Electrónica General: Conceptos Básicos de Circuitos Eléctricos

FUNDACIN TECNOLGICA ANTONIO DE ARVALO - TECNAR Fecha: 10/08/2016
FACULTAD DE CIENCIAS DE LA INGENIERA

Versin: 1
TECNOLOGA EN SISTEMAS DE INFORMACIN
ELECTRNICA GENERAL Pgina 1 de 206
FACULTAD CIENCIAS DE LA INGENIERA

ELECTRNICA GENERAL
TULIO ENRIQUE MUENTES CERVANTES

Versin: 1
ELECTRNICA BSICA
Programas de Educacin a Distancia
Fundacin Antonio de Arvalo, TECNAR
Autor: TULIO ENRIQUE MUENTES CERVANTES
Diseo de la Plantilla y Estructura del mdulo: Astrid Caldern Hernndez
Diagramacin, Portadas y Arte Grfico: Douglas Jess Elles Torres
Primera Edicin: Agosto de 2016 - [Nmero de Ejemplares]
ELECTRNICA GENERAL
Fundacin Antonio de Arvalo - TECNAR
2015; 202 Pg.; 21.5 X 27.9 cm
Prohibida su reproduccin parcial o total, por cualquier medio o mtodo de este mdulo sin
previa autorizacin de TECNAR y la Empresa Editorial.

Versin: 1
TABLA DE CONTENIDO
Pg.
1 PRESENTACIN 18
2 GENERALIDADES 19
3 INTRODUCCIN 20
4 OBJETIVOS EDUCATIVOS 21
4.1. Objetivo general 21
4.2 Objetivos especificos 21
5 JUSTIFICACIN 22
6 COMPETENCIAS 23
6.1. competencias genricas. 23
6.2. competencias especficas......... 23
6.3 Competencias procedimentales/instrumentales 24
6.4. Competencias actitudinales. 24
7 METODOLOGA 25
8 UNIDADES DE APRENDIZAJE 25
1 UNIDAD 1: NOCIONES BASICAS DE CIRCUITOS ELECTRICOS 32
1.1 Objetivos.............................................................................. 32
Versin: 1
1.2 Competencias.. 32
1.3 Estrategias pedaggicas o actividades de aprendizaje 32
1.4 Recursos de aprendizaje. 34
. 1.5 Leccin I: CONCEPTOS BSICOS DE ELECTRICIDAD 34
1.5.1. Cargas Elctricas y clasificacin de los elementos 34
1.5.1.1 Conductores, aisladores y semiconductores 35
1.5.1.2 Corriente Elctrica 36
1.5.1.3 Voltaje, Energa y Potencia 39
1.5.1.4 Circuito elctrico 41
1.5.1.4.1 Elementos de uno circuito elctrico 41
1.5.2. Ejemplos sobre variables de un circuito elctrico 43
1.5.3. Ejercicios de autoevaluacin de variables de un circuito 44
elctrico
1.6 Leccin 2. RESISTENCIAS Y CONEXIONES ENTRE 45
RESISTENCIAS
1.6.1. Resistencia Elctrica 45
1.6.1.1 Tipos de resistencias elctricas 45
1.6.1.2 Cdigo de colores de las resistencias elctricas 48
1.6.1.3 Conexin de resistencia en serie. 50
1.6.1.4 Conexin de Resistencia en paralelo. 51
1.6.2 Ejemplos de arreglos de resistencia elctricas 52

Versin: 1
1.6.3. Ejercicios autoevaluacin sobre resistencia elctricas 53
1.7 Leccin 2: El CAPACITOR, ELEMENTOS ALMACENADORES DE 55
ENERGIA.
1.7.1 El condensador o capacitor 55
1.7.1.1 Capacitores en serie y en paralelo 57
1.7.2 Ejemplos sobre capacitancias equivalentes, en series y paralelos 58
1.7.3. Ejercicios sobre capacitancias equivalentes en serie y paralelo 60
1.8 Leccin 3: El INDUCTOR, ELEMENTOS ALMACENADORES DE 61
ENERGIA
1.8.1 El inductor o bobina 61
1.8.1.1 Almacenamiento de energa en Inductores 62
1.8.1.2 Inductores en serie y paralelo 62
1.8.2 Ejemplo de inductancias equivalentes en series, paralelos 63
1.8.3 Ejercicios sobre inductancias equivalentes en series, paralelo 65
1.9 Leccin 4. EL TRANSFORMADOR Y SUS CLASIFICACIONES 65
1.9.1 El transformador 65
1.9.2 Ejercicios resueltos sobre transformadores. 67
1.9.3 Ejercicio sobre transformadores. 68
1.10 Leccin 3. LEY DE OHM, CIRCUITOS SERIE Y PARALELOS 68
1.10.1 Ley de ohm .. 68
1.10.1.1 Circuito en serie 71

Versin: 1
1.10.1.2 Circuitos en paralelo 72
1.10.2 Ejemplos de ley de ohm, circuitos serie y paralelo.. . 73
1.10.3 Ejercicios de autoevaluacin sobre circuitos serie y circuito 75
paralelo
1.11 Leccin 4: PRIMERA LEY DE KIRCHHOFF 77
1.11.1. Leyes de Kirchhoff de las corrientes-LKC 77
1.11.1.1 Anlisis nodal 78
1.11.2. Ejemplos sobre anlisis nodal 79
1.11.3 Ejercicios de autoevaluacin sobre tcnicas de anlisis nodal 82
1.12 Leccin 5: SEGUNDA LEY DE KIRCHHOFF-LK 83
1.12.1. Ley de Kirchhoff de los voltajes LKV 83
1.12.1.1 Anlisis de Malla 85
1.12.2. Ejemplos sobre anlisis de malla 85
1.12.3. Ejercicios de autoevaluacin sobre segunda ley de Kirchhoff 87
1.13 Leccin 6: TCNICA DE ANLISIS DE CIRCUITO CON BASE EN 88
EL PRINCIPIO DE SUPERPOSICIN
1.13.1. El Principio de superposicin 88
1.13.2 Ejemplos sobre el principio de superposicin 90
1.13.3 Ejercicios de autoevaluacin principio de superposicin 94
EL TEOREMAS DE THEVENIN...
Versin: 1
1.14.1. Teoremas de Thevenin . 95
1.14.2. Ejemplos sobre el teorema Thevenin 96
1.14.3 Ejercicios de autoevaluacin sobre el teorema de Thevenin 99
2. UNIDAD 2: TEORA DE SEMICONDUCTORES 103
2.1 Objetivos 103
2.1.1 Objetivo general 103103103 103
2.1.2 Objetivos especficos 103
2.2 Competencias 103
2.4 Recursos de aprendizaje 104
2.5 Leccin 1: DIODOS SEMICONDUCTORES. 105
2.5.1. Teora de semiconductores .. 105
2.5.1.1. Caractersticas de tensin corriente del diodo 110
. 2.5.1.2. Diodo emisor de luz (LED) 112
2.5.1.3 El diodo de unin P-N como rectificadores de seales 113
2.5.1.3.1. Rectificador de media onda 113
2.5.1.3.2. Rectificador de onda completa 114
2.5.2. Ejemplos sobre rectificacin de seales de media onda y onda 116
completa
2.5.3 Ejercicios sobre rectificacin de seales y regulacin de voltaje 117
y autoevaluacin de diodos ...

Versin: 1
2.6 Leccin 2: DIODO ZENER . .. 119
2.6.1. Curva caracterstica del diodo Zener 119
2.6.2 . El diodo Zener como regulador de voltaje. 120
121
2.6.2.1 Condiciones de regulacin zener 121
2.6.3. Ejemplo sobre regulacin zener 122
2.6.4 Ejercicios y autoevaluacin sobre regulacin zener 124
2.7 Leccin 3: FILTROS DE MEDIA ONDA Y ONDA COMPLETA. 124
2.7.1. Filtro de media onda 124
2.7.1.1 Filtro de onda completa. .. 125
2.7.2 Ejemplos sobre filtro de media onda y onda completa 126
2.7.3 Ejercicios sobre filtro de media onda y onda completa. 129
3. UNIDAD III: TRANSISTORES 133
3.1 Objetivos 133
3.2 Competencias ... 133
3.3 Estrategias pedaggicas o actividades de aprendizaje. 133
3.5 Leccin 1: TRANSISTOR BIPOLAR NPN y PNP. 135
3.5.1. Construccin del transistor bipolar 135
3.5.1.1. Funcionamiento de los transistores Bipolares. 136
3.5.1.2. Pruebas del transistor bipolar. 139

Versin: 1
3.5.1.3. Configuraciones bsicas de circuitos amplificadores con 141
transistores
3.5.1.3.1. Configuracin base comn 141
3.5.1.3.2. Configuracin Emisor comn. 142
3.5.1.3.3. Configura cin Colector comn.. 143
3.5.1.4 Polarizaciones en DC y recta de carga de los transistores 143
Bipolares. ...
3.5.1.4.1. Polarizacin fija. . 144
3.5.1.4.2. Polarizacin universal o por divisor de tensin 147
3.5.1.4.3 Criterio de diseo para circuitos polarizados por 150
divisor de tensin
3.5.1.4.4. Auto polarizacin o polarizacin realimentada por 151
colector.
3.5.2 Ejercicios resueltos sobre polarizacin en DC y recta de carga 152
3.5.3 Ejercicios propuestos sobre polarizacin en DC y recta de carga 159
3.6 Leccin 2: ANLISIS DEL TRANSISTOR CON PEQUEAS SEALES Y 161
BAJAS FRECUENCIAS
3.6.1 Anlisis matemtico del modelo hibrido en configuracin emisor 162
comn
3.6.2 Ejercicios sobre diseo de amplificadores de pequea seal 162
Pg.
Versin: 1
3.6.3 Ejercicios propuesto sobre diseo de amplificadores de pequeas 170
seales
4. RECURSOS 171
4.1. Fsicos.. 171
4.2. Tecnolgicos... 171
4.3. Audiovisuales. 171
4.4. Telecomunicaciones. 171
5. Sistema de Evaluacin. 173
6. Cronograma o Calendario 173
7. Glosario. 179
8. Bibliografa 180
9 Enlaces de inters.. 181
10. Tiempo mximo del mdulo 184
11. Perfil del Tutor. 184

Versin: 1
INDICE DE FIGURAS
Figura 1.0. tomo 22
Figura 1.1. Cargas elctricas 23
Figura 1.2 Generacin de electricidad Esttica 23
Figura 1.3 Clasificacin de los elementos 23
Figura 1.4 Seal de corriente directa 24
Figura 1.5 Seal de corriente alterna 25
Figura 1.6 Mediciones de voltaje 26
Figura 1.7 Elementos bsicos de Circuito Elctrico 27
Figura 1.8 Elementos almacenadores de energa 28
Figura 1.9 Dispositivos electrnicos pasivos 29
Figura 1.10 seal alterna con amplitud y periodo definido 30
Figura 1.11 Smbolo de resistencia Elctrica 30
Figura 1.12 Resistencia de carbn 31
Figura 1.13 Resistencia de pelcula metlica 31
Figura 1.14 Resistencia de alambre 32
Figura 1.15 Potencimetros.... 32
Figura 1.16 Resistencia de cuatro colores 32
Figura 1.17 Conexin de resistencias en serie 33

Versin: 1
Figura 1.18. Circuito serie de 5 resistencia y i fuente de voltaje 33
Figura 1.19 Circuito paralelo de 4 resistencias 35
Figura 1.21. Circuito paralelo de 3 resistencias 35
Figura 1.22 .Resistencia de 4 colores de carbn 36
Figura 1.24. Circuito serie de 4 resistencias 37
Figura 1.25. Smbolo de los condensadores fijos 38
Figura 1.26. Seal alterna conectada con un Capacitor 38
Figura 1.27. Conexin serie de capacitores 39
Figura 1.28. Conexin en paralelo de capacitores 40
Figura 1.29. Capacitores en serie 40
Figura 1.30. Condensadores en paralelo 41
Figura 1.31. Conexin Mixta de capacitores. 41
Figura 1.32. Conexin paralela de capacitores 42
Figura 1.33. Conexin mixta de capacitores 42
Figura 1.34. Conexin serie de inductores 44
Figura 1.35. Conexin paralela de inductores. 44
Figura 1.36.Transformador reductor 46
Figura 1.37.Transformador elevador 47
Figura 1.38.Transformador acoplador 47
Figura 1.39. Circuito divisor de voltaje 51

Versin: 1
Figura 1.40. Circuito paralelo.. 51
Figura 1.41. Circuito resistivo serie 51
Figura 1.43. Circuito paralelo con fuente de corriente definida 54
Figura 1.44. Circuito serie con fuente de voltaje definida 55
Figura 1.45. Representacin de un nodo 56
Figura 1.46. Identificacin de los nodos de un circuito 56
Figura 1.47. Circuito de un par de nodos 57
Figura 1.48. Identificacin del par de nodos 58
Figura 1.49. Circuito de 4 nodos 59
Figura 1.50. Circuito de 4 resistencias y 2 fuentes 60
Figura 1.51. Circuito de 4 resistencias y 2 fuentes .. 61
Figura 1.52. Circuito de 2 resistencias y 4 fuentes 61
Figura 1.53. Circuito simple de una solo malla 62
Figura 1.54. Circuito de dos fuentes de voltaje y una resistencia 63
Figura 1.55. Circuito elctrico con dos fuentes y cuatro resistencias 65
Figura 1.56. Circuito elctrico con dos fuentes y una resistencia 65
Figura 1.57. Circuito elctrico con 3 fuentes y 3 resistencias 65
Figura 1.58. Circuito elctrico con 1 fuente y 5 resistencias 66
Figura 1.59. Equivalencias de fuentes independientes iguales a cero 66
Figura 1.60. .Circuito con 2 fuentes de voltaje y 1 resistencia 66

Versin: 1
Figura 1.61. Circuito con V1=0v 67
Figura 1.62. Circuito con V2=0v 67
Figura 1.63. Circuito con fuentes de I y V 68
Figura 1.64. Circuito con 2 fuentes de I =0 A 68
Figura 1.65. Circuito con 1 fuentes de I =0 A y 1 de V=0V 69
Figura 1.66. Circuito con 1 fuentes de I =0 A y 1 de V=0V 69
Figura 1.67. Circuito con 1 fuente de I =0 A y 1 de V=0V 70
Figura 1.68. Circuito de 2 mallas 70
Figura 1.71. Circuito equivalente de Thevenin 72
Figura 1.73. Circuito sin RL.. 73
Figura 1.74.Circuito para hallar RTh 73
Figura 1.75. Circuito simplificado.. 73
Figura 1.76. Resistencia de RTh 74
Figura 1.77. Equivalente de RTh con RL 74
Figura 1.78. Circuito con 2 fuentes y 3 resistencias 74
Figura 2.0. Distribucin atmica del silicio 79
Figura 2.1. Semiconductor Intrnseco 80
Figura 2.2. Semiconductor extrnseco con tomos pentavalente 80

Versin: 1
Figura 2.3. Semiconductor extrnseco con tomos trivalentes 81
Figura 2.4. Unin P-N del diodo 81
Figura 2.5. Smbolo del diodo 81
Figura 2.6. Polarizacin directa de un diodo 82
Figura 2.7. Polarizacin inversa de un diodo 82
Figura 2.8. Curva caracterstica del diodo de unin PN 83
Figura 2.9. Smbolo y encapsulado diodo LED 84
Figura 2.10. Circuito rectificador de media onda. 85
Figura 2.11. Circuito rectificador de onda completa 87
Figura 2.12 Smbolo del diodo zener 90
Figura 2.13. Curva caracterstica del diodo zener. 90
Figura 2.14. Circuito regulador de voltaje 91
Figura 2.15. Filtro de media onda. 94
Figura 2.16. Filtro de onda completa. 94
Figura 3.0. Capas del transistor Bipolar NPN y PNP 102
Figura 3.1. Smbolo transistor NPN 102
Figura 3.2. Smbolo transistor PNP 103
Figura 3.3. Configuracin bsica del transistor NPN 103
Figura 3.4. Configuracin bsica del transistor PNP 104
Figura 3.5. Equivalencia de los transistores NPN y PNP 105
Figura 3.6. Pruebas de los transistores bipolares 105

Versin: 1
Figura 3.7. Configuracin Base comn 106
Figura 3.8. Configuracin Emisor comn 107
Figura 3.9. Configuracin colector comn 107
Figura 3.10. Polarizacin fija de un transistor bipolar 108
Figura 3.11. Recta de carga esttica 109
Figura 3.12. Circuito polarizado por divisor de tensin 111
Figura 3.13. Circuito de Thevenin del circuito polarizado por divisor de 111
tensin ............................................................................................
Figura 3.14 Auto polarizacin o polarizacin realimentada por colector 114
Figura 3.15. circuito polarizado por divisor de tensin 117
Figura 3.16 .Recta de carga en DC 121
Figura 3.17. Modelo hibrido de un transistor bipolar 122
Figura 3.18. Circuito Emisor comn 124
Figura 3.19.Equivalente hibrido del circuito emisor comn 124
Figura 3.20: Curvas caracterstica de un amplificador clase A 126

Versin: 1
INDICE DE TABLAS
Pg.
TABLA 1 GENERALIDADES DEL CURSO.14
Tabla 2 Cdigo de cuatro colores- resistencia de carbn.33

Versin: 1
1. PRESENTACIN
En el presente mdulo se constituye un material didctico de aprendizaje para los
estudiantes del programa de Tcnica profesional en computacin en la modalidad a distancia.
Los contenidos que este abarca, comprenden el anlisis de los circuitos elctricos en corriente
directa, la teora de semiconductores y los transistores bipolares. Tambin se contemplan una
serie de ejercicios que busca propiciar la reflexin individual y/o colectiva de los estudiantes,
las cuales les permitirn aplicarlas en situaciones reales.
El estudio de esta asignatura es de alta relevancia en la formacin de los futuros tcnicos
en el rea de la computacin, ya que estos tendrn que enfrentarse a trabajos de tipo elctrico
y/o electrnico, ya sea en el campo de la instalacin, mantenimiento, y reparacin de equipos
de cmputos; en cualquiera de estos eventos el conocimiento terico y prctico de los temas
antes mencionados, le permitir tomar las decisiones acertadas e ir a la par con el desarrollo de
la ciencia y la tecnologa.
.
Versin: 1
2. GENERALIDADES
TABLA 1.GENERALIDADES DEL CURSO
PRESENTACIN DEL CURSO
Nombre del curso: Cdigo del curso (opcional)
Electrnica Bsica
Programa: Semestre:
Tcnica Profesional en Computacin tercero
rea de Formacin: Tipo de curso:
Fundamentacin Bsica Terico
Crditos Acadmicos: Prerrequisitos o saberes previos
Tres (3)
Horas de acompaamiento: Horas de Trabajo Independiente:
Treinta y Seis (36, 12 presenciales y 24 Ciento Ocho (108)
virtuales)
Tutor: Email:
Tulio Enrique Muentes Cervantes Tulio.Muentes@tecnar.edu.co
Fuente: Tulio Muentes(2016)

Versin: 1
3. INTRODUCCIN
Este mdulo de Electrnica bsica se constituye en una herramienta primordial para
los programas de Tcnica profesional en Computacin y afines de la institucin. El material
aqu expuesto presenta al estudiante los principios de operacin de los componentes electrnicos
ms usuales, as como algunos circuitos de aplicaciones elementales que se utilizan en el campo
de la tecnologa de computadoras como parte fundamental de la Tcnica profesional en
Computacin. Este Material puede ser de fcil comprensin siempre y cuando se tengan
algunas nociones bsicas de soluciones de sistemas de ecuaciones lineales con 2 y 3 incgnitas,
y matrices entre otros.
Para ayudar al estudiante en la comprensin del material elaborado, se ha suministrado
una serie de ejemplos prcticos sobre el anlisis de circuitos basados en resistencias,
condensadores bobinas y semiconductores, los cuales pueden ser implementados mediante
software de simulacin, tales como: Circuitmaker, Proteus entre otros. Esto le permitir tener
una mayor claridad sobre el comportamiento de las variables de corriente y voltaje en las
entradas y salidas de dichos circuitos.
Como es de apreciar, en este mdulo de Electrnica bsica se ha procurado que la lectura
sea amena y de inters para todos los Estudiantes y profesionales interesados en el anlisis de
circuito basado en elementos pasivos y semiconductores.

Versin: 1
4. OBJETIVOS EDUCATIVOS
4.1 Objetivo General
Comprender los principios de operacin de los dispositivos electrnicos semiconductores
ms comunes tales como el diodo y el transistor bipolar a partir de teoremas fundamentales de
los circuitos elctricos y electrnicos.
4.2 Objetivos Especficos
Utilizar un paquete computacional para el anlisis y diseo de circuitos con elementos
semiconductores que servirn para afianzar proyectos acadmicos.
Estimular la creatividad del estudiante mediante la realizacin de proyectos basados en
situaciones reales en un ambiente de cooperativismo, responsabilidad y trabajo en equipo.
Facilitar el trabajo interdisciplinario del Tcnico Profesional en Computacin con los
profesionales del rea de la electrnica.

Versin: 1
5. JUSTIFICACIN
Los avances tecnolgicos en el rea de la informtica se deben en gran medida al
desarrollo de la microelectrnica, razn por la cual el Tcnico Profesional en Computacin,
debe poseer unos conocimientos en Electrnica bsica, relacionados con las teoras de los
circuitos elctricos los semiconductores y configuraciones de los transistores que relacionan
los sistemas analgicos.
Esta asignatura es la base de la electrnica digital, que se constituye en pieza clave a la
hora de comprender el funcionamiento de los dispositivos digitales que conforman la
arquitectura de los computadores. Es por eso que a travs de la elaboracin este modulo de
electrnica bsica, se busca estimular el trabajo cooperativo y colaborativo de los estudiantes
en pro de que ellos puedan alcanzar las competencias requeridas en la realizacin de
mantenimientos preventivos y correctivos de los sistemas de computos, los cuales son una de
las actividades ms relevantes para el tcnico Profesional en Sistemas.

Versin: 1
6. COMPETENCIAS.
6.1 Competencias Genricas.
Desarrollar habilidades y destrezas que le permitan, mediante el razonamiento, el anlisis
y la reflexin interpretar diversos modelos en trminos de circuitos elctricos y
dispositivos semiconductores.
Plantear problemas prcticos y tericos mediante su formulacin matemtica; simular y
estructurar a partir de datos tericos y empricos, partiendo de las teoras de circuitos y de
semiconductores que ha adquirido durante el curso.
Argumentar el porqu de las tcnicas de anlisis de circuito y de semiconductores a utilizar
en la resolucin de problemas prcticos y tericos especficos de las diferentes reas de
actividad de su profesin utilizando lenguaje y simbologa apropiados para las
representaciones que requiera.
Estimular la creatividad mediante la realizacin de proyectos basados en situaciones
reales en un ambiente de cooperativismo
Aplicar los conocimientos para identificar, formular y resolver problemas dentro de
contextos amplios y multidisciplinarios, trabajando en equipos de manera colaborativa y
cooperativamente.
Utilizar las TIC como herramienta de apoyo en el proceso de autoaprendizaje
6.2 Competencias Especficas

Versin: 1
Aplicar las leyes bsicas de circuitos elctricos. (Ohm, Joule, Kirchhoff), en el anlisis de
circuito.
Diferenciar los distintos tipos de fuentes de corriente y voltaje y la equivalencia entre
ellos.
Aplicar las tcnicas nodo y malla en el del anlisis de circuitos elctricos.
Conocer los diferentes instrumentos de medida utilizados para registrar las variables de
tensin, voltaje y resistencias entre otros.
Identificar las caractersticas elctricas de los diodos y transistores.
Conocer las aplicaciones ms comunes de los dispositivos semiconductotes como el diodo
y los transistores.
6.3. Procedimentales/Instrumentales
Realizar medidas de corrientes y tensiones que varan en circuitos DC.
Calcular la potencia absorbida por un circuito elctrico con elementos resistivos.
Plantear las relaciones tensin-intensidad en los componentes pasivos) con distintos
sentidos en la tensin y la intensidad.
Determinar el mnimo nmero de ecuaciones necesario para analizar un circuito en
corriente directa.
Aplicar los mtodos de anlisis de un circuito por malla y por nodos.
Realizar simulaciones de circuitos elctricos para constatar con los resultados obtenidos
en el anlisis de circuito.
6.4. Actitudinales
Versin: 1
Actitud positiva y creativa ante los trabajos a desarrollar.
Autonoma, perseverancia y responsabilidad ante las actividades a realizar.
Confianza en la propia capacidad de abordar y solucionar problemas reales.
Inters y respeto hacia las ideas y soluciones aportadas por sus compaeros.
Extraccin de conclusiones y redaccin de informes (Comunicacin escrita de ideas y
conceptos en lenguaje matemtico).
Expresar correctamente en forma oral y escrita la informacin mediante documentos y
exposiciones en pblico.
Versin: 1
7. METODOLOGA
El anlisis de circuito hace nfasis en la adquisicin significativa de los conceptos, reglas
y procedimientos, y pretende un equilibrio adecuado entre el desarrollo conceptual, y la solucin
de problemas. Para esto se promueve la participacin activa de los estudiantes en el proceso de
aprendizaje enseanza mediante actividades que plantean solucin de problemas, formulacin
y verificacin de conjeturas a lo largo de todo el curso, en vez de incluirlas como actividades
aisladas o de forma ocasional con relacin a algunas unidades.
8. UNIDADES DE APRENDIZAJE
Unidad I: NOCIONES BASICAS DE CIRCUITOS ELECTRICOS
Unidad II: DIODOS SEMICONDUCTORES
Unidad III: TRANSITORES
En la primera unidad se exponen los conceptos bsicos de electricidad, al igual que los
Elementos de los circuitos elctricos, Tipos de circuitos elctricos y Anlisis de circuitos
resistivos.
En la segunda unidad se exponen la teora de semiconductores, caracterstica del diodo,
polarizacin, y aplicaciones de los diodos
En la tercera unidad se expone las Caractersticas del transistor, Polarizacin de
transistores, Anlisis de circuitos con transistores y Diseo de circuitos con transistores.

Versin: 1
U N I D A D I : NOCIONES BASICAS DE CIRCUITOS ELECTRICOS

Versin: 1
CONTENIDO
1 UNIDAD 1: NOCIONES BASICAS DE CIRCUITOS ELECTRICOS 32
1.1 Objetivos.............................................................................. 32
1.2 Competencias.. 32
. 1.5 Leccin I: CONCEPTOS BSICOS DE ELECTRICIDAD 34
1.5.1. Cargas Elctricas y clasificacin de los elementos 34
1.5.1.1 Conductores, aisladores y semiconductores 35
1.5.1.2 Corriente Elctrica 36
1.5.1.3 Voltaje, Energa y Potencia 39
1.5.1.4 Circuito elctrico 41
1.5.1.4.1 Elementos de uno circuito elctrico 41
1.5.2. Ejemplos sobre variables de un circuito elctrico 43
1.5.3. Ejercicios de autoevaluacin de variables de un circuito 44
elctrico
1.6 Leccin 2. RESISTENCIAS Y CONEXIONES ENTRE 45
RESISTENCIAS
1.6.1. Resistencia Elctrica 45
1.6.1.1 Tipos de resistencias elctricas 45

Versin: 1
1.6.1.2 Cdigo de colores de las resistencias elctricas 48
1.6.1.3 Conexin de resistencia en serie. 50
1.6.1.4 Conexin de Resistencia en paralelo. 51
1.6.2 Ejemplos de arreglos de resistencia elctricas 52
1.6.3. Ejercicios autoevaluacin sobre resistencia elctricas 53
1.7 Leccin 2: El CAPACITOR, ELEMENTOS ALMACENADORES DE 55
ENERGIA.
1.7.1 El condensador o capacitor 55
1.7.1.1 Capacitores en serie y en paralelo 57
1.7.2 Ejemplos sobre capacitancias equivalentes, en series y paralelos 58
1.7.3. Ejercicios sobre capacitancias equivalentes en serie y paralelo 60
1.8 Leccin 3: El INDUCTOR, ELEMENTOS ALMACENADORES DE 61
ENERGIA
1.8.1 El inductor o bobina 61
1.8.1.1 Almacenamiento de energa en Inductores 62
1.8.1.2 Inductores en serie y paralelo 62
1.8.2 Ejemplo de inductancias equivalentes en series, paralelos 63
1.8.3 Ejercicios sobre inductancias equivalentes en series, paralelo 65
1.9 Leccin 4. EL TRANSFORMADOR Y SUS CLASIFICACIONES 65
1.9.1 El transformador 65
1.9.2 Ejercicios resueltos sobre transformadores. 67
1.9.3 Ejercicio sobre transformadores. 68

Versin: 1
1.10 Leccin 3. LEY DE OHM, CIRCUITOS SERIE Y PARALELOS 68
1.10.1 Ley de ohm .. 68
1.10.1.1 Circuito en serie 71
1.10.1.2 Circuitos en paralelo 72
1.10.2 Ejemplos de ley de ohm, circuitos serie y paralelo.. . 73
1.10.3 Ejercicios de autoevaluacin sobre circuitos serie y circuito 75
paralelo
1.11 Leccin 4: PRIMERA LEY DE KIRCHHOFF 77
1.11.1. Leyes de Kirchhoff de las corrientes-LKC 77
1.11.1.1 Anlisis nodal 78
1.11.2. Ejemplos sobre anlisis nodal 79
1.11.3 Ejercicios de autoevaluacin sobre tcnicas de anlisis nodal 82
1.12 Leccin 5: SEGUNDA LEY DE KIRCHHOFF-LK 83
1.12.1. Ley de Kirchhoff de los voltajes LKV 83
1.12.1.1 Anlisis de Malla 85
1.12.2. Ejemplos sobre anlisis de malla 85
1.12.3. Ejercicios de autoevaluacin sobre segunda ley de Kirchhoff 87
EL PRINCIPIO DE SUPERPOSICIN
1.13.1. El Principio de superposicin 88
1.13.2 Ejemplos sobre el principio de superposicin 90
1.13.3 Ejercicios de autoevaluacin principio de superposicin 94

Versin: 1
EL TEOREMAS DE THEVENIN...
1.14.1. Teoremas de Thevenin . 95
1.14.2. Ejemplos sobre el teorema Thevenin 96
1.14.3 Ejercicios de autoevaluacin sobre el teorema de Thevenin 99

Versin: 1
1.UNIDAD 1: NOCIONES BASICAS DE ELECTRICIDAD
1.1. Objetivos
1.1.1 General
Comprender el funcionamiento de los dispositivos electronicos ( resistencias) en redes
pasivas ,alimentadas con corriente didecta o DC para que los tcnicos profesionales puedan
tomar decisiones en cuanto al manejo de corriente o voltaje que puede manejar una carga
connectado a dichas redes.
1.1.2 Especificos
Calcular las resistencias equivalentes en circuitos serie y paralelos
Aplicar las tcnicas de malla y nodo en el anlisis de circuito elctricos en DC
Reconocer los componentes electrnicos pasivos como la resistencia, condensador,
bobinas y trasformadores.
1.2. Competencias
Medir las diferentes variables de un circuito elctrico conectada a una red pasiva
Resolver problemas de circuitos elctricos en DC
Distinguir los diferentes circuitos series, paralelos y mixtos.
1.3. Estrategias pedaggicas o actividades de aprendizaje
Lectura, comprensin, anlisis y apropiacin del material expuesto.
Foro de apoyo para dudas y preguntas a travs de la plataforma virtual SPLAVIA.
Tutora presencial opcional de material de estudio.
Realizacin de Ejercicios propuestos y seleccionados.

Versin: 1
1.4. Recursos de aprendizaje
Mdulo de Electrnica Bsica .
Programa de Word y manejo de Software de simulacin.
Sitios de internet.
Versin: 1
1.5 Leccin 1: CONCEPTOS BSICOS DE ELECTRICIDAD
1.5.1 Cargas Elctricas y clasificacin de los elementos
Figura 1.0. Atmo
Fuente: Pinzn Lozano Natalia. (2013).
La carga elctrica (q) es una magnitud fsica caracterstica de los fenmenos elctricos.
Existen dos tipos de carga, una negativa, la cual se denomina electrn, y una carga positiva que
se denomina protn. Estas cargas se contrarrestan unas a otras, dando como resultado una
neutra (no cargado).Toda materia est compuesta por partculas llamadas tomos, stos en
condiciones normales (equilibrio), poseen el mismo nmero de protones y electrones.
Electrn: Es una partcula bsica para el estudio de la electricidad, el electrn tiene un
carga de 1.602 x 10-19 C. se mueven alrededor del ncleo.
El protn: Tiene la misma carga elctrica que el electrn, pero su polaridad es positiva. Se
encuentran ubicados en el ncleo.
Neutrones: No poseen carga y se encuentran en el ncleo.
Las partculas pueden cargarse positivamente al ceder electrones (ion positivo) a otras
partculas y cargarse negativamente (ion negativo) al obtener electrones de otras. Las cargas del
mismo signo se repelen y las cargas de signo contrario se atraen.

Versin: 1
Figura 1.1. Cargas elctricas
Fuente: Ziga Pedro. (2011).
Figura 1.2. Generacin de electricidad Esttica
Fuente: Francis W. Sears y Mark W. Zemansky. (1970)
Se produce una carga negativa Por ejemplo, si se frota un tubo de plstico sobre un pao,
los electrones saltan del pao al tubo, cargndose con electricidad esttica. La Electricidad
Esttica se origina por la prdida o ganancia de electrones al someter dos material al
frotamiento.
1.5.1.1 Conductores, aisladores y semiconductores
Figura 1.3.Clasificacion de los elementos
Fuente: Rodrguez Carlos. (2013).

Versin: 1
El fenmeno de la electrizacin consiste en una prdida o ganancia de electrones. Para
que se produzca, los electrones han de tener movilidad. Existen algunos materiales, como los
metales, que tienen la propiedad de permitir el movimiento de cargas elctricas, y por ello
reciben el nombre de conductores elctricos. En cambio, hay otros, como el vidrio, el plstico,
la seda, etc., que impiden el movimiento de cargas elctricas a travs de ellos, y por esto reciben
el nombre de aisladores o aislantes elctricos. Los elementos semiconductores estn en el punto
medio, no se inclina ni hacia los conductores, ni hacia los aisladores. A este grupo pertenecen
el germanio y el silicio.
1.5.1.2 Corriente Elctrica
Es el movimiento o transferencia de cargas a travs de un conductor. Formalmente la
corriente i es la razn de cambio de la carga respecto al tiempo.

= . .

La unidad bsica de la corriente elctrica es el amperio (A). Un amperio es la corriente
que fluye cuando 1 C (coulomb) de carga pasa durante un segundo en un punto dado de la
trayectoria (1A= 1C/ S).

= . 1.2

Donde q es la carga y t es el tiempo
La carga elctricas est definida como
= . 1.3
Versin: 1
Donde e es la carga del electro y N el nmero de electrones
En el ramo de la electricidad se puede hallar dos tipos de corriente elctrica; la corriente
alterna (CA) y la corriente directa (DC).
Corriente Directa
Es una corriente en donde las cargas siempre fluye en la misma direccin y sentido. La
amplitud se mantiene constante durante todo el tiempo. Este tipo de corriente es suministrada
por las pilas, bateras y fuentes reguladas de voltaje.
Figura 1.4. Seal de corriente directa
Fuente: Muentes Tulio (2015)
Corriente Alterna
La mayor parte de la energa elctrica se produce y se distribuye en forma de corriente
alterna. Esta energa proviene de generadores instalados a grandes distancia de nuestras casas.
Estos generadores emplean el principio de induccin electromagntica para producir energa de
corriente alterna. La energa generada es transmitida hasta las subestaciones elctricas, la cual
finalmente se distribuye a los hogares.
La corriente alterna a diferencia de la corriente directa, invierte su polaridad
peridicamente y su la amplitud varia durante ese mismo periodo.
Figura 1.5. Seal de corriente alterna

Versin: 1
Fuente: Meja Julio. (2013).
El valor de mximo a mximo (voltaje vico a pico) de un voltaje de corriente alterna (CA)
es el valor en voltios desde el mximo positivo al mximo negativo de la forma de onda. A la
distancia entre el valor de cero a al valor mximo positivo a mximo negativo se le conoce como
voltaje pico.
Frecuencia (F) : Es otra variable de la seal alterna. Esta indica el nmero de ciclos o
veces que la seal peridica se repite en un tiempo de un segundo, generalmente se expresa en
Hertz y su abreviatura es Hz.
Periodo (T) : Es el tiempo que demora en forma la seal peridica. Por lo regular se
expresa en segundos (S)
Formalmente el periodo esta dado como el inverso de la frecuencia
1
= . 1.4

La medicin de la corriente que fluye por un circuito se realiza por medio de un
ampermetro, conectado en serie a dicho circuito elctrico.

Versin: 1
El Valor eficaz o raz cuadrada media (RMS) de una tensin o de una corriente alterna, es
aquel que registran los instrumentos de medida como los multmetros. Este concepto es
importante a la hora de tomar correctamente las medidas de ciertos parmetros.
Por ejemplo, cuando medimos con un voltmetro la tensin alterna suministrada por la red
domiciliaria de 60 Hz , esta marca un valor cercano de 120V. Estos 120V es el valor eficaz o
rms( raz cuadrada media) , sin embargo al observarlo con el osciloscopio este valor no
corresponde al que est en el osciloscopio. Ahora existe una expresin matemtica que relaciona
el voltaje mximo pico de la seal alterna con el valor rms tomado con el voltmetro.

= . 1. 5 ,
2
1.5.1.3. Voltaje, Energa y Potencia.
Las cargas elctricas, como el caso de los electrones libres pueden moverse en forma
aleatoria a travs de un conductor. Si queremos un movimiento ordenado de esas cargas
debemos aplicar una fuerza externa llamada fuerza electromotriz (FEM). De este modo se ejerce
trabajo sobre las cargas.
Definiremos el voltaje o diferencia de potencial como la fuerza o impulso que hace
mover una carga unitaria de +1 Coulomb de un punto a otro a travs de un conductor. . La
unidad de medida es el voltio (V). El instrumento requerido para medir la diferencia de
potencial, tensin o voltaje es el voltmetro. Este se conecta en paralelo sobre el elemento
a medir, tal como se muestra en la figura 1.6.
Figura 1.6. Medicin de voltaje

Versin: 1
Fuente: Martnez Juan. (2013).
Para poder mover las cargas en un conductor de una forma ordenada, como una corriente
elctrica es necesario aplicar una fuerza externa llamada voltaje, de esta manera se ejerce un
trabajo sobre las cargas, entonces la diferencia de potencial o voltaje en un campo elctrico es
por definicin; el trabajo o energa necesaria para mover una carga elctrica de un punto a otro
en contra o a favor de las fuerzas del campo donde esta se encuentra.

= = = . 1. 6

Como podemos observar el trabajo se encuentra en joule y la carga en coulomb, por lo
tanto el voltaje se encuentra en voltios.
La potencia elctrica es la rapidez con que la energa se transforma en calor o luz, la
unidad de la potencia elctrica es el vatio (W)
1.5.1.4 Circuito elctrico

Versin: 1
Un circuito elctrico es un conjunto de elementos elctricos interconectados entre s, cuya
funcin es la de realizar un trabajo. En el interior de un circuito elctrico se transforma la
energa elctrica en calor o luz; esto se debe en gran medida a las colisiones que sufren las
cargas elctricas (electrones o protones) en el interior del material, debido a la fuerza externa
(voltaje) que suministran las pilas o bateras conectadas en el circuito elctrico.
Figura 1.7. Elementos bsicos de Circuito Elctrico
Fuente: mbar Ricardo. (2012).
1.5.1.4.1 Elementos de uno circuito elctrico
Un elemento de circuito puede estar formado por dos o ms terminales, tal como se
muestra en la figura 1.7. Los resistores, condensadores, transistores y bobina, son ejemplos
tpicos de estos elementos. Los elementos de circuitos cumplen tarea especficas como regular
la corriente, amplificarla, almacenarla etc. Desde el punto de vista de la potencia elctrica, estos
elementos pueden clasificarse en Activo o Pasivos, dependiendo si entregada energa al resto
del circuito o si la reciben de l.
Un elemento se considera activo si es capaz de suministrar energa al resto de los
elementos que hacen parte del circuito elctrico. Entre estos elementos se encuentran las pilas,
Versin: 1
bateras y generadores de voltaje. Un elementos tambin es considerado activo si ste modifica
sustancialmente la seal (amplifica, reduce, atena), por lo que para su funcionamiento
requieren de fuentes de alimentacin, como ejemplos tenemos los dispositivos hecho a base de
semiconductores (transistores, diodos circuitos integrados).
En un elemento activo la corriente entra por la terminal negativa y sale por la terminal
positiva.
Figura 1.8. Elementos almacenadores de energa
Fuente: Hornero Luque Alberto. (2013).
La energia entregada por un elemento activo esta dada por la expresion matematica.

() = () 0 . 1.7

Donde p(t) es la potencia entregada por el elemento activo.
Elementos pasivos: Un elemento es considerado pasivo, si es capaz de absorber energa
del resto del circuito. En los elementos pasivos la corriente entra por la terminal positiva y sale
por la terminal negativa. Un claro ejemplo de estos elementos son las resistencias,
condensadores y bobinas
Versin: 1
Figura 1.9. Dispositivos electrnicos pasivos
Fuente: Granda Macgyber. (2011).
1.5.2. Ejemplos sobre variables de un circuito elctrico
Calcular la intensidad de la corriente en un circuito si por una seccin cualquiera del
conductor pasan 600 coulombios cada minuto.
De acuerdo a la Ec.2
600
= = = 10 . 1.2
60
En un circuito elctrico la intensidad de corriente es de 300 miliamperio ( mA); Cunto
tiempo tardara en circular 15 Coulomb?.
Despejando el tiempo t de la Ec.1.2 se tiene que:

= Ec. 1.8

Ahora como 300ma= 0.3 A, remplazamos
15
= = = 50 . 1.8
0.3
Una seal alterna tiene una amplitud Pico de 110V y una frecuencia de 60 Hz. Calcular
el tiempo que tarda en formarse la seal y el voltaje rms o eficaz.
Para hallar el periodo remplazamos la frecuencia en la Ec.1.4
1 1
= = = 16.6 . 1.4
60
Versin: 1
Para hallar el valor del voltaje en rms , remplazamos el voltaje mximo o voltaje pico en la
Ec.1.5.
110
= = = 78.1 . 1.5
2 2
1.5.3 Ejercicios de autoevaluacin de variables de un circuito elctrico.
1, Dibujar un circuito elctrico bsico y un circuito hidrulico bsico, luego comprelos.
Cules son las variables similares entre los dos circuitos? Qu funcin cumplen cada una de
estas variables dentro del circuito?
2. Sobre un resistor de 10 ohms se mantiene una corriente de 5 A durante 4 minutos.
Cuntos coulomb y cuantos electrones pasan a travs de la seccin transversal del resistor
durante ese tiempo.
2. De acuerdo a la siguiente figura, hallar :
El voltaje RMS o eficaz
El periodo y la frecuencia
Figura 1.10 seal alterna con amplitud y periodo definido

Versin: 1
Fuente: lvarez Castro Ronnie. (2014).
1.6 leccin 2. RESISTENCIA ELCTRICA Y CONEXIONES ENTRE RESISTENCIA
1.6.1 Resistencia Elctrica
Las resistencias elctricas se oponerse al paso de la corriente elctrica. Los valores de las
resistencias se dan en ohmio (), aunque existen valores ms pequeos tales como, el
kilo-ohm (k), y el mega-ohm (M). Entonces:
1k= 1000
1M= 1000000
El smbolo de la resistencia es una lnea quebrada tal como se muestra a continuacin
Figura.1.11. Smbolo de resistencia Electrica
1.6.1.1 Tipos de resistencias elctricas
Existen una gran variedad de resistencias Elctricas entre las que se encuentran:
Resistencias de carbn
Resistencias de pelcula metlica
Resistencias de alambre
Potencimetro
Resistencias de carbn: Estas se fabrican mezclando carbn en polvo con aglomerante
hasta darle una forma compacta cilndrica, en donde se fijan a los extremos sus terminales.
Versin: 1
Posterior a esto, se le aplica una resina fenlica para protegerlo de la humedad y la temperatura.
Son las resistencias ms utilizadas en la electrnica.
Figura 1.12. Resistencia de carbn
Fuente. De Alejandra, Anilandro (2010)
Resistencias de pelcula metlica: Estas se fabrican enrollando sobre un tubo de
parcelada una delgada pelcula metlica sobre el cual se le insertan dos terminales metlicos.
Esta resistencia se encapsula con resina fenlica, para ser utilizadas en circuitos de alta
precisin y exactitud.
Figura 1.13. Resistencia de pelcula metlica
Fuente. Cardaba L. (2000).
Resistencias de alambre:Estas resistencias fueron las primeras en su tipo. Se construyen
arrollando sobre un cilindro de cermica alambre de cromo, nquel, el cual es recubierto con
Versin: 1
barniz, para protegerlo de las la corrosin. Son utilizadas para manejar potencias ms elevadas
en comparacin con las anteriores. El rango de valores de estas resistencias oscila entre 1 y
100k
Figura 1.14. Resistencia de alambre
Fuente. Cardaba L. (2000).
Potencimetros: Estos elementos son resistencias variables de tres terminales, dnde dos
de estas son fijas y se encuentran unidos a un anillo o una barra recubierta de grafito, y un
tercero, conectado a un eje giratorio o de desplazamiento el cual varia su valor hmico de 0
hasta un mximo indicado por el fabricante . Las resistencias variables suelen utilizarse para
regular la corriente elctrica.
Figura 1.15. Potencimetros
Fuente: Llama Luis (2015).
1.6.1.2 Cdigo de colores de las resistencias elctricas

Versin: 1
El valor de las resistencias de carbn se encuentra codificado por medio de un cdigo de
colores impreso en su cuerpo, este cdigo especfico el valor nominal dado por el fabricante.
Figura 1.16. Resistencia de cuatro colores
Fuente: Rodrguez Ernesto. (2010).
Tabla 1.2. Cdigo de cuatro colores- resistencia de carbn
Cifras Multiplicador Tolerancia
Color 1a y 2a Banda 3a Banda 4a Banda
Negro 0 100 _
Caf 1 101 1%
Rojo 2 102 2%
Naranja 3 103 _
Amarillo 4 104 _
Verde 5 105 _
Azul 6 106 _
Violeta 7 107 _
Gris 8 108 _
Blanco 9 109 _
Dorado _ 10-1 5%
Versin: 1
Plateado _ 10-2 10%
Fuente: Rodrguez Ernesto. (2010). Resistencia Elctrica
Cmo se obtiene el valor nominal de una resistencia de cuatro Colores?
Tomando como ejemplo la resistencia de la figura 1.16.Se puede observar que el primer
color (caf) ubicado a la izquierda del elemento corresponde a la primera Cifra significativa,
cuyo valor en la tabla corresponde al 2 , seguido del segundo color ( negro) que representa la
segunda cifra significativa , cuyo valor en la tabla corresponde al 0 . El tercer color ( rojo)
representa el multiplicador o nmero de ceros, que para este caso es el 100 0 102 , ahora a
este resultado se le debe sumar o restar la tolerancia que indica el cuarto color , para este caso
corresponde al 5% ( color oro).
R= 10 X 102 5% = 1000 x 0.05 = 50
R= 1000 50
1.6.1.3 Conexin de resistencia en serie.
En un circuito en serie los receptores estn instalados uno a continuacin de otro en la
lnea elctrica, de tal forma que la corriente que atraviesa el primero de ellos ser la misma que
la que atraviesa el ltimo. En el siguiente circuito se muestra la conexin en serie de tres
resistencias, note que cada elemento est conectado uno seguido del otro. La corriente que
circula a travs de ellos es la misma.
Figura 1.17. Conexin de resistencias en serie

Versin: 1
R1 R2 R3
1k 1k 1k
La resistencia total de un circuito en serie es la suma de las resistencias individuales.
RT= R 1 + R 2 +R3.RN Ec.1.9
Donde RN representa el nmero de resistores en el circuito
Ejemplo. Calcular resistencia total (RT) para el circuito mostrado en el siguiente circuito
Figura 1.18. Circuito serie de 5 resistencia y i fuente de voltaje
R1 R2 R3
100 47 68
R4 R5
39 180
Vs1
10V
+
La resistencia total es la suma de todos los valores de las resistencias (Ec. 1.9 )
RT = 39+ 100 + 47 + 100+ 180 + 68 = 534
1.6.1.4 Conexin de Resistencia en paralelo.
La resistencia equivalente de un circuito paralelo est dada por la siguiente formula
1

= 1 1 1 1 . 1.10
+ + +
1 2 3
Si se tienen dos resistencias R1 y R2 en paralelo la Resistencia equivalente se puede
obtener mediante la frmula siguiente.

Versin: 1
12
= . 1.11
1 + 2
Ejemplo.Dado siguiente circuito hallar la resistencia equivalente Req total
Figura 1.19 Circuito paralelo de 4 resistencias
Se puede usar la tcnica de combinacin de dos resistencias, para facilitar los clculos.
Combinando R3 y R4 en Ec.1.11
34 200200
1 = = = 100.
3 + 4 200 + 200
Combinando Req1 y R2 en Ec.1.11
12 100100
2 = = = 50.
1 + 2 100 + 100
Combinando Req2 y R 1 obtenemos la Resistencia total
21 5050
= = = 25.
2 + 1 50 + 50
1.6.2 Ejemplos de arreglos de resistencia elctricas

Versin: 1
Ejemplo 1. Dado el siguiente circuito serie, hallar la resistencia equivalente total del
circuito.
Figura 1.20 circuitos serie de 4 resistencias
Solucin. La resistencia total de un circuito en serie es la suma de las resistencias
individuales.
La RT= R 1 + R 2 +R3.RN de la Ec.1.9
Por lo tanto RT = 100 + 200 + 300 + 400 = 1000 = 1K
Ejemplo 2. Dado el siguiente circuito paralelo, hallar la resistencia equivalente total
Figura 1.21. Circuito paralelo de 3 resistencias
Solucin. La resistencia total de un circuito en paralelo es el inverso de la suma del
inverso de cada resistencia individual.
1
. 1.12
= 1 1 1
+ +
1 2 3
Versin: 1
Ahora remplazando los valor de cada resistencia
1
=
= 1 1 1 100
+ +
300 600 200
1.6.3 Ejercicios autoevaluacin sobre resistencia elctricas
1. Cules es el valor mnimo y mximo de la siguiente resistencia?
Figura 1.22 .Resistencia de 4 colores de carbn
Fuente: Cyber. (2011).
2. En el circuito en serie, la resistencia equivalente es mayor o menor que las resistencias
instaladas? .En el circuito en paralelo, la resistencia equivalente es mayor o menor que las
resistencias instaladas? Si agregamos una nueva resistencia en el circuito en paralelo cmo
piensas que ser la nueva resistencia equivalente: mayor que ahora o menor? por qu?
3. Una resistencia presenta las bandas de colores en el siguiente orden: Rojo violeta-
caf-oro. Cul es su valor nominal?
4. Dado el circuito mostrado en la figura 1.23 con las resistencias
R1= 3 9 0 , R2= 1 .2
K , R3= 1.8 K a y R4 = 2 .2 .
Calcular: a) La conductancia total
Nota: La conductancia es el inverso de la resistencia,

1 1
== = . 1.13

Versin: 1
b) La resistencia equivalente Req.
5. Dado el circuito mostrado en la figura 1.24 con las resistencias R1= 100 , R2= 1K ,
R3= 2 K a y R4 = 500 . Calcular la resistencia equivalente.
Figura 1.24. Circuito serie de 4 resistencias
R1 R2
100 1k
R3
R4 2k
500
1.7 Leccin 2: El CAPACITOR, ELEMENTOS ALMACENADORES DE ENERGIA.
Describiremos las propiedades de la capacitancia las relaciones matemticas de la energa
almacenada en ellos y, las respectivas conexiones en serie y paralelo de estos elementos.
1.7.1. EL CONDENSADOR O CAPACITOR.

Versin: 1
El condensador es un dispositivo constituido por dos placas metlicas paralelas,
separadas entre s por un material dielctrico, cuya propiedad es la de almacenar energa
elctrica en forma de campo elctrico. A esta propiedad de almacenamiento de energa se le
denomina capacitancia; cuya unidad, se mide en Faradio (F). Existen otras unidades ms
pequeas como el microfaradio (1x10-6 F ), nano faradio ( 1x10-9 F ) y picofaradio ( 1x10-12 ).
Figura 1.25. Smbolo de los condensadores fijos
El valor de la capacitancia se puede expresar por:

= (Ec. 1.14)
Donde
C= Capacitancia
Q= Carga elctrica
V: Voltaje
Comportamiento ideal de los condensadores.
Figura 1.26. Seal alterna conectada con un Capacitor.

Versin: 1
La corriente que fluye a travs de un condensador ideal, cuyo smbolo se muestra en la
figura 8, se define como la variacin del voltaje en el condensador con respect al tiempo. La
ecuacin diferencial est dada por: ()

() =
condensador de 2F de () = 4 cos 10 , la
Si por ejemplo, se aplica un voltaje en un(Ec.1.15)
corriente que circula por el condensador es obtenida a partir de la ecuacin 15.
(4 cos 10 )
() = 2 = 810 . 1.15

Si el voltaje es constante (K), la corriente ser de cero amperios, debido a que la derivada
de una constante es cero. Por tanto un condensador acta como un circuito abierto, frente a la
corriente directa y, se comporta como un circuito cerrado frente a la corriente alterna.

()
() = = 0 . 1.15 A

Se dice que la energa almacenada en un condensador esta almacenada en el campo
elctrico formado por sus placas. Esta energa elctrica est dada por la expresin.
1
() = 2 () (Ec.1.16)
2
Donde: V (t) = voltaje en el condensador en voltios
C= capacitancia en faradio
1.7.1.1 Capacitores en serie y en paralelo

Versin: 1
Consideraremos inicialmente la conexin en serie de N condensadores, tal como se
muestra en la siguiente figura.
Figura 1.27. Conexin serie de capacitores
La conexin serie de capacitores se puede sustituir por un circuito equivalente,
produciendo el mismo efecto. La expresin matemtica de dicha capacitancia equivalente
puede expresarse por:
1
= . 1.17
1 1 1 1
+ + + +
1 2 3
Si ahora requerimos la capacitancia equivalente de N capacitores en paralelo, tal como
se muestra en la figura 1.28, este ser simplemente la sumatoria de cada capacitor en paralelo.
La expresin que describe lo anterior es:
= 1 + 2 + 3 + + (Ec.1.18)
Figura 1.28. Conexin en paralelo de capacitores

Versin: 1
1.7.2.Ejemplos sobre capacitancias equivalentes, en series y paralelos
Ejemplo 1. Considere la conexin en serie de la figura 1.29, si el capacitor C1 es de
3mF, el capacitor C2 es de 6mF y el condensador C3 de 2mF respectivamente, si la
frecuencia de la seal de entrada es 60Hz. Calcular la capacitancia equivalente.
Figura 1.29. Capacitores en serie
La capacitancia equivalente en serie es:
1
= ( . 1.17)
1 1 1 1
+ + + +
1 2 3
Reemplazando valores se tiene que:
1
= = 1
1 1 1
+ +
3 6 2
Ejemplo 2. Considere la conexin en paralelo de la figura 1.30, si el capacitor C1 es
de 4mF, el capacitor C2 es de 6mF y el condensador C3 de 2mF respectivamente. Si la
frecuencia de la seal de entrada es 60Hz. Calcular la capacitancia equivalente.

Versin: 1
Figura 1.30. Condensadores en paralelo
La capacitancia equivalente es:
= 1 + 2 + 3 + + (. 1.18)
= 4 + 6 + 2 = 12
Ejemplo 3. En el circuito de la figura 1.31, si las capacitancias de C1 = 60F, C2 = 20
F, C3 = 9 F y C4 = 12 F. Hallar la capacitancia equivalente del circuito.
Figura 1.31. Conexin Mixta de capacitores
C1 y C2 estn en series
1 1
1 = = = 15 . 1.17
1 1 1 1
+ +
1 2 60 20
C3 y Ceq1 estn en paralelo
2 = 1 + 3 = 15 + 9 = 24 . 1.18
Ceq2 y C4 estn en series

Versin: 1
1 1
3 = = = 8
1 1 1 1
2 + 4 24 + 12
1.7.3.Ejercicios sobre capacitancias equivalentes en serie y paralelos
1. Considere la conexin en paralelo de la figura 1.32, Hallar la capacitancia equivalente en
dicho circuito.
Figura 1.32. Conexin paralela de capacitores
2. En el circuito de la figura siguiente, se indican una conexin serie-paralela de capacitores.
Encuentra la capacitancia equivalente de dicho circuito.
Figura 1.33. Conexin mixta de capacitores
3. Si un capacitor de 0.1 pF tiene una carga Q de 10 C. Calcular el voltaje y la energa
almacenada. Si la energa almacenada en un capacitor de 0.1 F es 10 J, calcular el voltaje y la
carga.
Versin: 1
1.8 Leccin 3: El INDUCTOR, ELEMENTOS ALMACENADORES DE ENERGIA.
1.8.1 El inductor o bobina.
Un inductor es un dispositivo de dos terminales que consiste en un alambre conductor
enrollado sobre un ncleo metlico de ferrita o de aire. Este dispositivo almacena energa entre
sus espiras cada vez que fluye una corriente elctrica a travs de l. A esta propiedad de
almacenamiento de energa se le denomina inductancia; cuya unidad, se mide en Henrio (H).
Existen otras unidades ms pequeas como el mili Henrio ( 1x10-3 H ),micro Henrio ( 1x10-6 H
), nano Henrio ( 1x10-9 H ) y picofaradio ( 1x10-12 H ).
El voltaje almacenado en una bobina se define como la variacin del voltaje en el
Inductor de valor L con respect al tiempo. La ecuacin diferencial se puede expresar por:
()
() = (Ec.1.19)

Dnde:
L= Inductancia
()
= Variacin de la corriente con respecto al tiempo.

Si la corriente es constante (K), el voltaje ser de cero voltios, debido a que = 0.

Por tanto, un inductor acta como un corto circuito o circuito cerrado, frente a la corriente
directa.
1.8.1.1 Almacenamiento de energa en Inductores
La energa almacenada en un inductor est dada por la expresin
1
() = 2 () (Ec.1.20)
2
Versin: 1
Dnde: i(t) =corriente en el inductor
L= Inductancia en Henrio
1.8.1.2 Inductores en serie y paralelo
La conexin serie de inductores mostrada en la figura 1.34 se puede sustituir por un
circuito equivalente, cuya expresin matemtica est dada por:
= 1 + 2 + 3 + + . 1.21
Por tanto, la inductancia equivalente de N inductores en serie est dada por la sumatoria
de la inductancia de cada uno de ellos.
Figura 1.34. Conexin serie de inductores
Si ahora se requiere obtener la inductancia equivalente de N Inductores en paralelo,
tal como se muestra en la figura 1.35, esta ser simplemente la sumatoria de cada bobina en
paralelo, Cuya expresin matemtica es:
1
= 1 1 1 (Ec.1.22)
+ ++
1 2
Figura 1.35. Conexin paralela de inductores.

Versin: 1
Ahora la inductancia equivalente de N inductores en paralelo est dada por el inverso de
la sumatoria del inverso de cada inductancia.
1.8.2 Ejemplo de inductancias equivalentes en series y paralelos
Ejemplo 1. Un inductor de 10 H tiene una corriente de 50Sen10t A. Calcular la energa
cundo t= 2s.
Solucin. Reemplazando valores de corriente e inductancia en la ecuacin 20, se tiene
que:
1
() = 2 10 [50(10 2)]2 () =1.462 J
Ejemplo 2. Considere tres inductores conectadas en serie, si la inductancia L1 es de
2H, el inductor L2 es de 6H y el inductor L3 de 3H respectivamente. Hallar la inductancia
equivalente
Solucin: La inductancia equivalente es:
= 1 + 2 + 3 (. 1.21)
= 2 + 6 + 3 = 11
Versin: 1
Ejemplo 3. Considere la conexin en paralelo de la figura 1.35, si la inductancia L1 es
de 2H, el inductor L3 es de 6H y el inductor L3 de 3H respectivamente. Hallar la inductancia
equivalente.
Entonces su inductancia equivalente es:
1
= (. 1.22)
1 1 1
+ +
1 2 3
Reemplazando valores inductivos se tiene que:
1
= = 0.5
1 1 1
+ +
2 6 3
Ejemplo 4. Un inductor de 20 H, tiene una corriente de 10Cos2t A, calcular su voltaje.
Solucin. Reemplazando los valores de corriente e inductancia en la ecuacin 19 se tiene
que:
(10Cos2t A)
() = 20 = 402 v

1.8.3 Ejercicios sobre inductancias equivalentes en series y paralelos
Un inductor de 20mH tiene una corriente i= 20Cos4t mA. Calcular la energa almacenada
cuando ha transcurrido un tiempo t= 2ms.
Un inductor de 5 H tiene un voltaje v= 4Cos 10t v, si la corriente en un tiempo t=0 es de
1A. Calcular la energa almacenada en el inductor cuando t= 1 ms.
Un inductor de 10 H, tiene una corriente de 2Sen4t A, calcular su voltaje.

Versin: 1
Considere la conexin en paralelo de la figura 1.35, si la inductancia L1 es de 4H, el
inductor L3 es de 5H y el inductor L3 de 2H respectivamente. Hallar la inductancia equivalente
1.9 Leccin 4. EL TRANSFORMADOR Y SUS CLASIFICACIONES.
1.9.1 El transformador
La seal de voltaje proveniente de la red por lo regular es muy alta, por tal razn es
indispensable llevarlo a un valor muy pequeo de voltaje para suministrarlo a determinados
dispositivos electrnicos. El componente electrnico que realiza esta tarea recibe el nombre
transformador, ste est constituido por una bobina primaria y una bobina secundaria, separadas
entre s por un ncleo, el cual puede ser de ferrita, hierro o de aire.
Los transformadores de acuerdo a la relacin del nmero de vueltas de la bobina primaria
y de la bobina secundaria pueden ser de tres tipos:
El transformador Reductor: Si la relacin del nmero de vueltas de la bobina secundaria
(N2) y el nmero de vueltas de la bobina primaria (N1) es menor a uno.
Figura 1.36.Transformador reductor
El transformador elevador: Si la relacin del nmero de vueltas de la bobina secundario
(N2) y el nmero de vueltas de la bobina primaria (N1) es mayor a uno.
Figura 1.37.Transformador elevador

Versin: 1
El transformador acoplador: Si la relacin del nmero de vueltas de la bobina
secundario (N2) y el nmero de vueltas de la bobina primaria (N1) es igual a uno
Figura 1.38.Transformador acoplador
El voltaje de salida (V2) de un transformador depende principalmente del voltaje de
entrada (V1) y de la relacin del nmero de espira de la bobina primaria y secundaria. La
expresin matemtica para el voltaje de salidaV2 est dada por:
2
2 = . 1 . 1.23
1
Los transformadores empleado para las fuentes de alimentacin, se especifican por su
voltaje de entrada V1), voltaje de salida (V2) y su potencia nominal, la cual determina la
capacidad de corriente del secundario.
1.9.2 Ejemplos sobre transformadores.
Si un transformador recibe un voltaje de 120V en el primario y entrega 12v en el
secundario. Si su corriente nominal es de 2A.

Versin: 1
a. Cul es el valor de la potencia nominal?
b. Cul es el valor de corriente permitida en el primario?
Solucin.
a. El valor de la potencia nominal en el secundario est dado por :
2 = 2 2 . 1.24
2 = 12 2A = 24W
b. El valor de corriente permitida en el primario es
2
1 = . 1.25
1
24
1 = = 0.2
120
1.9.3 Ejercicio sobre transformadores.
1. Si un transformador recibe un voltaje de 110V en el primario y la relacin de espira es de

1
y su corriente nominal es de 5A.
10
Cul es el valor de la potencia nominal y el voltaje en el secundario?
1.10 Leccin 3. LEY DE OHM, CIRCUITOS SERIE Y PARALELOS.
1.10.1 Ley de ohm
La ley de ohm fue postulada por el fsico alemn Georg Simn Ohm ; la cual enuncia que
si en los extremos de una resistencia de valor R, se aplica una tensin o voltaje de valor V, la
corriente I que circula por dicho conductor es directamente proporcional al voltaje V e
inversamente proporcional a la resistencia R, es decir:

= 1.26

Versin: 1
Donde R= resistencia; V= voltaje e I= corriente
Despejando de la Ecuacin 26 la corriente I se tiene que:

= 1.27

Ahora, despejando el voltaje V de la misma ecuacin se tiene que:
= . 1.28
Ejemplo, si a travs de una resistencia de valor 10 , fluye una corriente de 2 A, calcular
el voltaje que se encuentra entre los terminales de dicho elemento. Ahora, remplazamos los
valores de corriente y resistencia elctrica en la Ec.28, se tiene que V= 10 x 2 A = 20V
Todos materiales presentan una cierta oposicin al movimiento de los electrones de una
corriente elctrica. La oposicin a dicho movimiento de cargas se denomina corriente elctrica.
La resistencia elctrica es el elemento pasivo que se utiliza con mayor frecuencia en el anlisis
de circuitos en corriente directa. La unidad de resistencia elctrica es el Ohmio ( ) , en muchas
ocasiones se utilizan unidades grandes como el Kilo-ohmio (K ) y los Mega-ohmios (M )
.Este valor se mide con un instrumento llamado ohmmetro , lo cual se conecta en paralelo a la
resistencia.
Los elementos pasivos como la resistencia estn diseados para disipar potencia, la cual
se manifiesta en calos o luz. La razn de cambio de disipacin de energa es lo que se conoce
como potencia instantnea. Por lo general el valor de la potencia elegida para la resistencia
debe ser mayor al valor que va a disipar en el circuito al cual est conectado, de lo contrario se
destruir. Por lo general el valor de la potencia mxima que disipa la resistencias de colores
(resistencia de carbn) , estn dadas por el tamao de la mismas. Comercialmente podemos

Versin: 1
encontrar resistencias de colores de W, W,1/8 W, 1/ 16 W , 1W y 2 W, las cuales son
utilizadas para manejar pequeas corriente.
= . . 1.29
Combinando las ecuaciones 28 y 29 resultan las siguientes expresiones de potencia.
= 2 . 1.30
2
= . 1.31

Otra cantidad importante en el anlisis de circuito es la conductancia (G), la cual es una
medida de la facilidad con la cual un material conduce una corriente elctrica, su valor esta dado
como el inverso de la resistencia. La unidad de la conductancia es el Siemens (A/V). Su
expresin matemtica es:
1
= 1.32

Al combinar las Ec 28 y Ec 30 se obtiene la siguiente expresin de corriente instantnea.
= . . 1. 33
As mismo la expresin matemtica para la potencia instantnea es:
2
2
= . = 1.34

Ejemplo 1.Calcular la conductancia para cada uno de los siguientes resistores: 10 y
120
Solucin
1 1
G= = 10 = 0.1 Siemens
1 1
G= = 120 = 8,3 x 10 -3 Siemens
Versin: 1
Un tostador demanda 6 A de un toma corriente de 110 V. Calcular la potencia consumida
por dicho elemento? Cul es el valor de la conductancia?
Remplazando los valores de i y v en la Ecuacin 29 se tiene que:
= . . 1.29
P= 110V X 6 A =660W
Despejando de Ec 34 la conductancia G queda.

= . 1.35
2
600
G = (110)2 = 0.049 siemens
1.10.1.1 Circuito en serie
Siempre que las partes o componentes de un circuito estn conectadas de manera que se
constituya una trayectoria nica para el paso de la corriente, se dice que las partes estn
conectadas en serie. Cuando todas las partes de un circuito incluyendo la fuente estn
conectadas en serie, se tiene un circuito serie
''La corriente en un circuito serie es la misma en cualquier parte del circuito.
Este concepto debe ser claro, a partir del hecho de que slo hay una trayectoria de
Corriente. Por lo tanto: /a corriente que entra al circuito circula a travs del mismo, es decir,
entra y sale de la fuente, y debe ser la misma.
Cadas de voltaje: Cada vez que circula una corriente a travs de una resistencia, se
produce un voltaje de acuerdo a la ley de ohm (V= RxI) . Esta cada de voltaje esta dado como
la diferencia de potencial entre los extremos de dicha resistencia.
Figura 1.39. Circuito divisor de voltaje

Versin: 1
1.10.1.2 Circuitos en paralelo
Los resistores se conectan en paralelo y otros elementos de los circuitos e instalaciones
elctricas tienen a esta conexin como ms comn, y se dice que en esta conexin la
caracterstica relevante es que aparece el mismo voltaje a travs de cada componente. Si los
valores de las resistencias en una conexin paralela son distintos, entonces circulan diferentes
valores de corriente a travs de cada resistencia. La corriente total es la suma de las corrientes
de los resistores tomados en forma individual. En la figura siguiente, se muestra un circuito
elemental con dos resistores en paralelo y una batera como fuente:
Figura 1.40. Circuito paralelo

Versin: 1
La corriente a travs de cada resistor , se obtiene mediante la ecuacin 27 como:

1 = ; 2 =
(1) 2
Donde Ex es el voltaje sobre las resistencias R1 y R2.
Se observa, la direccin de las corrientes con respecto a la unin A , I1 circulando a travs
de R1, est saliendo del Nodo A . La corriente I de la batera est circulando hacia A. Tambin
i, I1 e I2 son las nicas corrientes entrando o saliendo de la unin en consecuencia I = I1+I2
1.10.2 Ejemplos de ley de ohm, circuitos serie y paralelo
Ejemplo 1.Una batera de 100 volts est conectada en serie con tres resistores de 20 ,
40 y 140 . Calcular la cada de voltaje en cada resistor.
Figura 1.41. Circuito resistivo serie
R10
20
+ R6
Vs2 40
100V
-
R9
140
La resistencia tota! del circuito es Rt= 20 + 40+ 140:+140 = 200 .
De acuerdo con la ley de Ohm la cada de voltaje total es:
Vt= Rt x It
Vt 100V
De donde la corriente es: It = Rt
= 200.
=0.5 A
Versin: 1
La cada de voltaje en cada resistor es entonces
V1= R1xI= 20x0.5 = 10V
V2=R2xI= 40x0.5 = 20V
V3=R3xI= 140x0.5 = 70V
El voltaje local se debe cumplir:
Vt= V1+V2+V3= 10V+20V+70V= 100V
Ejemplo 2. Se tienen 3 resistencias en paralelo de 600 O cada una, conectadas a travs de
una fuente de 60V, calcular:
a) La resistencia total del circuito.
b) La corriente total que se demanda de la fuente.
c) La corriente en cada resistencia en paralelo
+
Vs3 R1 R2 R3
60V 600 600 600
-
Solucin: La resistencia total del circuito es:
1
= . 1.12
1 1 1
1 + 2 + 3
Reemplazando valores se tiene:
1
= = 200.
1 1 1
600 + 600 + 600
Versin: 1
La corriente total es:
60
= = = 03
200.
La corriente en cada resistencia en paralelo
60
1 = = = 0.1
1 600
60
2 = = = 0.1
2 600
60
3 = = = 0.1
3 600
1.10.3 Ejercicios de autoevaluacin sobre circuitos serie y circuito paralelo.
1. En un circuito alimentado con una tensin constante, la resistencia pasa de 10 K a 100
. Esto quiere decir que la corriente:
a) Disminuye b) Aumenta c) Es constante d) Es nula e) Ninguna de las anteriores.
2. Una lmpara incandescente que tiene una resistencia de 150 , se conecta a un toma
corriente ( Socket) que est conectado a una alimentacin de 110 V , Calcular el valor de la
corriente que circula por la lmpara?
a) En el siguiente circuito la corriente Is= 0.3A, calcular
b) El valor de R2
c) El voltaje para cada resistencia.
Figura 1.43. Circuito paralelo con fuente de corriente definida

Versin: 1
Is
0.3A
1
+ R1 R2
Vs3
30
6V
-
3. Dado el siguiente circuito, si el voltaje Vs es de 100V calcular:
a) La resistencia total
b) La cada de voltaje en cada resistencia con las resistencias
Figura 1.44. Circuito serie con fuente de voltaje definida
R1 R2 R3
30 40 50
R4 R5
20 60
Vs1
100V
+
2 Cul es el valor de una corriente que circula por una resistencia de 4,7 K sometida a
un voltaje de 110 V?
3 En el circuito en serie, en cul de las dos resistencias es mayor la cada de tensin?
4 En el circuito en paralelo, en cul de las dos resistencias es mayor la intensidad por rama?
5 Teniendo en cuenta que, a igual intensidad es la tensin la que hace dar ms o menos luz
a una bombilla, qu bombilla iluminar ms en el circuito en serie?

Versin: 1
6 Teniendo presente que, a igual tensin, es la intensidad la que hace dar ms o menos luz
a una bombilla, en el circuito en paralelo, cul de las dos bombillas iluminar ms?
9. Se tienen 3 resistencias en paralelo de 600 O cada una, conectadas a travs de una fuente
de 60V, calcular:
a) La resistencia total del circuito.
b) La corriente total que se demanda de la fuente.
c) La corriente en cada resistencia en paralelo
1.11. Leccin 4: PRIMERA LEY DE KIRCHHOFF
Las leyes de Kirchhoff son leyes fundamentales para el anlisis de los circuitos elctricos,
estas fueron enunciadas por el fsico alemn Gustav Kirchhoff en 1947. Con la ley de Ohm se
pueden encontrar los valores de voltaje y corriente para un elemento de un circuito, pero para
circuitos ms complejos se pueden resolverse por medio de la aplicacin de estas leyes de
Kirchhoff, ya que la aplicacin de esta no depende de que los circuitos estn en serie o en
paralelo
1.11.1 Leyes de Kirchhoff de las corrientes-LKC
La LKC enuncia que en cualquier nodo o cualquier unin del circuito, la suma algebraica
de las corrientes que entran es igual a la suma algebraica de las corrientes que salen de dicho
nodo.
Figura 1.45. Representacin de un nodo

Versin: 1
De acuerdo a la figura 1.45 las corrientes I1,I2,I3 entran al nodo, mientras que las
corrientes I4 e I5 salen del mismo nodo, por lo tanto
I1+I2+I3= I4+I5 Ec.1.36
Antes de empezar a utilizar esta ley veamos algunas terminologas importantes para el
anlisis de nodo.
Nodos: son los puntos donde se unen dos o ms elementos, que conforman el circuito en
general, se denominan Nodos. Un cable donde estn conectados varios elementos se considera
un nodo.
Rama: Es una trayectoria nica en la red conformada por elementos simples de circuito,
por los cuales fluye una corriente elctrica. La resistencia, fuentes de voltaje, fuente de
corriente etc. Son ejemplos de Ramas.
En el circuito del siguiente grafico se puede observar que existen 3 nodos y 5 ramas (4
resistencias y una fuente de corriente).
Figura 1.46. Identificacin de los nodos de un circuito
1.11.1.1 Anlisis nodal : En el anlisis nodal se aplica la ley de Kirchhoff de corrientes
para determinar los voltajes presentes en los nodos.

Versin: 1
En el anlisis nodal las variables de los circuitos se eligen como los voltajes en los nodos,
los voltajes de los nodos se miden respecto a un nodo de referencia, el nodo de referencia es
aquel que tiene ms elementos interconectados si uno o ms voltajes de los nodos son negativos
con respecto al nodo de referencia, el anlisis lo indicara.En un circuito de N nodos se obtiene
N-1 ecuaciones nodales.
Pasos para el anlisis nodal.
1. Asignar el nodo de referencia.
2. Marcar o etiquetar los nodos restantes del circuito
3. Elegir en forma arbitraria el sentido de la corrientes de los elementos del circuito y luego
aplicar la ley de Kirchhoff de corriente
4. Aplicacin de la ley de ohm
5. Despeje dela corriente la ecuacin obtenida.
1.11.2 Ejemplos sobre el anlisis nodal de circuitos resistivos
Ejemplo 1. Determinar la tensin, la corriente y la potencia asociadas con cada elemento
del circuito de la siguiente figura.
Figura 1.47. Circuito de un par de nodos
Solucin:
Figura 1.48. Identificacin del par de nodos

Versin: 1
1. Si se observa la figura 1.48, se ha asignar el nodo de referencia o tierra
2. Se marcar o etiquetar el nodo restante del circuito con la letra V
3. Se elige arbitrariamente el sentido de las corrientes i1 e i2. Al aplicacin la ley de
Kirchhoff de corriente en el nodo V, resulta la siguiente ecuacin.
120= i1+i2+30A (1)
4. Aplicacin la ley de ohm, para cambiar las variables i1 e i2 a variables de voltaje.
0
1 = (2)
1/30
0
2 = (3)
1/15
Reemplazando i1 e i2 en la ecuacin (1)
0 0
120 = + + 30 (4)
1/30 1/15
Despeja V de la ecuacin (4), se tiene que , v=2V
Reemplazando este valor de 2V en Ecuacion (2) y (3) resulta que:.
i1 = 60 A and i2 = 30 A
Ahora puede calcularse la potencia absorbida por cada elemento. En las dos resistencias:
PR1 = 30(2)2 = 120 W y PR2 = 15(2)2 = 60 W

Versin: 1
Ejemplos 2. Calcular los voltajes nodales del circuito que se muestra en la figura
siguiente.
Figura 1.49. Circuito de 4 nodos
Aplicando LKC en el Nodo V1
4 + 1 + 2 + 2 = 0 (1)
Aplicando ley de ohm
1 0 1 2
4 + + + 2 = 0 (2)
3 6
Ahora multiplicando la ecuacin por 6K, resulta
24 + 21 + 1 2 + 12 = 0 (3)
Sumando trminos semejantes. 31 2 = 36 (4)

Versin: 1
2 + 2 = 3 + 4 (5)
1 2 2 2 0
2 + = + (6)
6 12 2
Ahora multiplicando la ecuacin por 12K, resulta
24 + 21 22 = 2 + 62 60 (7)
Sumando trminos semejantes.
21 92 + 60 = 24 (8)
4 = 5 (9)
2 0 0
= (10)
2 2
De donde v0= V2/2 y remplazando en ecuacin 11 .
2
21 92 + 6 = 24 (11)
2
21 62 = 12 (12)
Resolviendo el sistema de ecuaciones 11 y 12 , resulta que V0= 0V, V1= 0V y V2=2V
1.11.3 Ejercicios de autoevaluacin sobre tcnicas de anlisis nodal
1. Determinar la tensin, la corriente y la potencia asociadas con cada elemento del circuito
de la siguiente figura.
Figura 1.50. Circuito de 4 resistencias y 2 fuentes

Versin: 1
+
Vs1 R5
10V 2k
- R1
6k
R3
3k
Is2 R4
4mA 12k
2. Determinar la tensin, la corriente y la potencia asociadas con cada elemento del circuito
de la siguiente figura.
R2
1k
Vs1
R1 3V
1k
-
R3
R4 2k
Is2
12k
2mA
3. Calcular la potencia absorbida por cada uno de los elementos del circuito que se muestra
en la siguiente grfica y verificar que su suma sea igual a cero.
1.12. Leccin 5: SEGUNDA LEY DE KIRCHHOFF-LKV

Versin: 1
1.12.1 Ley de Kirchhoff de los voltajes LKV
Esta segn ley enuncia que la sumatoria algebraica de las cadas de voltaje a travs de una
malla o lazo, recorrida en direccin de las manecillas de reloj o en contra de estas es cero voltios.
Resulta que si traza una trayectoria cerrada, la suma algebraica de las tensiones en los
elementos individuales, a lo largo de ella, debe ser nula.
Figura 1.53. Circuito simple de una solo malla
Aplicando la Ley de Kirchhoff de los voltajes al circuito de la figura xx , se tiene que
1 + 2 + 3 = 0 . 1.37
Ntese que cuando la corriente de malla ix entra por el terminal negativo de un elemento
el voltaje de dicho elemento ser negativo (-). de lo contrario ser positivo. Por tal razn el
voltaje de la fuente es 1 y el de las resistencias R1 y R2 son +2 + 3 respectivamente
Terminologa para el anlisis de malla
Malla es la trayectoria cerrada o lazo ms simple posible. Esta se forma en el momento
en que la corriente parte de un nodo y recorri todos los elementos del circuito (incluyendo los
circuitos abiertos) y regresando al nodo de partida, sin que se haya tocado dos veces un mismo
nodo. Si se sigue imaginariamente el camino que recorre la corriente, dentro de una circuito y
Versin: 1
se regresa al punto de donde se parti, se tiene un lazo o camino cerrado, con estos conceptos
se puede entrar a estudiar las tcnicas bsicas, para resolver circuitos que contengan varios
elementos y caminos. Ver grfico 1.54
1.12.1.1 Anlisis de Malla:En el anlisis de malla se aplica la ley de Kirchhoff de los
voltajes para determinar las corrientes que circulan por las mallas. Existen algunos pasos que
se deben tener en cuenta a la hora de resolver circuitos con lazos. Entre los cuales estn
1. Se Asigna una direccin para la corrientes de malla en forma horaria o anti horaria
2. Se Aplica la ley de Kirchhoff de voltajes, para cada malla asignada
3. Se Aplica la ley de ohm, en cada ecuacin obtenida para expresar los voltajes en trminos
de corriente de malla
4. Se resuelve el sistema de ecuaciones de las corrientes de mallas obtenidas.
1.12.2 Ejemplos sobre el anlisis de malla.
Ejemplo 1: En el circuito siguiente determinar el valor de Vx e ix
Figura 1.54. Circuito de dos fuentes de voltaje y una resistencia
1. Se asign la corriente en el sentido de las manecillas del reloj y se le dio el nombre de
ix.
2. Se aplica la ley de LKV.
57+vx=0 (1)
Versin: 1
por lo que Vx=12V. (2)
3. Aplicamos la ley de ohm , para llevar el voltaje Vx a corriente de malla
12
= = = 120 (3)
100 100
Ejemplos 2. Dado el circuito del siguiente grfico, hallar el voltaje sobre la resistencia R2
Figura 1.55. Circuito elctrico con dos fuentes y cuatro resistencias.
1. Se asignaron las corrientes de malla, buscando la manera de que por la fuente de corriente
de 2mA solo pasara una sola corriente de malla, esto con el fin de que la malla i1 se
conocida, para este caso i1= 2mA.
2. Se aplica la ley de Kirchhoff de los voltajes en cada malla desconocida y se aplica
simultneamente la ley de ohm
Malla interna i2
Observemos la malla 2, hay tres elementos resistivos, que la conforman ( R1, R2, R3), El
voltaje de R1 es VR1= 6KxI2 , por la resistencia R2 pasan dos corrientes en el mismo sentido
por tal razn el voltaje de R2 es el VR2= 4k(i2+i3) , por la resistencia de R3 pasan dos
corrientes en sentido contrario por tal razn el voltaje en R3 es 12K( i2-i1)
VR1+VR2+VR3=0
Versin: 1
Reemplazando por la ley de ohm resulta.
4 (2 + 3) + 12(2 1) + 62 = 0 (1)
De donde
222 + 43 121 = 24 (2)
Remplazando el valor de i1= 2mA, resulta 222 + 43 = 24 (3)
Malla externa i3 : Aplicando LKV y ley de ohm, resulta la siguiente ecuacin
6 + 4 (2 + 3) + 12(1 + 3) = 0 (4)
Remplazando el valor de i1= 2mA, resulta
6 + 4 (2 + 3) + 12(1 + 3) = 0 (5)
De donde
42 + 163 = 18 (6)
Ahora resolviendo el sistema de ecuacin 3 y ecuacin 6. Resulta.
I2=1,35mA; I3= -1.46 mA
El voltaje de salida Vo= VR2=4k (i2+i3) = 4k (1.35mA-1.46mA) = -0.457 V (7)
1.12.3 Ejercicios de autoevaluacin sobre anlisis de malla
1. Determinar ix y vx en el circuito de la grfica siguiente
Figura 1.56. Circuito elctrico con dos fuentes y una resistencia
2. Hallar el voltaje sobre la resistencia R1, del circuito de la grfica siguiente

Versin: 1
Figura 1.57. Circuito elctrico con 3 fuentes y 3 resistencias
Vs1
6V
+
Is1
R1
100mA
3k
+ VR1 -
Is2
R3 10mA
R2
2k 6k
3. Dado el circuito de figura siguiente, si la corriente de fuente es Is= 4A, Hallar el valor
de Vx.
Figura 1.58. Circuito elctrico con 1 fuente y 5 resistencias
1.13 Leccin 6: TCNICA DE ANLISIS DE CIRCUITO CON BASE EN EL
PRINCIPIO DE SUPERPOSICIN.
1.13.1 El Principio de superposicin
Este principio enuncia que en cualquier circuito resistivo que contenga dos o ms fuentes
independientes, ya sea de voltaje o corriente puede calcularse como la suma algebraica de todos
los voltajes o corrientes individuales originados por cada fuente independiente. Para obtener las
respuestas individuales del circuito se debe llevar las fuentes independientes a cero excepto
una y se repite el proceso por cada fuente que exista en el circuito.

Versin: 1
Nota: una fuente independiente de corriente igual a cero equivale a un circuito abierto,
mientras que una fuente independiente de voltaje equivale a un corto circuito, tal como se ilustra
en la grfica siguiente. La justificacin del principio de superposicin se basa en el concepto
de linealidad.
Figura 1.59. Equivalencias de fuentes independientes iguales a cero
Veamos el caso sencillo de un resistor conectado a dos fuentes de voltaje
Figura 1.60. .Circuito con 2 fuentes de voltaje y 1 resistencia
El voltaje total es = 1 + 2 . 1.38
Si hacemos la fuente de voltaje 1 = 0 , se cortocircuito 1 , resultando el siguiente

circuito.
Figura 1.61. Circuito con V1=0v

Versin: 1
Como el voltaje es Vs2, entonces i2 = R1xi2
Si hacemos la fuente de voltaje 2 = 0 , se cortocircuito 2 , resultando el siguiente
circuito.
Figura 1.62. Circuito con V2=0v
Como el voltaje es Vs1, entonces i1 = R1xi1
Ahora, ya se tiene las respuestas individuales dadas por las fuentes independientes, para
hallar el voltaje total se suman las respuestas individuales de corriente.
= 11 + 12 = 1 + 2 Ec.1.39
1.13.2 Ejemplos sobre el principio de superposicin.
Ejemplo 1. Dado el siguiente circuito, hallar el voltaje de salida Vx
Figura 1.63. Circuito con fuentes de I y V

Versin: 1
R1
6
Is1
15A
R2 R3
1 2
R4 Vx
+ Is2
Vs3 3
15A
10V
-
Solucin:
Recordemos que la suma algebraica de todos los voltajes y corrientes individuales
originados por cada fuente independiente, dar como resultado el voltaje de salida total
Es decir, = 1 + 2 + 3, donde es el resultado de hacer las fuentes de
corrientes Is1 e Is2 iguales a cero, por tal razn se habr el circuito como lo muestra la figura
siguiente.
Figura 1.64. Circuito con 2 fuentes de I =0 A

R1
6
R2 R3
1 2
R4 Vx
+
Vs3 3
10V
-
Reduciendo el circuito, vemos que R1// (R2+R3) , por tal razn la resistencia
10
equivalente es Req= 2; De donde 1 = = 2 y 1 = 2 3 = 6V
5
Hallando Vx2
Versin: 1
El voltaje 2 , se obtiene haciendo la fuente de voltaje VS= 0V (corto circuito) y la
fuente de corriente Is1=0 (circuito abierto), tal como se ilustra a continuacin.
Figura 1.65. Circuito con 1 fuentes de I =0 A y 1 de V=0V

R1
6
R2 R3
1 2
R4 Vx
Is2
15A 3
Las resistencias R1 y R4 estn en paralelo por tal razn la Req= 2
Figura 1.66. Circuito con 1 fuentes de I =0 A y 1 de V=0V
Aplicando la LKC en el nodo V1
1 = 15 + 2 (1)
Aplicando ley de ohm a la corrientes 1 2
0 1 1
= 15 + (2)
1 4
1 12
De donde 1 = 12 y 2 = 4 = = 3 (3)
4
Versin: 1
2 = 32 = 6 (4)
Hallando , se obtiene haciendo la fuente de voltaje VS= 0V (Corto circuito) y la
fuente de corriente Is2=0 (circuito abierto), tal como se ilustra a continuacin
Figura 1.67. Circuito con 1 fuente de I =0 A y 1 de V=0V
R1
6
Is1
15A
R2 R3
1 2
R4 Vx
3
Las resistencias R1 y R4 estn en paralelo por tal razn la Req= 2 , redibujando el
circuito anterior queda el siguiente circuito.
Figura 1.68. Circuito de 2 mallas
La corriente de malla I1=15 A.
Aplicando la LKV a la Malla I2, resulta

Versin: 1
12 + 22 + 2(2 1) = 0 (5)
De donde 52 + 1 = 0 ; reemplazando I1 , en la ecuacin anterior resulta que 2 =
Entonces el Vx3 = Reqx i2 = 26 = 12 (6)
La respuesta final se obtiene sumando los tres voltajes obtenido anteriormente.
= 1 + 2 + 3 = 6 6 + 12 = 12 (7)
1.13.3 Ejercicios sobre principio de superposicin
1. Hallar el voltaje sobre la resistencia de 50
2. Hallar la corriente Ix que fluye sobre la resistencia de 12
1.14 Leccin 7: TCNICA DE ANLISIS DE CIRCUITO CON BASE EN EL
TEOREMA DE THEVENIN
Versin: 1
1.14.1 Teorema de Thevenin
En captulos anteriores se han empleado las leyes de ohm y Kirchhoff para analizar
circuitos sencillos de corriente continua, en el anlisis de circuitos elctricos ms complejos son
indispensables algunas otras herramientas de clculo el teorema de Thevenin, que proporciona
los medios adecuados para simplificar en anlisis de dichos circuitos.
El teorema de Thevenin enuncia que cualquier red de dos terminales se puede sustituir por
un circuito sencillo equivalente, el cual consiste en una fuente de voltaje de Thevenin (VTh) en
serie con una resistencia equivalente de Thevenin (RTh). El comportamiento elctrico de los
dos circuitos ser idntico.
Figura 1.71. Circuito equivalente de Thevenin
El circuito lineal como el mostrado en la figura puede tener cualquier nmero de
resistencias y fuentes, no importa si son dependientes o independientes, lo importante es que si
a cualquiera de los tres circuitos se le conecta la misma carga (resistencia de carga o un circuito
cualquiera), tanto el voltaje entre sus terminales como la corriente que circule por estos deben
ser idnticos.
Las reglas para hallar los valores de VTh y RTh son las siguientes.
El voltaje Thevenin es el que aparece entre los terminales de la carga en la red original,
cuando se separa la resistencia de carga que puede estar representado por uno o ms elementos,
Versin: 1
este voltaje Thevenin es el voltaje de circuito abierto. Para obtener este voltaje de circuito
abierto (VTh), se separa la resistencia de carga (circuito A) del resto del circuito (circuito B),
y luego se obtiene el voltaje visto entre los nodos de separacin de dichas partes. La resistencia
Thevenin, RTh, es la que aparece desde los terminales de la carga abierta, hacia la red que hacia
parte del circuito original, una vez que todas las fuentes independientes del circuito se han hecho
cero. Las de voltaje son corto circuito y las de corriente circuito abierto.
1.14.2 Ejemplos sobre el teorema de Thevenin
Ejemplos 1. Dado el circuito hallar el equivalente de Thevenin visto entre los puntos a y
b, de dicho circuito.

R1
0.5
Vs1
R2 3V
0.5
a
-
R4
Is1 R3 0.33
0.25
2A
Solucin:
Primero separemos la resistencia R4 (circuito A) del resto del circuito (circuito B)
Ahora el voltaje Thevenin o voltaje de circuito abierto VOC, se obtiene entre los nodos a y b.
Figura 1.73. Circuito sin RL

Versin: 1
= 3 + 3. (1)
De donde 3 = 13 = 20.25 = 0.5 (2)
Por lo tanto = 3 0.5 = 2.5 (3)
Figura 1.74.Circuito para hallar RTh
La resistencia R1 y R2 estn en serie por lo tanto la Req= R1+R2= 0.5+0.5= 1. (4)
Figura 1.75. Circuito simplificado

Versin: 1
La resistencia Req est en paralelo con un cable cuya resistencia ideal es de 0, por tal
razn el resultado es una resistencia de 0
Figura 1.76. Resistencia de RTh
La resistencia RTh es la resistencia total que se ve entre los terminales a y b, para este
caso la RTh= 0.25; finalmente el equivalente Thevenin se muestra en el siguiente circuito.
Figura 1.77. Equivalente de RTh con RL

Versin: 1
1.14.3 Ejercicios sobre el teorema de Thevenin.
1. Reemplazar la red que se encuentra la izquierda de los puntos a y b, por su circuito
equivalente de Thevenin y usar el resultado para encontrar la corriente que fluye por la
resistencia R4
Figura 1.78. Circuito con 2 fuentes y 3 resistencias
2. Reemplazar la red que se encuentra a la izquierda de los puntos a y b, por su circuito
equivalente de Thevenin y usar el resultado para encontrar la corriente que fluye por la
resistencia R4
Figura 1.79. Circuito con 2 fuentes y 3 resistencias

Versin: 1
U N I D A D I I : DIODOS SEMICONDUCTORES
Versin: 1
CONTENIDO
2. UNIDAD 2: TEORA DE SEMICONDUCTORES
2.1 Objetivos 103
2.1.1 Objetivo general 10 103
2.1.2 Objetivos especficos 103
2.2 Competencias 103
2.4 Recursos de aprendizaje 104
2.5 Leccin 1: DIODOS SEMICONDUCTORES. 105
2.5.1. Teora de semiconductores .. 105
2.5.1.1. Caractersticas de tensin corriente del diodo 110
. 2.5.1.2. Diodo emisor de luz (LED) 112
2.5.1.3 El diodo de unin P-N como rectificadores de seales 113
2.5.1.3.1. Rectificador de media onda 113
2.5.1.3.2. Rectificador de onda completa 114
2.5.2. Ejemplos sobre rectificacin de seales de media onda y onda 116
completa
2.5.3 Ejercicios sobre rectificacin de seales y regulacin de voltaje 117
y autoevaluacin de diodos ...
2.6 Leccin 2: DIODO ZENER . .. 119

Versin: 1
2.6.1. Curva caracterstica del diodo Zener 119
2.6.2 . El diodo Zener como regulador de voltaje. 120
121
2.6.2.1 Condiciones de regulacin zener 121
2.6.3. Ejemplo sobre regulacin zener 122
2.6.4 Ejercicios y autoevaluacin sobre regulacin zener 124
2.7 Leccin 3: FILTROS DE MEDIA ONDA Y ONDA COMPLETA. 124
2.7.1. Filtro de media onda 124
2.7.1.1 Filtro de onda completa. 125
2.7.2 Ejemplos sobre filtro de media onda y onda completa 126
2.7.3 Ejercicios sobre filtro de media onda y onda completa. 129

Versin: 1
2. UNIDAD II: TEORA DE SEMICONDUCTORES.
2.1 Objetivos
2.1.1 General
Comprender el funcionamiento de los dispositivos electrnicos semiconductores, sus
limitaciones y aplicaciones para que los tcnicos puedan aplicar sus conocimientos en los
sistemas de comunicacin, control o computacin.
2.1.2 Especificos
Identificar las caractersticas elctricas de los dispositivos semiconductores, teniendo en
cuenta las hojas de especificaciones del fabricante.
Implementar circuitos prcticos y analizar el comportamiento de los mismos, con base
en las mediciones elctricas realizadas a este.
2.2 Competencias
Formula alternativas para resolver situaciones practicas, mediante el uso de las teoras de
simiconductores.
Realiza mediciones elctricas a dispositivos semiconductores mediante instrumentos de
medida, para identificar el buen funcionamiento de los mismos.
2.3 Estrategias pedaggicas

Versin: 1
2.4 Recursos de aprendizaje
Mdulo de Electrnica Bsica.
Sitios de internet.
Versin: 1
2.5 Leccin 1: DIODOS SEMICONDUCTORES
2.5.1 Teora de semiconductores
La figura 2.0, muestra el modelo tomo de Bohr, conformado por electrones que giran
alrededor del ncleo, adems de protones y neutrones ubicados en el centro del mismo. Este
modelo es muy til para determinar la distribucin atmica de los elementos.
Figura 2.0. Distribucin atmica del silicio
Fuente: Malaguera, Jos (2010)
En la naturaleza existen dos materiales muy utilizados en la fabricacin de dispositivos
semiconductores: el germanio con 32 electrones y el Silicio con 14 electrones. Estos dos
elementos son tetravalentes, ya que en la ltima orbita (Capa de valencia) poseen 4 electrones,
tal como se muestra en la figura 2.0. Toda distribucin atmica debe cumplir con la regla del
octeto, la cual indica que la capa de valencia debe albergar un mximo de ocho electrones. En
el caso del germanio y el silicio solo llegan a tener cuatro electrones en su ltima capa, por tal
razn son considerados elementos semiconductores

Versin: 1
Generacin de Impurezas
Los materiales semiconductores puro como el germanio y el silicio son considerados
semiconductores intrnsecos ya que no se combinan con ningn otro material, ver figura 2.1. A
temperatura ambiente se comportan como aisladores ya que poseen pocos electrones y huecos
libres por efecto de la energa trmica. La conductividad a temperatura ambiente es muy baja y
la cantidad de electrones libres y huecos suele ser la misma en el material.
Figura 2.1. Semiconductor Intrnseco
Fuente: Ladn, Pedro (2014)
Si a estos materiales puros se les agrega un porcentaje muy pequeo de tomos trivalentes
o pentavalentes, se convertiran en semiconductores impuros o extrnsecos. Este proceso se
conoce como dopado y permite aumentar la conductividad del germanio o silicio. Si el material
Intrinseco (germanio o silicio) se dopa con impurezas pentavalentes como el fosforo,
Antimonio, Arsnico entre otros, se crea un material tipo N, ya que queda un electrn libre en
el momento de formar un enlace covalente entre tomos vecinos, tal como se muestra en la
figura 2.2.
Versin: 1
Figura 2.2. Semiconductor extrnseco con tomos pentavalente
De la misma forma, si se introduce una cantidad pequea de una impureza trivalente
como el Indio, Boro,Aluminio, Galio entre otros, al semiconductor intrnseco (germanio o
silicio) , se crea un material tipo P, ya que carece de electrones necesarios para formar enlaces
covalente entre tomos vecinos, tal como se muestra en la figura 2.3.
Figura 2.3. Semiconductor extrnseco con tomos trivalentes
Diodo Semiconductor N-P : El diodo no es ms que la unin de un material tipo N con
otro material de tipo P, al cual se le incorpora dos terminales a los extremos de dicho materiales,
Versin: 1
Figura 2.4 . En el momento de unir los materiales N y P, se produce un proceso de difusin
donde las cargas cruzan de un lado a otro de la juntura, formndose una regin de agotamiento
lo cual origina una diferencia de potencial a travs de dicha juntura. Este dispositivo electrnico
est diseado para permitir la circulacin de corriente en un sentido y bloquearla en el sentido
contrario a sus terminales, tal como se muestran en las figura 2.6 y 2.7.
Figura 2.4. Unin P-N del diodo
Fuente: Serrano Felipe; Rodrguez Ral. (2014)
Figura 2.5. Smbolo del diodo
Polarizacin directa de un Diodo.
Para que circulen los portadores mayoritarios de corriente a travs del material P-N del
diodo, debe superar la barrera de potencial. La manera de conseguirlo es aplicando una fuente
de voltaje externo entre los terminales P-N, de forma que el borne positivo de la fuente se
conecte al material P (nodo) y el borne negativo se conecte al material tipo N (ctodo) del
diodo , tal como se muestra en la Figura 2.6. Este tipo de conexin recibe el nombre de
polarizacin directa. Ahora Por qu el diodo conduce en este sentido? Veamos.

Versin: 1
Figura 2.6. Polarizacin directa de un diodo
Los electrones libres del material N son rechazados por el borne negativo de la batera y
circulan a travs de la barrera de potencial hacia el material tipo P. Las cargas positivas del
material P son rechazadas por el borne positivo de la batera, lo cual hace que se presente una
gran recombinacin de portadores de corriente a travs de la barrera de potencial. Bajo la
influencia del voltaje de la batera el cual es superior al voltaje formado por los iones positivos
como negativos presentes en la barrera de potencial, fluye una corriente muy grande a travs
del circuito externo. Esto indica que un diodo polarizado en directo , acta como un switche
cerrado.
Polarizacin en inverso de un diodo
Suponiendo ahora que el borne negativo de la batera est conectado al material tipo P
(nodo) y el negativo al material tipo N(ctodo), tal como se muestra en la Figura 2.7. Este
modo de conexin recibe el nombre de polarizacin en inverso, all los electrones libre del
material tipo N son atrados por el borne positivo de la batera, alejndolos de la unin P-N. Lo
mismo sucede con los huecos del material tipo P, respecto al borne negativo de la batera. Esto
hace que en la juntura P-N los portadores desaparezcan, lo que incrementa la barrera de
potencial que hay que superar por la fuente externa. Como efecto de esto, no habr circulacin
Versin: 1
de portadores de carga a travs del circuito externo, lo cual indica que un diodo polarizado en
inverso acta como un switche abierto.
Figura 2.7. Polarizacin inversa de un diodo
Tengamos en cuenta que adems de los portadores mayoritarios de corriente, existen
tambin unos portadores minoritarios. Bajo la influencia de un voltaje en inverso, los portadores
minoritarios se concentran en la juntura, la atraviesan y se combinan mutuamente, haciendo que
circule una corriente muy dbil, llamada corriente inversa de fuga. Recordemos que la
polarizacin inversa externa aumenta la barrera de potencial de la juntura, slo quedar en el
circuito una corriente casi nula, determinada por los portadores minoritarios, que darn lugar a
la corriente inversa del diodo. Si se incrementa demasiado el voltaje en inverso, la corriente de
portadores minoritaria entra en avalancha, lo cual hace que el diodo se destruya por
calentamiento excesivo.
2.5.1.1 Caractersticas de tensin corriente del diodo
La siguiente grafica muestra la curva caracterstica de corriente tensin de un diodo PN,
se muestra en la Figura 2.8. Los puntos caractersticos que se muestran son:

Versin: 1
Figura 2.8. Curva caracterstica del diodo de unin PN
Tensin umbral o barrera de potencial (Vd )
Es la tensin formada por los portadores mayoritarios de carga en la unin P-N, al
polarizar en directo el diodo. Esta tensin debe ser superada por la fuente externa conectada al
diodo para que esta permita la circulacin de cargas a travs de dicho diodo. Para el Silicio esta
barrera de potencial es de 0.7 v y el germanio 0.2 v aproximadamente.
Corriente mxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente mxima que puede circular a travs del diodo en sentido
directo sin que este se destruya
Corriente inversa de saturacin (Is ).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura. La corriente que circula a travs de
un diodo se relaciona con la tensin aplicada en la juntura, por medio de la siguiente expresin:
I = Is . (e V/mVt - 1) Ec.2.0
Versin: 1
Donde:
Is = I de saturacin inversa (del orden de los nA).
m = Constante igual a 1 para el germanio e igual a 2 para el silicio.
VT = Tensin equivalente igual a 25mV para una temperatura del orden de los 25 C.
En base a esta ecuacin, la curva caracterstica del diodo resulta ser la de la figura 2.8.
Tensin de ruptura (Vr ).
En la practica, al polarizar un diodo en inverso, la unin de la regin PN crece a medida
que la tensin en dicha unin se incrementa. La tensin inversa mxima que el diodo puede
soportar antes de darse el efecto avalancha, recibe el nombre de tensin de ruptura.
2.5.1.2 Diodo emisor de luz (LED)
As como se absorbe energa para crear pares de electrn-huecos, dicha energa vuelve a
ser emitida cuando los electrones se recombinan con huecos. La energa liberada cuando el
electrn pasa de la banda de conduccin a la banda de valencia, aparece en forma de radiacin.
Cuando los diodos estn preparados para emitir radiacin en el espectro visible se los denomina
diodos emisores de luz, y actualmente se fabrican tanto para emisin de radiacin en el campo
visible como en el infrarrojo, podrn variar ampliamente en tamao, forma y color. Es
interesante hacer notar que el proceso de generacin de luz aumenta con la corriente inyectada
y con el descenso de la temperatura. En la figura 2.9 se muestra el smbolo y encapsulado del
diodo LED.
Versin: 1
Figura 2.9. Smbolo y encapsulado diodo LED
Fuente: Ramirez, Fj. (2011)
2.5.1.3 El diodo de unin P-N como rectificadores de seales
Entre las muchas aplicaciones de los diodos se encuentran los rectificadores de seales,
reguladores de voltaje y limitadores entre otras.
2.5.1.3.1. Rectificador de media onda
El circuito de la figura 2.10 muestra un circuito tpico de rectificacin de media onda.
Figura 2.10. Circuito rectificador de media onda.
Durante el semiciclo positivo de la tensin del primario, el bobinado secundario tiene una
media onda positiva de tensin entre sus extremos. Esto hace que el diodo se encuentre
polarizado en directo, por tal razn conducir una corriente sobre la resistencia RL de carga,
mostrando una seal positiva sobre esta. Sin embargo durante el semiciclo negativo de la tensin
Versin: 1
en el primario, el embobinado secundario presenta una onda sinusoidal negativa. Por tanto, el
diodo se encuentra polarizado en inversa y el voltaje presente sobre RL es de cero voltio. La
frecuencia de la seal de un rectificador de media onda es igual a la frecuencia de la seal
aplicada a la entrada, aplicada a dicho rectificador, en este caso al de la red (60 Hz )
Valor de corriente continua o valor medio.
Si se conecta un voltimetro en paralelo a RL, tendremos un voltaje de corriente continua
pulsante igual a:

= . 2.1

Donde Vp= voltaje pico en el secundario.
Para efectos prcticos se utiliza la primera aproximacin (condicin idea del diodo,
switche ) o segunda aproximacin del diodo ( fuente de voltaje Vd en serie con un switche).
2.5.1.3.2 Rectificador de onda completa.
El circuito de la figura 2.11 muestra un circuito tpico de rectificacin de onda completa.
Durante el semiciclo positivo de la tensin del primario, el bobinado secundario tiene dos
voltajes entre su derivacin central y los extremos de dicha bobina, Esto hace que el diodo D1
se encuentre polarizado en directo, por tal razn circular una corriente sobre la resistencia
RL y retornar por el terminal central de la bobina secundaria. Mostrando una seal positiva
sobre dicha carga. Mientras que el diodo D2, se encuentra polarizado en inverso y no conduce.
Sin embargo durante el semiciclo negativo de la tensin en el primario, el embobinado

Versin: 1
secundario presenta una onda sinusoidal negativa. Por tanto, el diodo D1 no conduce debido a
que se encuentra polarizado en inverso, y el diodo D2 si, ya que se encuentra polarizado en
directo; esto hace que circule una corriente por D2, la resistencia RL , hacia el terminal central
del transformador. Como la corriente que circula por RL siempre va del extremo superior hacia
el inferior de dicha resistencia, sta estar viendo el semiciclo positivo de la seal alterna, tal
como se muestra en la grfica.
Figura 2.11. Circuito rectificador de onda completa
La frecuencia de la seal de salida de un rectificador de media onda es el doble de la
frecuencia de la seal de entrada aplicada a dicho rectificador, en este caso el de la red ( 120
Hz )
Valor de corriente continua o valor medio.
Si se conecta un voltimetro en paralelo a RL, tendremos un voltaje de corriente continua
pulsante igual a:
/2
= . 2.2

Donde Vp= voltaje pico en el secundario, obtenido entre un extremo y su terminal central
Versin: 1
Para efectos prcticos se utiliza la primera aproximacin (condicin idea del diodo,
switche) o segunda aproximacin del diodo ( fuente de voltaje Vd en serie con un switche).
2.5.2 Ejemplos sobre rectificacin de seales de media onda y onda completa
Para un circuito rectificador de media onda, tal como se muestra en la figura 2.11. Hallar
el valor de voltaje de C.C, si en voltaje en el primario del transformador es de 120 Vrms y la
relacin de espira es de 4:1 ( 4 espiras en el secundario por 1 espira en el primario).
Solucin:
De acuerdo a la formula

= . 2.1

La siguiente ecuacin permite convertir el voltaje Vrms a voltaje pico .
= 2 . 2.3
Reemplazando valores para obtener el voltaje pico en el primario.
1 = 120 2 = 169.7 v,
El voltaje pico en el secundario es:
2
2 = 1 . 2.4
1
Reemplazando valores
1
2 = 169.7 = 42.425 . 2.4
4
Por tanto el voltaje de corriente continua VCC es:
42.425
= = 13.5 , 2.1

Versin: 1
Dado un rectificador de onda completa, cuya tensin de entrada es de 120 Vrms, y
frecuencia de 60Hhz. Si la relacin de transformacin es de 6:1, Calcular la tensin de corriente
continua sobre la RL y la frecuencia de salida.
Solucin
Reemplazando valores para obtener el voltaje pico en el primario.
1 = 120 2 = 169.7 v, Ec.2.3
2
2 = 1 . 2.4
1
Reemplazando valores, para obtener voltaje entre extremo y extremo del secundario.
1
2 = 169.7 = 28,3 . 2.4
6
28.3/2
= = 4.5 . 2.1

2.5.3 Ejercicios sobre rectificacin de seales y regulacin de voltaje y autoevaluacin
de diodos
1. Dado un rectificador de onda completa, cuya tensin de entrada es de 110 Vrms, y
frecuencia de 50Hhz. Si la relacin de transformacin es de 2:1, Calcular la tensin de corriente
continua y la corriente sobre la RL, si esta es de 100 . Cul es el valor de la frecuencia de
salida. ? Para un circuito rectificador de media onda, tal como se muestra en la figura 2.11.
Hallar el valor de voltaje de C.C, si en voltaje en el primario del transformador es de 120 Vp y
la relacin de espira es de 10:1

Versin: 1
2. La conductividad de un semiconductor puro se debe a los;
a. Electrones
b. Huecos
c. Electrones y huecos.
d. Iones positivos de la zona P y a los huecos.
3. Un semiconductor puro se hace buen conductor cuando la temperatura:
a. Es muy alta
b. Es muy baja
c. Tiene valor cero absoluto
d. Est comprendida entre 0 y 25 grados kelvin.
4. Qu impurezas hay que agregar a un semiconductor puro para obtener un dopado de
tipo P ?
a. Los del grupo V de la tabla peridica.
b. Los del grupo III de la tabla peridica.
c. Solo antimonio
d. Solo galio.
5. La conductividad de un semiconductor dopado es mayor que la de un semiconductor
puro ?
a. No, porque la temperatura es superior a 25grados centgrado
b. S, pero a 0 grado kelvin
c. S, pero solo si el material esta dopado con impurezas tipo N.

Versin: 1
d. S, pero solo si el material esta dopado con impurezas tipo P
2.5 Leccin 2: DIODO ZENER
El diodo Zener cuyo smbolo se muestra en la misma figura 2.12, es un diodo especial sus
caracterstica aparecen en la figura 2.13, y estn preparados para funcionar en la zona de ruptura
inversa de la unin. Estos diodos, estn diseados para trabajar en dicha zona, y pueden ser
explicados como dispositivos de tensin de referencia o de tensin constante, y se conocen
como diodos estabilizadores de tensin.
Figura 2.12 Smbolo del diodo zener
2.6.1 Curva caracterstica del diodo Zener
Figura 2.13. Curva caracterstica del diodo zener.
Cuando se aplica una tensin inversa en un diodo se ponen de manifiesto dos
caractersticas:
Versin: 1
a) Multiplicacin por avalancha
Cuando la tensin inversa aumenta, algunos portadores chocan con los iones fijos de la
estructura del cristal e imparten suficiente energa para romper una unin covalente. Esto genera
un par electrn-hueco que se suma a los portadores originales. Estos portadores adquieren
suficiente energa del campo elctrico aplicado y, chocando contra otros iones del cristal, crea
nuevos pares electrn-hueco. El resultado es una gran corriente inversa.
b) Ruptura zener
En los diodos zener la existencia de un campo elctrico en la unin ejerce una fuerza
suficientemente elevada sobre el electrn, de manera que se rompe su enlace covalente. El
circuito de la figura 2.14 permite observar cmo, de una manera simple, se puede estabilizar
una tensin igual a Vz, al emplear un diodo zener. La tensin del generador puede variar dentro
de ciertos lmites mientras que la tensin de salida Vz permanece constante.
2.6.2 El diodo Zener como regulador de voltaje
Los diodos zener son muy empleados para la construccin de circuitos reguladores de
voltaje, tal como ilustra en la figura 2.14. Estos diodos Zener ayudan a mantener casi constante
el voltaje de la carga bajo condiciones variables de corriente de carga o voltaje de entrada.
El diodo zener esta polarizado en inverso por la fuente Vs de voltaje de lnea cd. El voltaje
Vz del diodo zener es el mismo de la carga RL, por tanto:
o Al aumentar la corriente de carga, disminuye la corriente Zener
o Al disminuir la corriente de carga, aumenta la corriente Zener

Versin: 1
o Al aumentar el voltaje de lnea, aumenta la corriente zener.
o Al disminuir el voltaje de lnea, disminuye la corriente zener
Figura 2.14. Circuito regulador de voltaje
Fuente: Tulio Muentes (2015)
2.6.2.1 Condiciones de regulacin zener
1. El voltaje sobre la resistencia de carga RL debe ser mayor al voltaje zener. El voltaje RL
se obtiene separando el diodo zener del circuito y luego aplicando un divisor de voltaje
sobre RL, tal como se muestra a continuacin:

= . 2.5
+
De donde:
VZ = Voltaje Zener
VRL= Voltaje sobre RL
Si VZ > VRL, existe regulacin de voltaje zener
El diodo Zener debe estar polarizado en inverso
2. Debe existir una resistencia R limitadora de corriente, la cual evitar que el diodo zener
se destruya .Esta se calcula mediante la siguiente expresin:

Versin: 1

= . 2.6

La corriente Zener est dada por:
= . 2.7

= . 2.8

Dnde:
PZ= potencia zener
VZ= voltaje zener
Ahora la corriente de la resistencia RL es:

= . 2.9

Y la corriente que circula por R es:

= . 2.10

Para el circuito de regulacin paralelo de la figura 2.14 , supngase que Vz = 10V y que
Vs flucta entre 25 y 35 V. Cuando Vs= 25V el diodo zener mantiene constante el voltaje RL
a 10V y los 15 restante aparecern sobre la resistencia R limitadora de corriente. Al aumentar
Vs a 35V, el voltaje de RL se mantiene en 10V y caen 25V sobre la resistencia R, por lo que la
fluctuaciones de Vs provoca una fluctuacin del voltaje de R, aunque el voltaje sobre RL se
mantiene constante.
Versin: 1
2.6.3 Ejemplo sobre regulacin zener
1. En el circuito de la figura 2.14, el diodo zener tiene las siguientes especificaciones: Vz=
6.8V y Iz= 5mA. Si el voltaje de alimentacin Vs= 10v , pero con variacin de 1V y R=
0.2K
a. Encontrar la IT que circula por RL con VS a su valor nominal.
b. Encontrar Voltaje sobre RL , si RL es de 500 . Explicar si el diodo zener regula o no
c. Cul es el valor mnimo de RL para el cual el diodo zener opera en la regin de ruptura?
Solucin:
Si no hay resistencia de carga RL, entonces la corriente IT es:

= . 2.10

10 6.8
= = 16
0.2
El voltaje sobre RL es:
500 10
= = = 7.14 . 2.5
+ 200 + 500
Por tanto VRL> VZ , lo cual indica que el diodo zener si est en condiciones de regular.
C. El valor de RL mnimo se obtiene por medio de la expresin:
La IZ= 5mA, valor dado inicialmente.
6.8
= = = 13.6 . 2.9
500
Como:
Versin: 1
= + = 13.6 + 5 = 18.6 . 2.7
10 6.8
= = = 172 . 2.6
18.6
2.6.4 Ejercicios y autoevaluacin sobre regulacin zener
1. En un regulador de diodo zener, tipo paralelo, figura 2.14, el voltaje excedente del circuito
cae a travs de:
a. El diodo zener
b. La resistencia de carga.
c. La resistencia R
d. La fuente de voltaje Vs
2. Un diodo Zener regula efectivamente para:
a. Todo los valores de los voltaje de la fuente de entrada
b. Para todo los valores de corriente Zener
c. Para todo los valores de polarizacin directa
d. Para todo los valores de polarizacin inversa y corriente zener ms all del punto de
ruptura.
3. En el siguiente circuito, el diodo zener tiene las siguientes especificaciones: Vz= 5.V y
Pz= 1W. Si el voltaje de alimentacin Vs= 12v y R= 0.1K:
a. Encontrar la IT que circula por RL con VS a su valor nominal.
b. Cul es el valor mnimo de RL para el cual el diodo zener opera en la regin de ruptura?
2.7 Leccin 3: FILTROS DE MEDIA ONDA Y ONDA COMPLETA.

Versin: 1
Los condensadores son elementos esenciales a la hora de convertir una seal de corriente
continua pulsante, como la generada por un rectificador de voltaje a voltaje de corriente directa,
muy aproximada a una lnea recta con algunos pequeos rizos.
2.7.1 Filtro de media onda
Sea la salida en el secundario del trasformador una seal con valor vico Vp, a medida que
el voltaje en el nodo del diodo se incrementa, el diodo conduce D1 y el condensador empieza
a cargarse hasta un valor Pico correspondiente al voltaje de c.c del rectificador de media onda.
Si la seal de voltaje en el secundario cambia de polaridad ( semiciclo negativo), el diodo no
conduce y por tanto se abre; a partir de ese momento el condensador se descarga a travs de RL.
La descarga del condensador continua durante todo el semiciclo positivo, hasta que el voltaje
en el nodo del diodo se hace ms positivo que el voltaje del condensador, por tanto, el diodo
D1 conduce nuevamente cargando al condensador al voltaje pico, y el proceso se repite, tal
como se muestra en la figura 2.15.
Figura 2.15. Filtro de media onda

Versin: 1
Para evitar que el voltaje de salida se reduzca demasiado durante la descarga del
condensador, se debe seleccionar un valor de capacitancia de tal modo que la constante de
tiempo = RC sea mucho mayor al periodo T de la seal alterna.
La expresin matemtica que permite obtener el voltaje de rizo Vr del filtro est dada
por:

= . 2.11
. .

= . 2.12
.
Donde Vr = voltaje del rizo
F= frecuencia de salida
C= capacitancia
Rl= resistencia de carga.
I= corriente que circula por RL
El voltaje de corriente continua sobre RL, incluyendo el voltaje de filtrado est dado por

= . 2.13
2
2.7.2 Filtro de onda completa.
El filtro de onda completa, al igual que el de media onda , el voltaje de CD de salida ser
casi igual al valor pico de la onda senosoidal de entrada. La frecuencia de rizo ser el doble de
la frecuencia de entrada, para este caso el periodo es T/2. Y el voltaje del rizo es:
Versin: 1

= . 2.14
2. . .
Figura 2.16. Filtro de onda completa.
Si se tiene en cuenta la cada de voltaje de los diodo, entonces el voltaje al cual se carga
el condensador es:
= 2. . 2.15
Donde Vcc= voltaje de corriente continua
Vd= voltaje de cada del diodo, oscila entre 0.5v a 0.7v para diodos de silicio.
2.7.3 Ejemplos sobre filtro de media onda y onda completa
Considere un rectificador de media onda , con un voltaje en el secundario de 24 Vp ,
alimentado con una seal senosoidal de 60 Hz. Si la resistencia de carga RL= 1K y capacitor
C= 10f, Hallar:
a. El voltaje de filtrado o rizo
b. El voltaje de corriente continua sobre la carga incluyendo el rizo.

Versin: 1
Solucin
De acuerdo a la formula

= . 2.1

Por tanto el voltaje de corriente continua VCC sin rizo es:
24
= = 7.64

l voltaje del rizo es:
7.64
= = = 1.27 . 2.11
. . 60 . 10106 . 10
El voltaje de corriente continua sobre la carga incluyendo el rizo es:

= = 7.64 0.635 = 7.005 . 2.16
2
Se tiene un rectificador con filtro de onda completa, con una tensin de red de 120Vrms,
una relacin de espira de 2:1 . Si el condensador es de 100f y la resistencia de carga de 1 M.
Calcular la tensin de corriente continua sobre la RL, teniendo en cuenta las cadas de los
diodos?
Solucin
Reemplazando valores en Ec.2.3. para obtener el voltaje pico en el primario.
1 = 120 2 = 169.7 v,
2
2 = 1 . 2.4
1
Versin: 1
Reemplazando valores, para obtener voltaje entre extremo y extremo del secundario.
1
2 = 169.7 = 84.85
2
84.85/2
= = 13.5

El voltaje de Corriente continua incluyendo las caidad del diodo es:
= 2. . 2.15
Ahora considerando la cada de voltaje sobre los diodo de 0,7v se tiene
= 13.5 2. (0.7) = 12.1
El voltaje del rizo es:
12.1
= = = 1103 . 2.14
. . 2 60 . 100106 . 1
El voltaje sobre RL es

= = 12.1 0.5103 = 12.499 . 2.16
2
2.7.4 Ejercicios sobre filtro de media onda y onda completa.
1. Dado un rectificador de onda completa, cuya tensin de entrada es de 120 Vp, y
frecuencia de 60Hhz. Si la relacin de transformacin es de 4:1, Calcular la tensin de rizo y
tensin de corriente continua sobre la RL, si esta es de 1M y el capacitor de 1000F.

Versin: 1
2. Si un circuito rectificador de media onda conectado a la red AC, tiene una corriente
continua de 1 mA sobre la resistencia de carga RL. Encontrar el valor de la capacitancia que
resulta de un rizo pico a pico 4v 1

Versin: 1
U N I D A D I I I : TRANSISTORES
Versin: 1
CONTENIDO
3. UNIDAD III: TRANSISTORES 133
3.1 Objetivos 133
3.2 Competencias ... 133
3.3 Estrategias pedaggicas o actividades de aprendizaje. 133
3.5 Leccin 1: TRANSISTOR BIPOLAR NPN y PNP. 135
3.5.1. Construccin del transistor bipolar 135
3.5.1.1. Funcionamiento de los transistores Bipolares 136
3.5.1.2. Pruebas del transistor bipolar 139
3.5.1.3. Configuraciones bsicas de circuitos amplificadores 141
con transistores
3.5.1.3.1. Configuracin base comn 141
3.5.1.3.2. Configuracin Emisor comn 142
3.5.1.3.3. Configura cin Colector comn 143
3.5.1.4 Polarizaciones en DC y recta de carga de los 143
transistores Bipolares.
3.5.1.4.1. Polarizacin fija. 144
3.5.1.4.2. Polarizacin universal o por divisor de 147
tensin
Versin: 1
3.5.1.4.3 Criterio de diseo para circuitos polarizados por 150
divisor de tensin
3.5.1.4.4. Auto polarizacin o polarizacin realimentada 151
por colector.
3.5.2 Ejercicios resueltos sobre polarizacin en DC y recta de carga 152
3.5.3 Ejercicios propuestos sobre polarizacin en DC y recta de 159
carga
3.6 Leccin 2: ANLISIS DEL TRANSISTOR CON PEQUEAS 161
SEALES Y BAJAS FRECUENCIAS
3.6.1 Anlisis matemtico del modelo hibrido en configuracin 162
emisor comn
3.6.2 Ejercicios sobre diseo de amplificadores de pequea seal 162
3.6.3 Ejercicios propuesto sobre diseo de amplificadores de 170
pequeas seales
Versin: 1
UNIDAD III. TRANSISTORES.
3.1 Objetivos
3.1.1 Objetivo general.
Identificar las conficuraciones bsicas de los transistores y sus aplicaciones para que los
tcnicos profesionales en el rea puedan ponerlo en practica en los sistemas de comunicacin,
control o computacin.
3.1.2 Objetivos especficos.
Conocer las caractersticas elctricas del transistor bipolar mediante las hojas de
especificaciones del fabricante
Establecer las diferencias que existen entre las configuraciones bsicas de los transistores
bipolares
3.2 Competencias
Realiza pequenos montajes de aplificadores de baja potencia mediante las teorias
relacionadas con las configuraciones bsicas de los transistores
Realiza pruebas estticas con el multmetro para determinar el buen funcionamiento de
los transistor bipolares
3.3 Estrategias pedaggicas o actividades de aprendizaje

Versin: 1
3.4 Recursos de aprendizaje
Mdulo de Electrnica Bsica.
Sitios de internet.
Versin: 1
3.5. Leccin 1: TRANSISTOR BIPOLAR NPN y PNP
El transistor es un dispositivo electrnico constituido por tres regiones a las cuales se les
conectan sus terminales (Emisor, Base y Colector), cuya funcin es la de controlar la corriente
a travs de l variando el voltaje aplicado a cualquiera de sus terminales. Entr las muchas
aplicaciones de este dispositivo se encuentran los amplificadores, interruptores y osciladores
entre otras.
3.5.1 Construccin del transistor bipolar
Los transistores bipolares son dispositivos electrnicos formados por tres capas de
material semiconductor organizado de tal manera que una de estas capas puede ser de tipo P
ubicada en medio de dos capas de tipo N (NPN) o una de capa de tipo N ubicada en medio de
dos capas de tipo P (PNP), tal como se muestran en la figura 3.0.De acuerdo a la forma de
alternar las capas se origina dos uniones, una entre emisor y base y la otra entre colector y base.
Figura 3.0. Capas del transistor Bipolar NPN y PNP
Aranzabal Olea, Andrs.(2001)
En un transistor bipolar, la regin del emisor est altamente impurificado y cumple la
funcin de inyectar electrones a la base; en cambio, la base est ligeramente impurificada y es
ms delgada de las tres regiones, a travs de esta circulan los electrones del emisor hacia el
Versin: 1
colector; este ltimo es de mayor regin y tiene un dopado intermedio entre el emisor y la base,
y se encarga de recoger los electrones proveniente de la base.
El transistores Bipolares NPN se encuentran representados por el smbolos de la figura
3.1, sus terminales suelen representarse por las letras E, B y C, en donde estas indicar
consecutivamente el Emisor, la Base y el Colector.
Figura 3.1. Smbolo transistor NPN
Fuente: Garca, Antonio; Navarro Kiara. (2013)
Los transistores bipolares PNP suelen indicar sus terminales de igual manera a los
transistor NPN, solo difiere un poco en su smbolo, donde el emisor est representado por una
flecha entrando a su base, tal como se muestra en la figura 3.2
Figura 3.2. Smbolo transistor PNP
Fuente: Garca, Antonio; Navarro Kiara. (2013)
3.5.1.1 Funcionamiento de los transistores Bipolares

Versin: 1
Los transistores bipolares NPN o PNP deber cumplir con unas condiciones bsicas de
polarizacin en DC para su funcionamiento, tales como:
1. La unin E-B debe estar polarizado con un voltaje en directo, llamado VBE
2. La unin C-B debe estar polarizado con un voltaje en Inverso llamado VBC y a un mayor
potencial comparado con el VBE.
Estas polarizaciones permiten establecer en punto Q de trabajo especfico, fijando los
valores de corriente de colector en el punto Q y el voltaje colector emisor (VCE) en dicho
punto. al igual que la estabilidad del circuito ya que estos fluctan los voltajes de alimentacin
por efecto a las variaciones de temperatura.
En los transistores NPN la base debe estar positiva respecto al emisor y negativa respecto
al colector,figura 3.3, y en los transistores PNP es todo lo contrario, es decir, base negativa
respecto al emisor y positiva respecto al colector, tal como se ilustran en las figura 3.4.
Figura 3.3. Configuracin bsica del transistor NPN
Figura 3.4. Configuracin bsica del transistor PNP

Versin: 1
Como resultado de la aplicacin de estos voltajes de polarizacin en DC, se produce
internamente en el dispositivo tres tipos de corrientes denominadas: Corriente de base (IB),
corriente de colector (IC) y corriente de Emisor (IE).
Debido a que la unin B-E esta polarizado en directo para un transistor NPN, los
portadores mayoritarios de ambas regiones ( B y E ), son obligados por el voltaje VBE a cruzar
la juntura y combinarse. Esto indica que los electrones procedentes del emisor se combinas
con los pocos huecos disponibles por la base P. Por cada combinacin de electrn hueco,
penetra un electrn por el emisor generando una corriente llamada emisor (IE) y sale otro por
la base llamada corriente de base (IB), de esta forma el voltaje VBE garantiza un flujo
permanente a travs del circuito E-B. El resto de los electrones que no se recombinan con la
base, son atrados por el colector y se dirigen hacia el borne positivo de la fuente que polariza
la unin B-C, generando una corriente llamada corriente de colector (IC).
La expresin matemtica que relaciona estas corrientes est dada por:
= + . 3.0
Versin: 1
En realidad solo del 1% al 5% de los electrones generados por el emisor se recombinan
con la base, y aproximadamente del 95% al 99% de estos son atrados por el colector, razn
por la cual la corriente de base IB se desprecia en muchas ocasiones para fines prcticos de
diseo.
. 3.1
Por lo regular el fabricante especifica la mxima corriente IC o de IE que puede manejar
el transistor, las mximas tensiones de polarizacin del transistor.
3.5.1.2 Pruebas del transistor bipolar
Se debe recordar que un transistor est formado por dos diodos unidos entre s, que
funcionan con un requerimiento de polarizacin en directo e inversa, tal como se muestra en la
figura 3.5. Esto indica que las resistencias de cada diodo suelen tener lecturas de alto y bajo
ohmiaje.
Figura 3.5. Equivalencia de los transistores NPN y PNP
Antes de iniciar con las lecturas de resistencia del transistor se debe identificar las
terminales del mismo, para esto se puede recurrir a un buscador en internet y colocar el nmero
impreso que se encuentra en el dispositivo, all le mostrara el smbolo y su respectivos pines.

Versin: 1
Para probar un transistor NPN coloque la punta Roja del ohmmetro en la base y sin
moverla coloque la punta negra en el emisor y observe su lectura, y luego coloque la punta negra
en el colector y observe su lectura. Las resistencias deben ser bajas, debido a que ambos diodos
conducen. Ahora coloque la punta negra en la base y la roja inicialmente en el emisor y luego
en el colector. En este caso las lecturas de resistencias debern ser altas debido a que ambos
diodos estn polarizados en inverso. Por ultimo coloque la punta roja en el colector y la negra
en el emisor, la resistencia debe ser alta ya que los diodos no conducen. Si al culminar estas
pruebas se nota que no ha cumplido con algunas de estas condiciones, eso indica que el
dispositivo deber cambiarse por otro de las mismas especificaciones tcnicas. En la figura 3.6
se muestra la forma de colocar las puntas del ohmmetro.
Figura 3.6. Pruebas de los transistores bipolares
a) Transistor NPN b) Transistor PNP
Fuente: Ezarenamu,Hompla. (2013).
Para probar un transistor PNP coloque la punta Negra del ohmmetro en la base y sin
moverla coloque la punta Roja en el emisor y observe su lectura, y luego coloque la punta Roja
en el colector y observe su lectura. Las resistencias deben ser bajas, debido a que ambos diodos
conducen. Ahora coloque la punta Roja en la base y la Negra inicialmente en el emisor y luego
Versin: 1
en el colector. En este caso las lecturas de resistencias debern ser altas debido a que ambos
diodos estn polarizados en inverso. Por ultimo coloque la punta negra en el colector y la Roja
en el emisor, la resistencia debe ser alta ya que los diodos no conducen. Si al culminar estas
pruebas se nota que no ha cumplido con algunas de estas condiciones, eso indica que el
dispositivo deber cambiarse por otro de las mismas especificaciones tcnicas.
3.5.1.3. Configuraciones bsicas de circuitos amplificadores con transistores.
Dependiendo de cuales de las terminales del transistor se emplee al mismo tiempo como
entrada y salida del circuito se tendrn configuraciones de:
a) Base Comn.
b) Emisor comn
c) Colector Comn.
3.5.1.3.1 Configuracin base comn
Un circuito de base comn se identifica porque la seal de entrada es aplicada entre el
emisor y la base, y su salida es obtenida entre el colector y la base, tal como se ilustra en la
figura 3.7.Se utilizan mucho en amplificadores de alta frecuencia.
Figura 3.7. Configuracin Base comn

Versin: 1
Entre sus caractersticas se encuentran:
Provee ganancia de voltaje y de potencia pero no de corriente.
La relacin entre IC/IE se denomina ganancia y es siempre menor que uno.
La impedancia de entrada es muy baja (30 a 40).
La impedancia de salida es alta ( 1M a 2M)
3.5.1.3.2 Configuracin Emisor comn
Un circuito de emisor comn se identifica porque la seal de entrada es aplicada entre la
base y el emisor, y su salida es obtenida entre la Emisor y el colector, tal como se ilustra en la
figura 3.8.Se utilizan mucho en amplificadores de baja frecuencia
Figura 3.8. Configuracin Emisor comn
Entre sus caractersticas ms comunes se encuentran:
Provee ganancia de voltaje, corriente y de potencia.
La relacin entre IC/IB se denomina ganancia de corriente o hfe, sta es > 1
La impedancia de entrada es moderada (1K a 10K).

Versin: 1
La impedancia de salida es moderada ( 10K a 50K)
3.5.1.3.3 Configuracin Colector comn
Un circuito de colector comn se identifica porque la seal de entrada es aplicada entre
la base y el colector, y su salida es obtenida entre la base y el emisor, tal como se ilustra en la
figura 3.9.Se utilizan mucho para acoplamiento de seales de alta resistencia con carga de baja
resistencia, lo cual hace que la carga exija demasiada corriente de la fuente y se garantiza que
la carga reciba la misma tensin de la fuente de alimentacin.
Figura 3.9. Configuracin colector comn
Entre sus caractersticas ms comunes se encuentran:
Provee ganancia de corriente y de potencia pero no de voltaje.
La impedancia de entrada es alta (mayor 100K).
La impedancia de salida es baja ( menor a 100)

Versin: 1
3.5.1.4 Polarizaciones en DC y recta de carga de los transistores Bipolares.
La polarizacin consiste en suministrar los voltajes y corrientes adecuados para que
transistor opere en el punto Q de la recta de carga deseado.
3.5.1.4.1 Polarizacin fija.
Figura 3.10. Polarizacion fija de un transitor bipolar
De acuerdo a la malla de entrada del circuito de polarizacin fija se tiene que:
= + . 3.2
De la malla de salida:
= + . 3.3
La ecuacin que relaciona las dos mallas es:
= . 3.4
Versin: 1
A partir de la expresin de salida Vcc = RC IC + VCE , se traza la recta de carga
haciendo Ic=0 y luego VCE=0
Para IC=0 , resulta Vcc = VCE . 3.5
VCC
Para VCE=0 resulta IC = . 3.6
RC
La recta de carga para fines prcticas de anlisis se grafica sobre las caractersticas de
salida del transistor como se muestra en la figura 3.11.
Figura 3.11. Recta de carga esttica
Fuente: Martnez, Delia (2014)
Si la corriente de base IB varia por efecto de la variacin de RB el punto Q se desplazara
hacia arriba o hacia abajo sobre la recta de carga. Si por el contrario se varia la resistencia RC,
manteniendo constante el voltaje VCC, entonces la recta se desplazara sobre el eje vertical de
las caractersticas de salida. Teniendo en cuenta la ubicacin del punto Q, sobre la recta de carga
se puede establecer en que regin est operando un transistor. Esta regin de operacin del
Versin: 1
transistor depende del valor obtenido de la relacin del voltaje colector emisor y voltaje de
alimentacin:
VCE
Qdc = . 3.7

0 < Qdc 0.2 Regin de Saturacin
Qdc = 0.2 < Qdc 0.8 Regin activa
0.8 < Qdc 1 Regin de corte
Potencia de salida RMS.
El transistor tiene dos modo de operacin. Uno cuando se encuentra en reposo o esttico
( no se aplica seal) y otro en modo Dinmico cuando se le aplica seal. En el modo esttico el
transistor esta absorbiendo potencia de la fuente de alimentacin DC, llamada PDC cuyo valor
es igual a:
PDC = . 3.8
ICQ= corriente de colector en el punto Q
VCC= voltaje de alimentacin del transistor.
El transistor como interruptor.
Como es bien sabido, un interruptor es un dispositivo elctrico o electrnico que posee
dos condiciones de operacin: abierto o cerrado. Cuando se encuentra cerrado tiene una baja
resistencia y cuando est abierto presenta una alta resistencia. El transistor bipolar se puede usar
Versin: 1
como interruptor electrnico, tal como se muestra en la figura 3.11. Si se aplica un voltaje entre
el la base y el emisor (VBE), circulara una corriente del colector hacia el emisor debido a que
la resistencia entre dichos terminales se hace baja. Este comportamiento es similar a un switche
cerrado. Si el voltaje aplicado entre el la base y el emisor (VBE) es nulo o demasiado pequeo,
la resistencia entre dichos terminales ser demasiado elevada, lo cual impedir que circule la
corriente. Esto comportamiento es similar a un switche abierto.
Los puntos de corte y saturacin del transistor , se obtienen a partir de las expresiones
siguiente:
Para IC=0 , resulta el corte como: Vcc = VCE . 3.5
VCC
Para VCE=0 resulta saturado con: IC = . 3.6
RC
3.5.1.4.2 Polarizacin universal o por divisor de tensin
La polarizacin ms utilizada y que suministra mejor estabilidad es la polarizacin
universal. Su circuito tpico se encuentra en la figura 3.12 y si circuito equivalente thevenin en
la figura 3.13.
Figura 3.12. Circuito polarizado por divisor de tensin

Versin: 1
Figura 3.13. Circuito equivalente de Thevenin del circuito polarizado por divisor de tensin
Aplicando Thevenin al circuito de entrada se tiene que:
Resistencia Thevenin o de base RB
R1 R2
RTh = RB = . 3.23
R1 + R2
Voltaje Thevenin o de base VBB
R2VCC
VTh = VBB = . 3.24
R1+R2
Ahora hallando R1 y R2:
Dividiendo RTh entre VTh resulta:
RB R1
= . 3.25
VBB VCC
Despejando R1:
RB VCC
1 = . 3.26
VBB
Ahora reemplazando R1 en la ecuacin de Vth y despejando R2 se tiene:
RB VCC
2 = . 3.27
VCC VBB
Versin: 1
Malla de salida del circuito de la figura 3.12.
= + + . 3.28
De donde:
= ( + ) . 3.29
Como
= . 3.13
= . 3.30
Se tiene que:
= ( + ) . 3.31
Aproximando
Finalmente resulta
= ( + ) . 3.32
El punto de Saturacin se obtiene haciendo VCE=0
VCC
= . 3.33
RC + RE
El denominador de la ecuacin 3.33 (RE+RC) , se denomina recta de carga en DC.
El punto de corte se obtiene haciendo IC=0
= . 3.35
Malla de entrada del circuito de la figura xx.

Versin: 1
= + + . 3.34
Como la corriente de emisor es:
= ( + 1). . 3.35
Reemplazando IE en ecuacin xx y despejando IB se tiene.
VBB VBE
= . 3.36
RB + ( + 1). RE
Otras frmulas:
El voltaje colector base est dado por:
= . 3.37
3.5.1.4.3 Criterio de diseo para circuitos polarizados por divisor de tensin
Existen unas series de pasos que permiten colocar en el punto Q de operacin del
transistor en la mitad de la recta de carga. Por tanto, dicho transistor trabajar en la regin activa
(amplificador de seal).
Pasos:
1. Seleccionar el voltaje colector emisor
VCC
VCE = . 3.38
2
2. Voltaje de Resistencia de emisor
VCC
VRE = . 3.39
10
3. Seleccionar voltaje de resistencia de colector

Versin: 1
VRC = 0.4 VCC Ec. 3.40
4. Resistencia de colector
VRC
RC = . 3.41

5. Resistencia de emisor
VRE
RE . 3.42

6. Resistencia de base
RB 0.1.RE Ec.3.43
7. Voltaje de base
+ 0.1 . 3.44
8. Resistencia R1
RB VCC
1 = . 3.45
VBB
9. Resistencia R2.
RB VCC
2 = . 3.46
VCC VBB
Versin: 1
3.5.1.4.4. Autopolarizacin o polarizacin realimentada por colector
Figura 3.14 Autopolarizacin o polarizacin realimentada por colector
Malla de entrada
= + + . 3.18
Como:
= . 3.4
Al reemplazar IC en ecuacin siguiente se tiene que:
= ( + ) + . 3.19
Otra ecuacin de entrada puede ser:
= . 3.20
Malla de salida
= + . 3.3
Versin: 1
3.5.2 Ejercicios resualtos sobre polarizacin en DC y recta de carga
Polarizacion fija
1. Para el circuito de polarizacin fija de la figura 3.10 se dan las curvas caractersticas
de la figura 3.11 . Si el circuito se ha polarizado con un VCC = 15 V y resistencia de carga RL
de 5 K.Calcular la ganancia o hfe y la potencia en DC disipada por el transistor y el voltaje
sobre la resistencia de carga.
Solucin:
De acuerdo a la figura 3.11, el punto Q muestra un VCEQ= 8V y una ICQ=3.3 mA, al
igual que una corriente de base seleccionada de 20 A. Considere un voltaje de ruptura o codo
del transistor de VD= 0.7v
Despejando de la Ecuacin 3.4
= . 3.4
Se tiene que es:
IC
= . 3.9
IB
3.3 mA
= = 165
20A
Ahora el voltaje sobre RL se obtiene a partir de la expresin:
= . 3.10
Reemplazando valores se tiene que:
= 15 8 = 7
Versin: 1
La potencia en DC se obtiene a partir de la expresin
PDC = . 3.8
Reemplazando valores resulta:
PDC = 8 3,3 = 26.4
2. Para el circuito de polarizacin fija de la figura 3.10 , se tiene un punto de operacin Q
ubicado en la mitad de la recta de carga, con un VCEQ= 12V. De acuerdo a las especificaciones
tcnicas del fabricante este trabaja con una corriente de colector IC= 20mA en la regin Activay
una ganancia de 100 y VBE=0.7V. Calcular:
a) Resistencia de colector RC.
b) Resistencia de base RB
Solucin:
Podemos pensar que el voltaje de alimentacin VCC en el doble del voltaje VCE en el
punto Q, por tanto:
= 2 . 3.11
Reemplazando se tiene que:
= 24
Ahora de la malla de salida del circuito el voltaje sobre RC es:
= . 3.12
Por ley de ohm
= . 3.13
Versin: 1
Por tanto
VCC VCEQ
RC = . 3.14
IC
Sustituyendo valores
24V 12V
RC = = 600
20mA
b) Para hallar RB debemos obtener IB a partir del valor de
IC
IB = . 3.15

20
IB = = 0.2
100
Entonces la RB est dada por:
= + . 3.16
Despejando RB se tiene:
VCC VBE
RB = . 3.17
IB
24V 0.7V
RB = = 116.5
0.2mA
Polarizacin por Divisor de tensin
3. Calcular el punto Q de operacin del circuito de polarizacin universal mostrado en la
figura 3.15, si el voltaje base emisor VBE= 0.7V y el =60. En qu regin se encuentra
trabajando el circuito.
Versin: 1
Figura 3.15. circuito polarizado por divisor de tensin
Solucin
Obteniendo RB y VBB a partir de las ecuaciones siguientes
R1 R2 25K 4K
RB = = = 3.45 . 3.23
R1 + R2 25K + 4K
R2 VCC 4K 12V
VBB = = = 1.66
R1 + R2 25K + 4K
Para obtener el valor de IB reemplazamos valores en la ecuacin
VBB VBE 1.66V 0.7V

= = = 10 . 3.36
RB + ( + 1). RE 3.45K + (60 + 1). 1.5K
Como
= . . 3.4
Reemplazando IB en el punto Q Se tiene:
= . = 60 10 = 600 . 3.4
Versin: 1
Ahora el voltaje colector emisor est dado por.
= ( + ) . 3.32
= 12 600(6 + 1.5) = 7.5
Teniendo en cuenta la ubicacin del punto Q, sobre la recta de carga se puede establecer
en que regin est operando un transistor. Y depende del valor obtenido de la relacin de:
VCE
Qdc = . 3.7

Por tanto
7.5V
Qdc = = 0.625
12
El transistor se encuentra trabajando en la regin activa debido a que:
0.2 < Qdc 0.8 Regin activa
3.5.2.3 Ejemplo usando los criterios de diseo para polarizacin por divisor de tensin.
1. Disear el circuito polarizado por divisor de tensin de la figura 3.12 , para que trabaje
en plena regin activa ( amplificador de seal). Se cuenta con una fuente de alimentacin de 12
V, un trnasitor con un ganancia en DC de =90, y VBE= 0.7V.Si se desea una corriente de
colector de 4mA.
Solucin
Aplicando los criterios de diseos sealados anteriormente se tiene:
1. Voltaje colecto emisor

Versin: 1
VCC 12V
VCE = = = 6 . 3.38
2 2
2. Voltaje de Resistencia de emisor
VCC 12V
VRE = = = 1.2 . 3.39
10 10
3. Voltaje de resistencia de colector
VRC = 0.4 VCC = 0.4 12V = 4.8V Ec. 3.40
VRC 4.8V
RC = = = 1.2 . 3.41
4
5. Resistencia de emisor
VRE 1.2V
RE = 300 . 3.42
4
6. Resistencia de base
RB 0.1.RE 0.1 * 90 * 300= 2.7K Ec.3.43

7. Voltaje de base
+ 0.1= 0.7V+0.1* 12V= 1.9V Ec.3.44
8. Resistencia R1
RB VCC 2.7K 12V

1 = = = 17 . 3.45
VBB 1.9K
9. Resistencia R2.
RB VCC 2.7K 12V

2 = = = 3.2 . 3.46
VCC VBB 12V 1.9K
Versin: 1
Ejemplo de autopolarizacin
Para el circuito de polarizacin fija de la figura 3.10 , se tiene un punto de operacin Q
tcnicas del fabricante este trabaja con una corriente de colector IC= 10mA en la regin Activa
y una ganancia de 200 y VBE=0.7V. Calcular:
Podemos pensar que el voltaje de alimentacin VCC en el doble del voltaje VCE en el
punto Q, por tanto:
= 2 . 3.11
Reemplazando se tiene que:
= 30
Ahora de la malla de salida del circuito el voltaje sobre RC es:
= . 3.20
Por tanto
VCC VCEQ
RC = . 3.14
IC
Sustituyendo valores
30V 15V
RC = = 1.5
10mA
b) Para hallar RB debemos obtener IB a partir del valor de

Versin: 1
IC 10
IB = = = 50 . 3.15
200
Entonces la RB se obtiene a partir dela ecuacin:
= ( + ) + . 3.21
Despejando RB se tiene:
VCC VBE
RB = . . 3.22
IB
30V 0.7V
RB = 200 1.5 = 286
50A
3.5.3 Ejercicios propuestos sobre polarizacin en DC y recta de carga
1. Para el circuito de polarizacin fija de la figura 3.10. Si el circuito se ha polarizado con
un VCC = 12 V y resistencia de carga RL de 1 K. Calcular la ganancia o hfe y la potencia en
DC disipada por el transistor y el voltaje sobre la resistencia de carga, para un punto Q de
operacin de ICQ=3.3 mA y VCE= 5V

Versin: 1
Figura 3.16.Recta de carga en DC
Fuente: Martnez, Delia (2014)
ubicado en ICQ=4 mA y VCE= 7.5V, con un VCEQ= 12V. De acuerdo a las especificaciones
tcnicas del fabricante este trabaja con una corriente de colector IC= 10mA en la regin Activay
una ganancia de 200 y VBE=0.6 V. Calcular:
3. Calcular el punto Q de operacin del circuito de polarizacin universal mostrado en la
figura 3.12, cuyo valores resistivos son: R1= 30K, R2=5K,RC= 4K y RE= 1K. El voltaje base
emisor VBE= 0.5V y el =80. En qu regin se encuentra trabajando el circuito.
4. Disear el circuito polarizado por divisor de tensin de la figura 3.12 , para que trabaje en
plena regin activa ( amplificador de seal). Se cuenta con una fuente de alimentacin de 24V,
Versin: 1
un transitor con un ganancia en DC de =100, y VBE= 0.6 V.Si se desea una corriente de
colector de 2mA.
tcnicas del fabricante este trabaja con una corriente de colector IC= 20mA en la regin Activa
y una ganancia de 200 y VBE=0.6 . Calcular:
3.6. Leccin 2: ANLISIS DEL TRANSISTOR CON PEQUEAS SEALES Y BAJAS
FRECUENCIAS
Para el anlisis del transistor con pequeas seales y bajas frecuencias, es necesario
utilizar un circuito equivalente que representa al transistor en respuesta a las senales aplicadas.
Este circuito corresponde al modelo hibrido o modelo h, tal como se ilustra en la figura 3.18. El
fabricante entrega en sus hojas de datos los parmetros hibridos sealados en este modelo.
Figura 3.17. Modelo hibrido de un trnasistor bipolar

Versin: 1
De acuerdo al modelo hibrido se puede definir cada uno de los parmetros asi:
hie Resistencia de entrada con salida en corto circuito. Se expresa en ohmio
hre Relacin de voltajes con el circuito de entrada abierto
hfe Ganancia de corriente
hoe Conductancia de salida. Expresada en Mhos
Este modelo es estndar para cualquiera de las configuraciones sealadas anteriormente.
Solo cambia el segundo subndice; por ejemplo si este termina con la letra e, eso indica que
corresponde a una configuracin de emisor, si es una c, indica que es colector y si es una b,
indica que es de base comn.
3.6.1 Anlisis matemtico del modelo hibrido en configuracin emisor comun:
De la malla de entrada del modelo hibrido de la figura 3.18 se tiene:
= . + . . 3.47
De la malla de salida del modelo hibrido de la figura 3.16 se tiene:
= . + . . 3.48
Ganancia de corriente:

= = . 3.49
1 + .
Ganancia en voltaje:
.
= = . 3.50
(1 + . ) . .
Impedancia de entrada, Z1 :
Versin: 1
. .
1 = = . 3.51
1 + .
Impedancia de salida:

2 = = . 3.52
. .
Ganancia en potencia:
= . . 3.53
3.6.2 Ejemplo configuracin emisor comn
Dado el circuito de la figura 3.19 y su equivalente hibrido del circuito emisor comn de
la figura 3.18. hallar Ait, AVt, APt, Zi, Zo. Si hie= 2K, hre= 1x10-4 , hfe= 60 y hoe=10A/v
Figura 3.18. Circuito Emisor comn

Versin: 1
Figura 3.19.Equivalente hibrido del circuito emisor comn
Solucin
Reemplazando valores en la frmula de impedancia Z1, se tiene que:
Como ZL= RC=2k
. . 1x104 60 2
1 = = 2 = 1.99 . 3.51
1 + .
1 + 10 2
Reemplazando valores en la frmula de impedancia Z2, se tiene que:
2
2 = = = 142.8 . 3.52
. . 4
10 2 1x10 60
60
= = = 58.8 . 3.49
1 + .
1 + 10 2
Ganancia en voltaje :
.
= . 3 . 50
(1 + . ) . .
60 2
= = 59.17 .
(1 + 10x106 2 )2 1x104 60 2
Versin: 1
Ahora la impedancia de entrada zi est dada por
= //1 = 1.95 . 3.51
Ahora la impedancia de salida Zo est dada por
= //2 = 133.2 . 3.52
La ganancia de corriente total est dado por:

= . 3.54
( + 1)
Reemplazando:
100
= 58.8 = 57.66
(100 + 1.98)
La ganancia de voltaje total, para este caso es el mismo voltaje vo/vi

= = = 59.17 . 3.55

La ganancia en potencia total es:
= . 3.53
= 57.66 (59.17) = 3.411
3.6.3 Ejercicios sobre diseo de amplificadores de pequea seal
En un amplificador de baja seal, como es el caso de los amplificadores de clase A, el
punto de funcionamiento y la seal de entrada hacen que la corriente circule siempre en el
circuito de salida, ya que estos operan esencialmente en la regin activa, donde el punto Q se
ubica muy prximo a la mitad de la recta de carga. Las Variaciones de la corriente de base
generada por la seal de entrada al amplificador, producirn una variacin de las corrientes de
Versin: 1
salida (corriente de colector). Si estn en la zona de linealidad, la seal de salida ser
amplificada, mas no recortada. En la figura 3.21 se muestra las curvas caractersticas de un
amplificador clase A, tales como: Seal de entrada , seal de salida y recta de carga.
Cuando se trata de disear amplificadores clase A, se busca siempre que el punto Q de
operacin se encuentre en el centro de la recta de carga, para garantizar que trabaje el
amplificador en el punto ptimo de la regin activa.
Figura 3.20: Curvas caracterstica de un amplificador clase A
Fuente:Nio ,Jos (2010).
Disenar el amplificador clase A polarizado por divisor de tensin que se ilustra en la figura
3.13. Si el punto de operacin Q se ubica en un VCE= 6v ,una ICQ= 10mA, VBE=0.65v ,IBQ=
51.5A. Se cuenta con unos parmetros hbridos de: hie= 1.5k, hfe= 150, hre= 2.5x10-4 y
hoe=30A/v. adems se debe cumplir con una ganancia Ait=60 y una impedancia Zi= 1.5k
Versin: 1
Anlisis en DC.
Malla de salida
= ( + ) . 3.32
Malla de entrada
Como la corriente de emisor es:
= ( + 1). . 3.35
Reemplazando IB en ecuacin xx se tiene que:

= ( + ) + . 3.56

Resistencias de polarizacin del amplificador,
RB VCC
1 = . 3.45
VBB
RB VCC
2 = . 3.46
VCC VBB
Para el anlisis en AC se tienen en cuenta las ecuaciones obtenidas del circuito
equivalente hibrido de la figura 3.20.
Criterios de diseo:
Punto QDC en la mitad de la recta de carga DC, lo cual implica que:
= 2 . 311
Tambin por criterios se tiene que:

Versin: 1
4 . 3.40
Con el siguiente criterio se asegura que la corriente que circula por por las resistencias
R11 y R2 sean mayor que las corrientes que circula por la base. Con esto se aumenta la
estabilidad del amplificador
0.1 . 3.43
A partir de estas formulas, se obtiene el voltaje de alimentacin VCC y los valores
resistivos del circuito de la figura 3.13.
= 2 = 2 5 = 12 . 311
como
= ( + ) . 3.32
despejando (RC+RE) se tiene:

= ( + ) . 3.57

Por tanto
12 6
= ( + ) . 3.58
10
( + ) = 0.6 . 3.59
Por criterio .
1. Voltaje de resistencia de colector
VRC = 0.4 VCC = 0.4 12V = 4.8V Ec. 3.40

Versin: 1
VRC 4.8V
RC = = = 1.2 . 3.60
4
Si se reemplaza el VRC de la ecuacin 3.40 en la ecuacin 3.60, resulta:
0.4 VCC
RC = . 3.61

Reemplazando valores se obtiene el valor de RC
0.4 12V
RC = = 0.480
10
Ahora la resistencia de emisor esta dada por:
( + ) = 0.6 . 3.59
(0.480 + ) = 0.6 . 3.59
= 0.12
Como la ZL es la misma RC. Entonces
= 0.480
A partir de las ecuaciones del equivalente hibrido se tiene que:
200
= = = 196.2 . 3.49
1 + .
1 + 40 0.480

Como la ganancia de corriente total es 100, se reemplaza :

= . 3.62
( + 1)
Versin: 1
Reemplazando:

100 = 196.2 . 3.62
( + 1)
Despejando RB resulta:
=1.038K
De los parmetros dados por el problema se tiene que:

= . 3.9

Reemplazando
10
= = 200
50
Se puede norar que el en DC coincide con el hfe en AC, no siempre es as.
Malla de entrada

= ( + ) + . 3.59

1.038
= ( + 0.12) 10 + 0.6 = 1.85
200
Resistencias de polarizacin del amplificador,

Versin: 1
RB VCC 1.038 12
1 = = = 6.7 . 3.45
VBB 1.85
RB VCC 1.038 12
2 = = = 1.23 . 46
VCC VBB 12 1.85
3.6.3 Ejercicios propuesto sobre diseo de amplificadores de pequeas seales
1. Dado el circuito de la figura 3.18 y su equivalente hibrido del circuito emisor comn
de la figura 3.19. hallar Ait, AVt, APt, Zi, Zo. Si hie= 1K, hre= 2x10-4 , hfe= 100 y hoe=20A/v.
2. Disenar el amplificador clase A polarizado por divisor de tensin que se ilustra en la
figura 3.12. Si el punto de operacin Q se ubica en un VCE= 5v ,una ICQ= 20mA, VBE=0.65v
,IBQ= 51.5A. Se cuenta con unos parmetros hbridos de: hie= 1k, hfe= 100, hre= 2x10-4 y
hoe=10A/v. adems se debe cumplir con una ganancia Ait=80 y una impedancia Zi= 1k
Versin: 1
4. Recursos
4.1 Fsicos
Computadores
Aula de encuentro presencial
Mdulo de Circuitos I
4.2 Tecnolgicos
Computador con conexin a internet
4.3 Audiovisuales
1 Video Beam
1 Retroproyector.
1 Cmara de video
4.4 Telecomunicaciones
Correo institucional
Chat en aula Virtual.
Foro en aula Virtual.
Plataforma SPLAVIA
Versin: 1
5. Sistema de Evaluacin
Corte Actividad Porcentaje Porcentaje Temas
Corte
Primer 1. Nociones bsicas

50%
parcial de electricidad
Gua de 2. Componentes
Aprendizaje: 50% electrnicos:

Primero 30%
Unidad 1 resistencia
condensadores y
bobinas
Total 100%
3. Ley de ohm
Segundo 1. Leyes de Kirchhoff y

50%
parcial
Gua de 2. Superposicin y
Segundo Aprendizaje: 50% 30% thevenin
Unidad 3
3. Diodos
Total 100%
semiconductores
Tercer
Tercero 50% 40%
parcial 1. transistores
Versin: 1
Gua de
Aprendizaje: 50%
Unidad 3
Total 100%
Total 100%
6. Cronograma Calendario
Unidades de aprendizaje
CRONOGRAMA (FECHA INICIO - FECHA FINAL)
Tie
mpos
Resultad Porcenta
de
Activida Entregable (Evidencias que el o de je
Entreg
d Inicial Aprendiz entrega) Aprendizaj Puntuacin
a
e Mxima
Fecha
Limite
Gua de Un Documento Word:

Ejercicio Sem
Aprendizaj SuApellido_Nombre_componente 30
s Resueltos ana 6
e: Unidad 1 s
Versin: 1
Gua de Un Documento Word: Ejercicio
Aprendizaj SuApellido_Nombre_Diodos s Resueltos. Sem

35
e: Unidad 2 ana 6
Gua de Un Documento Word:
Aprendizaj SuApellido_SuNombre_transistor Ejercicio Sem

35
e: Unidad 3 es s Resueltos ana 4
Encuentros presenciales
Fechas Actividad Aula Sede
Primera Socializacin Conceptos bsicos Asignada Asignada
semana de electricidad por el DRE por el DRE
Segunda socializacin de ejercicios de Asignada Asignada
semana resistencias y conexiones entre DRE DRE
resistencias
Tercera el capacitor, elementos Asignada Asignada
semana almacenadores de energia DRE DRE
Cuarta Ejercicios sobre inductancias Asignada Asignada

Versin: 1
semana equivalentes en series, paralelos por el DRE por el DRE
Quinta Ejercicios de autoevaluacin Asignada Asignada
Semana sobre circuitos serie y circuito DRE DRE
paralelo.
Sexta Semana Ejercicios de autoevaluacin Asignada Asignada
sobre tcnicas de anlisis nodal DRE DRE
Sptima Primeros parciales Asignada Asignada
Semana por el DRE por el DRE
Octava Ejercicios de autoevaluacin Asignada Asignada
Semana principio de superposicin DRE DRE
Novena Ejercicios de autoevaluacin Asignada Asignada
Semana sobre el teorema de Thevenin DRE DRE
Decima Ejercicios sobre rectificacin de Asignada Asignada
Semana seales y regulacin de voltaje y por el DRE por el DRE
autoevaluacin de diodos
Onceava Ejercicios y autoevaluacin Asignada Asignada
Semana sobre regulacin zener DRE DRE
Doceava Ejercicios sobre filtro de media Asignada Asignada
Semana onda y onda completa por el DRE por el DRE
Treceava II parciales Asignada Asignada

Versin: 1
Semana DRE DRE
Catorceava Ejercicios propuestos sobre Asignada Asignada
Semana polarizacin en DC y recta de carga DRE DRE
Quinceava Ejercicios propuesto sobre Asignada Asignada
Semana diseo de amplificadores de por el DRE por el DRE
pequeas seales
Dieciseisava Examen final Asignada Asignada
Semana DRE DRE
Evaluaciones
Fechas Aula Sede
Semana 7 Asignada por el D.R.E Asignada por el
D.R.E
D.R.E
D.R.E
Versin: 1
Talleres
Nombre Descripcin Fecha Sede
Sistemas Realizar ejercicios de Seman Asignada
Internacional simplificacin de resistencias serie, a 4
de medidas paralelas y mixtas
Leyes para Realizar ejercicios de sobre Seman Asignada
el anlisis de diodos a 10
circuito
Tcnicas Realizar ejercicios de transistores Seman Asignada
tiles para el a 15
anlisis de
circuito
Sesiones de Chat
Fecha y hora Ttulo
Semana 1 De acuerdo a la unidad que se est
desarrollando.
desarrollando.
Versin: 1
desarrollando.
desarrollando.
Seguimiento a proyectos de Aula
Tareas
Temas Fecha
Presentar propuesta Semana 3
Presentar primer avance Semana 6
Presentar informe final y sustentacin Semana 14
Video conferencias
Fecha Tema
No programado No programado
Prctica de campo
Fecha Tema
No programado No programado
Versin: 1
Eventos
Fecha Tipo de evento Ciudad y/o pas
No programado No programado No programado
7. Glosario
Elemento Activo: Son aquellos que responde linealmente a la corriente, es decir no
modifican sustancialmente sus caractersticas de corriente y voltaje Ej. Resistencias, bobinas
Elemento pasivo: Procesan las seales en una forma no lineal, estos elementos son los
que realizan el trabajo fundamental del circuito. Ej. Los transistores, diodos, bateras
Circuito elctrico: Conexin de dos o ms elementos, cuya funcin es la realizar un
trabajo
Fuente ideal de voltaje: Fuente que produce una salida de voltaje que no depende del
valor de la resistencia de carga Ej. Una Batera
Fuente real de voltaje: es una fuente ideal de voltaje en serie con una resistencia interna
de la batera
Nodo: Punto de conexin de dos o ms elementos de circuito
Malla: Es un lazo generado por la trayectoria de la corriente en el momento que sale
de un punto x del circuito y regresa al mismo punto

Versin: 1
8. Bibliografa
Hayt, William & Kemmerly, Jack. (2007). Anlisis de Circuito en Ingeniera (7
edicin).Editorial Mc Graw Hill.
Dorf Suoboda. (2007). Circuitos Elctricos (5 edicin). Editorial Alfa y Omega.
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hall Hispanoamericana.
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Andaluza.
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Versin: 1
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BJT o Transistor de Unin Bipolar (NPN y PNP). Recuperado el 12 de Enero de 2015 de
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enero de 2016 de https://sites.google.com/site/anilandro/01911-elecbasica-02
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http://www.lcardaba.com/articles/R_tipos/R_tipos.htm
Fuente: Llama Luis (2015). Lectura de un potencimetro con arduino .Recuperado de
http://www.luisllamas.es/2015/01/lectura-de-un-potenciometro-con-arduino/
10. Tiempo mximo del mdulo
48 horas (16 semanas)
11. Perfil del TUTOR(A)
Ingeniero Electrnico, Especialista en Administracin de Empresas, Especialista en
Entornos Virtuales de Aprendizaje. 15 aos de experiencia en educacin formal en
Instituciones Universitarias (Fundacin Instituto Tecnolgico Comfenalco FITC,
Universidad Antonio Nario, Universidad de san Buena ventura y actualmente en la
Fundacin Tecnolgica Antonio de Arvalo TECNAR.

Versin: 1

Versin: 1
FACULTAD CIENCIAS DE LA INGENIERA

ELECTRNICA GENERAL
TULIO ENRIQUE MUENTES CERVANTES

Versin: 1
ELECTRNICA BSICA
Fundacin Antonio de Arvalo, TECNAR
Autor: TULIO ENRIQUE MUENTES CERVANTES
Diseo de la Plantilla y Estructura del mdulo: Astrid Caldern Hernndez
Diagramacin, Portadas y Arte Grfico: Douglas Jess Elles Torres
Primera Edicin: Agosto de 2016 - [Nmero de Ejemplares]
ELECTRNICA GENERAL
Fundacin Antonio de Arvalo - TECNAR
2015; 202 Pg.; 21.5 X 27.9 cm
Prohibida su reproduccin parcial o total, por cualquier medio o mtodo de este mdulo sin
previa autorizacin de TECNAR y la Empresa Editorial.
.
Versin: 1
GUA DE TRABAJO
U N I D A D I : NOCIONES BSICAS DE CIRCUITOS ELECTRICOS

Versin: 1
1.GUA DE TRABAJO DEL ESTUDIANTE
GUIA DE APRENDIZAJE ACTIVIDAD 1 - SEMANA n
1. Titulo
NOCIONES BSICAS DE CIRCUITOS ELECTRICOS
2. Temticas revisadas
Conceptos bsicos de Electricidad
Resistencias elctricas
Condensadores
Bobinas
Transformadores
3. Fecha de entrega
4. Actividad problematizadora general
Cada estudiante realizar un listado de ejercicios de autoevaluacin de la unidad I (leccin 1
hasta la leccin 4) propuestos por el docente en que demuestre la utilizacin correcta y la
comprensin de cada una de los conceptos estudiados. La lista de ejercicios estar en un
documento Word.
5. Producto esperado
Ejercicios Resueltos en un Documento Word
6. Forma de Entrega
El trabajo ser re remitido al docente en archivo Word con nombre y extensin:
SuApellido_SuNombre_componentes.doc
7. Rubrica de evaluacin
Versin: 1
RUBRICA TRABAJO INDIVIDUAL DE REALIZACION DE EJERCICIOS
Criterios de EXELE BUEN MEJORA CON Mxi
Evaluacin NTE O BLE SERIAS mo
DIFICULT Punt
ADES aje
Errores 90-100% Casi La mayor Ms del 45% 100
Matemtico de todas parte (65- de %
s las (80- 79%) de las soluciones
solucion 89%) las las tienen errores
es solucio soluciones matemticos
no tienen nes no tienen
errores no errores
matemti tienen Matemtic
cos errores os.
matem
ticos
Uso Es En la Tiene Tiene poca 100
Correcto de acertado mayor muchos claridad en el %
las en a de errores en momento de
escoger el escoger la
Versin: 1
Operacione las los momento operacin que
s operacio ejercicios de debe aplicar
nes (entre escoger la en
de forma 80- operacin Cada
correcta 89%) que debe ejercicio.
en tiene aplicar en Mayor al 35%
ms de claridad cada
un en Ejercicio.
90%. las Entre el
operaci 65-
ones 79%)
que
debe
Utilizar
.
Versin: 1

Versin: 1
1. Titulo
LEYES DE TENSIN Y DE CORRIENTE
Ley de ohm, circuitos serie y paralelos.
Leyes de Kirchhoff, anlisis nodal y malla
Teorema de thevenin
Superposicin
3. Fecha de entrega
Cada estudiante realizar un listado de ejercicios de autoevaluacin de la unidad I (leccin
5 y hasta la leccin 7) propuestos por el docente en que demuestre la utilizacin correcta y la
comprensin de cada una de los conceptos estudiados. La lista de ejercicios estar en un
documento Word.
6. Forma de Entrega
SuApellido_SuNombre_Leyes.doc
Versin: 1
Criterios EXELEN BUENO MEJORA CON SERIAS Mxi
de TE BL DIFICULTA mo
Evaluaci E DES Puntaj
n e
Errores 90-100% Casi La mayor Ms del 45% 100%
Matemti de todas parte (65- de
cos las (80-89%) 79%) de las soluciones
soluciones las las tienen errores
no tienen solucione soluciones matemticos
errores s no tienen
matemtic no tienen errores
os errores Matemtic
matemti os.
cos
Uso Es En la Tiene Tiene poca 100%
Correcto acertado mayora muchos claridad en el
de en escoger de errores en momento de
las las el escoger la

Versin: 1
Operacio operacion los momento operacin que
nes es ejercicios de debe aplicar en
de forma (entre 80- escoger la cada ejercicio.
correcta 89%) operacin Mayor al 35%
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Utilizar.
Versin: 1
U N I D A D I I : TEORIA DE SEMICONDUCTORES
Versin: 1
GUA DE TRABAJO
1. Titulo
TEORIA DE SEMICONDUCTORES
Diodos de unin N-P
Diodo zener
Rectificadores de seales de media onda y onda completa.
Reguladores de voltaje
Filtros de media onda y onda completa
3. Fecha de entrega
Cada estudiante realizar un listado de ejercicios de autoevaluacin de la unidad II
(leccin 1 y leccin 2 y leccin 3,) propuestos por el docente en que demuestre la utilizacin
correcta y la comprensin de cada una de los conceptos estudiados. La lista de ejercicios estar
en un documento Word.
6. Forma de Entrega
SuApellido_SuNombre_Semiconductores.doc
Versin: 1
n e
errores s no tienen
os errores Matemtic
matemti os.
cos
de en escoger de errores en momento de
las las el escoger la

Versin: 1
Operacio operacion los momento operacin que
nes es ejercicios de debe aplicar en
de forma (entre 80- escoger la cada ejercicio.
correcta 89%) operacin Mayor al 35%
en tiene que debe
ms de un claridad aplicar en
90%. en cada
las ejercicio.
operacion Entre el
es 65-
que debe 79%)
Utilizar.
Versin: 1
U N I D A D I I I : TRANSISTORES
Versin: 1
GUA DE TRABAJO
1. Titulo
TRANSISTORES
Construccin del transistor bipolar
Configuraciones bsicas de circuitos amplificadores con transistores.
Polarizaciones en DC y recta de carga de los transistores Bipolares.
Anlisis del transistor con pequeas seales y bajas frecuencias
3. Fecha de entrega
Cada estudiante realizar un listado de ejercicios de autoevaluacin de la unidad III
(leccin 1 y leccin 2 y leccin 3,) propuestos por el docente en que demuestre la utilizacin
correcta y la comprensin de cada una de los conceptos estudiados. La lista de ejercicios estar
en un documento Word.
5, Producto esperado
6. Forma de Entrega
El trabajo ser remitido al docente en archivo Word con nombre y extensin:
SuApellido_SuNombre_transistor.doc
Versin: 1
n e
errores s no tienen
os errores Matemtic
matemti os.
cos
de en escoger de momento de
Versin: 1
las las los errores en escoger la
Operacio operacion ejercicios el operacin que
nes es (entre 80- momento debe aplicar en
de forma 89%) de cada ejercicio.
correcta tiene escoger la Mayor al 35%
en claridad operacin
ms de un en que debe
90%. las aplicar en
operacion cada
es ejercicio.
que debe Entre el
Utilizar. 65-
79%)
Versin: 1

Electrónica General: Conceptos Básicos de Circuitos Eléctricos

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FUNDACIN TECNOLGICA ANTONIO DE ARVALO - TECNAR Fecha: 10/08/2016

FACULTAD DE CIENCIAS DE LA INGENIERA

ELECTRNICA GENERAL Pgina 1 de 206

FACULTAD CIENCIAS DE LA INGENIERA

TULIO ENRIQUE MUENTES CERVANTES

ELECTRNICA GENERAL Pgina 2 de 206

Programas de Educacin a Distancia

Fundacin Antonio de Arvalo, TECNAR

Autor: TULIO ENRIQUE MUENTES CERVANTES

Diseo de la Plantilla y Estructura del mdulo: Astrid Caldern Hernndez

Diagramacin, Portadas y Arte Grfico: Douglas Jess Elles Torres

Primera Edicin: Agosto de 2016 - [Nmero de Ejemplares]

Programas de Educacin a Distancia

Fundacin Antonio de Arvalo - TECNAR

2015; 202 Pg.; 21.5 X 27.9 cm

previa autorizacin de TECNAR y la Empresa Editorial.

ELECTRNICA GENERAL Pgina 3 de 206

4.1. Objetivo general 21

4.2 Objetivos especificos 21

6.1. competencias genricas. 23

6.2. competencias especficas......... 23

6.3 Competencias procedimentales/instrumentales 24

6.4. Competencias actitudinales. 24

1 UNIDAD 1: NOCIONES BASICAS DE CIRCUITOS ELECTRICOS 32

ELECTRNICA GENERAL Pgina 4 de 206

1.3 Estrategias pedaggicas o actividades de aprendizaje 32

1.4 Recursos de aprendizaje. 34

. 1.5 Leccin I: CONCEPTOS BSICOS DE ELECTRICIDAD 34

1.5.1. Cargas Elctricas y clasificacin de los elementos 34

1.5.1.1 Conductores, aisladores y semiconductores 35

1.5.1.2 Corriente Elctrica 36

1.5.1.3 Voltaje, Energa y Potencia 39

1.5.1.4 Circuito elctrico 41

1.5.1.4.1 Elementos de uno circuito elctrico 41

1.5.2. Ejemplos sobre variables de un circuito elctrico 43

1.5.3. Ejercicios de autoevaluacin de variables de un circuito 44

1.6 Leccin 2. RESISTENCIAS Y CONEXIONES ENTRE 45

1.6.1. Resistencia Elctrica 45

1.6.1.1 Tipos de resistencias elctricas 45

1.6.1.2 Cdigo de colores de las resistencias elctricas 48

1.6.1.3 Conexin de resistencia en serie. 50

1.6.1.4 Conexin de Resistencia en paralelo. 51

1.6.2 Ejemplos de arreglos de resistencia elctricas 52

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1.6.3. Ejercicios autoevaluacin sobre resistencia elctricas 53

1.7 Leccin 2: El CAPACITOR, ELEMENTOS ALMACENADORES DE 55

1.7.1 El condensador o capacitor 55

1.7.1.1 Capacitores en serie y en paralelo 57

1.7.2 Ejemplos sobre capacitancias equivalentes, en series y paralelos 58

1.7.3. Ejercicios sobre capacitancias equivalentes en serie y paralelo 60

1.8 Leccin 3: El INDUCTOR, ELEMENTOS ALMACENADORES DE 61

1.8.1 El inductor o bobina 61

1.8.1.1 Almacenamiento de energa en Inductores 62

1.8.1.2 Inductores en serie y paralelo 62

1.8.2 Ejemplo de inductancias equivalentes en series, paralelos 63

1.8.3 Ejercicios sobre inductancias equivalentes en series, paralelo 65

1.9 Leccin 4. EL TRANSFORMADOR Y SUS CLASIFICACIONES 65

1.9.2 Ejercicios resueltos sobre transformadores. 67

1.9.3 Ejercicio sobre transformadores. 68

1.10 Leccin 3. LEY DE OHM, CIRCUITOS SERIE Y PARALELOS 68

1.10.1 Ley de ohm .. 68

1.10.1.1 Circuito en serie 71

ELECTRNICA GENERAL Pgina 6 de 206