Transistores MOSFET VMOS

VMOS transistor es un tipo de transistor semiconductor de xido metlico. VMOS

tambin se utiliza para describir la forma de ranura en V cortado verticalmente en el
material de sustrato. VMOS / v i m s / es un acrnimo de "semiconductor de xido
metlico vertical", o "ranura en VMOS".
La "V" forma del MOSFET 's puerta permite que el dispositivo para suministrar una
mayor cantidad de corriente de la fuente al drenaje del dispositivo. La forma de la
regin de agotamiento crea un canal ms ancho, lo que permite ms que la corriente
fluya a travs de ella.
Esta estructura tiene una ranura en V en la zona de la puerta y se us para los
primeros dispositivos comerciales.
El uso del dispositivo era un dispositivo de alimentacin hasta que las geometras
ms adecuados, como el UMOS (o Trench-Gate MOS) se introdujeron con el fin de
disminuir el mximo del campo elctrico en la parte superior de la forma de V y por
lo tanto conduce a tensiones mximas ms altas que en el caso de la VMOS.
VMOS fue inventado por TJ Rodgers, mientras que l era un estudiante en la
Universidad de Stanford.
 Transistores MOSFET CMOS
Complementaria de metal-xido-semiconductor, abreviado como CMOS / s i m s
/, es una tecnologa para la construccin de circuitos integrados. La tecnologa
CMOS se utiliza en microprocesadores, microcontroladores, RAM esttica y otros
lgicos digitales circuitos. Tecnologa CMOS tambin se utiliza para varios circuitos
analgicos, tales como los sensores de imagen (sensor CMOS), los convertidores
de datos, y altamente integrados transceptores para muchos tipos de comunicacin.
En 1963, mientras trabajaba para Fairchild Semiconductor, Frank Wanlass
patentado (CMOS patente de EE.UU. 3.356.858).
CMOS tambin se denomina a veces de simetra complementaria de metal-xido-
semiconductor (o COS-MOS). [1] Las palabras "de simetra complementaria" se
refieren al hecho de que el estilo de diseo tpico con CMOS utiliza pares
complementarios y simtricos de tipo p y de tipo n transistores de efecto de campo
de semiconductor de xido metlico (MOSFET) para funciones lgicas.
Dos caractersticas importantes de los dispositivos CMOS son de alta inmunidad al
ruido y baja esttica consumo de energa. Dado que uno transistor del par siempre
est apagado, la combinacin en serie obtiene la energa significativa slo
momentneamente durante la conmutacin entre estados activado y desactivado.
En consecuencia, los dispositivos CMOS no producen tanto calor residual como
otras formas de lgica, por ejemplo, lgica transistor-transistor (TTL) o lgica
NMOS, que normalmente tienen algunos de los que la corriente incluso cuando no
cambiar de estado. CMOS tambin permite una elevada densidad de funciones
lgicas en un chip. Fue principalmente por esta razn que se convirti en la
tecnologa CMOS ms utilizado para ser implementado en VLSI fichas.
La frase "de metal-xido-semiconductor" es una referencia a la estructura fsica de
ciertos transistores de efecto de campo, que tiene un electrodo de puerta de metal
colocada en la parte superior de un aislante de xido, que a su vez est en la parte
superior de un material semiconductor. De aluminio fue utilizado una vez, pero ahora
es el material de polisilicio. Otras puertas de metal han hecho una reaparicin con
el advenimiento de alta k materiales dielctricos en el proceso de CMOS, tal como
se anunci por IBM e Intel para los 45 nanmetros nodo y ms all.
 Tiristor

El tiristor (gr.: puerta) es una familia de componentes electrnicos constituido por

elementos semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una
conmutacin.1 Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor,
es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar
como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales (SCR) o
bidireccionales (Triac) o (DIAC). Se emplea generalmente para el control de
potencia elctrica.

Para los SCR el dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son
de tipo P-N-P-N entre los mismos. Por lo tanto, se puede modelar como 2
transistores tpicos P-N-P y N-P-N, por eso se dice tambin que el tiristor funciona
con tensin realimentada. Se crean as 3 uniones (denominadas J1, J2, J3
respectivamente), el terminal de puerta est conectado a la unin J2 (unin NP).

Algunas fuentes definen como sinnimos al tiristor y al rectificador controlado de

silicio (SCR);2 Aunque en realidad la forma correcta es clasificar al SCR como un
tipo de tiristor, a la par que los dispositivos DIAC y TRIAC.

Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los aos 1960.
Aunque un origen ms remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR creado
por William Shockley (premio Nobel de fsica en 1956) en 1950, el cual fue defendido
y desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall lider el desarrollo en
Morgan Stanley para su posterior comercializacin por parte de Frank W. "Bill"
Gutzwiller, de General Electric.
 DIAC

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor doble de

dos conexiones. Es un diodo bidireccional autodisparable que conduce la corriente
slo tras haberse superado su tensin de disparo alternativa, y mientras la corriente
circulante no sea inferior al valor triple de voltios caracterstico para ese dispositivo.
El comportamiento es variable para ambas direcciones de la corriente. La mayora
de los DIAC tienen una tensin de disparo doble variable de alrededor de 30 V. En
este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen.
Los DIAC son una denominacin de tiristor, y se usan normalmente para
autocompletar el ritmo variado del disparo de un triac, otra clase de tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales amenos, nodo 1 y nodo 2.
Acta como una llave semicircular interruptora bidireccional la cual se activa cuando
el voltaje entre sus terminales variables alcanza el voltaje de quema o accionado,
dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la potencia del proceso de
fabricacin.

Existen dos tipos de DIAC:

DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base
y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El
dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensin de
avalancha en la unin del colector. Esto inyecta corriente en la base que
vuelve el transistor conductor, producindose un efecto regenerativo. Al
ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades,
intercambiando el emisor y colector sus funciones.

DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en

antiparalelo, lo que le da la caracterstica bidireccional.
 TRIAC

Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la

familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el
TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.

Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos

SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden
la denominacin de nodo y ctodo) y puerta (gate). El disparo del TRIAC se realiza
aplicando una corriente al electrodo de gate/puerta.

SCR

El rectificador controlado de silicio (en ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier) es

un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con
estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron)
y Transistor.

Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta). La puerta es la

encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona
bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente
en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no
se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor
comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada
alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de
bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.

El pulso de conmutacin ha de ser de una duracin considerable, o bien, repetitivo

si se est trabajando en corriente alterna. En este ltimo caso, segn se atrase o
adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente
pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el tiristor
continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la
corriente de mantenimiento (en la prctica, cuando la onda senoidal cruza por cero)
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un
tiristor, ste puede dispararse y entrar en conduccin aun sin corriente de puerta.
Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite
mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador
parsito existente entre la puerta y el nodo.

Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia, en el campo del

control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como
interruptor de tipo electrnico.