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PROTECCION DE DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS DE POTENCIA
Vladimir Huaraca Aguay Cod:180 vladih89_ball@hotmail.com
AbstractEn este documento se resume las diferentes formas ideal abierto, y que la potencia disipada aumente al
de proteccin de los dispositivos electrnicos de potencia contra bloquear tensiones importantes pudiendo tambin destruir
los excesos elctricos tales como las sobrecorrientes di/dt y los el dispositivo.
sobrevoltajes dv/dt que se presenta como fenmenos elctricos
debido a incrementos bruscos de corriente o cambios bruscos de La proteccin contra excesos de corriente puede abordarse de
voltajes dando como consecuencia el funcionamiento incorrecto dos formas:
de los dispositivos o que el dispositivo quede inservible.
Limitacin de la corriente, impidiendo que alcance val-
Index Termssobrecorriente, sobreintesidad, potencia ores peligroso, para lo que se utiliza inductancias en serie.
Corte de la corriente, abriendo el circuito, para lo que se
I. INTRODUCCION utilizan fusibles, circuitos electrnicos.
Los semiconductores presentan poca inercia trmica frente 1) PROTECCION DE DIODOS: El interruptor principal
a la corriente, es decir, la temperatura de la unin aumenta suele implicar la proteccin del diodo, si ese no es el caso el
rpidamente si se produce un aumento en la corriente que mtodo de proteccin ms adecuado contra picos de corriente
circula por ellos, para lo cual hay q tomar las debidas es conectar un fusible en serie. El fusible debe cumplir
protecciones para evitar el dao de los dispositivos. En el caso condiciones como:
de los excesos de dv/dt se sabe que algunos semiconductores Ser capaz de conducir la misma corriente que el dispos-
tiene poca tolerancia a dichos efectos por lo que se ve nece- itivo que se quiere proteger.
sario realizar procedimientos para proteger a los elementos La capacidad de almacenamiento trmico del fusible debe
electrnicos que se exponen a la presencia de los fenmenos ser menor que la del dispositivo que se quiere proteger,
elctricos y alargar su vida til y su correcto funcionamiento. es decir, se debe cumplir que:
3) PROTECCION DE GTO: Hasta un cierto valor de la un componente que presente unas caractersticas aproximadas
corriente de nodo, el GTO puede protegerse mediante una como las que se indican en la figura, sea, un diodo capaz
seal aplicada a la puerta si iA supera ese valor ese mtodo de conducir elevadas corrientes inversa en avalancha, con un
no nos sirve y la solucin pasa por abrir el circuito principal amplio margen de temperatura de funcionamiento, anlogo a
o por conectar un fusible, como la figura: un Zener de potencia.
IV. CONSLUSIONES
El aumento de la corriente que circula por un dispositivo
origina un aumento en su temperatura interna que puede
llevar a un mal funcionamiento del circuito e incluso a
la destruccin del dispositivo.
Existe dos mtodos bsicos de proteccin ante excesos
de corriente: limitacin o anulacin de la misma. Segun
el metodo se emplean unos u otros componentes.
En dispositivos de conmutacin lenta se emplean fusibles
Figure 5. Proteccin tpica contra sobretensin (zeners) y circuito abierto para cortar la corriente.
(Rgs) en el gate.
En dispositivos rpidos, en los que el fusible es muy
lento, se emplean circuitos de corte o realimentacin
negativa.
En los excesos de tensin cuando el dispositivo no con-
4) PROTECCION DE IGBT: Para detectar condiciones de duce pueden destruirlo. Se protegen con elementos que,
sobrecargas y sobretensin, los amplificadores de aislamiento bajo ciertas condiciones, tienden a mantener constante la
que ofrecen una rpida respuesta o feedback de fallos se tensin entre sus extremos (diodo Zener), o elementos
pueden utilizar en las fases de salida y el bus de CC. La tensin que se encargan de soportar la mayor parte de tensin.
del bus de CC tambin debe ser mantenida bajo constante
control. Bajo ciertas condiciones de funcionamiento, un motor R EFERENCES
puede actuar como un generador, devolviendo un alto voltaje al
[1] Esquroz Bacaicoa, L. M. (1999). Electrnica de potencia: Disposi-
bus de CC a travs del dispositivo de alimentacin del inversor tivos. Oviedo: Universidad de Oviedo, Servicio de Publicaciones. ISBN:
y / o los diodos de recuperacin. Esta alta tensin se aade 848317149X, 9788483171493
a la tensin de CC y forma un pico muy elevado aplicado [2] Muhammad H. Rashid, Muhammad H. Rasid Virgilio Gonzlez y
Pozo Agustn Surez Fernndez.(2004).Electrnica de potencia: cir-
a los IGBTs. Este pico puede exceder el mximo voltaje del cuitos, dispositivos y aplicaciones.Pearson Educacin. ISB: 9702605326,
colector-emisor del IGBT y causar daos. El amplificador de 9789702605324
aislamiento miniatura (ACPL-C79A) se utiliza a menudo como [3] http://www.ehowenespanol.com/proteger-mosfet-potencia-queme-
como_239246/
un sensor de voltaje en aplicaciones de control de bus de CC [4] http://www.uv.es/marinjl/electro/diodo.html
. Un diseador debe reducir la tensin del bus de CC para [5] http://www.ugr.es/~amroldan/enlaces/dispo_potencia/diodo.htm
adaptarse a la gama de entrada del amplificador de aislamiento
eligiendo los valores de R1 y R2 de acuerdo a la proporcin
adecuada.