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Practica 3: Transistores

Cynthia Maldonado Gonzalez


16 de Mayo de 2017

En la presente practica se expone a los transistores como un medio para disenar amplificadores de senales;
para ello, se comienza explicando que y como funciona un transistor cuando trabaja con corriente contnua
y corriente alterna, por lo que se introduce el concepto de fuentes dependientes para finalmente exponer
las expresiones que relacionan los voltajes de entrada y salida para despues obtener la ganancia del circuito
estudiado.
Resumen

1. Introduccion PNP
NPN
Un transistor es un dispositivo electronico semicon-
ductor utilizado para entregar una senal de salida en Por el material semiconductor emplea-
respuesta a una senal de entrada. Cumple funciones do:
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Transistores de Silicio;
Dependiendo de su accion sobre la corriente (ya sea
amplificandola o atenuandola) recibira una ganancia Transistores de Germanio.
llamada o hFE.
Por la disipacion de potencia:
Los transistores pueden clasificarse en dos grandes ra-
mas: Transistores de baja potencia;

1. Transistores bjt: Transistores de mediana potencia ;

Controlados por corriente de base; Transistores de alta potencia.


La corriente de colector esta en funcion de Por la frecuencia de trabajo:
la corriente de beta;
Transistores de baja frecuencia;
es el factor de amplificacion (ganancia);
Transistores de alta frecuencia.
Dan alta ganancia de corriente y voltaje;
2. Transistores JFET
Tienen una relacion lineal entre la corriente
de base y la corriente del colector; Son controlados por voltaje entre la puerta
y la fuente;
Tienen una subclasificacion dada por:
Son dispositivos unipolares;
Disposicion de sus capas (Vea figura
(3)): Cuentan con un factor de transductancia gm

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Figura 1: Esquema de un transistor bjt donde pueden


observarse las tres partes de el

Las ganancias de corriente son altas y las de Figura 2: Esquema de un transistor FET donde pue-
voltaje son menores a las de los BJT. den observarse las tres partes de el
Los transistores BJT constan de tres partes dopadas
artificialmente que forman dos uniones bipolares: el
emisor que emite portadores, el colector que los reci-
be o recolecta y la tercera, llamada base, se encarga
de modular el paso de dichos portadores. (Vea figu-
ra(1)). Mientras que, los transistores FET cuentan
con tres terminales denominadas: Drenador (drain),
Fuente (source) y compuerta (gate). (Vea figura (2))
Centraremos nuestra atencion en los transistores BJT
en sus dos modalidades (PNP, NPN).
Los transistores son elementos electronicos que re-
quieren de una polarizacion previa para poder tra-
bajar. Existen cuatro condiciones de polarizacion po-
sibles, dependiendo del sentido o del signo de los vol-
tajes de polarizacion en cada una de las uniones del
transitor, este se puede encontrar en alguna de las
cuatro regiones (Vea figura (4)). Estas regiones son:
Region Activa Directa;
Region de Saturacion;
Figura 3: Esquema de un transistor BJT - PNP, NPN,
Region de Corte; mostrando el flujo de corriente.
Region Activa Inversa

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Region Activa Directa;


La region activa directa corresponde a una polariza-
cion directa de la union emisor-base. Esta es la region
de operacion normal del transistor para amplificacion.
La corriente de colector es proporcional a la corriente
de base Se satisface que:
IC = IB
donde es la ganancia obtenida.
Region de Saturacion Corresponde a una polariza-
cion directa de ambas uniones. La operacion en esta
region corresponde a aplicaciones de conmutacion en
el modo encendido, pues el transistor actua como un
interruptor cerrado (VE = 0). Figura 4: Esquema con las cuatro posibles regiones de
trabajo de un transistor.
Region Activa de Inversa
Corresponde a una polarizacion inversa de la union
emisor-base y a una polarizacion directa de la union
colector-base. Esta region se usa muy poco.
Region de Corte
Corresponde a una polarizacion inversa de ambas
uniones. La operacion en esta region corresponde a
aplicaciones de conmutacion en el modo apagado,
pues el transistor actua como un interruptor abier-
to (IC =0).
Para cualquiera de las regiones en las que se trabaje,
se debe calcular el punto de operacion Q (Vea la fi-
gura(5)), el cual tiene asociado una corriente ICQ . El
calculo de este punto se obtendra en breve, pero antes
introduciremos el concepto de Fuentes Dependientes
e Independientes.
Fuentes Dependientes e Independientes
Las fuentes dependientes producen un voltaje o co-
rriente cuyo valor esta determinado por la existencia
de un voltaje o corriente en otro lugar del circuito. Las
fuentes dependientes o independientes son elementos Figura 5: Grafica del punto de operacion Q depen-
activos, es decir,son capaces de suministrar energa a diendo la region en la que este trabajando.
algun dispositivo externo, esta es justamente la dife-
rencia principal con los elementos pasivos, los cuales

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Figura 6: Fuentes dependientes controladas por vol-


taje (izquierda) y por corriente (derecha). Figura 7: Transitor como fuente dependiente. Modelo
-hbrido

no pueden generar energa, aunque pueden almacenar


cantidades finitas de esta para su dstribucion poste- do, y es empleado para analizar circuitos en los que
rior, como es el caso de los capacitores e inductores. se ven involucradas fuentes dependientes, capacitores
La figura (6) muestra las dos fuentes dependientes, y transistores.
la primera controlada por el voltaje y la segunda por
Los circuitos que son dotados de dos fuentes, una di-
corriente.
recta y otra alterna, deben analizarse en dos secciones,
Notemos que, el voltaje a traves de la fuente depen- citadas a continuacion:
diente es dos veces mayor que la de la fuente inde- 1. Analisis del transistor en corriente directa. Ob-
pendiente. Ademas, si en el circuito controlado por tenemos:
voltaje se sustituyera la fuente de corriente directa
por una alterna, veramos que el voltaje a traves de Punto de trabajo Q con ICQ
la fuente dependiente tendra el doble de la amplitud
que la entrada y estara desfasada. Obtencion de la resistencia r
2. Analisis del transistor en corriente alterna. Se co-
Entonces, es posible ver a los transistores como ampli-
mienza colocando en corto a los capacitores para
ficadores de senal, tal que la amplificacion se obtenga
posteriormente sustituir uno de los modelos de
a traves de la ganancia de un circuito, la cual se de-
transistor npn, en particular haremos uso del Mo-
fine como el cociente entre sus corrientes o voltajes
delo Pi - Hbrido, el cual puede observarse en la
de entrada y salida, segun sea el tipo de fuente de-
figura (7); con esto buscamos obtener la corriente
pendiente con la que se este trabajando, es decir, la
IB en terminos de r , el voltaje de encendido,
ganancia de voltaje es la razon del voltaje de salida
y RE .
con el de entrada; esta ganancia es empleada para los
sistemas dependientes de una fuente controlada por Por ejemplo, consideremos el circuito (8) que cons-
voltaje; del mismo modo sucede para las fuentes de- ta con una fuente dependiente controlada por volta-
pendientes controladas por corrientes, solo que en este je; del cual queremos obtener una ganancia de =
caso, la ganancia de corriente es el cociente entre la 500, entonces al efectuar el analisis anterior, se obtie-
corriente de salida con la de entrada. ne que:
Entonces, podemos decir que un transistor puede es- Transistor corriente directa Comencemos mar-
tudiarse a traves de una fuente dependiente (de volta- cando la parte del circuito (8) que se analiza con
je o corriente), en particular podemos usar el modelo corriente directa, para ello, observemos el esquema
expuesto en la figura (7). izquierdo de la figura (9).
El esquema anterior se conoce como Modelo - hibri- Los siguiente es determinar el punto de trabajo, por

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lo que debemos calcular el voltaje y la resistencia de


Thevenin (Vth ), (Rth ) (vea la figura (9) esquema de-
recho) as:

R2 Vcc
Vth =
R1 + R2

Vth = 5V

Mientras que:

R1 R2
Rth =
R1 + R2
Figura 8: Circuito con un transistor actuando como
aplificador de senal.
Rth = 3.33K

Luego, si suponemos que IC =IE y que VBEQ =0.7V


podemos finalmente obtener la corriente del punto de
operacion al emplear la siguiente relacion:

Vth VBEQ
ICQ = Rth
+ RE

ICQ = 4.16mA

Note que la relacion para encontrar la corriente del


punto de operacion fue obtenida a partir de un
analisis de mallas sobre el circuito (9) esquema de-
recho.
Para culminar el analisis en corriente directa, pa-
samos al calculo de la resistencia r , donde r es
la resistencia que aparece en el modelo -hibrido,
fig(7). Entonces si consideramos un voltaje termico
(VT )=25mV; se tiene que:
Figura 9: Circuito analizado en corriente directa y
usando voltaje de Thevenin
VT
r =
ICQ

r = 600

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Figura 11: Circuito realizado para la primera parte de


la presente practica

mos llegar a las siguientes expresiones:

Figura 10: Fases para el analisis del circuito en co- VBE = (i r + ( + 1)i RE ) (1)
rriente alterna

Vs = (r + ( + 1)RE )i (2)
Transistor en corriente alterna

Partamos nuevamente del circuito (8) y coloquemos VS


i = (3)
en corto los capacitores para reducir el circuito al es- r + ( + 1)RE
quema superior izquierdo de la imagen (10), de donde
al sustiuir las resistencias equivalentes: Dado que Rin =Rth que es paralelo a (r +RE , enton-
ces:
REQ resistencia equivalente de R1 y R2
RL0 resitencia equivalente RC y RL VL0 Rin
= (4)
VS r ( + 1)RE (Rin + RS )
llegamos a la figura superior derecha de la imagen
(10).
Finalmente, llegamos a la relacion para la corriente
Finalmente, al sustituir el Modelo Pi-Hibrido, pode- i :
mos obtener las ecuaciones de las tres mallas involu- Vin
i = (5)
cradas, as se tiene que: r + ( + 1)RE

2. Desarrollo
M alla1 : VS VRS VRT H = 0
M alla2 : VR VRE + VRH = 0
Empleando el circuito (11), determinamos el punto de
M alla3 : VE = I RL0 trabajo (Q) utilizando la senal de salida mostrada en
un osciloscopio. (Vea figura(11)).
El ultimo experimento consistio en usar el analisis de
Entonces, recordando que I2 =i y que I3 =i , pode- los transistores y fuentes dependientes para analizar

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Figura 12: Circuito realizado para la ultima parte de Figura 13: Senal obtenida del experimento (1)
la presente practica
Para el circuito (12) se obtuvieron las siguientes can-
el circuito (12), obteniendo as, la medicion del vol- tidades:
taje de colector emisor y la corriente de colector para
100 300 (Segun el datasheet)
determinar el punto de operacion Q. Posteriormente,
se registro el voltaje V0 para despues determinar la El punto Q(VCEQ ,ICQ ) se determino a:
ganancia del circuito.
VCE =3.939 V
ICQ =0.090 mA
3. Resultados La ganancia la obtenemos haciendo el cociente
de:
Vsalida
Para el circuito (11) se obtuvieron los siguientes va- G=
Ventrada
lores:
Entonces, se obtuvo G = -100
Vcc =15V
El voltaje V0 resulta ser V0 =264sin(kx-wt)
=203
Mientras que a imagen que arrojo el osciloscopio es la
ICQ =4.11mA numero (14)
VCE =VCQ =6.814V
Ganancia = -54 4. Analisis y Conclusiones
r =1.23K
i =0.073mA De acuerdo a las imagenes (13) y (14) podemos notar
que ambas ganancias resultaron ser negativas lo que
Y la imagen obtenida en el osciloscopio es la numero nos indica que existe un desafasamiento entre la onda
(13) de entrada y la de salida.

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man el circuito (8) se tiene que:


La resistencia RE funciona como estabilizador
ante las posibles variaciones del punto Q debi-
do a los procesos termicos del transistor;
Los capacitores sirven para mermar la perdida de
ganancia a la salida del circuito, pues hace que
la senal del emisor sea nula;
Como el transistor trabajo en emisor comun, la
variacion de RS provoca alteraciones en la co-
rriente de base;
La polarizacion de la base se hace a traves de las
resistencias R1 y R2 mientras que la polarizacion
del colector se efectua a traves de RC .
Figura 14: Senal obtenida del experimento (2)
En un transistor actuando bajo emisor comun se tie-
nen impedancias y ganancias medias en:
Entre las observaciones obtenidas de forma emprica
La impedancia de entrada;
destacan el haber precibido que al introducir diferen-
tes frecuencias de la onda entrante, la ganancia no La impedancia de salida;
resulto afectada.
La ganancia de voltaje:
Por otro lado, podemos rescatar que cuando el tran-
La ganancia de corriente;
sistor trabaja en corriente directa, este se polariza
para poder obtener el voltaje maximo (pico - pico). Ademas por obtener ganancias negativas existe
inversion de fase
Respecto a las relaciones entre las diferentes corrien-
tes producidas en un transistor (corriente de colector Finalmente, agregamos que un transistor como am-
IC , corriente de base IB y corriente de emisor IE ), se plificador trabajara mejor a medida que su ganancia
puede destacar que: se incremente pero manteniendo una impedancia de
entrada y salida pequena.
Si en la base circula mayor o menor corriente
entonces habra mayor o menor corriente en la
salida del colector;
5. Bibliografa
Cuando la IC aumenta, el VC disminuye por la
caida en RC ;
(2017) Jose C. El transistor como aplificador.
En principio IC e IE pueden considerarse muy (2017) Luis B. Teora de circuitos.
parecidos, e IB resulta ser la resta entre ambas
corrientes; (2017) Savant c. Diseno electronico. Circuitos y
Sistemas.
Cuando IC aumenta e IE disminuye, entonces IB
aumenta rapidamente.
Por otra parte, referente a los elementos que confor-

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