Ao del Buen Servicio al Ciudadano

DOCENTE : Ing. Carlos Chambergo Larrea

ALUMNO : Adrin Gonzles Vsquez

ASIGNATURA : Electrnica Industrial

FACULTAD : Facultad de Ingeniera Mecnica y Elctrica.

TEMA : Memorias Digitales

LAMBAYEQUE 25 DE JULIO DE 2017

 MEMORIA DIGITAL
La mayora de los procesos lgicos en electrnica digital se encuentran
constituidos por sistemas que manipulan la informacin binaria para dar como
resultado una o varias salidas.
Se han desarrollado numerosos sistemas capaces de almacenar o memorizar una
informacin digital. Todos ellos, persiguen como objetivo conseguir:
Alta velocidad
Bajo consumo
Gran capacidad de almacenamiento
Bajo precio

Desde la dcada de los aos 1950, las memorias de ncleos de ferrita han
predominado como memorias principales en los ordenadores. Sin embargo
gracias al desarrollo tecnolgico de los semiconductores en forma integrada y
ms concretamente LSI, ha permitido a partir de 1975 se sustituyeran las
memorias de ferritas por memorias de tipo semiconductor, por sus ventajas tanto
en rapidez como en precio y espacio.
Hoy en da las memorias de tipo semiconductor, constituyen el sector ms
expansivo dentro de la tecnologa de los semiconductores.
En este artculo acerca de las memorias digitales descubrirs los diferentes tipos
de memorias que existen, sus aplicaciones y algunos ejemplos de memorias de
uso general disponibles en el mercado.
 Caractersticas de las memorias:
Las caractersticas ms importantes de las memorias son:

Tiempo de lectura:
Es el que transcurre entre la aplicacin de la orden de lectura, y el momento en
que la informacin est disponible en la salida.

Tiempo de acceso:
Es a menudo, la media de los dos tiempos de lectura y escritura definidos
anteriormente.

Es la medida del tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la unidad

de memoria hasta que esta lo entrega.

Tiempo de ciclo:
Despus de una operacin de lectura o escritura, es posible que la memoria
necesite un tiempo de reinscripcin (memorias de ncleos de ferrita, por
ejemplo), o de recuperacin. El tiempo de ciclo es entonces la suma de este
tiempo y del tiempo de acceso.
Tambin denominado ciclo de memoria, es el tiempo transcurrido desde que se
solicita un dato a la memoria hasta que sta se halla en disposicin de efectuar
una nueva operacin de lectura o escritura.
 Acceso aleatorio:
Una memoria es de acceso aleatorio cuando el tiempo de acceso a cualquier
posicin de memoria es siempre el mismo.

Cadencia de transferencia:
Es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o escritura
(Bits por segundo).

Capacidad:
Es el nmero de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se
denomina tambin volumen. Por ejemplo, una memoria tiene una capacidad de
8n bits, que en otras palabras representa n bytes.
Regularmente estas memorias en la actualidad se consiguen en tamaos del
orden megabytes.

Densidad de informacin
Es el nmero de informaciones por unidad de volumen fsico.

Volatilidad
Es el defecto de una memoria que pierde la informacin almacenada, si se
produce un corte de alimentacin.

Aspectos generales sobre las memorias

Las unidades de memoria son mdulos conformados por un conjunto de cerrojos
o condensadores agrupados de tal forma que almacenan varias palabras binarias
de n bits. Cada una de ellas tiene la capacidad de almacenar un bit de informacin
(1 o 0), y se conocen con el nombre de celdas de memoria. Las celdas o bits de
Memoria se ubican mediante la fila y la columna en la que se encuentre.
Las palabras binarias se identifican con una direccin la cual define la ubicacin
dentro del arreglo y generalmente se designa con un nmero binario, octal o
hexadecimal. En la mayora de las aplicaciones se asocian en grupos de ocho
unidades para formar bytes y el tamao de las palabras en las memorias actuales
est entre 4 y 64 bits.

La funcin bsica de las memorias es almacenar informacin. Sin embargo las

memorias tienen la funcin especfica de escribir y leer los datos en su interior.
En la siguiente figura se observa la estructura bsica de una memoria de 1K de 4
bits, en la cual se indican sus partes bsicas.
En los computadores modernos las memorias actan directamente con la CPU a
travs de canales de comunicacin llamadas buses. En la figura se observa un
esquema general, el cual muestra como interacta la CPU de un
microcomputador con las memorias a travs de estos canales.

Las operaciones bsicas de una memoria consisten en leer y almacenar

informacin mediante el uso del bus de datos y direcciones. Estas operaciones
ocurren en un orden lgico, el cual se indica a continuacin:
1. Apuntar a la direccin de memoria que se desea leer o escribir mediante el
uso de direcciones
2. Seleccin del tipo de operacin: lectura o escritura
3. Cargar los datos al almacenar (en el caso de un operacin de escritura)
4. Retener los datos de la memoria (en el caso de una operacin de lectura)
5. Habilitar o deshabilitar una memoria para una nueva operacin

Clasificacin de las memorias:

Memorias magnticas:
Las memorias magnticas usan diferentes patrones de magnetizacin
sobre una superficie cubierta con una capa magnetizada para
almacenar informacin. Las memorias magnticas son no voltiles.

Se llega a la informacin usando uno o ms cabezales de

lectura/escritura. Como el cabezal de lectura/escritura solo cubre una
parte de la superficie, el almacenamiento magntico es de acceso
secuencial y debe buscar, dar vueltas o las dos cosas.
 En computadoras modernas, la superficie magntica ser de alguno de
estos tipos:
Disco magnticos
Disquete usado para memoria fuera de lnea
Disco duro usado para memoria secundaria
Cinta magntica, usada para memoria terciaria y fuera de lnea

En las primeras computadoras, el almacenamiento magntico se usaba

tambin como memoria principal en forma de memoria de tambor,
memoria de ncleo, memoria en hilera de ncleo, memoria pelcula
delgada, memoria de Twistor o memoria burbuja.
Adems, a diferencia de hoy, las cintas magnticas se solan usar como
memoria secundaria.

Memoria de semiconductor:
La memoria de semiconductor usa circuitos integrados basados en
semiconductores para almacenar informacin. Un chip de memoria de
semiconductor puede contener millones de minsculos transistores o
condensadores. Existen memorias de semiconductor de ambos tipos: voltiles y
no voltiles.

Memoria de disco ptico:

Las memorias en disco ptico almacenan informacin usando agujeros
minsculos grabados con un lser en la superficie de un disco circular. La
informacin se lee iluminando la superficie con un diodo lser y
observando la reflexin. Los discos pticos son no voltil y de acceso
secuencial. Los siguientes formatos son de uso comn:

CD, CD-ROM, DVD: Memorias de simplemente solo lectura, usada para

distribucin masiva de informacin digital (msica, vdeo, programas
informticos).
CD-R, DVD-R, DVD+R: Memorias de escritura nica usada como
memoria terciaria y fuera de lnea.
CD-RW, DVD-RW, DVD+RW, DVD-RAM: Memoria de escritura lenta y
lectura rpida usada como memoria terciaria y fuera de lnea.
 Blu-ray: Formato de disco ptico pensado para almacenar vdeo de alta
calidad y datos. Para su desarrollo se cre la BDA, en la que se
encuentran, entre otros, Sony o Phillips.

Memorias de discos magneto pticos

Las Memorias de disco magneto ptico son un disco de memoria ptica
donde la informacin se almacena en el estado magntico de una
superficie ferromagntica.
La informacin se lee pticamente y se escribe combinando mtodos
magnticos y pticos. Las memorias de discos magneto pticos son de tipo
no voltil, de acceso secuencial, de escritura lenta y lectura rpida. Se usa
como memoria terciaria y fuera de lnea

Tipos de Memorias:

1. Memoria RAM:
Random Access Memory, o memoria de acceso aleatorio sus velocidades de
lectura y escritura son muy similares, son utilizadas en proceso de alta
velocidad donde los datos pueden perderse al momento de cortar la
energa

2. Memoria ROM:
Read Only Memory, Memoria de solo lectura. Esta memoria viene ya
grabada de fbrica y no puedes modificar su programacin

3. Memoria PROM:
Memoria programable. Conocida igual como OTP (one time programable) o
memoria de una sola programacin. Una vez grabada ya no se puede
modificar.

4. Memoria EPROM:
Memoria borrable. Solo pueden programarse si se les borra antes
exponindolas durante cierto tiempo a la luz ultravioleta. Esto introduce
voltaje a las celdas para que despus puedan ser grabadas.

5. Memoria EEPROM:
Memoria borrable electrnicamente. Esta memoria puede ser borrada por
 medios electrnicos a travs de una terminal conocida como Vpp. Los
voltajes de borrado son de aprox 13v.

6. Memoria FLASH:
Es igual que una EEPROM su diferencia radica en la velocidad de grabado de
los datos, adems que el voltaje usado para borrar es de 5v o 3.3v
dependiendo de la memoria. Es la ms usada actualmente y existe un sin
nmero de variantes

Compact Flash: Compacta de alta velocidad.

Es una pequea tarjeta de memoria basada en tecnologa flash - NAND arriba
descrita, la cual est diseada para ser colocada como soporte de memoria en
las ranuras de dispositivos profesionales como cmaras fotogrficas digitales
de muy alta resolucin, siendo poco recomendables para pequeos
dispositivos electrnicos modernos.

Multimedia Card (MMC): Tarjeta multimedia

Es una pequea tarjeta de memoria basada en tecnologa flash NAND, la cual
est diseada para ser colocada como soporte de memoria en pequeos
dispositivos electrnicos modernos, principalmente telfonos celulares
modernos, los cuales cuentan con una ranura especfica para ello.
Son memorias antecesoras de la memoria SD, pero son compatibles.

Memoria Secure Data (SD): Seguridad digital

El nombre debido a que cuenta con un cifrado de seguridad en el Hardware para
proteccin de datos, algo que se utiliza muy poco por el usuario final.

Es una pequea tarjeta de memoria basada en tecnologa flash - NAND arriba

descrita, la cual est diseada para ser colocada como soporte de memoria en
pequeos dispositivos electrnicos modernos tales como cmaras fotogrficas
 digitales, reproductores MP4, telfonos celulares, etc., los cuales cuentan con
una ranura especfica para ello.

Es sucesora de la memoria MMC, pero an son compatibles. Es de los formatos

ms utilizados junto con Memory Stick de Sony.

Memoria Extreme Digital (Xd): Digital extremo.

Es una pequea tarjeta de memoria basada en tecnologa flash - NAND, la cual
est diseada para ser colocada como soporte de memoria en pequeos
dispositivos electrnicos modernos de las marcas Fuji y Olympus,
principalmente cmaras fotogrficas digitales, las cuales cuentan con una
ranura especfica para ello.

Memorias USB:
Es un pequeo dispositivo de almacenamiento masivo 100% electrnico, es
decir, no tiene partes mecnicas en movimiento que produzcan friccin; consta
de una pequea cubierta que protege los circuitos de almacenamiento y un
conector de tipo USB.
 Permite la escritura y borrado de la informacin (archivos de Office, videos,
msica, e incluso sistemas operativos, etc.), de manera rpida, sencilla y segura;
siendo conectado por medio del puerto USB de la computadora.

La definicin de la Real Academia Espaola de la lengua es simplemente

"dispositivo porttil pequeo de almacenamiento de datos".

Las memorias USB 1.0, reemplazaron del mercado comercial al popular disquete
de 3".

Las memorias USB 2.0, reemplazaron del mercado comercial a las memorias USB
1.0

Memory Stick : Memoria clave

Es una pequea tarjeta de memoria basada en tecnologa flash - NAND, la
cual est diseada para ser colocada como soporte de memoria en pequeos
dispositivos electrnicos modernos de la marca Sony, tales como cmaras
fotogrficas digitales, reproductores MP4, telfonos celulares, etc., los cuales
cuentan con una ranura especfica para ello.
Es de los formatos ms utilizados junto con los SD.

MicroDrive: Es un minidisco duro pero se puede considerar dentro de esta

clasificacin, significa micro manejador.
Se trata de una pequea tarjeta diseada por Hitachi e IBM, la cual
integra como base de almacenamiento un micro disco duro.
Esta tarjeta est diseada para ser colocada como soporte de
almacenamiento en pequeos dispositivos electrnicos modernos,
principalmente algunos modelos de PDA, los cuales cuentan con una ranura
especfica para ello. Se debe tener cuidado a momento de manejar estos
dispositivos, intentando que nos sean expuestos a movimientos bruscos o
campos magnticos ya que se puede alterar su informacin contenida.