Diodos

Tema 5
Diodos de Unin: Circuitos y Aplicaciones

El dispositivo resistor ms simple consiste en una barra homognea de material con una
determinada conductividad, cuyo comportamiento puede expresarse, recurriendo a la ley de
Ohm, como una relacin lineal entre la tensin y la intensidad. En realidad tal relacin lineal es
una aproximacin que slo resulta vlida para valores suficientemente pequeos de la tensin y
la intensidad. Cualquier dispositivo resistivo real, incluso los supuestamente lineales, resulta ser
no-lineal en la prctica. Sin embargo, en algunos dispositivos las no-linealidades son parsitos
que se manifiestan slo dbilmente en condiciones de uso normal. Por contra, en otros
dispositivos las condiciones de uso normal implican, y de hecho tratan de explotar, la operacin
no-lineal. Los diodos de unin, denominados simplemente diodos en muchos libros de texto, son
probablemente los ms conocidos de entre los resistores no-lineales de dos terminales. Pero
existen muchos ms; algunos de los cuales sern mencionados en este Captulo. En este
Captulo se estudian distintos resistores de dos terminales de inters prctico, y se presentan
mtodos para el anlisis de circuitos compuestos por la interconexin de resistores de dos
terminales y fuentes independientes de tensin e intensidad. A lo largo del Captulo se introducen
conceptos de gran importancia prctica como son los de distorsin, polarizacin y modelos de
pequea seal. Tambin se proponen tcnicas para sintetizar resistores no-lineales en base a
conectar en serie y en paralelo un conjunto de componentes bsicos que pueden realizarse con
diodos, fuentes independientes y resistores lineales.
1. Conceptos Bsicos Sobre Resistores No-Lineales de Dos Terminales

2. Diodos Rectificadores. El Diodo de Unin
3. Modelos Circuitales del Diodo de Unin
4. Modelos Incrementales y Operacin en Pequea Seal
5. Anlisis de Circuitos con Diodos de Unin
6. Aplicaciones del Diodo
7. Sntesis de Caractersticas Resistivas Lineales a Tramos
8. Control de las Caractersticas Mediante Parmetros Fsicos. Sensores
1. Conceptos Bsicos Sobre Resistores No-Lineales de Dos Terminales
1.1. Caractersticas i-v
Los diodos pertenecen a la familia de dispositivos conocidos con el nombre de

i
+ resistores de dos terminales. El smbolo genrico usado para los resistores no-
lineales lo vimos en el Captulo 2, y lo repetimos en el margen de la izquierda.
v Conviene recordar que estos dispositivos estn concebidos para establecer una
relacin funcional de tipo algebraico,
Electrnica Bsica Angel Rodrguez Vzquez, Antonio Acosta Jimnez, Roco del Ro
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Tema 6: Diodos: Circuitos y Aplicaciones 2
i i i i
+ +
v v

v v
(a) (b)
i i i
+
i
v +
v

v v
(c) (d)
Figura 1 Algunos resistores no-lineales: (a) diodo de unin; (b) diodo Zener; (c) diodo tnel;
(d) diodo de cuatro capas.
f ( v, i ) = 0 (1)
entre la tensin y intensidad, consideradas stas como variables reales.

Desde un punto de vista geomtrico, pues, la relacin funcional
establecida por un resistor define una curva en el plano real ( i, v ) . A tal
curva suele denominarse curva caracterstica, o simplemente
caracterstica, del resistor en cuestin. En la Fig.1 se muestran
caractersticas para varios resistores de inters prctico a los que
prestaremos atencin en este Tema; respectivamente: el diodo de unin, el
diodo Zener, el diodo tnel y el diodo de cuatro capas. Dada su
importancia prctica, cada uno de estos resistores tiene su smbolo propio,
que se muestra anexo a la correspondiente caracterstica.
Hay dispositivos resistores, por ejemplo el diodo de unin, donde la
relacin entre tensin e intensidad se puede obtener mediante el anlisis y
la formulacin de las ecuaciones que rigen el movimiento de las cargas en
el interior del dispositivo. Sin embargo, hay otros donde esta formulacin
no es posible. En tal caso hay que recurrir a un procedimiento experimen-
tal para obtener las curvas caractersticas. Una vez obtenidas las caracte-
rsticas en forma grfica, siempre es posible usar tcnicas matemticas de
aproximacin para obtener una frmula cuya representacin sea lo ms
cercana posible a la curva obtenida experimentalmente.
En el mercado existen instrumentos especialmente concebidos para
extraer curvas caractersticas de resistores con gran precisin. Pero bsica-
mente, el principio de funcionamiento de estos instrumentos consiste en
aplicar tensiones (o intensidades), y medir las correspondientes intensida-
des (o tensiones), tal como se describe a continuacin.
Experimento
Conecte un resistor no-lineal del que sepa a priori con certeza que su
intensidad es una funcin unvoca de su tensin, una fuente de tensin de
DC cuyo valor pueda se modificado por el usuario, un voltmetro y un
ampermetro, en la configuracin mostrada en la Fig.2(a). Haga variar la
fuente de tensin para que tome distintos valores, muchos, dentro de un
intervalo [ E L, E H ] , dejando que la respuesta del circuito se estabilice para
cada valor aplicado y midiendo entonces la intensidad correspondiente al
mismo. Marque en el plano ( i, v ) un punto por cada una de las medidas
realizadas, e interpole el conjunto de puntos resultantes para obtener una
curva continua; esta curva es la caracterstica del resistor en el intervalo de
tensiones [ E L, E H ] . Tal procedimiento se ilustra en la parte superior de la
Fig.2 para un diodo tnel.
La curva caracterstica de un resistor tambin la puede obtener directa-
mente sobre la pantalla un osciloscopio usando el montaje mostrado en la
Fig.2(b). Recuerde que un osciloscopio slo mide directamente tensiones.
Por ello, para medir la intensidad, lo hacemos a travs de la cada de ten-
sin en la resistencia de valor R . De este modo, los valores de la tensin
1
y en voltios se corresponden con valores de la intensidad en R Amp .
Note que, debido a la presencia de esta resistencia, necesaria para medir la
intensidad, se produce una divisin de tensin que hace que la excursin
de la tensin aplicada al resistor no coincida con la amplitud A de la seal
aplicada por la fuente de tensin. Deber, por tanto asegurarse de que esta
amplitud sea la adecuada para que la tensin aplicada al resistor cubra todo
1.2
Amperm.
i, mA
1
Voltmetro 0.8
0.6
0.4
0.2
0
(a)
-0.2
Osciloscopio -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
v, V
1.4 1.4
y x
1.2 1.2
+
1 1
0.8 0.8
+ 0.6 0.6
0.4 0.4
R
v 0.2 0.2
A sin ( t ) 0
-0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0
-0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
(b)
Figura 2 Experimento conceptual para obtener la caracterstica de un resistor.
el intervalo [ E L, E H ] . Por otra parte, tambin deber asegurarse de que la

frecuencia de la seal de entrada sea lo suficientemente baja para que los
retrasos en la respuesta del circuito pasen desapercibidos. En estas condi-
ciones, obtendr una curva muy parecida a la que obtuvo aplicando tensio-
nes constantes. Por contra, si la frecuencia de la seal de entrada no es lo
suficientemente baja, lo que observe en el osciloscopio diferir del com-
portamiento algebraico idealizado que esperaba. Todo esto se ilustra en las
figuras mostradas en la parte inferior de la Fig.2. La de la izquierda, obte-
nida con una frecuencia baja muestra la caracterstica esperada; por con-
tra, la de la derecha, obtenida con una frecuencia mayor, muestra la
caracterstica desdoblada en dos.
El desdoblamiento observado en la ltima caracterstica es debido a los
inevitables retrasos que se producen en la respuesta del resistor, y se pue-
den explicar aadiendo elementos dinmicos al modelo del mismo.
El experimento anterior apunta algunas ideas que conviene enfatizar aqu,

y que se aplican tanto a los resistores de dos terminales como a otros
dispositivos del tipo resistivo tratados en este texto, independientemente
de su nmero de terminales:
Cualquier caracterstica de un resistor, est dada mediante una
grfica o por una expresin analtica, slo es vlida dentro de una
regin limitada del plano real, definida por i [ J L, J H ] y
v [ E L, E H ] , en la que hayamos realizado nuestras mediciones o
anlisis.
Cualquier caracterstica de un resistor, analtica o grfica, slo es
exactamente vlida para tensiones e intensidades constantes en el
tiempo. Si estas variables no sean constantes con el tiempo, la
caracterstica ser slo aproximadamente vlida siempre y cuando
la mxima frecuencia presente en tales variables sea inferior a un
valor lmite, H .
Otra forma de expresar la ltima observacin es simplemente diciendo que
no existe ningn dispositivo prctico cuya naturaleza sea exactamente
resistiva. Sin embargo, hay muchos dispositivos de inters prctico cuyo
comportamiento a bajas frecuencias puede aproximarse de forma
razonablemente buena mediante relaciones algebraicas.
1.2. Control por Tensin e Intensidad
En la prctica distinguiremos tres tipos de resistores atendiendo al tipo de

relacin algebraica que establecen entre la tensin y la intensidad:
Controlados por tensin. En stos cada valor de tensin define
unvocamente uno de intensidad, aunque lo contrario no tiene por
qu ser cierto. Esto significa que la intensidad se puede expresar

como una funcin de la tensin, aunque esta funcin puede no ser
invertible. Por ejemplo, esto ltimo es lo que sucede en el caso del
diodo tnel mostrado en la Fig.1(c).
Controlados por intensidad. En stos cada valor de intensidad
define unvocamente uno de tensin, aunque lo contrario no tiene
por qu ser cierto. Esto significa que la tensin se puede expresar
como una funcin de la intensidad, aunque esta funcin puede no
ser invertible. Un ejemplo de esto ltimo corresponde a la
caracterstica mostrada en la Fig.1(d).
Resistores invertibles. Son tanto controlados por tensin como por
intensidad, como sucede para los mostrados en las Fig.1(a) y (b).
Desde el punto de vista matemtico, la curva caracterstica de un
resistor invertible debe ser monotnica en su regin de definicin;
esto es, la pendiente no puede tomar valores positivos y negativos
dentro de dicha regin.
2. Diodos Rectificadores. El Diodo de Unin
2.1. Tipos y Estructuras de Diodos Rectificadores
Realmente existen varios dispositivos rectificadores. Pero aqu nos

restringiremos a los diodos semiconductores de unin. Aunque la
estructura interna de los dispositivos no es un objetivo de este conjunto de
temas, no est de ms saber que los diodos de unin se obtienen creando
dentro de un semiconductor, como el Silicio, una zona donde predominan
los huecos anexa a otra donde predominan los electrones.
Apoyndose en las caractersticas del diodo de unin representadas en la Fig.2,
describir cualitativamente el concepto de dispositivos rectificador; dispositivo
que conduce en una direccin y no conduce en la otra. Mencionar las aplicacio-
nes prcticas de este tipo de dispositivos.
Enumerar varios de los dispositivos rectificadores existentes (de vaco, de con-
tacto, de unin), describiendo brevemente la estructura fsica y los principios de
operacin de cada uno de ellos.
Describir con ms detalle, pero en cualquier caso a nivel cualitativo, la estruc-
tura fsica de los diodos de unin pn.
2.2. Caractersticas del Diodo de Unin
En la Fig.3 se muestra una caracterstica tpica

de un diodo de unin pn, donde se distinguen
i
tres regiones:
Zona Directa,
Zona de Ruptura Zona Inversa,

Zona de Ruptura
Zona Inversa
Conviene que est advertido sobre el hecho de
0, 0
que en la Fig.3 la escala del eje de tensin es
v
muy diferente a la del eje de intensidad; y que
Zona Directa
en ambos ejes la escala del semi-eje
correspondiente a valores positivos es muy
diferente de la del correspondiente a valores
Figura 3 Caracterstica de un diodo rectificador. negativos. Por ejemplo, las intensidades
positivas pueden tener un factor de escala 108
veces mayor que las negativas, y las tensiones
negativas pueden tener un factor de escala 102
veces mayor que las positivas)
Zonas Directa e Inversa

Las zonas directa e inversa quedan descritas de manera unificada por la
siguiente expresin matemtica,
v
------------
n Ut
-

i = IS e 1 (2)

Ntese esta expresin depende de tres parmetros, dos de los cuales son
especficos del diodo mientras que el tercero es realmente una variable que
cambia con la temperatura de operacin, en concreto:
I S intensidad de saturacin, cuyo valor depende de la estructura,
la composicin y la geometra del dispositivo y puede variar
8 16
dentro de un rango comprendido entre 10 A y 10 A . El valor
de esta intensidad de saturacin es tambin fuertemente
dependiente de la temperatura; a mayor temperatura mayor
intensidad de saturacin.
n coeficiente de emisin, tambin dependiente de la estructura y
la composicin, y vara entre 1 y 2 .
El coeficiente de emisin cambia as mismo con la intensidad.
Para distintos rangos de intensidad deberan usarse distintos
valores de este coeficiente, tal como se ilustra en la Fig.4. sta
muestra una caracterstica i v tpica para un diodo de unin en
zona directa, sobre una escala semi-logartmica. Para intensidades

medias se obtiene n = 1 , mientras que tanto para intensidades
grandes como para intensidades pequeas se obtiene n = 2 .
ln ( i ) As pues, cuando se proporciona un valor de n

1
---------
nico para todo el rango de intensidades, hay
2U t
que entender que dicho valor se obtiene
1 mediante ajuste experimental, y que es funcin
-----
Ut del rango de intensidades que se est conside-
rando. Los diodos discretos de Silicio tienen
normalmente n = 2 , mientras que en los inte-
1
grados de Silicio suele ser n = 1 . En los dio-
---------
2U t dos de Germanio suele ser n = 1 .
v
Figura 4 Caracterstica i-v tpica en zona directa.
U t tensin trmica, dada por,
U t = kT
------ (3)
q
23
donde k = 1.38 10 julios/kelvin es la constante de Boltz-
mann, T es la temperatura absoluta en grados Kelvin, y
19
q = 1.60 10 culombios es la carga del electrn. A tempera-
tura ambiente de 20C la tensin trmica tiene un valor cercano a
25mV . Este es un dato numrico que conviene retener en la
memoria porque ser usado con mucha frecuencia. Mientras no se
indique lo contrario, en todos los clculos que se hagan con el
diodo de unin se supondr operacin a temperatura ambiente.
En zona directa, para v > 0 y si v > 4nU t , la caracterstica del diodo
puede aproximarse por,
v-
--------
nU t
i IS e (4)
que ser la que usemos normalmente. En zona directa, el diodo de unin

puede operar con corrientes que cubran varios rdenes de magnitud de
variacin. Sin embargo, la naturaleza exponencial de la relacin entre
intensidad y tensin determina el que esta ltima cubra rangos mucho ms
reducidos. Esto queda claramente de manifiesto al despejar v de la
expresin anterior,
v nU t ln ---- = 2.3nU t log ----

i i
(5)
I S I S
Vemos pues que por cada dcada de variacin de la intensidad, la tensin

vara slo en una cantidad igual a 2.3nU t . A temperatura ambiente y
suponiendo n = 1 , esto significa 58mV de variacin de la tensin por

cada dcada de variacin de la intensidad. As, por ejemplo, si
15
I S = 10 A es posible hacer variar la intensidad desde 1nA hasta 1mA
con una variacin de la tensin de slo 345mV .
En zona inversa, para v < 0 y si v U t la caracterstica del diodo
puede aproximarse por,
i IS (6)
una corriente mucho ms pequea que la que se obtiene en zona directa.

En la prctica la corriente en zona inversa puede ser mayor que I S debido
a fenmenos no contemplados por la ecuacin (2). En cualquier caso, la
corriente en zona inversa suele estar en el rango de los nAs .
Zona de Ruptura
Dentro de la zona inversa, al aumentar mucho la cada de tensin desde el
terminal negativo hasta el terminal positivo del diodo, se observa que a
partir de cierto valor, llamado tensin de ruptura E z , la intensidad inversa
aumenta muy rpidamente con la tensin. En estas condiciones, el diodo
puede llegar a destruirse a no ser que se limite de alguna manera la
intensidad que circula por l y por tanto su consumo de potencia. Dentro
de la regin de ruptura el dispositivo equivale a una fuente de tensin,
v Ez (7)
cuyo valor es tambin fuertemente dependiente de la tecnologa;

tpicamente varias decenas de voltio. La ruptura es un comportamiento
parsito que debe evitarse en las aplicaciones del diodo de unin. Sin
embargo, hay dispositivos, los diodos Zener, donde la ruptura es un
proceso controlado y la tensin de ruptura toma valores en el rango de
voltios.
Diodos Zener
El diodo Zener es similar al diodo de unin; su caracterstica i v presenta
tambin una zona directa, otra inversa, y otra de ruptura. La diferencia
principal radica en que en el Zener la ruptura se produce para valores
pequeos de la tensin inversa, en el rango de voltios. De hecho, los
diodos Zener se fabrican para que la ruptura se produzca a tensiones pre-
especificadas, desde 1.8V hasta 200V .
3. Modelos Circuitales del Diodo de Unin
3.1. Modelo de Diodo Ideal
Descartemos de momento la zona de ruptura y quedmonos slo con las

zonas directas e inversa. Los comportamientos del diodo en estas zonas los
podemos describir cualitativamente en los siguientes trminos:
Para tensiones negativas, la corriente es negativa, muy pequea y
cambia poco con la tensin aplicada. Si la intensidad de corriente
es lo suficientemente pequea como para que pueda despreciarse,
podemos simplificar la descripcin del comportamiento
afirmando, simplemente, que la intensidad en zona inversa es nula.
Para tensiones positivas, la intensidad de corriente, positiva,
aumenta muy rpidamente al aumentar slo ligeramente la tensin.
Desde otra perspectiva, podramos decir que el diodo de unin
permite que pasen las corrientes positivas sin cambios apreciables
de la tensin, de hecho con valores pequeos de la tensin.
En primera aproximacin podremos, por tanto,
i representar el comportamiento de un diodo real
i mediante un elemento de circuito el diodo recti-
+
Zona Directa
Zona Inversa ficador ideal con la caracterstica de la Fig.5. En

ideal
v
Temas posteriores veremos que es posible cons-
v truir resistores con caractersticas muy cercanas a
0, 0 las de un diodo ideal. De momento estas caracte-
Figura 5 Caracterstica i-v de un diodo ideal. rsticas constituyen slo una aproximacin de
orden cero al comportamiento real de un diodo.
Ntese que el elemento de circuito diodo ideal equivale a un circuito
abierto en la zona inversa, donde la cada de tensin es negativa. Por con-
tra, si la cada de tensin aumenta hasta el punto de que la corriente se
vuelva positiva, el elemento entra en zona directa, donde su comporta-
miento equivale a un cortocircuito. En Electrnica es comn decir que el
diodo est polarizado en directa, o en inversa, para referirse a que opera
en la zona directa, o en la inversa, respectivamente.
Supongamos que disponemos un diodo ideal conectando dos subcircui-
tos, tal como se muestra en la Fig.6. As conseguiremos que estos dos sub-
circuitos slo intercambien corriente cuando sta circule desde el A hacia
el B, quedando aislados en caso contrarioi. Esta posibilidad de impedir
selectivamente el paso de corriente tiene importantes aplicaciones prcti-
cas, entre las que podemos destacar la rectificacin y la limitacin de ten-
siones.
i. Tal aislamiento no es total en la prctica. A medida que aumenta la frecuencia de las seales implicadas
aumenta el acoplamiento entre los dos subcircuitos.
+ +
Subcircuito A va vb Subcircuito B

i = 0 i>0
+ + + +
Subcircuito A va vb Subcircuito B Subcircuito A va vb Subcircuito B

va < vb va = vb
Figura 6 Conexin de dos subcircuitos mediante un diodo y equivalentes en zona directa e inversa.
Al igual que en el caso del diodo de unin, para el diodo Zener puede
definirse tambin el elemento diodo Zener ideal con la caracterstica mos-
trada en la Fig.7(a). Esta caracterstica equivale a la del circuito mostrado
en la Fig.7(b), constituido por la conexin en paralelo de un diodo ideal
con un resistor consistente a su vez en la conexin en serie de un diodo
ideal y una fuente de tensin. Repasen la aplicacin de limitacin en ten-
sin usando diodos ideales; para esta aplicacin se necesitan diodos y
fuentes de tensin. En lugar de ello, es posible usar slo diodos Zener,
conectndolos tal como se muestra en la Fig.7(c). De esta manera el diodo
de arriba limitara las tensiones negativas al intervalo [ E z , 0 ] , y el de
abajo las limitara al intervalo [ 0, E z+ ] .
i i i
+
i +
ideal v + Ez
Zona Inversa Zona Directa
v v
Ez
v Ez E z+
0, 0

(a) (b) (c)
Figura 7 Diodos Zener: (a) caracterstica i-v ideal; (b) modelo; (c) conexin para limitar la tensin.
3.2. Modelo de Diodo Ideal con Tensin de Corte (Cut-In)
Introducir el concepto de tensin de corte como aquella a la cual la intensidad es

despreciable frente a la intensidad tpica que circula por el diodo en el circuito
que estemos considerando.
Representar grficamente el nivel de intensidad correspondiente a la tensin de
corte sobre la caracterstica real del diodo.
Descartando tambin la zona de ruptura de la caracterstica y considerando
slo la operacin en directa e inversa, podemos aproximar el
comportamiento real del diodo de manera ms fidedigna utilizando un
modelo de primer orden. Si retomamos la caracterstica real del diodo

ilustrada en la Fig.3, podemos observar cmo la intensidad permanece
pequea para valores de tensiones pequeos, aunque positivos, y slo
crece de forma muy rpida cuando se alcanza un rango determinado de
tensiones positivas.
El modelo de diodo ideal con tensin de corte
i
i aproxima este comportamiento considerando
+ Zona Directa
que para tensiones menores que un valor dado,
E v Zona Inversa la corriente (positiva o negativa) es muy
pequea y puede despreciarse. En esta aproxi-
v macin de primer orden podemos por lo tanto
E
representar el comportamiento del diodo real
Figura 8 Caracterstica i-v de un diodo ideal con mediante un elemento de circuito cuya caracte-
tensin de corte.
rstica i v es la mostrada en la Fig.8.
i = 0 Ntese que con este modelo, tal y como indica

i v < E la Fig.9, el diodo equivale a un circuito abierto
E
+
v en la zona inversa, donde la cada de tensin es

i E v < E . Por contra, si la cada de tensin
+
v i>0 aumenta hasta el punto de que la corriente se

vuelva positiva, el elemento entra en zona
+
v
Figura 9 Equivalentes en inversa y directa de directa, donde equivale a una fuente ideal de
un diodo ideal con tensin de corte. tensin de valor v = E .
El valor de la tensin de corte E , que delimita las zonas directa e
inversa, es fuertemente dependiente de la tecnologa. En diodos discretos
de Silicio suele tomar valores entre 0.2V y 0.5V.
3.3. Modelo de Diodo con Tensin de Corte y Pendiente Finita
El modelo anterior se puede utilizar como punto de partida para realizar

una aproximacin de segundo orden del comportamiento real del diodo.
Teniendo en cuenta el modelo de diodo ideal con tensin de corte, en zona
directa cualquier intensidad positiva puede fluir a travs del diodo sin que
la cada de tensin entre sus terminales vare, ya que el diodo sera
equivalente a una fuente de tensin ideal de valor E .
Volvamos a considerar la caracterstica i v real mostrada ilustrada en
la Fig.3. En ella podemos observar cmo la intensidad crece de forma
rpida cuando se alcanza un rango determinado de tensiones positivas. Sin
embargo, una vez en esta zona, la intensidad a travs del diodo no es inde-
pendiente de la cada de tensin entre sus terminales, de forma que incre-
mentar la corriente conlleva necesariamente un aumento de la tensin.
i Zona El modelo de diodo con tensin de corte y pen-

i Directa
diente finita aproxima este comportamiento
+
Zona Inversa 1 considerando que las intensidades positivas
E, R v -----
R aumentan linealmente con la tensin, de forma
que el diodo real se representa mediante un ele-
v
E mento de circuito cuya caracterstica i v es la
Figura 10 Caracterstica i-v de un diodo con mostrada en la Fig.10.
tensin umbral y pendiente finita.
i = 0 Con este modelo, tal y como indica la Fig.11, el

i E, R v < E diodo equivale a un circuito abierto en la zona
inversa, donde la cada de tensin es v < E .
+
v
i E R Por contra, si la cada de tensin aumenta y la
+
v i > 0 corriente es positiva, el elemento entra en zona

+
v directa, donde equivale a una fuente real de

Figura 11 Equivalentes en inversa y directa de tensin de valor E y resistencia interna R .
un diodo con tensin umbral y pendiente finita.
El valor de la tensin de corte E , que delimita las zonas directa e

inversa en este modelo, es dependiente de la tecnologa. Lo mismo ocurre
con R , que recibe el nombre de resistencia del diodo en conduccin. En
diodos discretos de Silicio suele entre 1 10k .
3.4. Modelos Lineales a Tramos
Los modelos anteriores constituyen una aproximacin de bajo orden al

comportamiento de un diodo rectificador real. Tales aproximaciones se
consiguen mediante caractersticas i v que contienen slo dos tramos.
Aadiendo ms tramos se obtienen modelos ms precisos; tanto ms
precisos cuanto ms tramos aadamos.
Introducir grficamente el concepto de interpolacin mediante tramos rectos.
Esto es, escjanse varios puntos sobre la caracterstica (correspondientes por
ejemplo al nivel de intensidad que se considera despreciable, y al que se consi-
dera mximo) e interplense estos dos puntos con dos tramos rectos.
Indquese que pueden escogerse ms puntos e interpolar por tanto con ms tra-
mos
3.5. Modelos de Interpolacin con Funciones Gaussianas
Explquese el concepto e ilstrese mediante la interpolacin de la caracterstica

de un diodo tnel.
4. Modelos Incrementales y Operacin en Pequea Seal
4.1. Concepto de Modelo Incremental
Recuerde que las caractersticas de un resistor tienen siempre asociadas

una regin [ J L, J H ] [ E L, E H ] del plano ( i, v ) donde son vlidas.
Dentro de tal regin, diremos que un resistor es dbilmente no-lineal, o
cuasi-lineal, si cumple las siguientes condiciones:
La caracterstica es monotnica, y por tanto invertible.
La caracterstica puede expresarse como un desarrollo en serie,

k 2 3
i = Gv+G ( k v ) = G ( v + 2 v + 3 v + ) (8)
k = 2,
1
donde G es la conductancia del resistor, con dimensiones de ,
mientras que 2 y 3 son parmetros que cuantifican a la no-linealidad y
1 2
tienen dimensiones de V y V , respectivamente. Los valores de estos
parmetros son muy dependientes de la tecnologa usada para implementar
fsicamente el resistor. Por ejemplo, en una tecnologa moderna de
4 1 4 2
circuitos integrados podemos tener 2 7 10 V y 3 12 10 V si
usamos directamente el substrato semiconductor para implementar los
resistores; aunque tambin podemos obtener valores ms pequeos o ms
grandes, con variaciones de algunos rdenes de magnitud, usando otras
estructuras.
En el caso ms general la serie en (8) incluye todas las potencias de v .
Sin embargo, en muchas aplicaciones prcticas basta un nmero reducido
de trminos, tpicamente tres, para representar con la precisin necesaria
el comportamiento no-lineal. De aqu en adelante, y mientras no se indique
lo contrario, consideraremos, pues, slo la segunda y la tercera potencia de
v . Por otra parte, los propios coeficientes 2 y 3 los consideraremos
nulos para el anlisis de circuitos donde el comportamiento no-lineal difi-
cultara grandemente el tratamiento matemtico.
La representacin en (8) es del tipo conductancia, pues nos da la
intensidad como una funcin de la tensin. Sin embargo, puesto que la
caracterstica es invertible, resulta tambin posible encontrar una caracte-
rstica del tipo resistencia. Los prrafos que siguen muestran, primero,
las expresiones asociadas a la inversin de un desarrollo en serie genrico
y, despus, su aplicacin a la obtencin de la representacin tipo resisten-
cia.
Ejercicio 1
Supongamos un desarrollo en serie invertible tal como el mostrado a

continuacin,
2 3
y a1 x + a2 x + a3 x (9)
donde x e y son variables, y a 1, a 2 y a 3 son parmetros. Si el desarrollo

en serie es invertible significa que podemos expresar x como un desarrollo
en serie de y ,
2 3
x b1 y + b2 y + b3 y (10)
El objeto del ejercicio es obtener los coeficientes de este desarrollo en

serie en funcin de los del anterior.
Para esto, substituiremos la variable x en cada uno de los trminos del
miembro de la derecha de (9) por la expresin dada en (10). Con esto,
obtenemos,
2 3
y a1 ( b1 y + b2 y + b3 y ) +
2 3 2
+ a2 ( b1 y + b2 y + b3 y ) + (11)
2 3 3
+ a3 ( b1 y + b2 y + b3 y )
Expandiendo cada uno de los trminos en el miembro de la derecha de esta

2 3
ecuacin, agrupando trminos en y , y e y en la expresin resultante, e
igualando trmino a trmino los coeficientes de miembros de la derecha y
la izquierda, obtenemos,
2
1 a 2a 2 a 1 a
b 1 = ----- b 2 = ----2- a 3 = -----------------------------3- (12)
a1 3 5
a1 a1
Aplicando el resultado de este ejercicio a la expresin tipo conductancia

dada en (8), obtenemos la siguiente expresin tipo resistencia para un
resistor cuasi-lineal,

k 2 3
v = Ri+R ( k i ) = R ( i + 2 i + 3 i + ) (13)
k = 2,
donde R es la resistencia del resistor, con dimensiones de , y 2 y 3

son coeficientes que cuantifican la cantidad de no-linealidad; estos
1 2
tienen dimensiones de A y, A respectivamente, y estn dados por:
2
1- 2 2 3
R = --- 2 = ----2 3 = ------------------
- (14)
G G 2
G
Observe que los valores de los coeficientes 2 y 3 dependen del valor de

la resistencia R . Es bastante comn el que la no-linealidad de un resistor
cuasi-lineal se especifique dando valores independientes del valor de la
resistencia a los coeficientes asociados a la representacin de
conductancia, 2 y 3 en (8). En tal caso, por tanto, los valores de los
coeficientes asociados a la representacin de resistencia cambiarn al
cambiar el valor R .
4.2. Operacin en Pequea Seal de Resistores No-Lineales
En Electrnica es bastante comn el usar dispositivos fuertemente no-

lineales para realizar operaciones que son aproximadamente lineales. La
amplificacin, que se realiza con transistores, es quizs el ejemplo ms
claro de esto. La receta para conseguirlo es bien simple:
Hgase que el dispositivo se coloque en un punto correcto de su
caracterstica aplicando fuentes de tensin y/o intensidad
constantes. A esta operacin se le denomina polarizar el
dispositivo, y al citado punto correcto se le denomina punto de
operacin.
Pnganse los medios para que las variaciones de tensin e
intensidad alrededor del punto de operacin sean suficientemente
pequeas.
En tal caso, las variables que representan

dichas variaciones de la tensin y la intensi-
i dad las podemos interrelacionar mediante
una expresin que cumple los requisitos
Q impuestos a los resistores cuasi-lineales.
J
Este proceso lo ilustraremos con la ayuda de
la Fig.12. En la parte superior de dicha
v figura mostramos la caracterstica de un
E
resistor controlado por tensin, i = f ( v ) .
J + i Supongamos que, por el procedimiento que
+
a
sea, fijamos una tensin constante de valor
E + v N E entre terminales, de manera que coloque-
b mos al resistor en el punto etiquetado con
Q = ( E, J ) sobre la caracterstica, donde
i
J = f(E) .
Consideremos ahora que, en el circuito del
i J cual forma parte el resistor, la tensin y la
intensidad varan slo ligeramente alrededor
de este punto de operacin. De esta manera
la tensin e intensidad en el resistor pasarn
E a estar dadas por E + v y J + i , respecti-
v
v
vamente, tal como se ilustra en la figura
i intermedia. La figura de abajo muestra el
+ a
intervalo definido por estas pequeas varia-
R = d f(v)
1
v N
dv Q
ciones sobre un zoom de la caracterstica del
b resistor alrededor del punto de operacin.
Dentro de dicho intervalo, y por ser sufi-
Figura 12 Concepto de operacin en pequea seal. cientemente pequeo, podemos aproximar la
caracterstica por un desarrollo en serie
McLaurin alrededor del punto Q ,
1 2 1 n
i = f(E) + d f(v) v + --- d f ( v ) v + + ----- d f ( v )
2 n
v + (15)
dv 2 d v2 n! d v n
v=E
v=E v=E
Teniendo en cuenta ahora que J = f ( E ) y puesto que i = J + i ,

encontramos que las magnitudes incrementales quedan relacionadas por la
expresin correspondiente a un resistor cuasi-lineal,
1--- d 2 1- d n
i = d f ( v )
2 n
v + f(v) v + + ---- f(v) v + (16)
dv 2 d v2 n! d v n
v=E v=E v=E
donde, comparando con (8), la conductancia equivalente viene dada por la

primera derivada en el punto de operacin, esto es por la pendiente de la
curva caracterstica en el punto de operacin, y los coeficientes de no-

linealidad en (8) estn dados por,
1--- d 2 1- d 3
f(v) ---- f(v)
2 d v2 3! d v 3
2 = ----------------------------------
v=E
3 = ------------------------------------
v=E
(17)
d f(v) d f( v)
dv v=E
dv v=E
Ntese que tanto la conductancia equivalente como los coeficientes de no-

linealidad dependen del punto de operacin, esto es sus valores cambian al
cambiar dicho punto. Este hecho tiene una gran relevancia en el estudio de
circuitos electrnicos, por lo que conviene que reflexione sobre l, y no lo
olvide.
Observando la grfica de abajo en la Fig.12, notamos que, dentro de la
regin sombreada, la caracterstica puede efectivamente considerarse
cuasi-lineal. De hecho, si la amplitud de esa regin es lo suficientemente
pequea, la caracterstica puede ser aproximada por su tangente, esto es
por un trmino lineal. La implicacin prctica de esta aproximacin mate-
mtica est en que nos permite simplificar el estudio de circuitos no-linea-
les a base de realizar este estudio en dos fases:
una primera, donde se consideran slo aquellas fuentes de tensin
e intensidad constantes, anulndose todas las dems, y se calcula
el punto de operacin;
otra, en la que se anulan las fuentes constantes, se sustituyen los
resistores no-lineales por sus modelos incrementales, y se estudia
la influencia de las fuentes de tensin e intensidad variables en el
tiempo sobre el circuito incremental resultante. Esto se ilustra en
el esquemtico de la parte inferior de la Fig.12, donde el resistor
no-lineal ha sido reemplazado, a los propsitos del estudio de las
variaciones incrementales por otro lineal con resistencia
1
R = d f(v) .
dv Q
Ejercicio 2
Supongamos el circuito mostrado en la Fig.13(a), que contiene una fuente

constante, tambin llamada de DC, y otra variable, llamada de AC.
Supongamos que la amplitud de la segunda es lo suficientemente
pequea y que deseamos calcular la tensin que cae en el diodo.
A los efectos de clculo, y aprovechando que la

+ fuente de tensin variable es lo suficientemente
vs ( t ) Rs
vo ( t )
Es pequea, podemos calcular aproximadamente v o
como la suma de dos componentes. Una primera,
(a)
V oQ , causada por la fuente constante, que calcula-
+ mos con el circuito de la Fig.13(b), donde hemos
Rs
V oQ anulado la fuente variable. Y otra segunda, v o ,
Es
(b) causada por la fuente variable, que calculamos con
el circuito de la Fig.13(c), donde la fuente constante
+ se ha anulado y el diodo ha sido sustituido por un
vs ( t ) Rs v o ( t ) modelo incremental cuasi-lineal. El valor final
aproximado de v o ( t ) ser entonces,
(c)
Figura 13 Ilustrando la solucin incremental v o ( t ) V oQ + v o ( t ) (18)
de un circuito no-lineal.
En este punto del tema usted no tiene por qu saber cmo resolver el
circuito de la Fig.13(b); y el de la Fig.13(c) lo sabe resolver, usando el
material del Captulo 1, slo si el resistor que representa el comporta-
miento incremental del diodo alrededor del punto de operacin se supone
exactamente lineal, en cuyo caso obtenemos,
d f ( v ) 1 + R
s
dv Q
v o ( t ) = -------------------------------------- v s ( t ) (19)
Rs
donde f ( v ) representa la caracterstica del diodo. Volveremos sobre esta

aplicacin ms adelante, una vez que se hayan presentado las
herramientas matemticas necesarias para el anlisis del circuito.
5. Anlisis de Circuitos con Diodos de Unin

El anlisis de circuitos que contienen diodos se suele afrontar empleando
modelos del dispositivo para simplificar la tarea. Los pasos generales a
seguir en el anlisis de circuitos con diodos son los siguientes:
Seleccionar el modelo de diodo ms adecuado para el circuito que
se desea analizar. Como norma general se emplea el modelo ms
simple que conduzca a resultados suficientemente exactos.
Suponer un estado determinado (operacin en directa o inversaii)
para los diferentes diodos del circuito y substituir los diodos por el
equivalente del modelo seleccionado en ese estado.
Resolver el circuito resultante, calculando las tensiones e
ii. En el caso de que el circuito contenga diodos Zener, lgicamente deberemos considerar tambin su posible
estado en zona de ruptura.
intensidades en cada parte del circuito.

Verificar, a partir de la resolucin del circuito, si el estado supuesto
para cada diodo es el correcto. Si es correcto podemos dar por
concluido el proceso de anlisis.
En caso de que el estado supuesto para alguno de los diodos del
circuito no sea correcto, volver al segundo paso y suponer una
nueva combinacin de estados para los diodos.
N
Ntese que para un circuito con N diodos existen al menos 2
combinaciones de estados posiblesiii.
Ejercicio 3
Determine la tensin v o en el siguiente circuito, utilizando un modelo

1k ideal para el diodo.
+
5V v o Comenzaremos suponiendo que el diodo opera en zona directa.

1k
Teniendo en cuenta que el diodo ideal ser entonces equivalente a un
6V cortocircuito, pasamos a sustituir el equivalente y resolver el circuito
resultante.
1k iD
+
+ 5 6 - = 0.5mA v = 0.5mA 1k + 6V = 5.5V

vD i D = ----------------- o
1k + 1k
5V vo
1k v D = 0, pero no se cumple i D > 0 El diodo no est ON
6V La solucin no es correcta
Dado que no se verifica que el estado supuesto sea correcto, debemos

considerar que el diodo opera en zona inversa. De esta forma:
1k iD
+
+ i D = 0 v o = 5V
vD

5V vo v D = 5V 6V = 1V
1k
i D = 0, y se cumple v D 0 El diodo est OFF
6V La solucin es correcta
iii. Si el circuito contiene diodos Zener, el nmero de combinaciones posibles es mayor ya que tendramos tres
posibles estados para cada uno de ellos, en lugar de dos.
6. Aplicaciones del Diodo
6.1. Rectificadores
Rectificador de Media Onda

Los rectificadores de media onda y de onda completa se usan para
transformar una tensin de alterna AC en otra de continua DC. Se
usan por lo tanto en todos los circuitos electrnicos, salvo los que van
alimentados por bateras. El circuito rectificador de media onda ver
Fig.14(a) se ajusta al modelo mostrado en la Fig.6; en este caso el
subcircuito A es simplemente una fuente de tensin alterna, mientras que
el subcircuito B es una resistencia. La tensin v a est, por tanto, fijada por
la fuente; y la tensin v b es nula, cuando no circule intensidad, o coincide
con v a , cuando el diodo conduce. Esto lo podemos interpretar diciendo
que el circuito transforma la tensin de entrada, definida por la fuente, en
una tensin de salida, la que cae en el resistor, de acuerdo con la siguiente
ley,
vs , vs > 0
vo = u 2+ ( v s ) (20)
0 , vs 0
De este modo, si la tensin de entrada es la seal sinusoidal de alterna

disponible en los enchufes de su casa,
v s = A sin ( t ) (21)
la seal de salida vendr dada por,
A sin ( t ) , 2k < t < ( 2k + 1 )

v o = u 2+ [ A sin ( t ) ] = (22)
0 , ( 2k + 1 ) < t < ( 2k + 2 )
vs
+
vs vo
t

(a)
(b)
+ +
vs vo vo vs vo

t
(c)
Figura 14 Rectificador de media onda con diodo y fuente ideales.
La operacin del rectificador de media onda se ilustra grficamente en la

Fig.14. All se muestra que la seal de salida slo contiene valores
positivos. Por tanto, al integrarla se obtendr un valor positivo. En esto
radica la base para la obtencin de una tensin de DC a partir de la forma
de onda de la Fig.14(c).
Rectificador de Onda Completa

vo La Fig.15(a) muestra la caracterstica ten-
+ sin-de-salida frente a tensin-de-entrada
vs vo para el circuito de la Fig.14(a). Es inmediato
comprobar que la caracterstica complemen-

(a)
vs taria, mostrada en la Fig.15(b), se obtiene
0, 0
simplemente intercambiando los terminales
vo
+ 0, 0 del diodo; esta caracterstica permitira eli-
vs
vs vo minar los semiciclos positivos de la seal de
AC de entrada, dejando nicamente los

negativos. Al integrar la seal as rectificada
(b)
se obtendra, pues, un nmero negativo.
Figura 15 Rectificadores de media onda positivos y
negativos.
Cualquiera de los rectificadores de media onda desaprovechan la mitad

de la seal original de AC. Esto puede evitarse usando un rectificador de
onda completa, que realiza la transformacin tensin-tensin mostrada en
la Fig.16(c). Al pasar una seal de AC por un rectificador de onda com-
pleta se obtiene la forma de onda mostrada en la Fig.16(d), cuya integra-
cin da tambin un valor positivo pero doble del que se obtiene al integrar
la forma de onda de la Fig.14(c).
Hay distintas maneras de realizar un rectificador de onda completa
usando diodos ideales. Una posibilidad es usar el circuito que se muestra
en la Fig.17(a), que contiene 4 diodos. Para comprender mejor la opera-
cin de este circuito es de inters contemplarlo como la superposicin de
dos rectificadores de media onda, tal como se muestra en la Fig.17(b).
Cada rama rectificadora de media onda implementa la caracterstica ten-
sin-tensin que se muestra en la figura. La rama de arriba deja pasar
intensidades positivas representadas por i + y, por tanto, valores positi-
vos de la tensin de entrada; por contra, la rama de abajo deja pasar inten-
sidades negativas representadas por i y, por tanto, valores negativos
vo
vo
t
vs
(a) 0, 0 (b)
Figura 16 Caracterstica tensin-tensin y seal de AC en un rectificador de onda completa.
+
vo
vs
(a)
vo
i+ vs i B B
+
vo + i
A
i+ i+ +
i+ vo vo
i B i i
+ i+
vo vs vs
vs
v
o i+ A A
i
(b) vs (c) (d)
Figura 17 Rectificador de onda completa.
de la tensin de entrada. Ntese que en estos ltimos la tensin de salida se

obtiene con signo cambiado respecto a la de entrada. En cada rama la
resistencia correspondiente trabaja nicamente durante la mitad del
ciclo, y los ciclos de trabajo son complementarios. Podra pensarse, pues,
en que las dos ramas compartieran una nica resistencia. El obstculo para
ello es que en cada rama la tensin est referida a un terminal distinto de
esta resistencia ver Fig.17(c). Afortunadamente, en la rama de arriba la
corriente que circula hacia el terminal de referencia es slo positiva, mien-
tras que en la rama de abajo es slo negativa. A partir de un terminal
comn de referencia es posible, por tanto, conmutarlo bien a la rama de
arriba o a la de abajo usando diodos, tal como se muestra en la Fig.17(d).
6.2. Limitadores
Limitador de Tensin
i Un limitador de tensin es un circuito que impide que
la tensin entre dos terminales supere unas cotas
E
v prefijadas; adems, para tensiones comprendidas entre
0, 0 E+ dichas cotas, los valores correspondientes no deben
(a)
estar influidos por el limitador. Esto puede conseguirse
mediante un resistor no-lineal que acte como un
vo
Rs + E+
circuito abierto dentro del rango de tensiones
vo permitidas, y como una fuente de tensin para cada
vs vs uno de los valores lmite. Tal caracterstica se muestra
0, 0
en Fig.18(a); y la operacin de limitacin de tensin se
(b) E ilustra en la Fig.18(b); cuando la tensin de entrada v s
supera los valores lmite, la tensin en exceso entre la
Figura 18 (a) Caracterstica i-v para entrada y las cotas fijadas por el resistor no-lineal cae
limitar en tensin; (b) Caracterstica
entrada-salida de un limitador. en la resistencia de fuente.
Veamos ahora cmo realizar la caracterstica de la Fig.19(a) con diodos

ideales. Esto puede lograrse descomponindola en la suma, tensin a ten-
sin, de las dos caractersticas mostradas en la Fig.19(b). Es inmediato
comprobar que la denominada i + v corresponde a un diodo conectado en
serie con una fuente de tensin que produce un desplazamiento de la ten-
sin cero. Por otra parte, ntese que al girar 180 en sentido horario la
caracterstica i - v se obtiene otra similar a la i + v y que puede, por tanto,
implementarse con la misma estructura de circuito. Puesto que un giro de
180 equivale a cruzar los terminales de entrada, esto nos permite obtener
la caracterstica i - v . Una vez obtenidas las dos caractersticas componen-
tes basta conectar los circuitos correspondientes en paralelo para que se
sumen sus intensidades tensin a tensin, obtenindose finalmente el cir-
cuito mostrado en la Fig.19(c).
i+
i+
+
v
i v i
0, 0 E+
E+ + i i+
E
v i
0, 0 E+ i v
E +
E E+
v
0, 0 v
(c)
E
(a) (b)
Figura 19 Proceso de sntesis para la caracterstica resistiva de un limitador de tensin.
Limitador de Intensidad
La intensidad suministrada a un circuito tambin puede ser limitada
usando diodos ideales. Esto es fcil de comprender dado que el diodo
acta como un interruptor de corriente cuando se le conecta en serie con
un circuito; dependiendo de cmo se escoja la polaridad de sus terminales
impide que pasen intensidades positivas o intensidades negativas. Al colo-
car fuentes de intensidad en paralelo con el diodo se desplaza el cero de
intensidades, tal como se ilustra en la Fig.20(a). Ntese que los dos resis-
tores mostrados en esta figura tienen caractersticas complementarias; el
de arriba permite el paso de corrientes comprendidas en el intervalo
[ I , ) , mientras que el de abajo permite el paso de corrientes en el
intervalo ( , I + ] . Al conectar estos dos resistores en serie la caracters-
tica resultante se obtiene sumando sus tensiones para cada valor de la
intensidad; esto significa permitir el paso slo de las corrientes com-
prendidas en el intervalo [ I , I + ] . La operacin de limitacin de intensi-
dad se ilustra en la Fig.20(b). All se observa que la corriente de salida
depende de la de entrada slo en el intervalo [ I , I + ] . Al alcanzar los
lmites de dicho intervalo la corriente de salida se fija a un valor constante
y la corriente en exceso respecto a los valores lmites circula por la resis-
tencia de fuente R s .
io
i+ i+ + v
is Rs I I+ RL
v
0, 0
I I io
i +
v Rs I+
i -----------------
-
I+ Rs + RL
is
0, 0
v
0, 0
I+ I
(a) (b)
Figura 20 Limitador de intensidad: (a) sntesis de la caracterstica resistiva; (b) caracterstica
entrada-salida de un limitador de intensidad.
6.3. Otras Aplicaciones
Deteccin de Tensiones Mximas y Mnimas

Supongamos que tenemos N tensiones { v 1, v 2, v N } todas ellas
positivas, con valores comprendidos dentro del intervalo [ 0, E ) , y que
deseamos identificar la que tiene el valor mximo o la que tiene el valor
mnimo. Esto puede conseguirse usando los circuitos mostrados en la
Fig.21(a) y (b), respectivamente.
La operacin del circuito de la Fig.21(a) es fcil de comprender a partir
de las descripciones realizadas en las aplicaciones previas y observando

que todos los diodos comparten el terminal negativo. Dado que hemos
supuesto que las tensiones de entrada son positivas, no es posible que
todos los diodos estn en OFF iv pues ello producira tensin nula a la
salida y, por tanto, cadas de tensin positivas en los diodos. A partir de
aqu es intuitivo suponer que aquel diodo cuyo terminal positivo tenga la
tensin ms alta conducir. De esta manera, la salida se fijar a dicha ten-
sin mxima, provocando que las tensiones en los restantes diodos sean
negativas y polarizndolos, por tanto en inversa. Esta posibilidad de trans-
mitir la mxima entre un conjunto de tensiones se puede explotar para
hacer puertas lgicas tipo OR.
Considere ahora el circuito de la Fig.21(b). Observe que ahora los dio-
dos comparten el terminal positivo y que el resistor est conectado a una
fuente de tensin con valor E . Recuerde que las tensiones de entrada son
todas menores que este valor, v j < E, j . Si todos los diodos estuviesen
en OFF, la tensin en el terminal positivo comn sera E induciendo ca-
das de tensin positivas en los diodos. A partir de aqu es intuitivo suponer
que aquel diodo cuyo terminal negativo tenga la tensin ms baja condu-
cir, fijando la salida a dicha tensin mnima y provocando cadas de ten-
sin negativas en los restantes diodos. Esta posibilidad de transmitir la
mnima entre un conjunto de tensiones se puede explotar para hacer puer-
tas lgicas tipo AND.
7. Sntesis de Caractersticas Resistivas Lineales a Tramos

En la seccin sobre las aplicaciones del diodo ideal se han visto ejemplos
de resistores cuya caracterstica i v se obtena mediante la conexin en
serie o en paralelo de otros con caractersticas ms elementales. En esta
Seccin se desarrollarn procedimientos sistemticos para conectar
elementos de circuito de manera que la caracterstica i v del conjunto
sea una funcin compuesta por tramos rectos, tales como las mostradas a
modo de ejemplo en las Fig.22(a) y (b).
Este problema de sntesis se resolver en un proceso de dos pasos:
v1 v1
v2 v2 E
vN vN
+ +
vo vo
(a) (b)
Figura 21 Identificacin de mximos y mnimos usando diodos.
iv. Usaremos el trmino OFF para referirnos de modo sincrtico a un circuito abierto; y el trmino ON para
referirnos a un cortocircuito
i i
G 2+ G2
G1
G 1+ G0
E2 E1 G0
G1 0, 0
v
E 1+ E 2+ v
E1 E2
G2 G0
(a) (b)
Figura 22 Caractersticas resistivas lineales a tramos.
primero, se definirn varias funciones lineales a tramos

elementales y se ver cmo realizarlas conectando diodos ideales,
resistencias y fuentes de tensin e intensidad.
segundo, se ver cmo interconectar varias instancias
parametrizadas con distintos valores de las resistencias y fuentes
de estos resistores elementales para obtener la caracterstica
completa.
7.1. Resistores Elementales
Considere las caractersticas mostradas en las Fig.23(a), (b), (c) y (d). Sus
respectivas expresiones matemticas son:
i = G u 2+ ( v E ) Fig.15(a)
i = G u 2- ( v + E ) Fig.15(b)
(23)
v = R u 2+ ( i I ) Fig.15(c)
v = R u 2- ( i + I ) Fig.15(d)
Suponga ahora que dispone de diodos ideales, resistores lineales y
i i i
G i
G I
E
v v v v
E
I
G G
(a) (b) (c) (d)
i i
+ + i i
+ +
1 1- 1 1
v R = ---- v R = --- v R = ---- v R = ----
G G I G I G

E E (g) (h)
(e) (f)
Figura 23 Caractersticas resistivas elementales.
fuentes ideales de tensin e intensidad. Usando las tcnicas expuestas pre-

viamente en el Tema, le ser fcil comprobar que los circuitos de las
Fig.23(e), (f), (g) y (h) realizan respectivamente las caractersticas anterio-
res. Tambin es interesante observar que cambiando los valores de las
resistencias y de las fuentes cada circuito permite obtener de hecho toda
una familia de curvas caractersticas con distintos puntos de ruptura y/o
distintos valores de la pendiente en la zona de conduccin.
Lo interesante de estas caractersticas elementales es que pueden reali-
zarse en la prctica de forma bastante aproximada. Evidentemente, en la
prctica no existen ni diodos ideales ni fuentes ideales ni resistores exacta-
mente lineales. Si los resistores de la Fig.23 se implementan usando com-
ponentes reales se cometen, obviamente, errores. Sin embargo,
dependiendo de la aplicacin estos errores pueden reducirse hasta cotas
tales que su influencia sea despreciables.
Ntese que todas las caractersticas de la Fig.23 tienen pendiente posi-
tiva en la zona de conduccin. Esto es as porque los circuitos correspon-
dientes usan resistores con valores positivos de sus resistencias. Si se
emplearan resistencias negativas, sera posible realizar caractersticas con
pendientes negativas en la zona de conduccin. Sin embargo, no existe
ningn componente cuya caracterstica i-v global corresponda a un resis-
tor cuasi-lineal v con resistencia negativa. Bien es verdad que existen
resistores, como el diodo tnel, cuya caracterstica i-v contiene tramos de
pendiente negativa, pero no existe ningn resistor cuya pendiente sea
negativa en todo el rango de tensiones. De momento, restringimos la snte-
sis de caractersticas i-v al caso donde todas las pendientes son positivas.
7.2. Sntesis de Resistores con Caractersticas Monotnicas
7.3. Sntesis de Resistores con Caractersticas No-monotnicas
8. Control de las Caractersticas Mediante Parmetros Fsicos. Sensores

En general las caractersticas de los resistores no-lineales cambian
dependiendo de las condiciones fsicas en las que operan; esto es: de la
temperatura a la que trabajan, de si incide o no radiacin sobre ellos, o de
los esfuerzos mecnicos a los que estn sometidos, entre otros factores.
Por ejemplo, en la Fig.24(a) se ilustran los cambios de la corriente al hacer
incidir luz blanca sobre un diodo semiconductor sometido a una tensin
negativa; mientras mayor sea la potencia de la luz que incide, mayor
resulta ser la corriente que circula por el diodo. La Fig.24(b) es otro ejem-
plo de control del comportamiento de un resistor no-lineal mediante par-
v. El trmino cuasi-lineal es pertinente porque no existe ningn resistor prctico que sea exactamente lineal.
Tema 3: Circuitos Dinmicos de Primer Orden 28
metros fsicos, en este caso se ilustran los cambios en la caracterstica de

un diodo semiconductor con la temperatura; se observa que la intensidad
para tensiones positivas vara al cambiar la temperatura.
Estos cambios pueden ser inconvenientes en aplicaciones donde se
desea que las perturbaciones se reduzcan al mnimo; sin embargo, en otras
pueden resultar de utilidad. Por ejemplo, podemos estimar la temperatura
midiendo las variaciones de tensin de un diodo semiconductor; o la inten-
sidad de luz midiendo las variaciones de la corriente que circula por un
diodo sobre el que incida luz pueden usarse como una medicin de los pro-
cesos fsicos que causan el cambio; esto es, para medir temperaturas, dosis
de radiacin, fuerzas, etc. De la misma manera que en esta asignatura
renunciamos a comprender los fenmenos fsicos subyacentes a la opera-
cin de los dispositivos electrnicos, tampoco intentaremos comprender
exactamente por qu se producen dichos cambios. Los ejemplos citados
slo pretenden reforzar la idea de que las caractersticas de los resistores
no-lineales, y en general las de cualquier dispositivo electrnico, pueden
cambiar dependiendo de los parmetros fsicos de su entorno de operacin.
700 103
600 jas-pie
3.000 bu
Corriente del diodo (A)
102
Corriente del diodo (A)
500
400 101
150oC
2.000 bujas-pie
300
100
25oC
200
1.300 bujas-pie
10-1
100 335 bujas-pie
oscuridad -55oC
0 -2
0 5 10 15 20 25 30 35 40 10
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
(a) Tensin inversa (V) (b) Tensin directa (V)
Figura 24 Variacin de las caractersticas en funcin de parmetros fsicos: (a) con la potencia de luz
incidente (diodo Ge 1N77); (b) con la temperatura (diodo Si 1N3605).
Prximamente estar disponible una versin -1 para distribucin semi-pblica.

Diodos

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Diodos

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Tema 5

Diodos de Unin: Circuitos y Aplicaciones

1. Conceptos Bsicos Sobre Resistores No-Lineales de Dos Terminales

1. Conceptos Bsicos Sobre Resistores No-Lineales de Dos Terminales

1.1. Caractersticas i-v

Los diodos pertenecen a la familia de dispositivos conocidos con el nombre de

entre la tensin y intensidad, consideradas stas como variables reales.

el intervalo [ E L, E H ] . Por otra parte, tambin deber asegurarse de que la

El experimento anterior apunta algunas ideas que conviene enfatizar aqu,

1.2. Control por Tensin e Intensidad

En la prctica distinguiremos tres tipos de resistores atendiendo al tipo de

qu ser cierto. Esto significa que la intensidad se puede expresar

2. Diodos Rectificadores. El Diodo de Unin

2.1. Tipos y Estructuras de Diodos Rectificadores

Realmente existen varios dispositivos rectificadores. Pero aqu nos

2.2. Caractersticas del Diodo de Unin

En la Fig.3 se muestra una caracterstica tpica

Zona de Ruptura Zona Inversa,

Zonas Directa e Inversa

zona directa, sobre una escala semi-logartmica. Para intensidades

ln ( i ) As pues, cuando se proporciona un valor de n

U t tensin trmica, dada por,

que ser la que usemos normalmente. En zona directa, el diodo de unin

v nU t ln ---- = 2.3nU t log ----

Vemos pues que por cada dcada de variacin de la intensidad, la tensin

suponiendo n = 1 , esto significa 58mV de variacin de la tensin por

una corriente mucho ms pequea que la que se obtiene en zona directa.

cuyo valor es tambin fuertemente dependiente de la tecnologa;

3. Modelos Circuitales del Diodo de Unin

3.1. Modelo de Diodo Ideal

Descartemos de momento la zona de ruptura y quedmonos slo con las

Zona Inversa ficador ideal con la caracterstica de la Fig.5. En

3.2. Modelo de Diodo Ideal con Tensin de Corte (Cut-In)

Introducir el concepto de tensin de corte como aquella a la cual la intensidad es

modelo de primer orden. Si retomamos la caracterstica real del diodo

i = 0 Ntese que con este modelo, tal y como indica

v en la zona inversa, donde la cada de tensin es

v i>0 aumenta hasta el punto de que la corriente se

3.3. Modelo de Diodo con Tensin de Corte y Pendiente Finita

El modelo anterior se puede utilizar como punto de partida para realizar

i Zona El modelo de diodo con tensin de corte y pen-

i = 0 Con este modelo, tal y como indica la Fig.11, el

v i > 0 corriente es positiva, el elemento entra en zona

v directa, donde equivale a una fuente real de

El valor de la tensin de corte E , que delimita las zonas directa e

3.4. Modelos Lineales a Tramos

Los modelos anteriores constituyen una aproximacin de bajo orden al

3.5. Modelos de Interpolacin con Funciones Gaussianas

Explquese el concepto e ilstrese mediante la interpolacin de la caracterstica

4. Modelos Incrementales y Operacin en Pequea Seal

4.1. Concepto de Modelo Incremental

Recuerde que las caractersticas de un resistor tienen siempre asociadas

Supongamos un desarrollo en serie invertible tal como el mostrado a

donde x e y son variables, y a 1, a 2 y a 3 son parmetros. Si el desarrollo

El objeto del ejercicio es obtener los coeficientes de este desarrollo en

Expandiendo cada uno de los trminos en el miembro de la derecha de esta

Aplicando el resultado de este ejercicio a la expresin tipo conductancia

donde R es la resistencia del resistor, con dimensiones de , y 2 y 3

Observe que los valores de los coeficientes 2 y 3 dependen del valor de

4.2. Operacin en Pequea Seal de Resistores No-Lineales

En Electrnica es bastante comn el usar dispositivos fuertemente no-

En tal caso, las variables que representan

Teniendo en cuenta ahora que J = f ( E ) y puesto que i = J + i ,

donde, comparando con (8), la conductancia equivalente viene dada por la