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SISTEMAS OPERATIVOS I
SANGOLQU
2017
1.1 Introduccin
La memoria es un bloque fundamental del computador, cuya misin consiste en
almacenar los datos y las instrucciones. La memoria principal, es el rgano que almacena
los datos e instrucciones de los programas en ejecucin. A veces la memoria principal no
tiene la suficiente capacidad para contener todos los datos e instrucciones, en cuyo caso
se precisan otras memorias auxiliares o secundarias, que funcionan como perifricos del
sistema y cuya informacin se traspasa a la memoria principal cuando se necesita. La
memoria solo puede realizar dos operaciones bsicas: lectura y escritura. En la lectura, el
dispositivo de memoria debe recibir una direccin de la posicin de la que se quiere
extraer la informacin depositada previamente. En la escritura, adems de la direccin,
se debe suministrar la informacin que se desea grabar.
MEMORIA DE FERRITA
Ambos tipos de memoria fueron un intento, de poco xito comercial, de sustituir ferritas
de dos hilos por una estructura de fabricacin ms sencilla, de menor tamao y, por tanto,
de mayor velocidad.
En los dispositivos de pelcula delgada se parte de una fina capa magnetizable sobre la
que se establece una matriz de hilos conectados a los transductores. La zona proximal al
cruce de dos hilos realiza la misma funcin que un toro de ferrita de dos hilos. Dicha capa
se deposita sobre un soporte y tiene un espesor de unos 10 4mm.
En los dispositivos de hilo plateado el material magntico se deposita en una fina capa
que recubre uno de los dos conductores. La zona de este deposito, prxima al cruce de
ambos hilos, forma el equivalente a la ferrita.
MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES
Este tipo de memoria se emplea actualmente, con carcter universal, como memoria
principal de los computadores.
Todas las memorias que se van a tratar en este apartado son de direccionamiento
cableado, o sea, de acceso aleatorio o RAM. Sin embargo, dentro de estas memorias se
ha desarrollado otra terminologa que resulta un poco confusa, pues repite trminos
empleados con otro sentido. Se puede establecer la siguiente clasificacin: de lectura y
escritura(RAM)
Estticas.
Dinmicos o con refresco.
de slo lectura
RAM Disk
Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder
a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco
duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces ms rpidos que
los discos duros, y son particularmente tiles para aplicaciones que precisan de frecuentes
accesos a disco.
Dado que estn constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una
vez que la computadora es apagada.
Precios en la actualidad
De correspondencia directa.
De asociacin completa.
De asociacin de conjuntos.
De correspondencia vectorizada.
DRAM sncrona, un tipo de memoria RAM dinmica que es casi un 20% ms rpida que
la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o ms matrices de memoria interna de tal forma
que mientras que se est accediendo a una matriz, la siguiente se est preparando para el
acceso. SDRAMII es tecnologa SDRAM ms rpida esperada para 1998. Tambin
conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM),
permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bs.
Un tipo de chip de RAM dinmica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast
Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por
chips de modo Fast Page.
Sin embargo, si el controlador de memoria no est diseado para los ms rpidos chips
EDO, el rendimiento ser el mismo que en el modo Fast Page.
EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que
comienza el prximo ciclo.
BEDO (Burst EDO)
Este tipo de memoria almacena las direcciones de cualquier dato de memoria DRAM que
hay en la memoria cach. Si el procesador encuentra una direccin en la TAG RAM, va
a buscar los datos directamente a la cach, si no, va a buscarlos directamente a la memoria
principal.
Cuando se habla de la CACHEABLE MEMORY en las placas para Pentium con los
chipsets 430FX, 430VX, 430HX y 430TX de Intel, nos referimos a la cantidad de TAG
RAM, es decir, la cantidad de datos de memoria que se pueden almacenar en la cach.
Una de las desventajas del chipset 430TX frente al chipset 430HX es que solo se pueden
almacenar los datos de 64 MB de memoria RAM, con lo cual, en ciertos casos, en las
placas con este chipset se produce un descenso del rendimiento de memoria al tener
instalados ms de 64 MB de memoria RAM en el equipo. Por ello, a pesar de la
modernidad del diseo, en los servidores o las estaciones grficas quizs sera ms
conveniente utilizar una placa base con el chipset 430HX de Intel.
Precios en la actualidad
Intel Procesador Pentium G4400 3.3 Ghz 3mb Cache Socket 1151
U$S 72
Disco Duro Wd 1tera 500gb 7200rpm Cache 64mb Sata 6.gbs New
U$S 80
MEMORIA ROM
Estas letras son las siglas de Read Only Memory (memoria de solo lectura) y eso es
exactamente lo que es, una memoria que se graba en el proceso de fabricacin con una
informacin que est ah para siempre, para lo bueno y lo malo. No podemos escribir en
ella pero podemos leer cada posicin la veces que queramos. Se trata de la memoria
interna de la mquina, que el procesador lee para averiguar el qu, el cundo y el cmo
de una multitud de tareas diferentes; por ejemplo: lee las diversas instrucciones binarias
que se necesitan cada vez que se teclea un carcter por el teclado, o cada vez que se tiene
que presentar algo en pantalla.
En la ROM est almacenado tambin el programa interno que nos ofrece la posibilidad
de hablar con el ordenador en un lenguaje muy similar al ingls sin tener que rompernos
la cabeza con el lenguaje de mquina (binario). Todas estas cosas suman tanta
informacin que es muy probable que la memoria ROM de un ordenador tenga una
capacidad de 8K a 16K, un nmero suficientemente grande para que este justificado
asombrarse ante la cantidad de informacin necesaria para llenar tal cantidad de
posiciones, especialmente cuando sabemos que los programas ROM estn escritos por
expertos en ahorrar memoria. Ello sirve para poner de manifiesto la gran cantidad de
cosas que pasan en el interior de un ordenador cuando ste est activo.
Para este tipo de memoria basta decir que es un tipo de memoria ROM que se puede
programar mediante un proceso especial, posteriormente a la fabricacin.
PROM viene de PROGRAMABLE READ ONLY MEMORY (memoria programable
de solo lectura ).Es un dispositivo de almacenamiento solo de lectura que se puede
reprogramar despus de su manufactura por medio de equipo externo . Los PROM son
generalmente pastillas de circuitos integrados.
Caractersticas principales de rom y prom:
An mejores que las EPROM son las EEPROM ( EPROM elctricamente borrables)
tambin llamadas
EAROM (ROM elctricamente alterables), que pueden borrarse mediante impulsos
elctricos, sin necesidad de que las introduzcan en un receptculo especial para
exponerlos a luz ultravioleta.
Las ROM difieren de las memorias RAM en que el tiempo necesario para grabar o borrar
un byte es cientos de veces mayor, a pesar de que los tiempos de lectura son muy
similares.
Caractersticas principales de este tipo de memorias:
Otros nombres muy utilizados son los siguientes, aunque cada uno es parte de la ROM,
no significa que sean sinnimo de ROM como la mayora lo deduce:
BIOS: proviene de las siglas ("Basic In Out System") sistema bsico de entrada
y salida. Se le llama as al conjunto de rutinas que se realizan desde la memoria
ROM al encender la computadora, permite reconocer los perifricos de entrada y
salida bsicos con que cuenta la computadora as como inicializar un sistema
operativo desde alguna unidad de disco o desde la red.
CMOS: proviene de las siglas de ("Complementary Metal Oxide
Semiconductor") semiconductor complementario xido-metlico. Es el tipo de
material con el que est basada la fabricacin de un circuito especial llamado del
mismo nombre "CMOS", el cul tiene la caracterstica de consumir un nivel muy
bajo de energa elctrica cuando est en reposo. En este material esta basada la
construccin de la memoria ROM.
SETUP: es un software integrado en la memoria ROM, desde el cul el usuario
puede acceder y modificar ciertas caractersticas del equipo antes de que cargue
la interfaz de usuario, es decir, el sistema operativo.
Precios en la actualidad
Cuando se guarda un archivo, se llevan los datos de vuelta a la unidad de disco duro.
Cuanto ms veloz es el disco duro de tu equipo, ms rpido puede arrancar, guardar y
cargar archivos y programas.
Actualmente existe el disco duro mecnico y el disco duro de estado slido, siendo este
el ms rpido, seguro y confiable.
Los discos duros en estado slido (SSD) son dispositivos de almacenamiento de datos
basados en flash para su porttil u ordenador de sobremesa. Un SSD funciona de forma
similar que un disco duro tradicional, pero sin la necesidad de incluir piezas mviles.
Esta es la diferencia clave entre los dos tipos discos y, como resultado, un SSD es ms
rpido, silencioso, resistente y eficiente desde el punto de vista energtico que su
homlogo tradicional.
Solucin de almacenamiento de datos en estado slido de alto rendimiento,
MEMORIA VIRTUAL
Es una manera de reducir el acceso constante a memoria por parte del procesador.
Cuando se est ejecutando un programa, y especialmente si se tienen varias aplicaciones
abiertas, el ordenador tiene que cargar en memoria RAM los valores e instrucciones de
dicho/s programa/s. Pero, qu ocurre cuando el programa o programas que se estn
ejecutando requieren ms memoria de la que tiene el equipo?
En este caso, el procesador toma una parte del disco duro y la convierte en memoria
RAM. Es decir, se utiliza el disco duro para almacenar direcciones de memoria, y aunque
el disco duro es mucho ms lento que la memoria RAM (1015 milisegundos para un
disco duro moderno frente a 7010 nanosegundos para la memoria actual), es mucho ms
rpido tomar los datos en formato de memoria virtual desde el disco duro que desde las
pistas y sectores donde se almacenan los archivos de cada programa.
Los distintos modelos de memoria virtual se diferencian por sus polticas de solapamiento
y por los mtodos que emplean en la organizacin de la memoria. Los mas importantes
son:
Memoria Paginada
Memoria Segmentada
Memoria de segmentos paginados
Todos estos sistemas encuentran como problema critico que los requerimientos de la
memoria de algunos programas especficos son difciles de predecir, y por ello, la fraccin
de memoria que debe asignarse a un programa es variable en cada caso.
Adems, la poltica de solapamiento y comparticin debe tener en cuenta ciertas
caractersticas internas de los programas que, invariablemente, determinan la
construccin modular y estructurada de los mismos. Dichas caractersticas son:
1. Localizacin Temporal: Es la tendencia de un proceso a referirse, en un futuro
prximo, a elementos utilizados recientemente. Las variables y los stacks del proceso son
ejemplos de elementos que ejercitan esta caracterstica.
2. Localizacin espacial: es la tendencia que tiene los procesos a referirse a elementos
prximos la espacio virtual antes recorrido.
3. Localizacin Secuencial: tendencia de los procesos a referenciar elementos de la
secuencia inmediata.
Para decidir que fraccin de memoria principal ha de ser destruida o cargada en disco si
ha sido modificada cuando se necesita leer otra, las reglas o criterios mas empleados son:
Regla FIFO. Se destruye la fraccin que mas tiempo lleva en la memoria principal para
dejar un hueco en esta.
Regla LRU. La porcin que lleva mas tiempo sin haber sido usada o actualizada.
Regla LIFO. El hueco aparece en la memoria principal destruyendo o devolviendo a
disco(si se ha modificado) la parte que lleva en memoria el menor tiempo.
Regla LFO. Deja hueco la porcin que se ha pedido menos veces desde que comenz
el proceso.
Regla RAND. Se elige una porcin al azar.
Regla CLOCK. Cuando se coloca un bit de uso en cada entrada de una cola FIFO y se
establece un puntero que la convierte en circular. Es una aproximacin al algoritmo
LRU con una cola FIFO simple.
MEMORIA PAGINADA
Este mtodo organiza el espacio virtual y el fsico en bloques de tamao fijo, llamados
paginas. En un momento determinado la memoria principal contendr algunos de los
bloques lgicos. Como las distintas posiciones de un bloque lgico y uno fsico estn
ordenadas de forma idntica, simplemente hay que traducir el numero del bloque lgico
al correspondiente del bloque fsico.
Los mtodos de traduccin son diversos, desde el mas bsico de correspondencia directa
al mas complejo de correspondencia asociativa, donde la bsqueda se realiza mediante el
contenido de una memoria asociativa que mantiene las correspondencias virtual fsica
mas recientemente utilizadas. En la practica se utiliza una tcnica mixta en la que las
paginas mas recientemente empleadas se encuentran en una memoria asociativa y todas
ellas en una tabla de correspondencia directa.
Mtodo de correspondencia directa:
En este caso se dispone de una tabla inversa en tecnologa asociativa, esto es, con
memoria tipo CAM, que se encarga ella misma de soportar el proceso de bsqueda a muy
alta velocidad, suministrando el numero de pagina fsica o indicacin de que la palabra
lgica direccionada no se encuentra en memoria, en cuyo caso se elimina una pagina de
la memoria principal(si no se ha modificado) y se trae la nueva al hueco que deja.
La memoria asociativa es aquella en la que se producen mltiples accesos de forma
simultanea. En un simple acceso se pueden direccionar todas las posiciones que satisfacen
un criterio de seleccin. Dado el elevado coste de las memorias asociativas, la tabla CAM
suele ser incompleta, albergando el conjunto de paginas activas en un momento
determinado. Si la CAM origina falta, hay que acudir a la TP para comprobar si esta en
la memoria principal y, en su caso, actualizar la CAM. Si da falta la TP, hay que proceder
a un cambio de pagina entre memoria principal y CAM.
MEMORIA SEGMENTADA
c) De primer ajuste: Localiza el agujero con una direccin inicial inferior en el que se
puede colocar elsegmento.
Evidentemente los segmentos pueden ser compartidos por muchos procesos. Algunos
sistemas utilizan tablas auxiliares, que apoyan la bsqueda de segmentos compartidos,
como la Tabla de Segmentos Activos(TSA), que indica cuales son los segmentos activos
en memoria en cada instante y la Tabla de Segmentos
Conocidos(TSC), que contiene en cada entrada un nombresegmento/numero segmento
por cada segmento ya utilizado en el proceso.
Uno de los procedimientos mas aceptados para la gestin de la memoria virtual es el que
utilizan los minicomputadores PDPII de Digital Equpiment Corporation. Por ej. la
direccin virtual de 16 bits, se divide en un campo de 3 bits, que selecciona uno de los 8
registros basa de 12 bits existentes, y otro campo de 13 bits de desplazamiento. La
direccin fsica de 18 bits se calcula sumando el registro base, los 7 bits de mas peso del
desplazamiento precedidos de cinco ceros, y concatenando al resultado los 6 bits menos
peso del desplazamiento. Se logra variar la longitud de los segmentos entre 64 bytes y 8
Kbytes.
MEMORIA CON SEGMENTOS PAGINADOS
Esta memoria combina las ventajas de los dos modelos anteriores. Cada segmento se
divide en paginas, de forma que, para acceder a cualquier elemento de un segmento, el
sistema acude a la Tabla de Paginas(TP) de dicho segmento.
Si se aplica la tcnica asociativa, para realizar la traduccin, el tratamiento de las
interrupciones de fallo en el acceso debe contemplar los siguientes aspectos:
Este trabajo ha servido para conocer lo que son las memorias no solo superficialmente,
sino como realizan su gestin dentro del computador mismo, dndose cuenta que cada
una es distinta a la otra en la forma de operar, pero aun as teniendo en cuenta puntos
similares.
RECOMENDACIONES
Para que una computadora funcione correctamente y no se vuelva lenta se debe colocar
memorias con buenas caractersticas.
No colocar cualquier tipo de memoria siempre debe ser una de acuerdo al modelo de
computadora.
Si se va ha colocar una memoria adicional, llevarlo con una persona especializada en el
rea tcnica.
Referencias
http://www.monografias.com/trabajos16/memorias/memorias.shtml
http://www.informatica-hoy.com.ar/hardware-pc-desktop/Tipos-de-memorias-de-una-
computadora.php
http://serranop4030.blogspot.com/2012/09/tipos-de-memoria-exposicion.html