REVISTA CIENTFICA DE LA ESCUELA DE POSGRADO, ESPOCH, Vol. 1, No.

1, 2017

DEPOSICIN QUMICA DE VAPOR.

Jos Miguel Mena Chavarrea*
Escuela de Posgrado, ESPOCH, Riobamba, Ecuador
*
Autores para correspondencia: miguelmena673@gmail.com

RESUMEN

Generalmente la deposicin qumica de vapor es una operacin cautiva y una parte integral de la
fabricacin particularmente en la microelectrnica, donde la mayora de los fabricantes la toman como
un negocio internacional, ya que con este proceso en estudio han encontrado como un pilar ante la
necesidad que presenta la humanidad, tomando un enfoque general, sistemtico, objetivo y dedicada a
la solucin de problemas de ndole diario.

Estudiar los procesos, equipos, materiales y aplicaciones de CVD nos ayuda ampliamente en la industria
en varios campos como de la ptica, la optoelectrnica, la metalurgia y otros; es por eso que el presente
articulo vamos a encontrar una descripcin y revisin amplia de los equipos, los sistemas utilizados en
la investigacin, produccin sobre la deposicin qumica de vapor; incluyendo los subprocesos
avanzados como plasma, lser, y CVD de fotones.

Revisaremos los materiales depositados por CVD, es decir, metales, elementos no metlicos, cermicas,
semiconductores, y las reacciones utilizadas en su deposicin; identificando y describiendo las
aplicaciones actuales y potenciales en todo tipo de industrias, pero tomando como referencia a las reas
automotriz, aeroespacial, materiales resistentes al desgaste y a la corrosin y en otras industrias.

Dos reas principales de aplicacin de la deposicin qumica de vapor se han desarrollado rpidamente
son la industria de los semiconductores y la metalrgica de recubrimiento, que incluye la fabricacin de
herramientas de corte. El CVD es particularmente importante en la produccin de nano materiales
usados para recubrimientos industriales y en componentes relacionados con la electrnica.

Los procesos de Micro y Nano Fabricacin utilizan ampliamente la tecnologa CVD para depositar
materiales tales como: micro y nano fibras de carbono, nanotubos de carbono, grafeno, carburo de
silicio, etc. Esta tecnologa es usada tambin para fabricar diamante sinttico. Por lo tanto
determinaremos la forma de aplicar cada uno de los mtodos de activacin que poseen una gran
influencia en el tipo de producto formado y el depsito que se obtienen con el mtodo de activacin.

Palabras claves: CVD, deposicin, metalurgia, nanotecnologa, recubrimientos.

ABSTRACT

Generally chemical vapor deposition is a captive operation and an integral part of manufacturing
particularly in microelectronics, where most manufacturers take it as an international business, because
with this process under study have found as a pillar in the face of the need Which presents humanity,
taking a general approach, systematic, objective and dedicated to the solution of problems of a daily
nature.

Studying the processes, equipment, materials and applications of CVD helps us widely in the industry
in various fields such as optics, optoelectronics, metallurgy and others; This is why the present article
we will find a comprehensive description and review of the equipment, systems used in research,
production on chemical vapor deposition; Including advanced subprocesses such as plasma, laser, and
photon CVD.

We will review materials deposited by CVD, ie, metals, nonmetals, ceramics, semiconductors, and the
reactions used in their deposition; Identifying and describing current and potential applications in all

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types of industries, but taking as reference the automotive, aerospace, wear resistant and corrosion
resistant areas and other industries.

Two main areas of application of chemical vapor deposition have been rapidly developed are the
semiconductor industry and metallurgical coating, which includes the manufacture of cutting tools.
CVD is particularly important in the production of nano materials used for industrial coatings and in
components related to electronics.

The Micro and Nano Manufacturing processes widely use CVD technology to deposit materials such
as: micro and nano carbon fibers, carbon nanotubes, graphene, silicon carbide, etc. This technology is
also used to make synthetic diamond. Therefore we will determine how to apply each of the activation
methods that have a great influence on the type of product formed and the deposit that are obtained with
the activation method.

Keywords: CVD, deposition, metallurgy, nanotechnology, coatings.

1. INTRODUCCIN 1980s: Introduccin de recubrimientos de

La tcnica CVD su primera utilizacin prctica
fue en la dcada de los 80 en la produccin de
lmparas incandescentes para mejorar la
resistencia de los filamentos recubrindolos con
carbono o metal. En la misma dcada, Ludwig
Mond desarrollo el proceso de carbonilo para la
elaboracin de nquel puro. La tcnica CVD se
desarroll lentamente limitndose a la
extraccin y pirometalurgia para la produccin
de metales refractarios de alta pureza tales como
el tantalio, el titanio y el circonio.
Al final de la Segunda Guerra Mundial, la
tcnica CVD se expandi ya que los
investigadores se dieron cuenta de sus ventajas
para la produccin de recubrimientos. Otros
hechos importantes en el desarrollo de la tcnica
CVD son:
1960: Introduccin de los trminos CVD
y PVD para distinguir entre deposicin
qumica de vapores y deposicin fsica de
vapores, respectivamente.
1960: Introduccin a la fabricacin de
materiales semiconductores mediante la
tcnica CVD.
1960: Uso de la tcnica CVD para
conseguir un recubrimiento de TiC usado
en herramientas de corte y desarrollo de
tugsteno con la tcnica CVD.
1963: Introduccin de deposicin
qumica de vapores asistida por plasma
en el campo de la electrnica.
1968: Inicio de la utilizacin industrial de
carburos cementados recubiertos
mediante la tcnica CVD.
diamante usando la tcnica CVD.
1990s: Rpida expansin del mtodo
MOCVD para la deposicin de
materiales cermicos y metales.
1990s: Mayor desarrollo de la tcnica
CVD en el campo de la ptica y
optoelectrnica. (BERLANGA DE LA
MATA, Borja, 2012).
El proceso de deposicin qumica en fase de
vapor (CVD) es considerado muy verstil para
la fabricacin de recubrimientos, polvos, fibras,
y componentes monolticos, siendo
aprovechada para producir una gran cantidad de
capas para diferentes tipos de materiales
conductores, semiconductores y aislantes, a la
vez, se convierte en una de las tcnicas de
deposicin de capas y pelculas delgadas de
amorfos, monocristales y policristales para un
amplio rango de aplicaciones. Frente a otros
mtodos de deposicin, el en mencin tiene el
poder de controlar con relativa facilidad la
composicin del material depositado,
permitiendo de manera efectiva la preparacin
de materiales compuestos.
El CVD se podra definir como un proceso
mediante el cual se deposita un slido, como
producto de las reacciones qumicas entre los
reactivos en estado gaseoso sobre una superficie
que se encuentra a una elevada temperatura.
Este tipo de reacciones pueden activarse por
diferentes vas (calor, luz, plasma etc), lo que
conlleva a la formacin de un producto slido
estable. Las reacciones que tienen lugar pueden
ser de carcter homogneo, en fase gaseosa, y/o
heterogneo, si se producen cerca de la
superficie caliente, conduciendo la formacin

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de polvos o pelculas respectivamente.
(OSORIO, Francisco, 2007).
La deposicin qumica de vapor es
la descomposicin cataltica de compuestos de
carbono arrastrados por un flujo continuo de gas
que atraviesa un horno a presin atmosfrica. El
flujo, vertical u horizontal, arrastra el
compuesto carbonado y un gas inerte sobre
una superficie catalizadora a una temperatura de
500 1200 C. Un enfriamiento posterior hasta
temperatura ambiente provoca la deposicin de
los tomos de carbono, obtenidos por
descomposicin trmica, sobre las partculas
metlicas, que actan como sitios de
nucleacin. (CASTAOS, Enrique, 2016).
En la seccin 2, se presenta la forma de producir
y de que elementos consta el proceso de
deposicin qumica en fase de vapor, adems de
la clasificacin y las tcnicas de CVD de
acuerdo al mtodo empleado para su activacin.
En la seccin 3, se encuentra las aplicaciones
ms destacadas en las cuales son utilizadas el
proceso de CVD, cada una especfica su
utilizacin y la gran ayuda especificada que nos
brinda cuando se los utiliza para desarrollar
materiales para el uso en la industria.
2. MTODOS Y MATERIALES
Para producir productos de alta pureza y de alto
rendimiento de materiales slidos, el proceso
qumico ideal es el Deposicin Qumica de
Vapor. Dos reas de aplicacin de la tcnica
CVD se han desarrollado en la industria de los
semiconductores y en la industria de los
recubrimientos metalrgicos.
Figura 1. Proceso de deposicin qumica fase
de vapor
2.1. Instrumentos utilizados en un sistema
de CVD
En todos los sistemas de CVD se pueden
diferenciar de manera general, por tres
componentes principales:
Sistema de suministro de precursores
gaseosos.
El sistema de suministro de precursores
desempea la funcin de abastecer las
sustancias en fase gaseosa que contienen los
elementos que se van a depositar sobre el
sustrato. Los compuestos ms usados son los
hidruros, haluros de metales y compuestos
organometlicos.
Estos compuestos son usados en los procesos de
deposicin de materiales semiconductores. Sin
embargo, es importante tener en cuenta que
muchos de estos compuestos son lquidos
voltiles, y requieren de un control cuidadoso de
la presin de deposicin. Los precursores que
son utilizados deben cumplir ciertos
requerimientos:
Deben ser estables a temperatura
ambiente.
Tener una baja temperatura de
evaporacin.
Una alta presin de vapor, adecuada a la
velocidad de deposicin.
La reaccin qumica de deposicin debe
producirse a temperaturas inferiores a la
temperatura de fusin y transformacin
del sustrato.
No deben ser ni inflamables, ni
explosivos, ni txicos.
Deben tener bajo costo y estar
disponibles en una alta pureza.
Reactor de CVD.
La funcin principal es permitir el
calentamiento del sustrato a la temperatura de
deposicin. Estos pueden ser de pared fra o
pared caliente. En los primeros, el
calentamiento se realiza directamente bien sea
mediante un horno alojado dentro del reactor, o
por medio de un sistema de induccin. La
primaca de estos sistemas es que permiten que
la reaccin de deposicin tenga lugar
preferentemente sobre el sustrato, con un
consumo menor de energa y de reactantes, con
lo que se consigue mayor control en la cintica
de la deposicin. (PIERSON, Hugh, 2012)
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Figura 2. Diagrama esquemtico de un reactor
de laboratorio de CVD.
Sistema de tratamiento de gases
subproductos residuales.
Consiste en un dispositivo para la
neutralizacin de los gases de salida o un
sistema de vaco para obtener el vaco requerido
para los procesos de CVD que requieren baja
presin o ultra alto vaco. La principal funcin
del sistema de tratamiento de gases residuales
es eliminar los subproductos txicos y
peligrosos que se generen en la cmara de
reaccin
2.2. Tcnicas desarrolladas
Cementacin en paquete: El mtodo
ms antiguo utilizado para palas. En una
mezcla de polvo, la superficie de la pieza
est enriquecida con aluminio bajo la
formacin de una capa superficial
aluminizada.
Fuera de paquete (fase de vapor): En
este proceso, desarrollado
posteriormente, la mezcla de polvo y la
pieza estn separados. Esto cre la
posibilidad de recubrir conductos de
refrigeracin internos.
CVD real: Sistema de baja presin
desarrollado para el recubrimiento
ptimo de conductos internos. En este
sistema, los compuestos de aluminio
activo se producen fuera del horno de
recubrimiento y este se realiza a presin
baja.
Con el proceso CVD real se pueden producir
dos recubrimientos de aluminuro distintos: de
alta y baja actividad.
En el caso del recubrimiento de alta
actividad con ms del 50 at% de aluminio
(Al) (=29 porcentaje en peso), el
recubrimiento se forma por la difusin
interna del aluminio.
En el caso del recubrimiento de baja
actividad con menos del 50 at% de
aluminio (Al) (=29 porcentaje en peso),
el recubrimiento se forma por la difusin
externa del nquel. (SULZER, 2014).
2.3. Clasificacin de las tcnicas de CVD de
acuerdo al mtodo empleado para su
activacin
Cada uno de estos mtodos de activacin
presenta unas caractersticas, las cuales tienen
y una gran influencia en el tipo de producto
formado y que son diferentes cuando el depsito
es obtenido por uno u otro mtodo de
activacin. As, de acuerdo al modo en que se
obtiene la activacin, se pueden distinguir las
siguientes tcnicas de CVD.
Activacin trmica: Radica en efectuar
un calentamiento directo de los reactivos,
este calentamiento en mencin puede ser
llevado a cabo mediante una resistencia
externa, o por induccin de
radiofrecuencia, o por radiacin de
infrarrojo.
Activacin por plasma: La activacin se
obtiene mediante una descarga elctrica o
plasma producido por dos electrodos o
una bobina colocada en la zona de
reaccin.
Activacin por fotones: La excitacin se
produce mediante la excitacin de las
molculas reactivas por la iluminacin
con fotones de alta energa (luz
ultravioleta) o de intensidad elevada
(radiacin lser).
2.4. Cintica del proceso de CVD
En los procesos de CVD tienen lugar una
secuencia de eventos que se pueden resumir de
la siguiente forma:
Los reactivos gaseosos son introducidos
dentro del reactor mediante un flujo
forzado.
Los gases difunden a travs de la capa
lmite.
Los gases entran en contacto con la
superficie del sustrato.
Las reacciones de deposicin tienen lugar
sobre la superficie del sustrato.
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Los subproductos de la reaccin difunden industria, tales como la industria

desde la superficie, hacia el exterior a electrnica, la industria ptica, la
travs de la capa lmite. (OSORIO, industria de la herramienta, y la industria
Francisco, 2007) qumica.
Las aplicaciones de la tcnica tambin se
pueden clasificar por la forma de los
productos obtenidos como
recubrimientos, polvos, fibras y
composites.

Tabla 1. Aplicaciones que se obtuvieron con el

proceso deposicin qumica en fase de vapor.
Aplicaciones Materiales tpicos
C (diamante y
cuasidiamante) Nitruros,
Resistencia carburos de B, Si y de
al desgaste metales (Al, Ti, Mo...)
Figura 3. Diagrama esquemtico de los xidos metlicos (Al, Zr,

Mecnicas
procesos que ocurren durante la deposicin por Be)
CVD Baja MoS2, BN, Si3N4, SiO2, C
friccin (cuasi diamante)
2.5. Tipos de CVD Proteccin xidos metlicos (Cr, Al,
contra la Zr, Mg...) MgAl2O4
corrosin
El CVD puede ser realizado en dos tipos de Barrera ZrO2 (estabilizado, Mg o
sistemas bsicos: trmica Ca)
Ferro y BaTiO3, PbTiO3, LiNbO3
magnticas
Elctricas

Sistemas cerrados: En el presente piezo

elctricos
y

sistema tanto los reactivos como los

Ferromagn xidos de Fe y Cr
productos, pueden ser reciclados. Este ticos
proceso normalmente se usa cuando las Absorcin BaF2/ZnS, CeO2, CdS,
reacciones qumicas son reversibles y el selectiva SnO2
pticas

desplazamiento en uno otro sentido en el Antirreflexi Nitruro de Si y xidos de Si,

equilibrio depende de la temperatura o n Al y Ta
Guas de SiO2
donde existe diferencias en la actividad onda y fibra
qumica en un sistema isotrmico como ptica
en el proceso de aluminizado. Semiconduc Grupo IV (Si, Ge),
Electrnicas

Sistemas abiertos: En estos dispositivos tores compuestos del grupo III y

los reactivos son introducidos de forma
continua manteniendo el flujo de gases a
travs del reactor, despus de la
deposicin los reactivos qumicos
residuales son eliminados del reactor o en
algunos casos pueden ser recuperados,
dependiendo del costo de dicho proceso.
(OSORIO, Francisco, 2007).
3. RESULTADOS
Las aplicaciones de la CVD se pueden clasificar
segn:
Las caractersticas funcionales de los
productos obtenidos: aplicaciones
elctricas, opto-elctricas, pticas,
mecnicas y qumicas. Esta clasificacin
corresponde a los diversos campos de la
V (GaAs, GaP)
Aislantes xidos y nitruros de silicio
Conductores Metales (Al,Cu, Au, W) y
siliciuros
Otras Sensores SiO2, SnO2, ZrO2
3.1. Aplicaciones Electrnicas
La tcnica de CVD es un proceso significativo
en la produccin de pelculas delgadas que
recubren los tres tipos de materiales
electrnicos: semiconductores, conductores y
aislantes. Los materiales semiconductores que
se dan en mayor cantidad en produccin o en
desarrollo son silicio, germanio, carburo de
silicio y diamante.
Silicio: Se obtiene fcilmente con un alto
grado de pureza y a un relativo bajo coste.
La tcnica CVD es utilizada para la

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produccin de silicio en dos reas 1) la
produccin de silicio ultra-puro y 2) en la
preparacin de pelculas pitaxiales y
policristalinas.
Germanio: Fue el material
semiconductor usado en los primeros
experimentos y produccin, tenemos: 1)
transistores con una velocidad de ms de
60 GHz y 2) conversin fotovoltaica y
fotodetectores.
Carburo de silicio: se puede demostrar
en dos estructuras cristalinas diferentes:
en forma de cubo, llamada SiC, y en
forma hexagonal conocida como SiC.
La primera tiene propiedades que
prometen importantes mejoras sobre los
materiales semiconductores. Ya que
poseen una resistencia intrnseca a la
radiacin, alta conductividad trmica en
dispositivos de alta potencia y su
velocidad de saturacin es alta que
permite operar a frecuencias altas.
Diamante: el nico cristal puro y es uno
de los mejores aislantes elctricos, es
obtenido mediante la deposicin qumica
de vapores, en fase experimental. Por lo
que la presencia de impurezas puede
alterar drsticamente su estado
electrnico, pero con un dopaje adecuado
este se puede convertir en un material
semiconductor notable y son usados
como transistores de alta frecuencia, alta
potencia y ctodos fros, o en el duro
ambiente que se da en la combustin
interna y en los motores a reaccin.
3.2. Aplicaciones pticas
Existe una serie de materiales pticos que son
obtenidos por CVD realizados en procesos o
experimentalmente:
SnO2: para el control de la emisividad.
Multicapas de xidos con alto ndice de
refraccin: (TiO2, ZrO2, HfO2, ThO2).
Bajo ndice de refraccin (SiO2) para
recubrimientos antirreflectantes y cuya
funcin es reducir la reflexin de la
superficie de los elementos pticos e
incrementar la cantidad de luz
transmitida, Los recubrimientos
antirreflectantes se utilizan en numerosas
aplicaciones que incluyen rayos lser,
lentes para cmaras y prismticos,
paneles de instrumentos, microscopios,
telescopios, etc.
SiO: para filtros.
Nitruros de Ti, Zr, Hf: para selectividad
ptica.
Pelculas finas de molibdeno: para la
reflexin de los rayos infrarrojos.
3.3. Aplicaciones de resistencia al desgaste y
corrosin
La deposicin qumica de vapores es nueva para
al rea de proteccin contra la corrosin pero
est existen rpidos progresos y puede
convertirse en un serio competidor de PVD y
otros procesos de recubrimiento.
3.4. Aluminuros modificados
Para mejorar sus propiedades, los
recubrimientos de difusin de aluminuros se
modifican con otros elementos. En
recubrimientos de platino (Pt) modificado, el Pt
se aplica primero por galvanotecnia seguido de
un tratamiento y un recubrimiento de difusin.
Esto genera una superficie exterior rica en PtAl
que es mucho ms estable trmicamente y que
aporta mejores propiedades de corrosin y
oxidacin.
Hay dos tipos distintos de recubrimientos de PT
modificado:
Un recubrimiento PtAl de una fase presenta
una capa exterior con solo una fase PtAl. El
contenido de Al es bajo (22 - 25%) y se
genera con un proceso de difusin de
aluminio de actividad baja (fase
principalmente de vapor). Este tipo ofrece
una resistencia a la oxidacin mejorada a
temperaturas elevadas y es idneo como
capa de adherencia para recubrimientos de
barrera trmica EB-PVD.
El recubrimiento PtAl de dos fases presenta
una capa exterior de mezcla de PtAl/NiAl
con un contenido mayor de Al. El
recubrimiento se genera principalmente con
un proceso de difusin de Al de actividad
alta o media. Este tipo presenta mayor
resistencia a la corrosin caliente.
Otros recubrimientos:
Los recubrimientos de nquel-paladio (NiPd)
modificado se generan por galvanotecnia
con NiPd, seguidos por un tratamiento de
difusin y un recubrimiento de difusin de
aluminio. La adicin de nquel hace que este
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recubrimiento dependa menos del material
base.
Se puede aplicar primero Silicio (Si)
mediante un proceso de difusin, o se puede
codepositar con un proceso de difusin o de
fango. Este tipo de recubrimiento presenta
mayor resistencia a la corrosin caliente.
Se puede aplicar cromo (Cr) mediante un
proceso CVD separado seguido por un
recubrimiento de difusin de aluminio. Este
recubrimiento mezclado presenta una mayor
resistencia a la corrosin. (SULZER, 2014).
4. DISCUSIN
Una velocidad de deposicin baja posee est
una aventajada funcin por el crecimiento
epitaxial de pelculas delgadas para
aplicaciones en microelectrnica. Sin embargo,
para la deposicin de capas protectoras, se
prefiere una alta velocidad de deposicin y
puede alcanzarse hasta 10 m por hora. El CVD
slo es superado en este aspecto por la
proyeccin trmica por plasma.
La flexibilidad y uso de un amplio rango de
precursores qumicos tales como haluros,
hidruros, organometlicos, los cuales
posibilitan la deposicin de un amplio espectro
de materiales que incluyen, metales, carburos,
nitruros, xidos y sulfuros entre otros.
Relativamente las bajas temperaturas de
deposicin, y de las especies pueden ser
depositadas in situ, a bajas energas a travs de
reacciones en fase vapor y procesos de
nucleacin y crecimiento sobre la superficie del
sustrato. Este hecho, posibilita la deposicin de
materiales refractarios tales como carburo de
Silicio.
Pero siempre vamos a tener dificultad en los
precursores utilizados ya que suelen ser,
txicos, corrosivos, inflamables, y/o
explosivos. Pero han sido minimizados usando
variantes en el CVD tales como el spray
electroesttico asistido por deposicin de vapor
(ESAVD) o mtodos que emplean precursores
menos contaminantes.
Existe tambin la dificultad para depositar
materiales multicomponentes con una
estequiometra bien controlada usando
precursores multifuente, porque estos tienen
diferentes velocidades de evaporacin. Sin
embargo, esta limitacin puede ser superada
utilizando una sola fuente de precursores
qumicos.
Al usar reactores y/o sistemas de vaco ms
sofisticados, para variantes del proceso de
CVD, tal como ocurre en el CVD a baja presin
y en el CVD de ultra alto vaco, o en los
procesos de CVD asistido por plasma o el CVD
asistido por foto-emisin. Por lo que, dada la
complejidad de estos sistemas, se elevan los
costos del proceso, pero existen otras variantes
del proceso de CVD que pueden ser una buena
alternativa para la aplicacin de recubrimientos
con costos de produccin ms bajos que los
producidos con los sistemas anteriores por
ejemplo, el caso del Aerosol Assisted
Chemical Vapor Deposition (AACVD) y
Flame Assisted Chemical Vapor Deposition
(FACVD), son procesos que no usan reactores
y/o sistemas de vaco tan complejos y por lo
tanto permiten obtener recubrimientos a un
menor costo.
5. CONCLUSIONES
Consideramos al proceso CVD como un
sistema complejo que en un futuro nos ofrecer
grandes funcionalidades para producir
materiales altamente densos y puros, a la vez,
pelculas uniformes con buena reproducibilidad
y adhesin; para lograr el objetivo se necesita
estudiar los parmetros del proceso, controlar la
estructura cristalina, la morfologa de la
superficie, la orientacin de los productos del
CVD y la velocidad de deposicin.
Mediante el estudio realizado conocimos sobre
la forma de realizacin de procesos u ensayos
mediante la tcnica de deposicin qumica de
vapores en aplicaciones de procesos y de forma
experimental, con esto podemos efectuar un
correcto proceso para determinar y fabricar el
elemento que necesito en la industria para
obtener crecimiento sustanciales en cada uno de
los compuestos tales como grafeno.
Por tanto, los resultados obtenidos en cada uno
de las experimentaciones analizadas
constituyen un aporte importante al desarrollo
de tratamientos superficiales para un tipo de
materiales en especficos por ejemplo los aceros
ferrticos con miras a lograr un incremento de
las temperaturas de operacin y as, aumentar la
eficiencia de las mismas y disminuir de esta
forma las emisiones de contaminantes gaseosos
tales como el CO2, NOx, SO2, etc.
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A partir de los resultados del estudio realizado SULZER. (11 de 09 de 2014).

sobre la obtencin de recubrimientos de Al, Al- https://www.sulzer.com. Recuperado el 30 de
Hf, Al-Si y Si, mediante CVD y con el propsito 05 de 2017, de
de incrementar la resistencia a la oxidacin en https://www.sulzer.com/es/Products-and-
condiciones de vapor, se pueden extraer que Services/Turbomachinery-Services/Repair-
mediante el estudio de la termodinmica de Services/Coatings/Selective-Chemical-Vapor-
deposicin de los recubrimientos de Al, Al-Hf y Deposition-SE-CVD
Al-Si, se acord que el precursor que tenan una
mayor incidencia en la formacin de las capas
de Al era el AlCl.

Todava, a pesar de este progreso, quedan

muchos retos por hacer frente, como por
ejemplo la prediccin exacta de un compuesto
obtenido con la tcnica CVD, as como su
estructura y propiedades. De hecho, aunque se
han conseguido muchos avances en el
entendimiento de la teora y mecnica de
funcionamiento de CVD, este proceso se sigue
considerando como una ciencia y el progreso
sigue dependiendo en gran parte de desarrollos
experimentales.

BIBLIOGRAFA

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https://www.iit.comillas.edu/pfc/resumenes/4fc
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