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En el ao 1956 el premio Nobel de fsica fue compartido por tres grandes cientficos:
William Bradford Shockley, John Bardeen y Walter Houser Brattain por el que es
considerado como el mayor desarrollo tecnolgico del siglo XX: el transistor. La
historia de cmo se inici la carrera por la miniaturizacin de los dispositivos
tecnolgicos que an no ha terminado en nuestros das me parece fascinante. Llena de
brillantez, peleas y afn de superacin.
Figura N4: Bardeen, Shockley y Brattain, inventores del transistor (de izquierda a derecha)
Figura N5: Primer transistor de contacto puntual
Choque de egos
Eran habituales las imgenes de prensa en las que apareca en un primer plano
Shockley sentado al lado de un microscopio con Bardeen y Brattain detrs de l
mirndole. Brattain admiti despus que odiaba esa foto. Ya no podan seguir
trabajando juntos.
Y cada uno sigui su camino, Brattain como profesor en el Whitman College, Bardeen
como fsico terico en la Universidad de Illinois, y Shockley fund su propia compaa
de semiconductores, la primera de su tipo en lo que lleg a serSilicon Valley, aunque
conocida por no ser nunca capaz de sacar un producto comercialmente viable.
Comportamiento elemental
Podemos hacernos una idea del comportamiento del transistor utilizando
un circuito que utiliza una fuente de tensin continua, un indicador de corriente
(miliampermetro) y dos resistencias con sus respectivos interruptores. Estas
resistencias se conectarn entre el colector y la base, mientras que la fuente se
conectar entre colector y emisor.
Con ambos interruptores abiertos, no habr corriente de base y el indicador de
corriente, ubicado a la salida de la fuente, marcar una corriente nula. Si cerramos uno
de los interruptores, habr corriente de base y tambin de colector. Si cerramos
ambos interruptores, habr mayor paso de corriente. De ah que podamos decir que el
transistor se comporta como si fuese una resistencia cuyo valor es controlado por la
corriente de base.