Curvas de Transistor Bipolarprevio

Ao de la Inversin para el Desarrollo Rural y la Seguridad Alimentaria
Laboratorio de Electrnica I
Curvas del Transistor Bipolar
Profesor: Tokumori Kiyota Sergio
Curso: EE-441 N
Alumnos:
Sovero Huamani Marco Paolo
Gutierrez Valdez Alejandro
Curvas del Transistor Bipolar 2013
Laboratorio N08:
CURVAS DE TRANSISTOR BIPOLAR
Objetivo:
Obtencin de las curvas caractersticas del transistor bipolar.

Obtener experimentalmente y comprobar el valor de del transistor bipolar.
Verificar y obtener experimentalmente la curva del transistor bipolar.
Fundamento Terico:
Definicin.-
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo
a su fabricacin, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. En la figura 1 se encuentran los smbolos de
circuito y nomenclatura de sus terminales. La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un
PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del
transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro. Adems, en funcionamiento normal, dicha
flecha indica el sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor.
En general se definen una serie de tensiones y corrientes en el transistor, como las que aparecen en
las figuras 2 y 3. Esta definicin es la que se usar a lo largo del presente cuadernillo y sigue una
representacin fsica de las mismas (pues en funcionamiento normal todas las corrientes y tensiones
definidas son positivas). Existen otras formas de indicar dichas tensiones y corrientes, aunque no se
tratarn aqu.
2
Convenio de tensiones y corrientes
CURVAS CARACTERSTICAS
Entendemos por curvas caractersticas de un transistor la representacin grfica de las relaciones

entre sus corrientes y tensiones. Esta informacin es muy til para el diseador a la hora de elegir
uno u otro transistor para un circuito, pues permite tanto observar todas las caractersticas del
mismo, como realizar el diseo en s.
Las curvas caractersticas son representaciones grficas de 3 variables. En los ejes X e Y se colocan
dos de las variables, y se dibuja una curva para cada uno de los valores de la tercera variable. En el
siguiente apartado se expondr un ejemplo. En funcin de qu tres variables se elijan para
representar una curva caracterstica, y si se consideran curvas de entrada o salida, se pueden definir
los siguientes tipos de grficas en los transistores bipolares:
Curvas caractersticas en emisor comn
Como ejemplo se describen aqu las curvas caractersticas de salida en la configuracin de emisor
comn1 por ser la ms utilizada en la prctica. Como se coment en el apartado anterior, las curvas
caractersticas son la representacin de diversas variables (tensiones o corrientes) de un transistor
3
bipolar en coordenadas cartesianas. En el caso concreto de curvas de salida en emisor comn, las
variables a representar son (vase tabla 1):
, . En la figura 04 vemos las curvas caractersticas indicadas. Se representa en el eje Y la

corriente de colector ( ), en el eje X la tensin colector-emisor ( ), y se dibuja una curva para cada
uno de los valores de la corriente de base ( ) que se consideren, por ejemplo en la figura se toma
el intervalo de 10 a 70 A.
A partir de estas curvas es posible determinar el punto de trabajo del transistor, es decir, las
tensiones y corrientes del mismo, una vez polarizado.
Figura 04:Curvas caracteristicas de Emisor Comun
Identificacin de las regiones de funcionamiento en las curvas caractersticas
Es posible identificar las distintas regiones de funcionamiento de un transistor bipolar en sus curvas
caractersticas. En la figura 05 se muestran las curvas caractersticas en emisor comn con la
indicacin de cada una de las regiones de funcionamiento. Atendiendo a la definicin dada de
regiones de funcionamiento se identifican de la siguiente forma:
o Regin de corte. Cuando no circula corriente por el emisor del transistor, lo cual se puede
aproximar como la no circulacin de corriente por el colector y la base, luego la zona
corresponde a corriente = = =0.
o Regin de saturacin. En esta regin se verifica que la tensin colector-emisor es muy

pequea ( 0,2V, zona prxima al eje de coordenadas).
o Regin activa. El resto del primer cuadrante corresponde a la regin activa.
4
Figura 05: Regiones de Funcionamiento
En la figura 06 se muestran las curvas caractersticas de una configuracin en emisor comn

marcando todas las regiones a considerar en el funcionamiento del transistor:
o Regiones activa, corte y saturacin

o Regin de avalancha o ruptura
o Hiprbola de mxima disipacin
Figura 06
5
Materiales:
01 transistor 2222 23904

01 Resistor de 100, 0.5
01 Resistor de 10, 0.5
01 Potencimetro de lineal 50, 0.5
01 Potencimetro de lineal 500, 0.5
01 Protoboard
01 Fuente de Alimentacin Programable
01 Multmetro FLUKE
02 Puntas de prueba
Procedimiento:
1. Armamos el circuito 1 que nos piden, en nuestro protoboard.
50k
100%
R3 Key=A
500k
57%
Key=A R1 V1
100k 12 V
Q1
R2
10k
2N2222
Colocando los potencimetros y ajustando a

los valores requeridos para cada tabla pedida
Conectando la Fuente de Alimentacin
6
2. Determinamos los terminales del transistor con el multmetro (use las escalas para diodos y de
ganancia del transistor).
Verificamos las conexiones, ajustamos la fuente a 12

y conectamos al circuito.
La corriente la podemos ajustar con el

potencimetro de 500, la corriente de base la
podemos medir indirectamente con la tensin en la
resistencia de 10.
La tensin colector-emisor la podemos ajustar con el

potencimetro de 50.
3. Tomamos datos segn lo pedido
o Curvas vs . Ajustando y manteniendo en 40 y llenamos la siguiente tabla:
VCE (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

IC (mA) 4,9 5,4 5,42 5,46 5.5 5.53 5,6 5,62 5,7 5,71 5,73 5,8
Ajustamos y mantenemos en 80 y llenamos la siguiente tabla:
VCE (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

IC (mA) 10 11,2 11,8 11,9 12 12,1 12,2 12,3 12,4 12,9 13 13,1

o Curvas ( = )

Manteniendo = 5 y llenamos la tabla:
IB(uA) 2 5 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IC(mA) - - - 3,9 4,8 5,2 7,2 9,8 11 12,5 14 15,2
B - - - 185 160 130 144 163,3 157,14 156,25 155,6 152
Observacin: Los valores de las corriente de colector para , , son muy pequeos y el
multmetro no los ley, por eso hemos dejado espacio en blanco.
7
o Curvas vs
IB(uA) 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120

VBE(V) - 4,7 5,07 5,32 5,38 5,6 5,67 6,08 6,01 5,67 5,39 5,33
Cuestionario:
1. Hacer una tabla comparando los valores tericos con los valores experimentales.
Valores obtenidos por el programa MULTISIM
VCE (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

IC (mA) 3.42 3.66 3.92 4.55 5.2 5.57 6.15 6.76 7.30 7.92 8.49 8.93
Tabla 2
8
VCE (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

IC (mA) 6.74 7.4 7.89 9.09 10 11 13 14 15 16 17 18
TABLA 3.-
OBS: En este circuito obtendremos valores a partir de IB= 20uA

IB(uA) 2 5 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IC(mA) - - - 3.41 5.65 7.54 8.99 9.32 11.67 14.6 15.01 16
B - - - 170 180 180 170 150 160 180 160 160
TABLA 04
9
IB(uA) 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120

VBE(V) - 0.64 0.65 0.65 0.7 0.66 0.67 0.67 0.68 0.68 0.68 0.68
Realizando nuestro cuadro comparativo:
TABLA 01 TABLA 02
IC IC IC IC
VCE (V) VCE (V)
(mA)teorico (mA)exper. (mA)teorico (mA)exper,
0,2 3,42 4,9 0,2 6,74 10
0,5 3,66 5,4 0,5 7,4 11,2
1 3,92 5,42 1 7,89 11,8
2 4,55 5,46 2 9,09 11,9
3 5,2 5,5 3 10 12
4 5,57 5,53 4 11 12,1
5 6,15 5,6 5 13 12,2
6 6,76 5,62 6 14 12,3
7 7,30 5,7 7 15 12,4
8 7,92 5,71 8 16 12,9
9 8,49 5,73 9 17 13
10 8,93 5,8 10 18 13,1
TABLA 3
IB(uA) IC(mA)teorico IC(mA)expr, B teorico B exper,

2
5
10
20 3,41 3,9 170 185
30 5,65 4,8 180 160
40 7,54 5,2 180 130
50 8,99 7,2 170 144
60 9,32 9,8 150 163,3
70 11,67 11 160 157,14
80 14,6 12,5 180 156,25
90 15,01 14 160 155,6
100 16 15,2 160 152
10
TABLA 4
IB(uA) VBE(V)teorico VBE(V)exper,

10
20 0,64 4,7
30 0,65 5,07
40 0,65 5,32
50 0,7 5,38
60 0,66 5,6
70 0,67 5,67
80 0,67 6,08
90 0,68 6,01
100 0,68 5,67
110 0,68 5,39
120 0,68 5,33
2- Calculamos el porcentaje de error que hay entre los valores experimentales y los tericos
TABLA 1
IC (mA) IC (mA)
VCE (V) Error (%)
teorico experimental
0,2 3,42 4,9 -43,27
0,5 3,66 5,4 -47,54
1 3,92 5,42 -38,27
2 4,55 5,46 -20,00
3 5,2 5,5 -5,77
4 5,57 5,53 0,72
5 6,15 5,6 8,94
6 6,76 5,62 16,86
7 7,3 5,7 21,92
8 7,92 5,71 27,90
9 8,49 5,73 32,51
10 8,93 5,8 35,05
11
TABLA 2
IC (mA) IC (mA) Error

VCE (V)
teorico experimental (%)
0,2 6,74 10 -48,37
0,5 7,4 11,2 -51,35
1 7,89 11,8 -49,56
2 9,09 11,9 -30,91
3 10 12 -20,00
4 11 12,1 -10,00
5 13 12,2 6,15
6 14 12,3 12,14
7 15 12,4 17,33
8 16 12,9 19,38
9 17 13 23,53
10 18 13,1 27,22
TABLA 3
IC (mA) IC (mA) Error Error

Vi
teorico experimental (%) teorico experimental (%)
2
5
10
20 3,41 3,9 -14,37 170 185 -8,82
30 5,65 4,8 15,04 180 160 11,11
40 7,54 5,2 31,03 180 130 27,78
50 8,99 7,2 19,91 170 144 15,29
60 9,32 9,8 -5,15 150 163,3 -8,87
70 11,67 11 5,74 160 157,14 1,79
80 14,6 12,5 14,38 180 156,25 13,19
90 15,01 14 6,73 160 155,6 2,75
100 16 15,2 5,00 160 152 5,00
12
TABLA 4
Error
VBE(V) VBE(V)
IB(uA)
terico experimental (%)
10
20 0,64 4,7 -634,38
30 0,65 5,07 -680,00
40 0,65 5,32 -718,46
50 0,7 5,38 -668,57
60 0,66 5,6 -748,48
70 0,67 5,67 -746,27
80 0,67 6,08 -807,46
90 0,68 6,01 -783,82
100 0,68 5,67 -733,82
110 0,68 5,39 -692,65
120 0,68 5,33 -683,82
3- Graficamos IC vs VCE; C vs IB; b vs IC IB vs V BE
Para determinar las curvas vs , ajustamos y mantuvimos en 40
Ic vs Vce (experimental)
12
10
8
Ic
2
0
4,8 4,9 5 5,1 5,2 5,3 5,4 5,5 5,6 5,7 5,8 5,9
Vce
13
Ic vs Vce (teorico)
16
14
12
Vce 10
8
6
4
2
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ic
Para determinar las curvas vs , ajustamos y mantuvimos en 80
Ic vs Vce (experimental)
14
12
10
8
Ic
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14
Vce
Ic vs Vce (teorico)
18
16
14
12
10
Ic
8
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Vce

Curvas vs : ( = ), manteniendo =5 V

14
Ic vs Ib (teorico)
120
100
80
Ic
60
40
20
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
Ib
Ic vs Ib (experimental)
120
100
80
Ic
60
40
20
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Ib
Curva vs IC
B vs Ic (teorico)
185
180
175
170
B
165
160
155
150
145
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
Ic
B vs Ic (experimental)
15 200
150
100
B
Curva IB vs V BE:
Ib vs Veb (teorico)
140
120
100
80
Ib
60
40
20
0
0,63 0,64 0,65 0,66 0,67 0,68 0,69 0,7 0,71
Veb
Ib vs Veb (experimental)
140
120
100
80
Ib
60
40
20
0
0 1 2 3 4 5 6 7
Veb
16
Conclusiones
En las curvas del transistor bipolar podemos identificar tres zonas: activa, corte y de
saturacin.
De los resultados del experimento y de las curvas deducidas de ellos queda claro que la
intensidad de colector depende de Vbe y de Ib.
La intensidad de colector puede gobernarse mediante Vbe y mediante Ib.Sin embargo,

como la corriente de base solo empieza a circular cuando existe la correspondiente tensin
base-emisor Vbe, deber aportarse una potencia de mando = Vbe Ibe para gobernar la
corriente de colector. Pero, como esta potencia es muy pequea, podr despreciarse en la
mayora de los casos.
La relacin existente entre Vbc e Ib, que obtuvimos en el experimento se suele representar
grficamente dando lugar a la llamada caracterstica de entrada del transistor.
Si la tensin aplicada en sentido directo Vbe es mayor que la tensin de difusin circulara
una corriente de electrones del emisor a al base del transistor npn. El colector del transistor,
cargado positivamente a causa de al tensin Vce, atraer a la mayor parte de los electrones
que se encuentren en la delgada zona de la base arrastrndolos a travs de la unin pn
entre base y colector. Una pequea parte de la corriente de emisor circulara a travs de la
base hacia la fuente de tensin de base, dando lugar a la dbil corriente de base.
Observaciones
Los valores de las corriente de colector para 2, 5, 10 son muy pequeos y el multmetro
no los ley, por eso hemos dejado espacio en blanco.
Para simplificar el clculo de los circuitos de transistores se determin arbitrariamente el

sentido de las corrientes de modo que todas circulen hacia el interior del transistor
Al utilizar los transistores no deben sobrepasarse determinados valores limites de tensin,

intensidad y potencia.
Durante su funcionamiento los transistores no deben calentarse excesivamente. El

calentamiento es debido a la potencia elctrica transformada en calor en el transistor, o
sea, a sus perdidas totales de potencia. Ptot., que se calculan con la formula
17
18
19

Curvas de Transistor Bipolarprevio

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Curvas de Transistor Bipolarprevio

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Ao de la Inversin para el Desarrollo Rural y la Seguridad Alimentaria

Profesor: Tokumori Kiyota Sergio

Obtencin de las curvas caractersticas del transistor bipolar.

Convenio de tensiones y corrientes

Entendemos por curvas caractersticas de un transistor la representacin grfica de las relaciones

Curvas caractersticas en emisor comn

, . En la figura 04 vemos las curvas caractersticas indicadas. Se representa en el eje Y la

Figura 04:Curvas caracteristicas de Emisor Comun

Identificacin de las regiones de funcionamiento en las curvas caractersticas

o Regin de saturacin. En esta regin se verifica que la tensin colector-emisor es muy

o Regin activa. El resto del primer cuadrante corresponde a la regin activa.

Figura 05: Regiones de Funcionamiento

En la figura 06 se muestran las curvas caractersticas de una configuracin en emisor comn

o Regiones activa, corte y saturacin

01 transistor 2222 23904

1. Armamos el circuito 1 que nos piden, en nuestro protoboard.

Colocando los potencimetros y ajustando a

Conectando la Fuente de Alimentacin

Verificamos las conexiones, ajustamos la fuente a 12

La corriente la podemos ajustar con el

La tensin colector-emisor la podemos ajustar con el

3. Tomamos datos segn lo pedido

o Curvas vs . Ajustando y manteniendo en 40 y llenamos la siguiente tabla:

VCE (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Ajustamos y mantenemos en 80 y llenamos la siguiente tabla:

VCE (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

IB(uA) 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120

Valores obtenidos por el programa MULTISIM

VCE (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

VCE (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

OBS: En este circuito obtendremos valores a partir de IB= 20uA

IB(uA) 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120

Realizando nuestro cuadro comparativo:

IB(uA) IC(mA)teorico IC(mA)expr, B teorico B exper,

IB(uA) VBE(V)teorico VBE(V)exper,

0,2 3,42 4,9 -43,27

0,5 3,66 5,4 -47,54

1 3,92 5,42 -38,27

2 4,55 5,46 -20,00

3 5,2 5,5 -5,77

4 5,57 5,53 0,72

5 6,15 5,6 8,94

6 6,76 5,62 16,86

7 7,3 5,7 21,92

8 7,92 5,71 27,90

9 8,49 5,73 32,51

10 8,93 5,8 35,05

IC (mA) IC (mA) Error

IC (mA) IC (mA) Error Error

3- Graficamos IC vs VCE; C vs IB; b vs IC IB vs V BE

Para determinar las curvas vs , ajustamos y mantuvimos en 40

Para determinar las curvas vs , ajustamos y mantuvimos en 80

La intensidad de colector puede gobernarse mediante Vbe y mediante Ib.Sin embargo,

Para simplificar el clculo de los circuitos de transistores se determin arbitrariamente el

Al utilizar los transistores no deben sobrepasarse determinados valores limites de tensin,

Durante su funcionamiento los transistores no deben calentarse excesivamente. El

You might also like