Transistor MOSFET

Un MOSFET es un dispositivo semiconductor de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En

estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva,
y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal
Caractersticas: Los mosfet se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) que se llama sustrato.
Sobre este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es un
semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato. En la primera imagen de abajo
puedes ver el sustrato de tipo P y el drenador y la fuente de tipo N. Recubriendo este bloque se coloca
una capa de xido metlico aislante que hace de dielctrico o aislante entre la fuente y el sumidero.
Por encima de este xido se coloca una placa de metal conductor. El xido con el metal forman la
tercera patilla o borne de conexin llamada puerta o Gate (en ingls).
Tenemos 4 partes, pero solo 3 patillas, ya que el sustrato est unido siempre a la puerta(Gate),
formando una nica patilla del transistor, se subdividen en 2 tipos, los MOSFET canal N y los canal
P.

Circuito Equivalente:

Aplicaciones:
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes
en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones de MOSFET discretos
ms comunes son:

Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica.

Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
 Transistor BJT
El transistor bipolar o bjt es un dispositivo electrnico, puede ser de germanio o silicio, este puede
controlar una cierta cantidad de corriente por medio de otra cantidad de corriente, este dispositivo
consta de 3 terminales los cuales son el colector, la base y el emisor.
Caractersticas: Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la
corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor. El transistor
bipolar tiene 3 zonas diferentes en los cuales puede operar, los cuales se conoce como regin activa,
regin de corte y regin de saturacin y tiene 3 configuraciones emisor comn, base comn y colector
comn.

Cuando trabaja
en regin activa, quiere decir que est trabajando como amplificador de una seal corriente o voltaje,
esta regin de funcionamiento se caracteriza porque la corriente de base es muy pequea en
comparacin a la de colector y emisor que son parecidas, y porque el voltaje colector base no puede
exceder los 0.4 o -0.4V dependiendo si es PNP o NPN. Para que opere en la regin de saturacin, el
diodo base-emisor tiene que estar polarizado en forma directa y el diodo base colector tambin tendr
que estar polarizado en forma directa. Para que opere en la regin de corte, el diodo base emisor tiene
que estar polarizado en forma inversa y el diodo base colector tambin tendr que estar polarizado
tambin forma inversa
Circuito Equivalente:

Aplicaciones: Pueden usarse como amplificadores o interruptores. Como amplificador si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor),
una cantidad mayor a sta, cuando se usa como interruptor se tiene una seal de control que puede
emplearse para cambiar la corriente en la otra terminal desde un valor casi nulo hasta uno
considerablemente grande, siendo este comportamiento la base del inversor lgico, elemento bsico
de la electrnica digital. Tambin puede ser usados para:

Amplificacin de todo tipo radio, televisin, instrumentacin.

Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia)
Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin
conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM)
Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores).
 Transistor IGBT
Es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como inter-ruptor controlado en circuitos
de electrnica de potencia.
Caractersticas: Este dispositivo posee las caractersticas de las seales de puerta de los transistores
de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor
en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como las del bjt. es un componente de tres terminales que se
denominan Gate (g) o puerta, colector (c) y emisor (e).

El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 100 kHz y ha sustituido al
BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa como fuente
conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT
consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden
de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios. Se puede concebir el IGBT como
un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no
requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo, las corrientes
transitorias de conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. Maneja ms potencia que los
segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros. La tensin de control de
puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal
elctrica de entrada muy dbil en la puerta.
Circuito Equivalente:

Aplicaciones: El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de

potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. Se usan en los
Variadores de frecuencia, as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y convertidores de
potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes
de eso: Automvil, Tren, Metro, Autobs, Avin, Barco, Ascensor, Electrodomstico, Televisin,
Domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.
 Transistor DARLINGTON
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente.
Caracterstica: Est compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es
cascada. El transistor Q1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor Q2.
Transistor de tipo especial que tiene una alta ganancia de corriente. Est compuesto internamente por
dos transistores bipolares que se conectan en cascada. Esta configuracin sirve para que el dispositivo
sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere
menos espacio que dos transistores normales en la misma configuracin. La ganancia total del
Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico tiene
una ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un mayor desplazamiento de fase en
altas frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda convertirse fcilmente en inestable. La
tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para
transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par Darlington se halla
multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector se halla multiplicando la
intensidad de la base por la beta total.
Circuito Equivalente:

Aplicaciones:

Cuando se quiere controlar un motor o un rel, necesitas emplear un dispositivo que sea capaz
de suministrar esta corriente. Este dispositivo puede ser un circuito Darlington.
Para alimentar una carga como un pequeo motor de corriente continua.
Son ampliamente utilizados para accionar las aletas solenoide impulsada y luces intermitentes
en las mquinas de pinball electromecnico. Una seal de la lgica de unos pocos
miliamperios de un microprocesador, amplificada por un transistor de Darlington, fcilmente
cambia un amperio o ms a 50 V en una escala de tiempo medido en milisegundos, segn sea
necesario para el accionamiento de un solenoide o una lmpara de tungsteno
En resumen, se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas
grandes con corrientes muy pequeas.

Bibliografa:
Carrera, H. (13 de 09 de 2014). SlideShare. Obtenido de SlideShare: https://es.slideshare.net/Huugeex/conexin-
darlington-transistor

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Garcia, V. (15 de 11 de 2012). Electrnica Prctica Aplicada. Obtenido de Electrnica Prctica Aplicada:
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