UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

ESCUELA PROFESIONAL DE ELECTRNICA

3. LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS RESPUESTA EN FRECUENCIA

DEL AMPLIFICADOR EN BASE COMN

I. INTRODUCCIN:
En esta parte hablaremos un poco del tema a tratar para que observe lo que
se desarrollara ms adelante de manera ms detallada.
La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base
es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base
es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra como se
muestra en la figura 1 con transistores pnp y npn.
Esta figura indica adems los sentidos de la corriente convencional (Flujo de
Huecos).

Figura 1.- Configuracin de base comn

De la figura 1, se puede observar que en cada caso IE = IC + IB. Tambin se

nota que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se
establezca la corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir,
comprese la direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin
y la direccin de IC con la polaridad de VCC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres
terminales, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los
parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El
conjunto de entrada para el amplificador de base comn, como se muestra
en la figura 2, relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de
entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).
Como se observa en la figura #12, lo que se tiene es la curva equivalente a la
zona directa de un diodo, especialmente cuando la salida est polarizada
muy inversamente, (VCB > 10V).
El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC) con un voltaje
de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE). Esto es,
corresponde a la zona inversa del diodo y por tanto, corresponde a una
corriente bsicamente constante sin importar el valor del voltaje inverso.
Esto quiere decir, sern lneas rectas a lo largo del Eje que partir de un valor
aproximado a 0,6V. Para un transistor de Silicio.

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Figura 2.- Curva caracterstica de entrada

II. OBJETIVOS:
Conocer cmo trabaja el transistor en configuracin base comn.
Las relaciones entre la base con el emisor y el colector.
Observar como son distintos los parmetros de entrada y de salida.
Saber las diferencias entre sus tres regiones operativas.
Averiguar cmo hallar la ganancia para este tipo de configuracin.
Aprender las distintas aplicaciones que posee esta configuracin.

III. MARCO TERICO:

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base
se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En
esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de
entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que
parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia
de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de
seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn, da como
resultado que la ganancia aproximada es:

=

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja
impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Figura 3.- Base comn

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Configuracin base comn

La base es comn a la entrada (emisor base) y a la salida (colector base)

Figura 4.- Configuracin base comn (PNP Y NPN)

Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se

requiere de dos conjuntos de caractersticas:
Parmetros de Entrada
Se relaciona la corriente de entrada (IE) con el voltaje de entrada
(VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).
Una vez que el transistor esta encendido se supondr que el VBE
es: VBE= 0.7V

Figura 5.- Parmetros de entrada

Parmetros de Salida
Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCB)
para varios niveles de corriente de entrada (IE).

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Figura 6.- Parmetros de salida

Regiones Operativas
Las regiones operativas se dividen en tres como se ve en la siguiente figura.

Figura 7.- Ubicacin de las regiones operativas

Ahora pasaremos a explicar cada una de ellas.

Regin Activa
La unin base-colector se polariza inversamente, mientras que la
unin base-emisor se polariza directamente.
Esta es la regin ms importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como amplificador.
La corriente de emisor, que es la corriente de entrada, est formada
por la suma de la corriente de base y la de colector:
IE = IC + IB
En una primera aproximacin se puede decir que:

IC IE
Regin de Corte

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Tanto la unin base-colector como la unin base-emisor de un

transistor tienen polarizacin inversa.
Un transistor esta en corte cuando:
(IC = IE = 0A)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentacin del circuito. Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0A (IB =0A)

Regin de Saturacin
Tanto la unin base-colector como la unin base-emisor de un
transistor tienen polarizacin directa.
Un transistor est saturado cuando:
(IC = IE = IMxima)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es
0V.

Figura 8.- Regin activa, de corte y de saturacin

Ganancia de Corriente (alfa)

La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida (IC)
entre la de entrada (IE)

=

La ganancia de corriente en un transistor es inferior a la unidad, debido a que
la corriente de emisor siempre es algo mayor que la corriente del colector.
Por lo tanto, siempre es menor que 1, en valores entre 0.90 y 0.998.

Ganancia de Voltaje
Segn se ha visto el transistor de BC no puede producir una verdadera
ganancia de corriente, pero si proporciona ganancias de voltaje

=

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Un transistor tpico suele tener una resistencia de entrada de 300 y una

resistencia de salida de 100 k.

IV. APLICATIVOS:

1. Simular el siguiente circuito:

2. Simular el siguiente circuito:

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3. Simular el siguiente circuito:

V. CONCLUSIONES:

VI. OBSERVACIONES:

VII. BIBLIOGRAFA Y ENLACES:

http://www.emagister.com/uploads_user_home/Comunidad_Emagi
ster_5896_transistor_2.pdf
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://www.ie.itcr.ac.cr/marin/lic/el2207/wmarinCH03.pdf
http://www.academia.edu/3769942/3_3._Configuraci%C3%B3n_en
_Base_Com%C3%BAn