INGENIERA ELECTROMECNICA 302-B

ELECTRNICA ANALGICA

TRABAJO DE INVESTIGACIN

UNIDAD 1. DIODOS

ING. JORGE ADAN LUCHO CHIGO

EDGAR JUAREZ VELASCO N 161U0140

PERIODO: AGOSTO 17/ENERO 18

FECHA DE ENTREHA:
14/109/17
Introduccin.

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de

la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido.1 Este trmino generalmente se
usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una
pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco
(que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo
de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones:
por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no
conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica
muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya
que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como
paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de
funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas
termoinicas constituidas por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal,
con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado
en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el
ctodo) a travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento
est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco
circundante los cuales son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por
un muelle doble, cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin.
Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn,
los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas
se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.
1.1. CONSTRUCCIN DE UN DIODO.

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de

la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se
usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una
pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas
termoinicas constituidas por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal,
con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes.
En la construccin del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales semiconductores
con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material es semiconductor como
silicio o germanio excesivamente cargado de partculas negativas (electrones). El otro
material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia
de cargas negativas. Cuando se aplica un voltaje de paralizacin directa (voltaje de
corriente directa) la regin inica en la unin se reduce y los portadores negativos en el
material tipo n pueden superar la barrera negativa restante iones positivos y continuar
su camino hasta el potencial aplicado.
Los diodos prcticos se construyen como una sola pieza de material semiconductor, en
la que un lado se contamina con material de tipo (d) y el otro con material de tipo (n).
Los materiales ms comunes utilizados en la construccin de diodos son tres; germanio,
silicio y arsenurio de galio. En general, en silicio han reemplazado al germanio en los
diodos debido a su mayor barrera de energa que permiten la operacin a temperaturas
ms altas, y los costos de material son mucho menores. El arsenurio de galio es
particularmente til en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. La distancia precisa
en el que se produce el cambio de material de tipo (p) a tipo (n) en el cristal vara con la
tcnica de fabricacin. La caracterstica esencial de la unin (PN) es que el cambio en
la concentracin de impurezas se debe producir en una distancia relativamente corta.
De otra manera, la unin no se comporta como un diodo.
1.1.1. SEMICONDUCTORES CONTAMINADOS P Y N.

Son componentes basados en la propiedad de ciertos materiales como el silicio, el

germanio, el sulfuro de cadmio y el arseniuro de galio entre otros; y tienen la
particularidad de comportarse indistintamente como conductores o aislantes bajo
determinadas condiciones externos o estmulos; de all que se dice que sus
caractersticas son dependientes de factores de la naturaleza, como la luz, la
temperatura, campos magnticos, etc.
Semiconductores tipo N: Se aaden tomos de valencia 5 (fosforo, arsnico, antimonio)
con lo que al combinarse con el silicio queda un electrn libre por cada tomo
pentavalente.
Semiconductores tipo P: Se aaden tomo de valencia 3 (boro, galio) con lo que al
combinarse con el silicio queda un hueco por cada tomo trivalente que se comporta
como una carga positiva.
En electrnica los semiconductores ms usados tocados por el hombre son los diodos,
transistores, Tiristores, y los circuitos integrados; todos construidos principalmente a
base de silicio.
La caracterstica principal de los semiconductores que los distingue de los conductores
y aislantes es su estructura atmica.
Los conductores como el cobre, la plata y el oro, tiene pocos electrones en la rbita de
valencia, justamente 1, los cuales son atrados dbilmente por el ncleo del tomo.
Entonces, bajo la influencia de fuerzas externas, dicho electrn de valencia puede
escapar fcilmente del tomo, pasando as a ser un electrn libre que viaja a travs del
material y propicia junto a otros similares el establecimiento de corrientes elctricas.
Por su parte los aislantes relativamente tienen muchos electrones de valencia,
tpicamente 8, y los mismos estn fuertemente ligados al ncleo del tomo.
Entonces resulta muy difcil convertirlos en electrones libres y obligarlos a participar en
la creacin de corrientes elctricas.
1.1.2. UNIN PN.

Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos

comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Est
formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque
tambin se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a
nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto
qumico. Es la base del funcionamiento de la energa solar fotovoltaica.
Los cristales de Silicio estn formados a nivel atmico por una malla cristalina basada
en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de valencia del tomo
de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe mencionar: el de hueco. Los
huecos, como su nombre indica, son el lugar que deja un electrn cuando deja la capa
de valencia y se convierte en un electrn libre. Esto es lo que se conoce como pares
electrn - hueco y su generacin se debe a la temperatura (como una aplicacin, al caso,
de las leyes de la termodinmica) o a la luz (efecto fotoelctrico). En un semiconductor
puro (intrnseco) se cumple que, a temperatura constante, el nmero de huecos es igual
al de electrones libres.
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
sustituyndole algunos de los tomos de un semiconductor intrnseco por tomos con
menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrin, normalmente trivalente, es
decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos,
huecos).
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo
un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en la
capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso, negativos, electrones libres).
Barrera interna de potencial
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p . Al
establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unin, zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de potencial,
zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de deplexin, de vaciado,
etc.
Polarizacin directa de la unin PN
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unin P - N y
la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en
electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de
la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el
cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
POLARIZACIN INVERSA DE LA UNIN PN.

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la

zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a
continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen
del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a
la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital
de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver
semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en
iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona
p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente
7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es
que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro
de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones
en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones
negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.
1.2. TIPOS DE DIODO.

DIODO DETECTOR O DE BAJA SEAL.

Los diodos detectores tambin denominados diodos de

seal o de contacto puntual, estn hechos de germanio y
se caracterizan por poseer una unin PN muy diminuta.
Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con
seales pequeas. Se emplea por ejemplo, en receptores
de radio para separar la componente de alta frecuencia
(portadora) de la componente de baja frecuencia (informacin audible). Esta operacin
se denomina deteccin.

DIODO RECTIFICADOR.

Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen
en directa (arriba de 0.7 V) y en polarizacin inversa no conducen. Estas caractersticas
son las que permite a este tipo de diodo rectificar una seal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso
que pueden soportar.
Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el sistema americano,
la referencia consta del prefijo 1N seguido del nmero de serie, por ejemplo: 1N4004.
La N significa que se trata de un semiconductor, el 1 indica el nmero de uniones PN
y el 4004 las caractersticas o especificaciones exactas del dispositivo. En el sistema
europeo o continental se emplea el prefijo de dos letras, por ejemplo: BY254. En este
caso, la B indica el material (silicio) y la Y el tipo (rectificador).

DIODO ZNER.

Un diodo zner es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener

un voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente,
y por ello se emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad de
watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios.
El diodo zner polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje
permanece cerca de 0.6 a 0.7 V. Los diodos zner se identifican por una referencia,
como por ejemplo: 1N3828 BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje
zner nominal (VZ) y la potencia mxima que pueden absorber en forma segura sin
destruirse (PZ).
DIODO VARACTOR.

El diodo varactor tambin conocido como diodo varicap o diodo de sintona. Es un

dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actan como
condensadores variables controladas por voltaje. Esta caracterstica los hace muy tiles
como elementos de sintona en receptores de radio y televisin. Son tambin muy
empleados en osciladores, multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y otros
circuitos de alta frecuencia. Una variante de los mismos son los diodos SNAP,
empleados en aplicaciones de UHF y microondas.

DIODO EMISOR DE LUZ (LEDs).

Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un

determinado voltaje. Cuando esto sucede, ocurre
una recombinacin de huecos y electrones cerca de
la unin NP; si este se ha polarizado directamente la
luz que emiten puede ser roja, mbar, amarilla, verde
o azul dependiendo de su composicin.
Los LEDs se especifican por el color o longitud de
onda de la luz emitida, la cada de voltaje directa
(VF), el mximo voltaje inverso (VR), la mxima
corriente directa (IF) y la intensidad luminosa. Tpicamente
VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LEDs con
valores de IF desde menos de 20 mA hasta ms de 100 mA
e intensidades desde menos de 0.5 mcd (milicandelas)
hasta ms de 4000 mcd. Entre mayor sea la corriente
aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de VF
depende del color, siendo mnimo para LEDs rojos y
mximo para LEDs azules. Los LEDs deben ser protegidos
mediante una resistencia en serie, para limitar la corriente a
travs de este a un valor seguro, inferior a la IF mxima. Tambin deben protegerse
contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso superior a 5V causa generalmente
su destruccin inmediata del LED.

1.3. APLICACIN DEL DIODO.

Los diodos tienen mltiples aplicaciones. La ms evidente, y que se desprende
directamente de nuestra discusin anterior, es la conversin de la corriente alterna en
continua, proceso que se llama rectificacin. Otras aplicaciones de inters son las
clulas solares, que convierten la energa luminosa en energa elctrica, y los diodos
emisores de luz (LEDs) que se utilizan corrientemente en las pantallas de relojes
digitales y calculadoras.
Las aplicaciones del diodo son mltiples. Sin embargo, la aplicacin ms conocida e
importante es la que lo emplea como rectificador. Un rectificador es un sistema capaz
de convertir una seal de entrada alterna senoidal en otra que tenga el mismo sentido,
paso previo para convertir corriente alterna en continua. Antes de rectificar la corriente,
se emplea un transformador que reduce el valor de la tensin.

1.3.1. CIRCUITOS RECORTADORES.

Principio de funcionamiento.
Estos tipos de circuitos utilizan dispositivos de una o ms uniones PN como elementos
de conmutacin.
Se disean con el objetivo de recortar o eliminar una parte de la seal que se le introduce
en sus terminales de entrada y permita que pase el resto de la forma de onda sin
distorsin o con la menor distorsin posible. Para realizar esta funcin de recortar, los
recortadores hacen uso de la variacin brusca que experimenta la impedancia entre los
terminales de los diodos y transistores al pasar de un estado a otro, de ah que sean los
elementos bsicos en dichos circuitos.
RECORTADOR DE DIODO PARALELO.

En la figura se muestra el circuito y la forma de onda

obtenida a la salida del mismo. Como se observa la seal
de entrada es una seal sinusoidal y el circuito cuenta con
una resistencia, un diodo en serie con una fuente
polarizado en inversa y una R de carga. Cuando el voltaje
de la fuente se hace mayor que la suma del voltaje de la
fuente y el voltaje umbral de conduccin del diodo, el
diodo se polariza en directa y obtenemos la forma de onda
mostrada.
Si invertimos el sentido del diodo. Podemos obtener formas de ondas como la mostrada
en esta figura. A este tipo de circuito se le llama recortador por debajo.

RECORTADOR DE DIODO SERIE.

Al igual que podemos recortar una seal con los circuitos antes mencionados, en los
que el diodo se encontraba en la rama paralelo, tambin podemos obtener resultados
anlogos si el diodo se encontrara en la rama serie. Si consideramos el circuito de la
figura IV., resulta evidente que en valores de voltaje de entradas mayores que (VR-V),
el diodo est polarizado a la inversa, por lo tanto, no permite que la seal a la entrada
pase a la salida, es decir, recorta la seal de entrada al valor (VR-V). Los voltajes VR y
V se restan porque VR est conectado con el terminal positivo hacia el nodo, o sea,
favoreciendo la conduccin. En valores de voltaje a la entrada menores que (VR-V)el
diodo conduce y a la salida se obtendr la misma seal que a la entrada.

DOBLE RECORTADOR DE DIODOS.

En los recortadores analizados hasta ahora solo se recorta

a un solo nivel determinado por la fuente VR que puede
ser ajustable. No obstante, en muchas aplicaciones
prcticas resulta de inters poder recortar la seal a 2
niveles distintos que puedan ser ajustados a voluntad, e
independientemente. En tales ocasiones se utilizan dobles
recortadores de diodo que constan de 2 recortadores
como los ya analizados, por lo tanto, podemos considerar
4 configuraciones de dobles recortadores que en lo sustancial son capaces de realizar
la misma funcin, pero con las diferencias que observamos en cuanto a la posicin del
diodo.

1.3.2. REGULACIN CON DIODO ZENER.

Caractersticas de los reguladores de voltaje con diodo
zener:
El diodo zener se puede utilizar para regular una fuente
de voltaje. Este semiconductor se fabrica en una amplia
variedad de voltajes y potencias. Estos van desde menos
de 2 voltios hasta varios cientos de voltios, y la potencia
que pueden disipar va desde 0.25 watts hasta 50 watts o
ms.
La potencia que disipa un diodo zener es simplemente la
multiplicacin del voltaje para el que fue fabricado por la
corriente que circula por l. Pz = Vz x Iz. Esto significa
que la mxima corriente que puede atravesar
un diodo zener es: Iz = Pz/Vz. (en amperios).
Donde:
Iz = Corriente que pasa por el diodo Zener
Pz = Potencia del diodo zener (dato del
fabricante)
Vz = Voltaje del diodo zener (dato del
fabricante)
Ejemplo: La corriente mxima que un diodo
zener de 10 Voltios y 50 Watts puede
aguantar, ser: Iz = Pz/Vz = 50/10 = 5 amperios

1.4. REGULADORES DE VOLTAJE CON CIRCUITO INTEGRADO.

Los reguladores de voltaje son usados para mantener una salida de voltaje
predeterminada, a pesar de las variaciones en la entrada de la fuente (voltaje AC) y a
pesar tambin de las variaciones que se puedan dar en la carga. El regulador de voltaje
se inserta entre la carga y la salida de la fuente sin regular:
Los reguladores de voltaje en circuitos integrados, simplifican considerablemente el
diseo de fuentes de poder, pues reemplazan a componentes tales como transistores y
tubos al vaco. Adems, stos poseen la ventaja de tener bajo precio, alto desempeo,
tamao pequeo y fcil manejo.
Los circuitos integrados (reguladores de voltaje) tienen la ventaja de que proporcionan
una salida bastante estable, adems limitan la corriente y tienen proteccin trmica.
Estos tipos de reguladores integrados ofrecen una amplia gama de variaciones y
distintas clasificaciones para el tipo de fuente que se desee implementar.
El regulador con circuito integrado detecta un cambio en la salida de voltaje de la carga
por medio de un circuito de muestreo que suministra un voltaje de realimentacin para
ser comparado con una referencia, as s:
1. El voltaje de salida aumenta, el comparador hace que el elemento de control baje el
voltaje de salida.
2. Si el voltaje de salida disminuye el comparador indica al elemento de control que suba
el voltaje de salida.
Los reguladores de voltaje comprenden una amplia clase de C.I. utilizados. Estas
unidades contienen la circuitera para la fuente de referencia, el amplificador de error, el
dispositivo de control y la proteccin de sobre carga. Todas estas contenidas en una
sola pastilla en el C.I. Aunque la construccin interna es algo diferente que la que se
describi para los reguladores de voltaje discretos, la operacin externa es
prcticamente la misma. Examinaremos la operacin de algunos de los reguladores de
voltajes fijos de 3 terminales tanto para voltajes positivos como negativos y los que
permiten tener un voltaje de salida ajustable.
Una fuente de suministro puede construirse en una forma simple utilizando un
trasformador conectado al suministro de C.A. para aumentar o disminuir el valor
deseado, posteriormente rectificndolo con un circuito de onda u onda completa,
filtrarlo para obtener el nivel de voltaje deseado y finalmente regular el voltaje de C.C.
utilizando un regulador de voltaje en C.I.
1.5. CONSTRUCCIN DE UNA FUENTE REGULADA.
Cuando trabajamos en nuestro taller, es necesario contar con una fuente de corriente
que sea capaz de alimentar nuestros circuitos de manera controlada. De esta manera,
evitamos daar nuestras creaciones antes de perfeccionarlas. Existen muchos planos
sobre fuentes elctricas, en este artculo estaremos mostrando cmo hacer una fuente
de corriente regulada de forma simple y con materiales muy accesibles.
Materiales a utilizar
Un transformador de 120 V o 220 V segn sea nuestra red elctrica y un secundario
de 16 +16 V.
Un transistor DB137 y uno 2N3055.
Dos condensadores electrolticos uno de 3300 uF 25 V y otro de 470 uF 25V.
Un condensador de 0.1 uF 100V.
Dos diodos rectificadores 1N5402.
Un diodo Zener de 15 V 400 mW.
Un potencimetro de 50K.
Dos resistencia una de 270 1W y otra de 100 1W.
CONCLUSION.
En este trabajo de investigacin estudiamos a los diodos y sus caractersticas como un
previo a su utilizacin en circuitos convertidores de CA en CC con su variante detectora
utilizada en la radio que pensamos presentarle en la prxima entrega.

Este es el primer componente activo que le presentemos, el ms simple de usar y aquel

que se utiliz por primera vez en nuestra querida ciencia de la electrnica. Por supuesto
que si Fleming volviera hoy a nuestro mundo y observara un pequeo diodo de silicio no
podra reconocer su viejo dispositivo.

En realidad el que construy el primer diodo no fue Fleming sino Tomas Alva Edison,
solo que no supo reconocer su utilidad y simplemente anot en sus famosos cuadernos
de bitcora que haba construido una lmpara incandescente pero que tena el problema
de que el vidrio se oscureca y espejaba con el uso. La colocacin de una pequea
plaquita metlica en su interior conectada al positivo de la batera solucionaba el
problema y como Edison solucion su problema simplemente anot la solucin y se
olvid. Fleming se encontr con ese cuaderno aos ms tarde, sinti curiosidad y repiti
la experiencia que result totalmente cierta.

El estudio de este hecho olvidado por Edison y la sagacidad de Fleming que lo aplic a
los receptores de radio, fue uno de los grandes pasos de nuestra ciencia electrnica
sino el ms grande de todos.
Bibliografa.

www.scribd.com/document/335735194/DIODOS
www.slideshare.net/Karlosestanga/electrnica-l-diodos
es.slideshare.net/AdolfoBustinza/diodos-19794927
www.ecured.cu/Diodo_rectificador
http://www.areatecnologia.com/electronica/diodo-zener.html