TECNOLGICO NACIONAL DE MXICO

Instituto Tecnolgico de Lzaro Crdenas

2015, Ao del Generalsimo Jos Mara Morelos y Pavn

INSTITUTO TECNOLGICO DE
LZARO CRDENAS

Prctica 1
Diodos en serie con entradas de CD .

Diodos y Transistores

Nombres:
Echeverra Rivera Oscar Eduardo
Magaa Snchez Bertha Alicia
51-S

INGENIERA ELECTRNICA

Profesor:
Mauro Berber Palafox

CD. LZARO CRDENAS, MICHOACN

Mircoles 13 de Septiembre, 2017.

i
Av. Melchor Ocampo # 2555, Col. Cuarto Sector, C.P. 60950, Cd. Lzaro
Crdenas, Michoacn,
Telfono (753) 53 7 19 77, 53 2 10 40, 53 7 53 91, 53 7 53 92 Direccin
Ext.
101
www.itlac.mx.
Prctica 1; Diodos en serie
[TTULO DEL DOCUMENTO]
NDICE
Introduccin...II
Marco Terico.. 4
Objetivo. 6
Circuito 1... 9
Circuito 2... ,,10
Circuito 3... ..12
Circuito 4... ..13
Circuito 5... ..14
Circuito 6... ..15
Circuito 7..... 16
Conclusiones y Observaciones.... ..17
Bibliografa..... 19

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Prctica 1; Diodos en serie
[TTULO DEL DOCUMENTO]
INTRODUCCIN

En el presente documento se presenta la primer prctica correspondiente a la materia

de Diodos y Transistores, el usuario encontrar la prctica #1, realizada para poner en
prctica lo aprendido en las clases impartidas por el profesor.

En el desarrollo de esta prctica, se toma como primer paso el cmo funciona un diodo
semiconductor, es decir, para desarrollar el objetivo, el usuario debe tener muy en claro
cul es la funcin de un simple elemento como este, es decir, el usuario debe saber
que un diodo trabaja como circuito cerrado cuando est polarizado de cierta forma y
como un circuito abierto cuando se encuentra polarizado inversamente.

Despus se va desarrollando los pasos para cumplir con}n el objetivo de esta prctica,
el cual era realizar una comparacin entre los datos obtenidos del desarrollo de los
clculos aprendidos en clase y entre los valores obtenidos al medir de forma fsica con
estos 7 circuitos, un extra que fue aadido en esta primer practica fue el desarrollo de
los circuitos en PROTEUS para simular dichos circuitos.

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Prctica 1; Diodos en serie DESARROLLO
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DIODO SEMICONDUCTOR
Un diodo semiconductor se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, nada ms que eso;
slo la unin de un material con un portador mayoritario de electrones a uno con un portador
mayoritario de huecos. La simplicidad bsica de su construccin refuerza la importancia del desarrollo
de esta rea de estado slido.

En el momento en que los dos materiales se unen, los electrones y los huecos en la regin de la unin
se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la regin prxima a la unin, como se
muestra en la figura 1.1. Observe en la figura 1.1 que las nicas partculas mostradas en esta regin son
los iones positivos y negativos que quedan una vez que los portadores libres han sido absorbidos.

Figura 1.1 Estructura interna de un diodo.

Si se conectan cables conductores a los extremos de cada material, se produce un dispositivo de dos
terminales, como se muestra en las figuras 1.1a y 1.1b. Se dispone entonces de tres opciones: sin
polarizacin, polarizacin en directa y polarizacin en inversa.

Figura 1.2 Smbolo del diodo y direccin de la corriente.

El trmino polarizacin se refiere a la aplicacin de un voltaje externo a travs de las dos terminales del
dispositivo para extraer una respuesta. La condicin mostrada en las figuras 1.1a y la 1.1b es la situacin
sin polarizacin porque no hay ningn voltaje externo aplicado. Es un diodo con dos cables conductores
que yace aislado sobre un banco de laboratorio. En la figura 1.1b se proporciona el smbolo de un diodo

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Prctica 1; Diodos en serie DESARROLLO
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semiconductor para mostrar su correspondencia con la unin p-n. En cada figura es evidente que el
voltaje aplicado es de 0 V (sin polarizacin) y la corriente resultante es de 0 A, casi como un resistor
aislado. La ausencia de voltaje a travs de un resistor produce una corriente cero a travs de l. Incluso
en este punto inicial del anlisis es importante sealar la polaridad del voltaje a travs del diodo en la
figura 1.1b y la direccin dada a la corriente. Esas polaridades sern reconocidas como las polaridades
definidas del diodo semiconductor. Si se aplica un voltaje a travs del diodo cuya polaridad a travs de
l sea la mostrada en la figura 1.1b, se considerar que el voltaje es positivo. A la inversa, el voltaje es
negativo. Los mismos estndares se pueden aplicar a la direccin definida de la corriente en la figura
1.1b.

En condiciones sin polarizacin, cualesquier portadores minoritarios (huecos) del material tipo n
localizados en la regin de empobrecimiento por cualquier razn pasarn de inmediato al material p.
Cuanto ms cerca de la unin est el portador minoritario, mayor ser la atraccin de la capa de iones
negativos y menor la oposicin ofrecida por los iones positivos en la regin de empobrecimiento del
material tipo n.

Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben vencer las fuerzas de atraccin de
la capa de iones positivos en el material tipo n y el escudo de iones negativos en el material tipo p para
que emigren al rea ms all de la regin de empobrecimiento del material tipo p. Sin embargo, el
nmero de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n que invariablemente habr un
menor nmero de portadores mayoritarios con suficiente energa cintica para que atraviesen la regin
de empobrecimiento hacia el material p. De nueva cuenta, se puede aplicar el mismo tipo de
planteamiento a los portadores mayoritarios (huecos) del material tipo p. El flujo resultante producido
por los portadores mayoritarios se muestra en la parte inferior de la figura 1.2.

Si se aplica un potencial externo de V volts a travs de la unin p-n con la terminal positiva conectada
al material tipo n y la negativa conectada al material tipo p como se muestra en la figura 1.3, el nmero
de iones positivos revelados en la regin de empobrecimiento del material tipo n se incrementar por
la gran cantidad de electrones libres atrados por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por las
mismas razones, el nmero de iones negativos no revelados se incrementar en el material tipo p. El
efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la regin de empobrecimiento, la cual crea
una barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios la puedan superar, por lo que el
flujo de portadores mayoritarios se reduce efectivamente a cero, como se muestra en la figura 1.13a.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que entran a la regin de empobrecimiento no
cambia, y se producen vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud indicada en
la figura 1.3 sin voltaje aplicado.

Figura 1.3 Flujo de corriente.

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Prctica 1; Diodos en serie DESARROLLO
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La condicin de polarizacin en directa o encendido se establece
aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al
tipo n como se muestra en la figura 1.14.

Figura 1.14 Regin de empobrecimiento

La aplicacin de un potencial de polarizacin en directa VD presionar a los electrones en el material

tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones prximos al lmite y
reducir el ancho de la regin de empobrecimiento como se muestra en la figura 1.14a.

El flujo de portadores minoritarios de electrones resultante del material tipo p al material tipo n (y de
huecos del material tipo n al tipo p) no cambia de magnitud (puesto que el nivel de conduccin es
controlado principalmente por el nmero limitado de impurezas en el material), aunque la reduccin
del ancho de la regin de empobrecimiento produjo un intenso flujo de portadores (b) mayoritarios a
travs de la unin.

Un electrn del material tipo p ahora ve una barrera reducida en la unin debido a la regin de
empobrecimiento reducida y a una fuerte atraccin del potencial positivo aplicado al material tipo p.
En cuanto se incrementa la magnitud de la polarizacin aplicada, el ancho de la regin de
empobrecimiento continuar reducindose hasta que un flujo de electrones pueda atravesar la unin,
lo que produce un crecimiento exponencial de la corriente como se muestra en la regin de polarizacin
en directa de las caractersticas de la figura 1.15.

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Figura 1.16 Curva caracterstica

La curva exponencial de la figura 1.16 se incrementa muy rpido con los valores crecientes de x. Es
evidente, por consiguiente, que a medida que se incrementa el valor de x, la curva se vuelve casi
vertical, una conclusin importante que se habr de recordar cuando examinemos el cambio de la
corriente con valores crecientes del voltaje aplicado.

Aun cuando la escala de la figura 1.15 est en dcimas de volts en la regin negativa, hay un punto
donde la aplicacin de un voltaje demasiado negativo producir un cambio abrupto de las
caractersticas, como se muestra en la figura 1.17. La corriente se incrementa muy rpido en una
direccin opuesta a la de la regin de voltaje positivo. El potencial de polarizacin en inversa que
produce este cambio dramtico de las caractersticas se llama potencial Zener y su smbolo es VZ.

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Prctica 1; Diodos en serie DESARROLLO
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DIODOS EN SERIE CON ENTRADAS DE CD.

OBJETIVO

El objetivo de esta primer prctica fue realizar la experimentacin con elementos como diodos,
resistencias y fuentes de CD, todo esto para llevar a cabo la medicin de las corrientes y
voltajes correspondientes en cada elemento de dicho circuito.

Por tanto, la parte fundamental de esta prctica fue la comparacin entre los valores tericos
obtenidos de la realizacin de los clculos para obtener dichos valores mediante el uso de
mallas y los valores medidos obtenidos al momento de desarrollar.

Partiendo de los siguientes planteamientos con un diodo en serie y un resistor, se evaluar la

obtencin de la ecuacin de la malla.

VD + VR1 - + -
Si
+ VR1 - + - R1
VD
R1
Si
E
E

VD
+ VR1 - + -
+ VR1 - VD R1
0.7V
R1 + -
E

= 0 = = 0 = 0 = +

= 0 =

= =

=
En este caso, el voltaje del resistores
VR=0 ya que el diodo se comporta en
polarizacin inversa como un circuito
abierto, por tanto I=0
En este caso, el voltaje del diodo (0.7V)
ya que era de Si, se rest al valor de E
para obtener el valor de VR.

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 Prctica 1; Diodos en serie DESARROLLO
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Ahora se presentan los circuitos con diferentes configuraciones que se usaron para realizar la
comprobacin de los valores de corriente y voltaje, as como tambin una comparacin con los valores
obtenidos de la simulacin de los circuitos en el programa PROTEUS.

CIRCUITO 1
4.7K 4.7K
Vo Vo
R1 R1
2.2K 2.2K
D1 0.7V
R2 R2
10V Si
10V

5V 5V

Voltajes en R1 y R2;

1 = 1
1 = (2.073)(4.7)
10 + 4.7 + 0.7 + 2.2 5 = 0
1 = 9.7405
6.9 = 14.3
2 = 2
14.3
2 = (2.073)(2.2) =
6.9
2 = 4.5594
;

2.2 5 =

2.2(2.072) 5 = 4.55942 5 =

= 0.4405

# Valor Terico Valor simulado Valor medido

VR1 9.7405V 9.76V 9.86V
VR2 4.5594V 4.57V 4.61V
Vo -0.4405V -0.43 -0.46V
I 2.072mA 2.08mA 2.1mA

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 Prctica 1; Diodos en serie DESARROLLO
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Circuito #1 Simulacin en PROTEUS

CIRCUITO 2

4.7K 4.7K
Vo Vo
R1 R1
2.2K 2.2K
D1 0.7V
R2 R2
10V Si
10V

5V 5V

Voltajes en R1 y R2;

1 = 1 10 + 4.7 + 0.7 + 2.2 + 5 = 0

1 = (0.6231)(4.7) 6.9 = 4.3
1 = 2.9289 4.3
=
2 = 2 6.9
= 0.62318
2 = (0.6231)(2.2)
2 = 1.37101

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Prctica 1; Diodos en serie DESARROLLO
[TTULO DEL DOCUMENTO]
;

2.2 + 5 =

2.2(0.6231) + 5 = 1.37101 + 5 =

= 6.37101

# Valor Terico Valor simulado Valor medido

VR1 2.928V 9.76V 9.86V
VR2 1.375V 4.57V 4.61V
Vo 6.372V -0.43 -0.46V
I 0.6238mA 2.08mA 2.1mA

Circuito #2 Simulacin en PROTEUS

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 Prctica 1; Diodos en serie DESARROLLO
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CIRCUITO 3

D1
Si
4.7K 4.7K VD
Vo Vo
R1 R1
2.2K 2.2K
R2 R2
10V 10V

5V 5V

Voltajes en R1 y R2;
10 + 4.7 + 2.2 + 5 = 0
1 = 1
10 + 0 + 0 + 5 = 0
1 = (0)(4.7)
10 + 5 = 0
1 = 0
5 =
2 = 2
2 = (0)(2.2)
2 = 0 = 0

=>

2.2 + 5 =

2.2(0) + 5 = 0 + 5 =

= 5

# Valor Terico Valor simulado Valor medido

VR1 0V 0V 0V
VR2 0V 0V 0V
Vo 5V 5V -4.86V
I 0A 0A 0A
VD -5V -5V 5.03V

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Circuito #3 Simulacin en PROTEUS

CIRCUITO 4

VD
VD
+ VR1 - + -
+ VR1 - + - Vo
Vo 4.7K
4.7K 0.7V
D2
10V
10V

Voltajes en R1; 10 + 4.7 + 0.7 = 0

1 = 1 9.3 + 4.7 = 0
1 = (1.9787)(4.7) 9.3
=
1 = 9.36 4.7
= 1.9787

4.7 = 4.7(1.9787) = 9.36

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# Valor Terico Valor simulado Valor medido
VR1 9.3V 9.36v 9.3787V
Vo 9.3V 9.36v 9.3787V
I 1.978mA 1.99mA 2.03mA
VD 0.7v 0.64V 0.613V

Circuito #4 Simulacin en PROTEUS

CIRCUITO 5

VD
+ VR1 - - +
Vo + VR1 - VD
4.7K Vo
4.7K + -
10V
10V

Voltajes en R1; 10 + 4.7 + = 0

1 = 1 10 =

1 = (0)(4.7) = 0

1 = 0 = 0

4.7 = =

4.7(0) = = 0

[TTULO DEL DOCUMENTO]

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[TTULO DEL DOCUMENTO]
# Valor Terico Valor simulado Valor medido
VR1 0V 0V 0V
Vo 0V 0V 0V
I 0A 0A 0A
VD -10V -10V -9.98V

Circuito #5 Simulacin en PROTEUS

CIRCUITO 6

VD1 VD2
+ - - +
Vo
+ - + - Vo

DC DC
10V
VR1
4.7K

10V
VR1
4.7K

Voltajes en R1; 10 + +0.7 + 4.7 + 0.7 = 0 -> 8.6 + 4.7 = 0

1 = 1 8.6
= = 1.82978
1 = (1.8297)(4.7) 4.7

1 = 8.5963
;

4.7 = 4.7(1.829) = 8.5963

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 Prctica 1; Diodos en serie DESARROLLO
[TTULO DEL DOCUMENTO]
# Valor Terico Valor simulado Valor medido
VR1 8.5963V 9.36v 9.3787V
Vo 8.5963V 9.36v 9.3787V
I 1.82978mA 1.99mA 2.03mA
VD1 0.7v 0.64V 0.613V
VD2 0.7v 0.64V 0.613V

Circuito #6 Simulacin en PROTEUS

CIRCUITO 7

+ VD1 - VD2
+ - Vo + VD1 -
+ VD2 - Vo

D2
10V D2
10V
VR1
4.7K

VR1
4.7K

Voltajes en R1;
10 + +0.7 + 4.7 + = 0
1 = 1
10 + +0.7 + 0 + = 0
1 = (0)(4.7)
9.3 =
1 = 0
= 0

2 .

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Prctica 1; Diodos en serie DESARROLLO
[TTULO DEL DOCUMENTO]
;

4.7 =

4.7(0)

= 0

# Valor Terico Valor simulado Valor medido

VR1 0V 0V 0V
Vo 0V 0V 0V
I 0A 0A 0A
VD1 0V 0.43V 0.333V
VD2 -9.3V -9.57V -9.7V

Circuito #7 Simulacin en PROTEUS

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CONCLUSIONES
Al final de la prctica de observ el comportamiento de un diodo
rectificador, en polarizacin directa (circuito cerrado) y polarizacin
inversa (circuito abierto), se lleg a la conclusin de que el diodo
rectificador funciona como un interruptor cerrado o abierto segn sea
su polarizacin.
Esto hace que el diodo hace que sea uno de los componentes
electrnicos ms bsicos pero ms importantes a la vez, una de sus
aplicaciones ms bsicas es en la rectificacin de ondas, ya que a
travs del diodo se puede dar paso solo al ciclo negativo o al ciclo
positivo de una seal segn sea polarizado.
OBSERVACIONES
En el circuito que se muestra en la figura 0.333V el voltaje del diodo 2, haba
sido calculado igual a 9.3 volts y el diodo uno igual a 0.7 volts, pero el
resultado al medir dio igual a que el voltaje en el diodo 2 es igual a 9.7 votls
y el voltaje del diodo uno igual a 1.5 volts, esto porque el diodo uno no se
encuentra polarizado correctamente porque se encuentra en serie con el
diodo polarizado inversamente.

BIBLIOGRAFA

[1] Floyd, T. L. (2006). Novena Edicin. Pearson. Mxico.

[2] Boylestad R. Nashelsky. Electrnica Teora de Circuitos. Quinta Edicin. Prentice

Hall. Mxico.

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