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EE 545 M
Estudiantes:
Gutierrez, Elvis
Sandro
Chavez Huacachino, Manuel Isidro 2013
Valverde Gonzales Hernn Rafael 20132514F
Profesor:
Curso:
Microondas
Ciclo Acadmico:
2017-2
I. DESARROLLO TEORICO
DIODO GUNN
Es un diodo que se utiliza en la electrnica de alta frecuencia. Se
diferencia de los diodos comunes porque tiene regiones solo tipo N. En
las 3 regiones que posee, dos de ellas estn dopadas con el tipo N y
divididas con una lamina dopada ligeramente. Cuando se aplica un
voltaje en los terminales de esta, en la zona intermedia , se genera un
alto gradiente elctrico.
EFECTO GUNN
Este efecto se utiliza para la generacin de oscilaciones en el rango de
microondas en los semiconductores.
Este efecto solo se da en materiales de tipo N y habr las oscilaciones
se originan si hay campo elctrico.
GUIA DE ONDA
Son estructuras metlicas que permite transmitir las ondas
electromagnticas de un punto a otro. Las estructuras pueden ser
paraleleppedos, cuadradas, cilndricas, etc.
Generalmente las frecuencias varian de 300MHz hasta 300 GHz.
II. OBJETIVOS DE LA EXPERIENCIA
d) Qu es la resistencia negativa?
Es el comportamiento que exhibe el dispositivo en cierta regin de su curva V/I. Esto
significa que la corriente incrementa cuando el voltaje decrece. Esto permite al diodo Gunn
amplificar seales, pudiendo ser usado en amplificadores y osciladores.
Se utiliza como osciladores Gunn para generar frecuencias que van desde 100mW 5GHz a
1W 35GHz salidas. Estos osciladores de Gunn se utilizan para las comunicaciones de radio,
las fuentes militares y comerciales del radar.
Utilizado como sensores para detectar intrusos, para evitar el descarrilamiento de trenes.
Se utilizan como generadores de microondas eficientes con una gama de frecuencias de
hasta cientos de GHz.
Se utiliza para detectores de vibracin remotos y tacmetros de medicin de velocidad de
rotacin.
Se utiliza como un generador de corriente de microondas (generador de diodos Pulsed
Gunn).
P5) Indicar lo que significa cada letra(s) de los trminos IMPATT, TRAPATT, y PIN que
hacen referencia a los tipos de diodos.
IMPATT: Impact Ionization Avalanche Transit Time
TRAPATT: Trapped Plasma Avalanche Triggered Transit Time
PIN: P region, Intrinsic region, N region
c) Mencione las condiciones para que un diodo de cristal pueda funcionar como un
dispositivo de ley cuadrtica.
La corriente rectificada debe ser menor que 20uA o la potencia de entrada debe ser menor
que 10mW.
V. BIBLIOGRAFIA
Gunn diode, Revolvy, [Pgina
web]https://www.revolvy.com/main/index.php?s=Gunn%20diode
Gunn diode, Tarun Agarwal, [Pgina web] https://www.elprocus.com/gunn-diode-
working-characteristics-and-its-applications/
The Gunn Effect, Johannes Kepler Universitt Linz,
https://www.nhn.ou.edu/~johnson/Education/Juniorlab/Microwave/Gunn%20Effect.p
df
http://uspas.fnal.gov/materials/08UCSC/mml17_nonlinear_circuit_elements.pdf
Gunn diode, Ian Poole, [Pgina web] http://www.radio-
electronics.com/info/data/semicond/gunndiode/transferred-electron-device-
oscillators-circuits.php
Some numerical and experimental observations on the growth of oscillations in an X-
band gunn oscillator, B. C. Sarkar1, C. Koley, A. K. Guin , and S. Sarkar.