Laboratorio.

N0: Resistencias semiconductoras

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per
Angulo Cruz, Cristhians Alberto 20131455F

Se utiliz el fotorresistor (LDR) en serie con una

resistencia de 4.7 k y que en ningn caso la
I. OBJETIVO
corriente que circulaba por el circuito exceda a
los 20mA de polarizacin. El foco trabaj como
El presente informe tiene como objetivo el
una fuente trmica, conectado directamente a la
mostrar a los alumnos las caractersticas no
lineales de las resistencias semiconductoras. fuente de tensin.
Tambin se tiene por objetivo el aprendizaje de
Smbolo de un LDR:
los instrumentos y construcciones de curvas
caractersticas de los elementos utilizados.

II. EXPERIENCIA N 3:
Se vari la tensin V y se tom las lecturas de
1.- FUNDAMENTO TERICO: V R y V L en el foto resistor. Se cuid que
no se excediera el voltaje de trabajo del foco.
Una fotorresistencia LDR (Light Dependent
Resistor) es un componente electrnico cuya Se calcul el valor de la corriente en el termistor
resistencia disminuye con el aumento de V
segn la ecuacin: I = R
intensidad de la luz incidente. Su cuerpo est R
formado por una clula fotorreceptora y dos
patillas. Se calcul el valor de la resistencia del LDR
V
R L segn la ecuacin: R L= L
I
2.- CIRCUITO UTILIZADO:
1.2.- Tabla de datos tomados durante la
experiencia:

V 0 2 4 6 8 10 12 V DC
V R8.21 6,92 7,24 8,1 8,45 6,65 9,15 V DC
V T3.76 5,07 4,73 3,9 3,9 3,54 2,74 V DC
I 1.74 6,92 7,24 8,1 8,45 8,65 9,15 mA
R L2.16 2.32 653, 481, 461, 409, 299, s
k k 3 4 5 2 4

1.1.- Procedimiento que se sigui:

 1.3.- Curva R L vs V:

RL
2500
2000

Resist. LDR
1500 RL
1000 DF
500
0
1 2 3 4 5 6 7
Voltaje

6.- INVESTIGACION DE LA OPTOELECTRONICOS

I.Suministrando calor al NTC Y EL MOS:

2.1.- Estudio sobre la opto electrnicos:

Los dispositivos optoelectrnicas son

dispositivos que convierten las seales pticas
en seales electrnicas, o viceversa. Estos
componentes son aquellos que sus
funcionamientos estn relacionados
directamente con la luz.

Los sistemas optoelectrnicas estn cada vez

ms de moda. Hoy en da parece imposible
mirar cualquier aparato elctrico y no ver un
panel lleno de luces o de dgitos ms o menos
espectaculares. Por ejemplo, la mayora de los
walkman disponen de un piloto rojo (LED) que
nos avisa de que las pilas se han agotado y que
deben cambiarse. Los tubos de rayos catdicos
con los que funcionan los osciloscopios
analgicos y los televisores, las pantallas de
cristal lquido, los modernos sistemas de
comunicaciones mediante fibra ptica. Los
dispositivos opto electrnicos se denominan
opto aisladores o dispositivos de acoplamiento
ptico. La optoelectrnica simplemente se
dedica a todo objeto o cosa que est
relacionado con la luz, como por ejemplo los
telfonos mviles, aparatos electrnicos, etc.
Los dispositivos analizados son los siguientes: regiones cuasi-neutrales generando as una
corriente elctrica neta.
FOTODETECTORES:

* Foto Diodo

* Foto Diodo PIN

fig. 1
*Foto Diodo de Avalancha

* Foto Transistor

* Foto Acoplador

* Foto Resistencia (LDR)

SENSORES DE IMAGEN:

*Sensor CCD

*Sensor CMOS

CELDA FOTOELECTRICA O FOTOVOLTAICA Al polarizar inversamente el fotodiodo la

corriente generada pticamente puede ser
DISPOSITIVOS GENERADORES DE LUZ: fcilmente detectada, ya que su magnitud es
* Diodo emisor de luz (LED) superior a la corriente de fuga inversa del diodo.
En este contexto, la corriente de fuga inversa del
* Diodo laser diodo, que est presente an en ausencia de luz,
se denomina corriente de oscuridad. El
DISPLAY LCD
material empleado en la fabricacin del
Fotodiodo: fotodiodo define sus propiedades de absorcin
de luz, segn se aprecia en la siguiente Tabla:
Un fotodiodo es un diodo PN construido de
modo tal que la luz pueda alcanzar la juntura PN
y generar portadores debido al efecto
fotoelctrico. De este modo, se producir una
corriente elctrica proporcional a la intensidad
de la luz incidente. El smbolo del fotodiodo se
ilustra en la figura 1. El funcionamiento del
fotodiodo radica en la separacin de los pares
electrn-hueco generados por la radiacin que
atraviesa la zona desierta de la juntura PN. El
campo elctrico de presente en la juntura es el
que inhibe una rpida recombinacin de los
pares generados que son arrastrados hasta las
Diodo PIN:
Un diodo PIN es un diodo con una regin ancha
de semiconductor intrnseco entre las zonas tipo
P y tipo N. El diodo PIN obedece la ecuacin del
diodo de juntura PN solamente para seales muy
lentas. A altas frecuencias el diodo PIN se
asemeja a un resistor casi ideal. En un diodo PIN
la regin de vaciamiento se extiende casi
exclusivamente dentro de la regin intrnseca
debido al efecto de juntura asimtrica. Esta
zona de vaciamiento es adems mucho ms
grande que en un diodo PN y bsicamente
constante en tamao, independientemente de la
polarizacin aplicada al diodo. Esto implica que
el diodo PIN tiene una mayor rea en la cual se
pueden generar los pares electrn hueco debido
al efecto fotoelctrico. Por esta razn, y debido a
su alta velocidad de respuesta, muchas veces se
utilizan fotodetectores PIN para aplicaciones
optoelectrnicas.
Foto diodo de avalancha:
Los fotodiodos de avalancha (APD, Avalanche
Photodiode) son fotodetectores especialmente
diseados para medir luz de muy baja
intensidad. En los APD la luz externa incide en
una zona intrnseca, generando portadores
libres, al igual que en un fotodiodo PIN. Pero
estos portadores son luego acelerados por un
campo elctrico muy intenso, provocando un
efecto de avalancha debido al cual cada
portador original es acelerado y al chocar con la
red provoca la creacin de nuevos portadores. El
voltaje de polarizacin inversa es tpicamente de
100-200 V y la ganancia por efecto de avalancha
es del orden 100 veces. Algunos APD de silicio
emplean un dopaje alternativo y otras tcnicas
que permiten aplicar un voltaje mayor (>1500V)
antes de alcanzar el efecto de avalancha y, por
tanto, una ganancia mayor (>1000). En general,
cuanto mayor es el voltaje en inversa, mayor es
la ganancia. Si se requiere una ganancia muy
alta (de 105 a 106 ) algunos APDs pueden operar
con una tensin en inversa por encima de la
tensin de ruptura. En este caso, el APD necesita
tener la corriente limitada y disminuida
rpidamente. Los APD que operan en este
rgimen de ganancia estn en modo Geiger.
Este modo es particularmente til para la
deteccin de fotones aislados suponiendo que la
corriente de oscuridad sea lo suficientemente
baja; literalmente, esto implica contar fotones.
Debido a su alta sensibilidad (mucho mayor al
fotodiodo PIN) y a su elevada velocidad de
respuesta, algunas aplicaciones tpicas de los
APD son el telmetro laser, la telecomunicacin
de larga distancia por fibra ptica. Sin embargo,
el alto costo de los fotodiodos APD es un factor
limitante en su uso.
Fototransistor:
Se llama fototransistor a un transistor sensible a
la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz
incide sobre la regin de base, generando
portadores en ella. Esta carga de base lleva el
transistor al estado de conduccin. El
fototransistor es ms sensible que el fotodiodo
por el efecto de ganancia propio del transistor.
En el mercado se encuentran fototransistores
tanto con conexin de base como sin ella y tanto
en cpsulas plsticas como metlicas (TO-72,
TO-5) provistas de una lente. Se han utilizado en
lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices
pticos, etc. Para comunicaciones con fibra
ptica se prefiere usar foto detectores PIN.
Optoacoplador:
Un opto acoplador, es un dispositivo de emisin
y recepcin de luz que funciona como un
interruptor excitado mediante la luz. La luz es
emitida por un diodo LED que satura a un
fototransistor. De este modo se combinan en un
solo dispositivo semiconductor, una foto emisor
y una foto receptor cuya conexin entre ambos
es ptica. Estos elementos se encuentran dentro
de un encapsulado que por lo general es del tipo
DIP. Se suelen utilizar como medio de proteccin
para dispositivos muy sensibles. En la se
muestra un opto acoplador 4N35 formado por
un LED y un fototransistor. La tensin de la
fuente de la izquierda y la resistencia en serie
establecen una corriente en el LED emisor
cuando se cierra el interruptor S1. Si dicha
corriente proporciona un nivel de luz adecuado,
al incidir sobre el fototransistor lo saturar,
generando una corriente en R2. De este modo la
tensin de salida ser igual a cero con S1
cerrado y a V2 con S1 abierto. Si la tensin de
entrada vara, la cantidad de luz tambin lo har,
lo que significa que la tensin de salida cambia
de acuerdo con la tensin de entrada. De este
modo el dispositivo puede acoplar una seal de
entrada con el circuito de salida. La ventaja
fundamental de un opto acoplador es el
aislamiento elctrico entre los circuitos de
entrada y salida. Mediante el opto acoplador, el
nico contacto entre ambos circuitos es un haz
de luz. Esto se traduce en una resistencia de
aislamiento entre los dos circuitos del orden de
miles de M. Estos aislamientos son tiles en
aplicaciones de alta tensin en las que los
potenciales de los dos circuitos pueden diferir
en varios miles de voltios.
Fotorresistencia:
3.- APLICACIONES:
Una fotorresistencia es un componente
electrnico cuya resistencia disminuye con el Hay tres grupos:
aumento de intensidad de luz incidente. Puede
4.- BIBLIOGRAFA:
tambin ser llamado fotorresistor,
fotoconductor, clula fotoelctrica o resistor http://www.ifent.org/lecciones/ntc/ntc.asp
dependiente de la luz, cuya siglas (LDR) se
originan de su nombre en ingls light-dependent
resistor. Un fotorresistor est hecho de un
semiconductor de alta resistencia. Si la luz que
incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los
fotones son absorbidos por la elasticidad del
semiconductor dando a los electrones la
suficiente energa para saltar la banda de
conduccin. El electrn libre que resulta (y su
hueco asociado) conduce electricidad, de tal
modo que disminuye la resistencia. Un
dispositivo fotoelctrico puede ser intrnseco o
extrnseco. En dispositivos intrnsecos el fotn
debe tener bastante energa (longitud de onda
corta) para excitar a los electrones. Los
dispositivos extrnsecos tienen impurezas
agregadas, que permiten que fotones con
menor energa (es decir, de mayor longitud de
onda) provoquen variaciones en la resistencia
del dispositivo. Se fabrican de diversos tipos. Se
pueden encontrar clulas baratas de sulfuro del
cadmio en muchos artculos de consumo, por
ejemplo cmara fotogrfica, medidores de luz,
relojes con radio, alarmas de seguridad y
sistemas de encendido y apagado del alumbrado
de calles en funcin de la luz ambiente.