Professional Documents
Culture Documents
AMPLIFICADORES DE POTENCIA
1
1.1 TRANSISTORES BJT y MOSFET (revisin)
Organizacin:
Objetivos:
revisar los modos de operacin de los transistores BJT y MOSFET
revisar los modelos para analizar circuitos
- en continua y en gran seal
- en pequea seal
Referencias:
(1) A. Hambley, Electrnica, Prentice Hall, 2000
(2) A. Sedra, K.C. Smith, Microelectronic Circuits , 5 ed., 2004
2
(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
Estructura C
(BJT planar de tipo npn) C
iC iC
Emisor Base Colector
n +
iB
B
iB
+
vCE
n p B
p vBE - -
iE iE
n E
n
E Smbolo
3
(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
E + p (*) Polarizacin
n directa
-
-
p (**) Polarizacin
+ n inversa
4
(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
iC = ISE (evBE VT
1) = IS (evBE VT
1) IS = ISE (IS: corriente de escala,
proporcional al rea de la unin BE)
iC IS e vBE VT
(si vBE algunas decenas de mV)
iE = iB + iC
iB = (1 )iE = (1 )ISE (e BE 1)
v VT
iC = iE
+ p (*) Polarizacin
n directa
-
iC
= =
iB 1 1+ -
p (**) Polarizacin
+ n inversa
5
(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
Transistor PNP E
iE = ISE (e vBE VT
1) = ISE (e vEB VT 1) iC
iB = (1 )ISE (e vBE VT
1) = (1 )ISE (e vEB VT 1) Smbolo C
6
(i) Modelos en continua y para gran seal
+
iC Curvas caractersticas en emisor comn (ver ref. 1):
iB
vCE El emisor es el terminal comn en la entrada y la salida
+
vBE
- - Regin de
iC saturacin
(iC < iB) Regin activa
iB (iC = iB)
Regin activa o iB
de saturacin
Regin de corte
(iC = iB = 0)
0 0.5 V vBE
CE
Regin de 0 VCE(sat)) vCE
corte 0.2 0.3 V
Caracterstica de entrada Caractersticas de salida
7
(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
UNIN EMISORA
Regiones de operacin (Tr. NPN: unin BE; Tr. PNP: unin EB)
Directamente Inversamente
Polarizada Polarizada
Aproximaciones:
Suele admitirse que una unin PN no conduce una corriente apreciable por debajo de 0.5 V (tensin umbral, V).
Cuando un diodo de unin conduce, suele admitirse tambin que la cada de tensin es constante (la tensin de
codo) y algo mayor (0.6 V o 0.7 V).
Transistor NPN:
- Operacin en regin activa directa: supondremos vBE constante e igual a 0.6 V o 0.7 V (VBE(on)).
- Operacin en saturacin: supondremos vCE constante e igual VCE(sat).
Si vBE = 0.7 V y vBC = 0.5 V, entonces VCE(sat) = 0.2 V
Nota: valores orientativos para transistores de silicio de pequea seal (transistores de seal) a 300 K
Transistor PNP: mismos valores pero referidos a VEB y VEC
8
(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
C
NPN C
PNP
C C
B IC B IC
E E
IB IB
IB IB
B B
+ - - +
0.7 V IiE 0.7 V IiE
E E
IB > 0 IB > 0
VCE > 0.2 V Regin activa VEC > 0.2 V
C
NPN C
PNP
C C
B B
E IC E IC
+ -
0.2 V 0.2 V
IB - IB +
B B
+ - - +
0.7 V IiE 0.7 V IiE
E E
IB > 0 IB > 0
IB > IC > 0 Saturacin IB > IC > 0
10
(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
C NPN C PNP
B B
E E
C C
B B
E E
11
(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
Generalizacin
Modelo de Ebers-Moll (transistor NPN): se puede emplear para los cuatro modos de operacin
Una versin extendida de este modelo (modelo de Gummel-Poon) se emplea en el simulador SPICE
iE =
IS
F
(e vBE VT
1) I S (e vBC VT 1)
F R
iC = I S (e 1) (e 1)
vBE VT IS vBC VT F = ; R =
R 1 F 1 R
iB =
IS
(e vBE VT
1)
IS
(e vBC VT
1)
F R
IS iC
iE evBE VT
iC F i E
F F
IS iC
iB = evBE VT
iC F iB
F F
12
(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
Curvas caractersticas de salida de un transistor NPN tpico
Fuente: P.E. Allen, Analog Integrated Circuits and Systems (ECE4430); http://users.ece.gatech.edu/~pallen
IC (mA)
IB = 0.04 mA Regin
5
activa
directa
4
Saturacin 0.03 mA
3
2 0.02 mA
0.01 mA IB = 0
Corte 1
-8 -6 -4 -2
13
(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
Curvas caractersticas de salida de un transistor NPN tpico (cont.)
14
(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
Correccin por efecto Early
VA
Resistencia de salida: ro =
IC
IC: corriente en el punto de trabajo
15
(ii) Modelos para pequea seal (BJT)
Los modelos para continua o gran seal no siempre son adecuados para analizar con precisin
los circuitos en presencia de seales alternas.
B ib C B C
+
r ib ro v r gmv ro
-
E E