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Catedrtico:
Cristal semiconductor
Los tomos estn arreglados de manera peridica tridimensional. Los arreglos peridicos de los
tomos en un cristal se conocen como enrejado .Dentro de un cristal, un tomo nunca se aleja
mucho de uno solo, posicin arreglada. Las vibraciones trmicas asociadas con el tomo estn
centradas respecto a su posicin .Para un semiconductor dado, existe una celda unidad la cual
es la que representa un enrejado entero; repitiendo la celda unidad a travs del cristal, uno
puede generar el enrejado entero.
Celda unidad.
La relacin entre esta celda y el enrejado est caracterizada por 3 vectores a, b y c quienes no son
necesariamente perpendiculares entre si y pueden o no ser iguales en longitud. Cada punto
enrejado equivalentemente en un cristal tridimensional puede ser encontrado.
R=ma+nb+pc.
Donde m, n and p son enteros
Materiales extrnsecos n y p
Material tipo N:
Tanto el material tipo N como el tipo P se forma mediante la adiccin mediante un numero
predeterminado de tomos e impurezas al germanio o al silicio. El tipo n se crea a travs de la
introduccin de elementos de impurezas que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes).
A las impurezas difundidas con cinco electrones de valencias les llama tomos donadores.
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a
los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material
donante ya que da algunos de sus electrones.
En cuanto a la conductividad del material, esta aumenta de una forma muy elevada, por ejemplo;
introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio, la conductividad es 24100
veces mayor que la del silicio puro.
Semiconductor tipo P
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo
tetravalente (tpicamente del grupo IVA de la tabla peridica) de los tomos vecinos se le une
completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est
asociado con un Ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene
elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red,
un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve
equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva.
Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la
excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que
los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo
IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se
produce de manera natural.
Qu es un semiconductor tipo n?
Qu es un semiconductor tipo p?
El diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por tomos de carbono. El
silicio y el germanio forman redes similares. Asi generalmente a estos se les introducen tomos de
otros elementos para modificar algunas propiedades especficas, denominados impurezas, que
modifican por ejemplo la capacidad de conducir corriente haciendo que se deba primordialmente
a huecos o a electrones, dependiendo de la impureza introducida.
La estructura cristalina mas comn en los semiconductores es la red de diamante. Cada tomo en
esta red tiene un enlace covalente con cuatro tomos adyacentes, los cuales todos juntos, forman
un tetraedro.
Semiconductores compuestos como el Arsenurio de Galio (GaAs) y el Fosfuro de Indio (InP) tienen
una estructura cristalina similar a la del diamante. La red en estos casos, tiene dos tipos diferentes
de tomos. Cada tomo tiene cuatro enlaces covalentes, que son enlaces a tomos de otro tipo.
Esta estructura se conoce como de zinc-blenda. La red de diamante y la de zinc-blenda son redes
cbicas. Otra estructura usual para los semiconductores es la estructura hexagonal.
SILICIO
El tomo de silicio posee catorce electrones. De estos, los cuatro ms alejados del ncleo son los
electrones de valencia que participan en los enlaces con otros tomos. El silicio es, por tanto, un
tomo tetravalente.
El silicio que se utiliza para fabricar dispositivos electrnicos es un monocristal cuya estructura
cristalina se denomina de diamante. Cada tomo de silicio est unido a otros cuatro mediante
enlaces covalentes. Un enlace covalente se forma entre dos tomos que comparten dos
electrones. Cada uno de los electrones del enlace es aportado por un tomo diferente. La celda
bsica del cristal es un cubo de 5,43 angstroms de arista (1 Angstrom = 1 =10-10cm). Esta
estructura conlleva una densidad de 5x1022tomos de silicio por centmetro cbico.
Arseniuro de galio
Compuesto que posee una estructura cbica (Zinc Blenda) con potenciales aplicaciones en
dispositivos como: Clulas fotovoltaicas, diodos Lser, circuitos integrados a frecuencias de
microondas, satlites de comunicaciones, radares, etc.
Tiene propiedades electrnicas que lo hacen superior al Silicio como lo es la alta movilidad
electrnica, lo que permite fabricar transistores capaces de operar a 250 GHz produciendo mucho
menos ruido que el Silicio.
Su Band Gap es directa, lo que hace factible su utilizacin para emitir luz eficientemente. Por lo
que se populariz a partir de 1970 como el componente ideal para la construccin de
Heteroestructuras solares que fueron implementadas en las fuentes de poder de sondas
espaciales Opportunity y Rovers Spirit para la exploracin de Marte.
A manera de introduccin digamos que entre los materiales conductores, que conducen la
electricidad con un resistencia relativamente baja, y los materiales aislantes, que no conducen la
electricidad, nos encontramos una gama de materiales con propiedades propias que
denominamos semiconductores. En estos la conduccin se da tanto por el movimiento de cargas
negativas (electrones) como de positivas (huecos). Si echamos un vistazo a la tabla peridica,
veremos que en la columna donde se encuentra el carbono, tambin aparecen el silicio y el
germanio. Todos ellos se caracterizan porque en la ltima capa de electrones de su estructura
atmica poseen cuatro electrones. Se sabe que estos elementos tienen una estructura ms estable
si comparten electrones, formando enlaces covalentes, de forma que al compartir estos electrones
con tomos vecinos todos ellos tengan en la ltima capa ocho electrones, situacin que es muy
estable. Esto hace que se forme una malla de tomos que se denomina red cristalina. El diamante
es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por tomos de carbono. El silicio y el
germanio forman redes similares. Generalmente a estos se les introducen tomos de otros
elementos para modificar algunas propiedades especficas, denominados impurezas, que
modifican por ejemplo la capacidad de conducir corriente haciendo que se deba primordialmente
a huecos o a electrones, dependiendo de la impureza introducida.
Conduccin de un semiconductor
Calculemos la densidad de corriente para el semiconductor por exceso (tipo n),cuyos electrones de
conduccin los consideramos como partculas clsicas con determinadas posiciones y velocidades
en cada instante.
J=en<v>.
La velocidad de deriva se determina teniendo en cuenta que el equilibrio trmico de los electrones
es un concepto esttico y por eso tambin el tiempo de recorrido libre debe tener un carcter
probabilstico.
-dn=n
Con la ecuacin anterior con respecto a n obtenemos la cantidad de electrones en el instante t:
1
n(t)=0
Para determinar t suponemos que el instante t=0 todos los electrones han experimentado
choques. Debido a la deriva, hasta el choque siguiente cada portador de carga ha corrido en
direccin x respectivamente durante el recorrido libre siendo as en el tiempo T=1 +2 + 3 +.
Los portadores de carga recorren una distancia total igual a X=1 +2 +3 . En este caso la velocidad
media deriva de los portadores es:
<u> = .