difratometria de raios X de alta-
resoluo.
- O Dr. Giancarlo Brito, do laboratrio de cristalografia aqui do IFUSP,
responsvel pela crescimento dos filmes de sol-gel, os quais foram estudados na
iniciao cientfica da Thas Godoy Amaral, e seriam sua tese de mestrado caso
ela no abandonasse a pesquisa por motivos particulares.
- O Prof. Alain Quivy e o aluno do doutorado dele, Toms Lamas, do
laboratrio de MBE do IFUSP, que cresceram vrias amostras epitaxiais, tanto
superredes como pontos qunticos.
- O Dr. Jrgen Hrtwig, do Europen Synchrotron Radiation Facility (ESRF),
que colaborou para o sucesso dos experimentos realizados l em 2001, onde

observamos pela primeira vez satlites hbridos (slide 3, parte I), cuja descrio
terica contribuiu na elaborao da teoria do espao recproco hbrido (slide 14,
parte I) que sair em breve publicada no Journal of Applied Crystallography. *
- O Dr. Stefan Kycia, agora na University of Guelph, Canad, enquanto no
LNLS otimizou a instrumentao da estao XRD-1, viabilizando as primeiras
medidas das fases de tripleto, e tambm contribuindo nas discusses sobre os
resultados.
- O Dr. Domagala (Jarek Z. Domagala), do Institute of Physics da Academia
Polenesa de Cincias (Polish Academy of Science), o qual vasculhou o espao
recproco de filmes epitaxiais em busca de contribuies adicionais de
intensidade, e cujos resultados serviram de comprovao experimental da
existncia da rede recproca hbrida.
- A Dra. Andrea Antunes, que durante seu ps-doutorado no IFUSP,
contribuiu muito para viabilizar o estudo da catarata por imageamento de raios
X, assim como na busca de outras tcnicas para estudar os tecidos oftlmicos.
Ela ainda tem orientado a aluna de mestrado, Fernanda Virgnia Gozzo, no uso
da microscopia de fora atmica e histologia nesses tecidos.
Alm destes colaboradores que listei aqui, tambm cito:
- O Prof. Paulo Barros e a Dr. Anglica Safatle da Faculdade de Medicina
Veterinria e Zoologia da USP, que tm fornecido os cristalinos usados no estudo
da catarata;
- A Profa. Maria Ins Borella do Instituto de Cincias Biomdias da USP onde
so realizadas as anlises histolgicas;
*
J. Appl. Cryst. 40, 546 (2007)
- A Profa. Mrcia Temperini do Instituto de Qumica onde realizamos medidas
de espectroscopia Ramam dos cristalinos;
- E finalmente, ao Dr. Zhong da estao X15A do NSLS, e ao Dr. Christopher
Parham, que l trabalhava na poca, pela ajuda com a instrumentao da X15A
quando realizamos as primeiras imagens de raios X dos cristalinos inteiros.

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Srgio Luiz Morelho

Fsica de raios X aplicada

O texto original da Tese de Livre Docncia, como apresentado no ato da

inscrio ao concurso, edital IF-051/2006, fora editado em moldes similares aos

compatveis com um projeto de pesquisa. Dando nfase s pesquisas atualmente

em desenvolvimento, muito mais do que sistematizando criticamente toda a obra

realizada pelo candidato at ento.

Inconfundivelmente distinta da tese escrita, a argio de defesa da tese

perante a banca do concurso em questo conteve a necessria avaliao crtica

da obra realizado ao longo de toda a carreira cientfica.

Sabiamente a banca soube ponderar entre o texto original e o contedo

apresentado na argio, fato este que permitiu a aprovao do candidato ao

ttulo de Livre Docente.

Portanto, afim de proporcionar os interessados nesta obra, acesso a todo

material disponibilizado aos membros da banca, assim como um entendimento

claro da situao adversa enfrentada por eles, encontra-se includo ao texto

original, as imagens (slides) apresentadas juntamente com a respectiva

Tese de Livre-Docente Edital IF-011/2006 pgina 2

Tese Original ................................................................................................. 4

Faseamento cristalogrfico de quase-cristais ............................................. 6

Otimizao e aplicaes da varredura Renninger em nanotecnologia.......... 9

Imageamento de raios X em estudos avanados de doenas oftlmicas .... 13

Referncias bibliogrficas ........................................................................ 17

Transcrio da defesa de tese..................................................................... 22

Parte I - Espao recproco hbrido

Parte II - Imageamento de raios X no estudo da catarata

Parte III - Fsica de raios X em cristalografia e nanotecnologia

Tese de Livre-Docente Edital IF-011/2006 pgina 3

I. O fenmeno de interferncia entre feixes de raios X difratados

simultaneamente por um mesmo cristal, quando explorado em funo da

polarizao linear da radiao sncrotron, tem propiciado uma abordagem indita

do problema da fase em determinao de estruturas cristalinas [1,2]. Com as

melhorias j implantadas em instrumentao e os elaborados procedimentos

sistemticos de coleta e anlise de dados [3-5], estudos prticos baseado nesta

nova metodologia tm sido realizados [6]. Em andamento esta o estudo da

estrutura de cristais aperidicos, ou quase-cristais, de Al-Pd-Mn.

II. Aspectos da geometria tridimensional da difrao mltipla de raios X

fornecem uma ferramenta nica para medir parmetros de rede em monocristais

com altssima preciso, a/a 10-6; isto quando erros instrumentais so

devidamente corrigidos [7]. A pouca penetrao e a forte intensidade da difrao

Bragg-superfcie (BSD) um caso particular de difrao de 3-feixes tm

favorecido estudos da perfeio cristalina em superfcies [8-11] e

heteroestruturas [12-16] semicondutoras. Medidas livres de erros instrumentais,

combinadas com as caractersticas da BSD, esto originando uma tcnica capaz

de detectar tenses residuais nfimas na superfcie de substratos sob os quais

esto depositados estruturas de dimenses nanomtricas; no caso estudado, as

estruturas so pontos qunticos de InAs sobre GaAs (001) [7]. Explorar o

potencial da tcnica, aprimor-la e, ao mesmo tempo, contribuir para o cenrio

atual da nanotecnologia so os principais objetivos desta linha de pesquisa [17].

Tese de Livre-Docente Edital IF-011/2006 pgina 4

incidncia rasante e microscopia de fora atmica (AFM) tambm sero

tecidos biolgicos de baixa densidade, chamados tecidos moles. Alm da baixa

absoro propriedade essencial radiografia de raios X o pouqussimo

espalhamento da radiao pelos tecidos outra propriedade da interao

radiao-tecido, esta ainda pouco explorada. Dois processos de espalhamento

so de particular importncia aqui: i) o espalhamento difuso da radiao, mais

conhecido por espalhamento de baixo ngulo, e ii) a refrao dos raios X na

interface entre regies dos tecidos com pequenas variaes de densidade.

Recentemente comeamos a explorar as diferenas existentes na magnitude

destes processos de espalhamento para mapear leses distintas que acometem o

com tecidos biolgicos e a necessidade de tcnicas complementares tem

requerido uma sinergia entre diversas especialidades, gerando vrias

colaboraes e projetos de pesquisas com caractersticas dspares [21-25].