TECNOLOGIA DE MEMORIA

1. INTRODUCCION

2. QU ES LA MEMORIA?
2.1 Qu aspecto tiene la memoria?
2.2 Bancos y esquemas de memoria

3. CMO TRABAJA LA MEMORIA?

4. LOS DIFERENTES TIPOS DE MODULOS DE MEMORIA

4.1 SIMM de 30 contactos
4.2 SIMM de 72 contactos
4.3 Tarjetas PCMCIA de memoria
4.4 Mdulos DIMM
4.5 Small Outline DIMM (SO-DIMM)

5. FACTORES CARACTERISTICOS DE LA MEMORIA

5.1 Integridad de datos
El controlador de memoria
Control de paridad
ECC
5.2 Refresco
5.3 Voltaje
5.4 Mdulos compuestos y no compuestos

6 TIPOS DE MEMORIA
6.1 FPM (Fast Page Mode)
6.2 EDO (Extended Data Out)
6.3 BEDO DRAM (Burst Extended Data Out Dynamic RAM)
6.4 SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)

7 LA MEMORIA CACHE
8 LA MEMORIA DE VIDEO
9 MEMORIA NO VOLATIL: ROM
10 EL FUTURO
INTRODUCCION

Hoy por hoy, independientemente de la memoria RAM de que disponga un ordenador, nunca
parece suficiente. Y es que en la actualidad, la memoria se ha convertido en uno de los recursos
bsicos de un ordenador, ms an teniendo en cuenta las necesidades de las actuales aplicaciones
software. Hace unos aos, era raro encontrar equipos con ms de 1 2 Mb de RAM. Hoy por hoy,
cualquier sistema suele disponer de un mnimo de 8 Mb, aunque muchas aplicaciones aconsejan un
mnimo de 16 Mb y algunas otras (de alto rendimiento) requieren de 32 Mb en adelante.

Para hacernos una idea de cmo han cambiado las cosas, basta recordar una frase del libro
Dentro del PC, publicado por Peter Norton en 1983:

IBM ha equipado a todos sus ordenadores XT con lo que considera deben ser las
caractersticas mnimas para un ordenador personal serio. 10 Mb de disco duro y 128 Kb (un
octavo de Mb) son capacidades comprensibles para una mquina seria

1. QU ES LA MEMORIA?
En el campo de la informtica, se emplea la palabra memoria para referirse comnmente a la
Memoria RAM (Random Access Memory, memoria de acceso aleatorio). Un ordenador utiliza la
memoria RAM para almacenar temporalmente instrucciones y datos necesarios para la ejecucin de
programas. Esto hace posible que la unidad central de proceso (CPU o microprocesador) pueda
acceder muy rpidamente a los datos.

A menudo alguna gente confunde la memoria con los dispositivos de almacenamiento

masivo. El trmino memoria hace referencia a la cantidad de RAM instalada en el sistema,
mientras que el trmino almacenamiento hace referencia a la cantidad de espacio disponible en el
disco duro para almacenamiento fsico de datos. Otra diferencia muy importante es que los datos
almacenados en RAM desaparecen al desconectar el ordenador de la alimentacin elctrica. Esto no
ocurre con los discos duros. Es muy importante, por ello, salvar nuestro trabajo para que pase de
memoria a disco duro y as evitemos prdidas de informacin.

1.1 Qu aspecto tiene la memoria?

La memoria RAM suele estar integrada en forma de circuitos integrados, conocidos como
DRAM (Dynamic Random Access Memory, memoria dinmica de acceso aleatorio). El DRAM es
el tipo de chip de memoria ms comn en el mercado. La calidad de estos chips es un factor
determinante a la hora de determinar su durabilidad y su tolerancia frente a fallos. La denominacin
de dinmica indica que para que el chip de memoria mantenga sus datos necesita ser refrescado o
actualizado peridicamente. En cuanto a estos chips se les deja sin alimentacin elctrica, los datos
se pierden. Acceso aleatorio significa que cada celda de memoria del chip puede ser leda o
escrita en cualquier orden.

Los bits de la DRAM estn dispuestos en celdas, cada una de las cuales contiene un nmero
determinado de bits. Las celdas de la DRAM estn colocadas en forma de matriz y se accede a ellas
mediante una direccin de filas y columnas.
 Un acceso tpico a DRAM comienza por especificar la fila y despus la columna. Despus,
una seal dentro del chip se activa para determinar si el acceso que se est haciendo es de lectura o
escritura. Finalmente, el chip DRAM mueve el dato hacia o desde el bus de salida, dependiendo de
que sea una lectura o una escritura.

Los chips de memoria DRAM suelen venir principalmente en tres formas: DIP, SOJ y TSOP.

Los DIP (Dual Inline Package) fue un tipo de encapsulado muy popular en los
tiempos en que los circuitos de memoria se pinchaban directamente en la placa.
Podan aparecer soldados o incrustados en los zcalos en la placa.

Los SOJ (Small Outlined J-Lead) son otro tipo de encapsulado de memoria que se
montan directamente sobre la superficie del circuito impreso.

Finalmente, los TSOP (Thin, Small Outlined Package) se afianzaron en el

mercado con el nacimiento de los mdulos SIMM hasta el punto de convertirse
actualmente en la forma de encapsulado DRAM ms extendida.

Uno de las formas ms comunes de integracin de los chips DRAM es en forma de SIMM
(Single In-Line Memory Module, Mdulo de memoria simple en lnea) y DIMM (Dual In-Line
Memory Module, Mdulo de memoria dual en lnea). Un SIMM consiste en un determinado nmero
de chips DRAM integrados en una placa de circuito impreso que se inserta en un zcalo especfico
de la placa base. Un DIMM presenta la misma estructura, aunque con un nmero diferente de
contactos, adems de otras caractersticas que se vern ms adelante.

Existen dos tipos de SIMM: de 30 y de 72 contactos. Los primeros ya prcticamente estn

obsoletos. Los DIMM, por su parte, tienen 168 contactos y es hoy por hoy el tipo de memoria que
ms se integra en las actuales placas base.

1.2 Bancos y esquemas de memoria

La memoria se organiza en los ordenadores en lo que se llaman bancos de memoria. El

nmero de bancos as como su configuracin vara de un ordenador a otro ya que esto est
determinado por la forma en que cada microprocesador recibe la informacin. Las necesidades del
microprocesador son las que determinan el nmero de zcalos de memoria requeridos en cada
banco.

Un esquema de bancos es un diagrama de filas y columnas que muestra el nmero de

zcalos de memoria de un sistema. Esta representacin visual es una distribucin terica de los
bancos que ayuda al usuario a determinar los requerimientos de configuracin cuando se aade
memoria.
2. CMO TRABAJA LA MEMORIA?

2.1 Bits y bytes

Nuestro ordenador habla un lenguaje compuesto nicamente por ceros y unos. Esta forma de
comunicacin se denomina sistema digital binario, o en el caso de los ordenadores, cdigo mquina.
Este lenguaje mquina utiliza secuencias de ceros y unos para componer las instrucciones que
posteriormente reciben los diferentes dispositivos del ordenador, tales como microprocesador,
perifricos, unidades de disco duro, etc.

Un bit (BInary digiT) es la mnima unidad de informacin empleada por un ordenador, y

solamente puede tomar valor 0 o 1. Un byte es la agrupacin de 8 bits. Los bytes nos sirven para
agrupar los caracteres (letras, nmeros y una serie de signos adicionales) segn un cdigo estndar
internacional denominado ASCII (American Standard Code for Information Interchange). Todos
estos smbolos ASCII (hasta un total de 255) son los que se almacenan en memoria y con los que
trabaja internamente el ordenador.

Internamente, el intercambio de datos entre microprocesador y memoria se hace en

agrupaciones de bits denominadas palabra. Por ejemplo, un microprocesador con arquitectura de 32
bits puede leer o escribir en cada momento 32 bits y decimos que tiene una longitud de palabra de
32 bits. A esto se le llama ciclo de bus y es un factor determinante a la hora de medir las
prestaciones de un ordenador.
3. LOS DIFERENTES TIPOS DE MODULOS DE MEMORIA

3.1 SIMMs de 30 contactos

Son los SIMM propios de las primeras placas base con micros de 32 bits (386 y 486).
Supongamos una de estas placas con zcalos de 30 contactos, cada uno de los cuales soporta 8 bits
de datos. Necesitaremos 4 SIMMs de 30 contactos para conseguir los 32 bits. Tpicamente, estas
placas tienen 8 zcalos divididos en dos bancos de 4 zcalos cada uno. El microprocesador slo
puede direccionar uno de los dos bancos en cada momento.

En algunos ordenadores, el hecho de mezclar SIMMs de diferente capacidad en el mismo

banco, puede producir efectos tales como una mala deteccin de la cantidad de memoria del
sistema, o que el ordenador no arranque.

3.2 SIMMs de 72 contactos

Los SIMM de 72 contactos se desarrollaron para satisfacer

los requerimientos de expansin de memoria cada vez mayores. Un
SIMM de 72 contactos soporta 32 bits de datos, es decir, cuatro
veces el nmero de bits de datos soportado por los SIMM de 30
contactos. En placas base con micros de 32 bits (Intel 386 y 486) se
necesita slo un SIMM de 72 contactos por banco para proporcionar
al microprocesador los 32 bits de datos.

Con los microprocesadores Pentium, al tener 64 bits para

comunicaciones externas (aunque internamente sean micros de 32
bits), se necesita utilizar grupos de dos SIMM para proporcionar los
64 bits necesarios.
3.3 Memoria en tarjetas PCMCIA

Las tarjetas PCMCIA (Personal Computer Memory

Card International Association), del tamao de una tarjeta de
crdito, aunque ms gruesa, estn diseadas para su uso en
ordenadores porttiles, siendo su uso ideal en ordenadores
donde el espacio est limitado. Estas tarjetas PCMCIA, se
utilizan, entre otras cosas para proporcionar expansin de
memoria en este tipo de ordenadores. Existen otros tipos de
tarjetas PCMCIA para porttiles, no necesariamente de
memoria, tales como las tarjetas modem-fax o las tarjetas Ethernet.

3.4 Mdulos DIMM

Los mdulos DIMM (Dual In-Line Memory Module) son similares a los SIMM, aunque con
notables diferencias. Al igual que los SIMM, los DIMM se instalan verticalmente en los sockets de
memoria de la placa base. Sin embargo, un DIMM dispone de 168 contactos, la mitad por cada
cara, separados entre s. Los DIMM se instalan en aquellas placas que soportan tpicamente un bus
de memoria de 64 bits o ms. Tpicamente, son los mdulos que se montan en todas las placas
Pentium-II con chipset LX, y hoy por hoy se han convertido en el estndar en memoria.

3.5 Small Outline DIMM (SO-DIMM)

Otro tipo de memoria tpicamente utilizada en ordenadores porttiles es la llamada SO-

DIMM. Un SO-DIMM es muy parecido a un SIMM de 72 contactos, pero en un tamao reducido y
con una serie de diferencias tcnicas.
4. FACTORES CARACTERISTICOS DE LA MEMORIA

4.1 Integridad de datos

Uno de los aspectos en el diseo de la memoria implica el asegurar la integridad de los datos
en ella almacenados. Actualmente, existen dos mtodos principales para asegurar la integridad de
los datos:

1. Paridad: ha sido el mtodo ms comn usado hasta la fecha. Este proceso consiste en
aadir un bit adicional por cada 8 bits de datos. Este bit adicional nos indica si el nmero
de unos es par o impar (igual se puede hacer con los ceros. A esto se denomina criterio
de paridad par o impar).

2. Cdigos de Correccin de Errores (ECC): Es un mtodo ms avanzado de control de

la integridad de los datos que puede detectar y corregir errores en bits simples.

Debido a la competencia de precios, la norma ms habitual es la de no introducir mtodos de

control de la integridad de los datos en la memoria, siendo ms caros aquellos mdulos que s
incluyen alguno de estos dos mtodos de control de errores.

El controlador de memoria

Tambin conocido como MMU (Memory Manager Unit, unidad de manejo de memoria), es
un componente esencial en cualquier ordenador. Simplemente es un chip (actualmente suele venir
integrado como parte de otro chip o del microprocesador) cuya funcin consiste en controlar el
intercambio de datos entre microprocesador y memoria. El controlador de memoria determina el
funcionamiento del control de errores, si es que existe.

Es muy importante determinar la necesidad de introducir o no un sistema de memoria con

control de integridad. Generalmente esto se implementa en grandes servidores y ordenadores de alto
rendimiento donde la integridad de datos es un factor importante.

Control de Paridad

Cuando se implementa un sistema de paridad en un sistema informtico, se almacena un bit

de paridad por cada 8 bits de datos. Existen dos mtodos de control de paridad: paridad par y
paridad impar, dependiendo de que aquello que se controle sea el nmero de ceros o de unos en
cada grupo de ocho bits en memoria. El mtodo de control de paridad tiene sus limitaciones. Por
ejemplo, un sistema de control de paridad, puede detectar errores, pero no corregirlos. Incluso
puede darse el caso de que varios bits sean errneos y el sistema no detecte error alguno.

ECC

Este es un mtodo que se implementa en grandes servidores y equipos de altas prestaciones.

La importancia de este mtodo es que es capaz de detectar y corregir errores de 1 bit. Todo esto
ocurre sin que el usuario tenga constancia de ello. Cuando se detectan mltiples errores en varios
bits, el sistema acaba por devolver un error de paridad en memoria.
4.2 Refresco

Un mdulo de memoria est fabricado a base de celdas elctricas. El proceso de refresco

recarga esas celdas, que se distribuyen en el chip en forma de filas. La tasa de refresco hace
referencia al nmero de filas que se deben refrescar. Dos tasas de refresco tpicas son las de 2 y 4
Kb.

Unos componentes DRAM especialmente diseados son aquellos que emplean tecnologa de
autorefresco, que hace posible que los componentes se refresquen a s mismos. Esta tecnologa de
autorefresco, que se integra dentro del propio chip, reduce dramticamente el consumo de energa y
se emplea frecuentemente en ordenadores porttiles.

4.3 Voltaje

Las memorias de ordenador operan tpicamente a 5 o a 3,3 voltios. Hasta hace poco, el
estndar eran los 5 voltios. Actualmente, los chips operan a 3,3 voltios, trabajan ms rpido y
consumen menos energa.

4.4 Mdulos compuestos y no compuestos

El termino compuesto y no compuesto hace referencia al nmero de chips usados en un

mdulo de memoria determinado. Un mdulo no compuesto es aquel que emplea pocos chips. Estos
chips deben tener una muy alta densidad de integracin. Esto hace posible integrar mayor cantidad
de memoria en el mismo mdulo, cuando antes, con los mdulos compuestos se necesitaba un
mayor nmero de chips para conseguir la misma cantidad de memoria.
5. TIPOS DE MEMORIA

5.1 FPM (Fast Page Mode)

El Fast Page Mode DRAM es un tipo de memoria ms rpida que la DRAM estndar gracias
a su habilidad para trabajar con pginas. Una pgina se puede describir como la seccin de memoria
disponible dentro de la misma fila. En cada fila de memoria nos encontramos con bastantes
columnas de bits. Con la memoria FPM slo se necesita saber la direccin de la fila que indica la
direccin de pgina. De esta forma, en accesos sucesivos a la misma pgina slo tendremos que
seleccionar la direccin de la columna, lo que ahorra tiempo en el acceso a memoria.

5.2 EDO (Extended Data Out)

Es una de las innovaciones que surgieron en la tecnologa de memoria. En una placa base
diseada para soportar memoria EDO, esta memoria permite al microprocesador acceder a ella de
un 10 a un 15 % ms rpidamente en comparacin con la antigua tecnologa FPM.

La memoria EDO trabaja de forma parecida a la FPM, es decir, mediante pginas, pero la
EDO mejora considerablemente los ciclos de tiempos, ya que permite al controlador de memoria
acceder a una nueva columna mientras se lee el dato de la direccin actual.

Pero la EDO tiene dos caractersticas ms que la hacen especial: Su diseo de memoria
ofrece un ancho de banda mayor y una frecuencia de acceso simplificada. Por ejemplo, mientras
que una memoria FPM estndar de 60 ns. presenta un ciclo de tiempo de 40 ns, una EDO de 60 ns.
presenta un ciclo de tan slo 25 ns.

5.3 BEDO DRAM (Burst Extended Data Out Dynamic RAM)

Representa un paso ms en la evolucin de la memoria EDO, al incluir una etapa pipeline de

segmentacin encauzada y un contador burst de 2 bits. En trminos de porcentaje, la memoria
BEDO es el doble de rpida que la FPM, y del orden de un 30.35 % ms rpida que la EDO. En la
siguiente tabla se resumen las frecuencias para los distintos tipos de memoria DRAM con diferentes
tiempos de acceso:

Tiempo de acceso FPM EDO BEDO

70 ns 25 Mhz 33 Mhz 50 Mhz
60 ns 28 Mhz 40 Mhz 60 Mhz
50 ns 33 Mhz 50 Mhz 66 Mhz

5.4 SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)

Representa la ltima innovacin tecnolgica en memoria. La memoria SDRAM se

implementa en los mdulos DIMM y utiliza un reloj para sincronizar la lectura y la escritura en un
chip de memoria. Este reloj est sincronizado con el reloj interno del microprocesador, lo que hace
que el rendimiento en lectura/escritura entre microprocesador y memoria se dispare
considerablemente. El inters principal por la SDRAM estriba en el hecho de que son capaces de
alcanzar frecuencias de accesos superiores a los 100 Mhz.
6 LA MEMORIA CACHE

La cach es una memoria especial de alta velocidad, diseada para acelerar el procesamiento
de instrucciones del microprocesador, el cual, puede acceder a los datos almacenados en cach
mucho ms rpidamente que a aquellos datos almacenados en la memoria RAM. A modo de
ejemplo, un Pentium a 100 Mhz, tarda 180 nanosegundos en leer un dato de la RAM, mientras que
tan slo tarda 45 nanosegundos en leerlo de la cach.

Los tipos de memoria cach incluyen la cach de nivel 1 (L1, la que est incluida en el
microprocesador) y la cach de nivel 2 (L2, la que se incluye generalmente en la placa base). A esto
tambin se le conoce como cach interna y externa.

En cuanto a la cach de nivel 2 (L2), existen dos formas de organizacin tpicas: writeback y
writetrough. Estas dos formas se pueden elegir en BIOS, siendo la ms aconsejable la writeback.

La memoria cach puede funcionar de forma sncrona o asncrona, segn el tipo, pero los
chips sncronos son ms caros. Como alternativa intermedia, la cach que se suele implantar en
todas las placas base es la denominada burst pipelined, que ofrece unas caractersticas similares a la
cach sncrona, pero es ms barata.
7 LA MEMORIA DE VIDEO

La RAM de vdeo de las diferentes tarjetas grficas vara en calidad y cantidad. La cantidad
no tiene mucho que explicar: a mayor cantidad de RAM de vdeo, mayor nmero de colores
simultneos en pantalla y mayores resoluciones, as como mayores capacidades grficas en
aplicaciones 3D.

En cuanto a los diferentes tipos de RAM de vdeo analizaremos cada una de las existentes.

DRAM (Dynamic RAM): Tambin denominada Fast Page o FPM es la misma que
empleaban los ordenadores 486 y la primera que comenz a usarse en grficos. Cada
celdilla de memoria se carga o no elctricamente. La carga significa 1 y la descarga un 0.
Lo de dinmica significa que la memoria necesita ser refrescada varias veces por
segundo para conservar su contenido, y durante este refresco no puede ser accedida. Esta
memoria slo puede hacer una cosa cada vez (leerse o escribirse, pero no ambas cosas
simultneamente). Es la ms barata pero la que menos prestaciones ofrece.

VRAM: Es el tipo ms comn de memoria presente en la mayora de tarjetas grficas

actuales. Esta es una memoria de doble puerta que permite escribir y leer
simultneamente, lo que puede hacer doblar el ancho de banda. Para ello, esta memoria
necesita un controlador especializado. Por otra parte, no es un tipo de memoria que
difiera mucho de la DRAM.

EDO RAM (Extended Data Out RAM): Es algo ms cara que la DRAM pero tiene una
frecuencia de reloj de 40-50 Mhz y permite un menor tiempo de acceso, lo que
incrementa su ancho de banda (105 Mb/s, frente a los 80 Mb/s de la DRAM). Por otra
parte no hay ms diferencia. Se puede considerar una mejora de la DRAM.

CDRAM y 3D RAM: Mitsubishi dise inicialmente la CDRAM (Cached DRAM) y a

partir de ah se cre un tipo de memoria optimizada para renderizacin de grficos 3D
con la incorporacin de una ALU (Unidad Aritmtico Lgica) dentro del chip, una
unidad de comparacin y acceso serie, buffers de vdeo y otras funciones: la 3D RAM.
Esta tambin es una memoria de doble puerta. Actualmente, la memoria CDRAM se
utiliza para el almacenamiento de texturas, y la 3DRAM para operaciones como Z-
buffering.

MDRAM (Multibank Dynamic Random Access Memory): Emplea la misma tecnologa

que la DRAM estndar, pero est configurada en un mximo de 32 bancos, cada uno de
ellos con su propia estructura de filas y columnas. Esto significa que varios procesos
simultneos pueden acceder de una forma ms rpida a la memoria, acelerando el
refresco de la pantalla. Esta memoria se organiza alrededor de un bus comn de alta
velocidad por el que puede fluir una gran cantidad de datos.

SGRAM (Sinchronous Graphic RAM) / SDRAM (Sinchronous DRAM): Son

memorias de altas prestaciones de reciente aparicin en el mercado. Ambas son tipos de
memoria sncronas, lo que hacen que se minimicen los retardos de acceso.

WRAM (Windows RAM): Es un tipo de memoria especialmente diseada para

aplicaciones grficas. Se puede describir como una VGA de doble puerta y
direccionamiento por bloques. Parte de la ventaja de que los sistemas operativos con
interfaz grfica tienden a trabajar con numerosas reas rectangulares del mismo color. En
lugar de tener que direccionar estos rectngulos pixel a pixel, puesto que son
homogneos, esta memoria permite asignar un mismo valor de color a un bloque
completo de pixels. Esto hace que adems emplee menos componentes de silicio, con el
abaratamiento de su coste.
8 MEMORIA NO VOLATIL: ROM

Hasta ahora hemos hablado de memorias voltiles, que pierden la informacin cuando se les
interrumpe el suministro elctrico. Hay otro tipo de memorias que no pierden la informacin: son
las denominadas ROM (Read Only Memory, o memorias de solo lectura).

Este tipo de memoria es la que suele albergar la BIOS (sistema bsico de entrada/salida) de
cualquier placa base. En cuanto se enciende el ordenador, el microprocesador busca en la ROM
BIOS y ejecuta el programa en ella almacenado, que lo obliga a realizar una serie de operaciones
iniciales de comprobacin. Despus le indica que busque en el primer sector (sector 0) del disco
duro o cualquier otro dispositivo de almacenamiento, el arranque del sistema operativo. Debido a
que los tiempos de acceso a una memoria ROM suelen ser bastante altos, generalmente se utiliza
una tcnica consistente en pasar estos contenidos a la RAM, mucho ms rpida, y ejecutarlo desde
all. A esta tcnica se la denomina shadowing.

Las actuales ROM en realidad no son memorias de slo lectura, sino que son de tipo FLASH
EPROM, es decir, que se les puede reprogramar el contenido, y pueden ser actualizadas.
9 EL FUTURO

En los prximos aos veremos aparecer toda una serie de nuevas tecnologas de memoria,
acorde con la aparicin de nuevos microprocesadores ms rpidos y aplicaciones que necesiten de
una ejecucin gil.

Entre otros diseos, pronto vern la luz la SDRAM II, tambin denominada SDRAM DDR
(Double Data Rate, doble tasa de datos), que no ser sino una evolucin de la actual memoria
SDRAM. Tambin veremos el Direct RAMBUS o RDRAM, un diseo exclusivo desarrollado por
la compaa RAMBUS y que resulta extremadamente rpido y utiliza un canal de banda ancha
reducido para transmitir datos a una velocidad diez veces ms rpida que las memorias DRAM
estndar, con frecuencias cercanas a los 500 Mhz.

En la misma lnea de investigacin, encontramos otras dos variantes, la Concurrent RDRAM

y la Direct RDRAM. La primera est basada en el diseo estndar de la RDRAM, el cual ha sido
mejorado para aumentar su velocidad y rendimiento. El segundo tipo es parecido, pero incorpora
an ms novedades tecnolgicas que lo hacen ms rpido que la memoria RDRAM concurrente.
Estos tipos de memoria todava no se utilizan de forma estndar en placas base, aunque ya se
utilizan en consolas de videojuegos (Nintendo 64) y en algunas tarjetas de Creative Labs.

Finalmente, la memoria SLDRAM ser el competidor ms directo de la RDRAM el prximo

ao 1999 cuando se lancen al mercado. La SLDRAM es el resultado de un consorcio de 12
empresas fabricantes de chips DRAM y compaas de hardware. Bsicamente es una ampliacin en
el diseo de la actual arquitectura SDRAM, que permite extender el actual diseo de 4 bancos a un
total de 16 bancos.