Aproximaciones para el transistor

1 aproximacin (ideal)

2 aproximacin

3 aproximacin

Las caractersticas de entrada y salida no son lineales:

Para facilitar los clculos usaremos las siguientes aproximaciones.

1 aproximacin (ideal)

Esta es la aproximacin ideal, por lo tanto la menos exacta de las tres, las caractersticas de
entrada y salida son estas:

2 aproximacin
Esta aproximacin no es tan ideal como la anterior por lo tanto se parece ms al
funcionamiento real del transistor.

3 aproximacin

La aproximacin ms exacta o la que ms se parece a la realidad, por lo tanto algo ms

compleja que las anteriores, se gana en exactitud pero tambin en complejidad.

EJEMPLO: En este ejemplo usaremos las 3 aproximaciones para ver que error se comete
de una a otra.

1 aproximacin

Para saber donde estamos hacemos una hiptesis. Hiptesis: ACTIVA.

Vemos que la UE est en directa y la UC est en inversa por lo tanto la hiptesis es correcta,
estamos en activa.

2 aproximacin

Tambin queda demostrado que nos encontramos en activa. La mayor diferencia esta en
VCE y debido eso se recomienda usar la 2 aproximacin en vez de la 1 aproximacin.

En problemas complicados, con varios transistores, para reducir incgnitas se toma: IC = IE.

La 3 aproximacin no se suele utilizar, porque no se sabe en que punto estamos trabajando

(punto Q). En practicas se podra utilizar la 3 aproximacin midiendo la tensin VBE con el
voltmetro, pero en problemas no se usa la 3 aproximacin.
Si supiramos su valor, aplicamos la 3 aproximacin y se ven los valores que salen:

3 aproximacin

Por ejemplo con un voltmetro mido la tensin VBE y me sale el siguiente valor:

Como se ve los errores son mnimos comparndolos con la 2 aproximacin, por eso
usaremos la 2 aproximacin.

Hoja de caractersticas de un transistor

Corriente y potencia mximas

Factor de ajuste

Otro parmetro

Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904.

VCB....................................60 V (mximo valor en inversa)

VCEo...................................40 V (mximo valor en inversa con la base abierta)
VEB.......................................6 V (mximo valor en inversa)

En realidad en la hoja de caractersticas tenemos que diferenciar los transistores en:

Transistores de pequea seal (IC pequea), por ejemplo: 2N3904.

Transistores de potencia (IC grande), por ejemplo: 2N3055.

Corriente y potencia mximas

En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas, siendo la unin
ms problemtica la unin CB, porque es la que ms se calienta.

En un transistor se dan tres tipos de temperaturas:

Tj = Temperatura de la unin.
TC = Temperatura de la capsula.
TA = Temperatura del ambiente.

EJEMPLO: Tj = 200 C

Para sacar el calor de la unin tenemos que el flujo calorfico ha de pasar de la unin al
encapsulado y posteriormente al ambiente.

Hay una resistencia trmica unin-cpsula que dificulta que el calor pase de la unin a la
cpsula (jC).

Hay una resistencia trmica cpsula-ambiente que dificulta que el calor pase de la cpsula
al ambiente (CA).

jC = 125 C/W
CA = 232 C/W
jA = 357 C/W

Son unas resistencias que se oponen al paso de calor.

Factor de ajuste

Indica como disminuye la PDmx por cada grado de aumento de temperatura por encima de
un valor determinado.

EJEMPLO: Para el 2N3904 PDmx = 350 mW (a 25 C) Factor de ajuste = - 2,8 mW/C

Si TA aumenta a 60 C: PDmx = 350 - 2,8 (60 - 25) = 252 mW

Ese factor de ajuste es el inverso de la resistencia trmica:

Factor de ajuste = 1 / jA

Otro parmetro

Este parmetro es el cc que ya hemos visto anteriormente (IC = cc IB Zona Activa).

cc = hFE

Seguimos con el ejemplo del transistor 2N3904. En el catlogo suele venir:

 IC hFE

(mA) mn typ mx

0,1 40.............__...........__

1 70.............__...........__

10 100.............__...........300

50 60.............__...........__

100 30.............__...........__

Este valor es para la zona activa. Como se ve en la grfica, existe una tolerancia de
fabricacin o dispersin de valores en la fabricacin que por ejemplo para IC = 10 mA va
desde 100 hasta 300.

Deteccin de averas en circuitos con

transistores

Veamos los tipos de averas tpicos que podemos tener en un transistor con un ejemplo:

1 aproximacin:
Esto es cuando no hay averas. Dos tipos de averas comunes que podemos tener son que la
base este abierta o que la base se encuentre cortocircuitada, veamos estos dos casos:

RB abierto = RBo

RB cortocircuito = RBs
En este caso de la base en cortocircuito, se puede estropear la unin BE.