DIODOS ESPECIALES

DIODO GUNN

1. Simbologa:

2. Estructura del estado slido:

Un diodo Gunn, tambin conocido como un dispositivo de transferencia de electrones, es una
forma de diodo, un componente electrnico semiconductor, utilizado en la electrnica de alta
frecuencia. Su construccin interna es a diferencia de otros diodos en que consta slo de un
material semiconductor dopado N, mientras que la mayora de los diodos consisten tanto en las
regiones N-dopadas P. En el diodo Gunn, existen tres regiones: dos de ellos estn fuertemente
dopada n en cada terminal, con una capa delgada de material ligeramente dopado en el medio.
Cuando se aplica un voltaje al dispositivo, el gradiente elctrico ser ms grande a travs de la
capa intermedia delgada. La conduccin se llevar a cabo como en cualquier material conductor
con ser de corriente proporcional a la tensin aplicada. Finalmente, en los valores de campo
ms altas, las propiedades conductoras de la capa media sern alterados, aumentando su
resistividad, prevenir an ms la conduccin y se inicia la corriente a caer. Su uso es ms
grande en los osciladores electrnicos para generar microondas, en aplicaciones tales como
pistolas de radar de velocidad y transmisores de rel de microondas.

3. Caractersticas ms Importantes
1. Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200
GHz, mientras que los de nitruro de galio pueden alcanzar los 3 Terahertz.
2. Un diodo Gunn tiene una regin de resistencia diferencial negativa.
3. Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias
comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias an ms altas (hasta Terahertz).
4. Este efecto slo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las
oscilaciones se dan slo cuando existe un campo elctrico. Estas oscilaciones corresponden
aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar la placa de material
tipo N cuando se aplica la tensin continua.
4. Parmetros y Principios de Operacin:
Cuando un potencial suficientemente alto se aplica al diodo, la densidad de portadores de carga
a lo largo del ctodo se convierte en inestable, y se desarrollar pequeas rebanadas de baja
conductividad y alta intensidad de campo que se mueven desde el ctodo al nodo. No es
posible equilibrar la poblacin en ambas bandas, por lo que no siempre ser rodajas delgadas de
alta resistencia de campo en un fondo general de baja intensidad de campo. Por lo tanto, en la
prctica, con un pequeo aumento en la tensin directa, se crea una rebanada en el ctodo,
aumenta la resistencia, la rebanada se quita, y cuando alcanza el nodo se crea un nuevo
segmento en el ctodo para mantener constante la tensin total. Si se baja la tensin, cualquier
segmento, se apaga y la resistencia disminuye de nuevo.

Funcionamiento de resistencia positiva

El arseniuro de galio es uno de los pocos materiales semiconductores que en una muestra con
dopado tipo N, tiene una banda de energa vaca ms alta que la ms elevada de las que se
encuentran ocupadas parcial o totalmente.
Cuando se aplica una tensin a una placa (tipo N) de arseniuro de galio, los electrones, que el
material tiene en exceso, circulan y producen corriente. Si se aumenta la tensin, la corriente
aumenta.
Funcionamiento de resistencia negativa
Si a la placa anterior se le sigue aumentando la tensin, se les comunica a los electrones una
mayor energa, pero en lugar de moverse ms rpido, los electrones saltan a una banda de
energa ms elevada, que normalmente est vaca, disminuyen su velocidad y, por ende, la
corriente. As, una elevacin de la tensin en este elemento causa una disminucin de la
corriente.
Finalmente, la tensin en la placa se hace suficiente para extraer electrones de la banda de
mayor energa y menor movilidad, por lo que la corriente aumentar de nuevo con la tensin.
La caracterstica tensin contra corriente se parece mucho a la del diodo tnel.

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO GUNN

5. Aplicaciones:
Debido a su capacidad de alta frecuencia, diodos Gunn se utilizan principalmente en
frecuencias de microondas y superiores. Se pueden producir algunos de la potencia de
salida ms alta de todos los dispositivos semiconductores en estas frecuencias.
Su uso ms comn es en los osciladores, pero tambin se utilizan en los amplificadores
para amplificar las seales de microondas.
Debido a que el diodo es un dispositivo de un puerto, un circuito amplificador debe separar
la seal amplificada de salida de la seal de entrada entrante para evitar acoplamiento. Un
circuito comn es un amplificador de reflexin que utiliza un circulador para separar las
seales. Se necesita una camiseta de sesgo para aislar la corriente de las oscilaciones de
alta frecuencia sesgo.