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Electrnica - 2013
Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni
Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 1 / 58

Clase 1
Presentacin
Cuestiones administrativas
Asistencia > 75 %
Entrega de ejercicios (plazo = 15 das). Condicin para rendir examen

Caractersticas generales
El diodo es un dispositivo electrnico de dos terminales: el nodo(A) y

el ctodo(K)
Figura : Smbolo del diodo
La tensin vD en el diodo se toma como positiva de nodo a ctodo

La corriente iD en el diodo se referencia positiva cuando circula de
nodo a ctodo
Caractersticas generales
Figura : Curva caracterstica tensin-corriente
Polarizacin directa: vD > 0 =flujo de corriente grande (iD > 0)

Polarizacin inversa: x < vD < 0 =flujo de corriente pequeo
(iD < 0)
Ruptura o avalancha: vD < x = flujo de corriente grande
Ing. F (i
.Ballina Ing. )
=- i E Mazzoni Electrnica - 2013 4 / 58
Encapsulado
El ctodo K y el nodo A se indican en el encapsulado. Normalmente

K se marca con una banda. Se debe consultar la hoja de datos
Figura : Ejemplos de encapsulado

Diodos de pequea seal
Figura : Diodo de silicio de pequea seal

Diodos de pequea seal
Regin de polarizacin directa= los diodos de silicio de pequea

seal conducen muy poca corriente (<< 1mA), hasta que se aplica
una tensin de 0.6-0.7 V (a 300K). Entonces, la corriente aumenta
muy rpidamente a medida que se sigue incrementando la tensin.
La curva caracterstica presenta un codo sobre los 0,6 V
A medida que aumenta la temperatura la tensin de codo disminuye a
razn de 2mV /K
En la regin de polarizacin inversa, para diodos de silicio de pequea
seal a temperatura ambiente, la corriente tpica es de 1 nA
La corriente inversa se duplica cada 10K (regla emprica)
Ruptura inversa: la corriente aumenta de valor rpidamente.

Anlisis de la recta de carga
La curva caracterstica tensin-corriente de los diodos no es lineal

La mayora de las tcnicas aprendidas en electrotecnia son para
trabajar en circuitos lineales
La mayor parte de nuestros estudios sobre electrnica consistirn en
tcnicas para analizar circuitos con elementos no-lineales
Los mtodos grficos son muy utilizados para analizar circuitos
no-lineales

Figura : Anlisis de la recta de carga

Para el circuito de la figura, determinar el punto de trabajo (vDq , iDq )
y la tensin en la resistencia vR
E = vD + iD R
Si vD = 0 = E = vD = 10 V
Si iD = 0 = iD = RE = 0,5 k = 20 mA (esto sera en el caso en que el
10 V
diodo fuera un elemento lineal!!!!)

Figura : Ejemplo 1. Recta de carga
Solucin.Recta de carga
Por grfico vDq 0,78V y iDq = 18,5 mA

vR = iDq R = (18,5 mA)(1 k)=18.5 V
Figura : Ejemplo 1. Recta de carga

Modelos de diodos
Con el anlisis mediante recta de carga tenemos resultados precisos

Necesitamos modelos mas simples para analizar con rapidez circuitos
que contengan varios diodos
Se presentan tres modelos de complejidad para modelar diodos

Modelo ideal de un diodo
Es el modelo menos preciso y se representa mediante un interruptor

Diodo polarizado en directa=interruptor cerrado
Diodo polarizado en inversa=interruptor abierto
El modelo ideal se usa cuando se estn solucionando fallas o se intenta
entender la operacin de un circuito y no hay inters en valores mas
exactos de tensin o corriente

Figura : Modelo ideal de un diodo

Suposiciones para el anlisis de circuitos con diodos ideales
Inicialmente puede que no sepamos que diodos son interruptores

cerrados y cuales son abiertos
Hay que hacer suposiciones
Luego analizamos el circuito para encontrar las corrientes en los diodos
que supusimos como interruptores cerrados (conduccin) y las
tensiones en los diodos que supusimos como interruptores abiertos
(corte)
Si iD > 0 para los diodos supuestos como interruptores cerrados y
vD < 0 para los diodos supuestos como interruptores abiertos las
suposiciones son correctas
Caso contrario debemos hacer nuevas suposiciones

Anlisis de circuitos con diodos usando el modelo del diodo ideal
Figura : Ejemplo. Modelo ideal de un diodo

Modelo prctico de un diodo
Incluye el potencial de barrera

Diodo polarizado en directa = interruptor cerrado en serie con
fuente de tensin de 0.7 V (lado positivo hacia el nodo)
Diodo polarizado en inversa = interruptor abierto (igual que el
modelo ideal)
Se usa cuando se estan solucionando fallas en circuitos de baja tension
(donde 0.7 V pueden ser significativos) y en el diseo de circuitos
bsicos con diodos

Modelo prctico de un diodo
Figura : Modelo prctico de un diodo

Modelo completo de diodo
Aproximacin mas precisa

Incluye la pequea resistencia dinamica de polarizacin en directa (rd )
y la gran resistencia interna de polarizacin en inversa (rR )
Diodo polarizado en directa = interruptor cerrado en serie con el
potencial de barrera y la resistencia dinmica
Diodo polarizado en inversa = interruptor abierto en paralelo con la
gran resistencia interna en inversa (rR )
Se usa para problemas de diseo que utilizan simulacin por
computadora

Modelo completo de diodo
Figura : Modelo completo de un diodo

Modelos del diodo
Ejemplo
1 Determinar la tensin y corriente de polarizacin en directa para c/u

de los modelos de diodo. Adems determinar la tensin sobre la
resistencia de limitacin
2 Determinar la tensin y corriente de polarizacin en inversa para c/u
de los modelos de diodo. Ademas determinar la tensin sobre la
resistencia de limitacin
Figura : Ejercicio. Modelos del diodo

Diodos zner
Diodos que trabajan en la zona de ruptura

Se usan en aplicaciones para las que se necesita una tensin constante
en la regin de ruptura.
Se encuentran diodos zener comerciales con tensiones de ruptura
especificadas con una tolerancia de 5 %
Figura : Diodo Zener

Pruebas de un diodo
Con un multmetro digital se puede probar un diodo rpida y

fcilmente
Un diodo en buen estado presentara resistencia extremadamente alta
(idealmente circuito abierto) en polarizacin inversa y una resistencia
muy baja con polarizacin en directa.
Un diodo defectuoso abierto presentara una resistencia
extremadamente alta en polarizacin directa y en inversa
Un diodo defectuoso en corto o resistivo defectuoso mostrara una baja
resistencia o cero en polarizacin directa como en inversa
La mayora de los multmetros en la actualidad tienen una funcin de
prueba de diodos

Pruebas de un diodo
Figura : Prueba de un diodo que funciona correctamente

Pruebas de un diodo
Figura :

Aplicaciones del diodo
Rectificadores de media onda

Rectificadores de onda completa
Filtros y reguladores de la fuente de alimentacin
Circuitos limitadores y sujetadores
Multiplicadores de tensin

Rectificadores
Convierten corriente alterna en corriente continua

Son la base de las fuentes de alimentacin y de los circuitos de carga
de bateras
Se utilizan en procesamiento de seales (por ejemplo para de modular
seales de radio)

Rectificador de media onda
Tensin de la fuente vs (t) > 0=polarizacin directa

Tensin de la fuente vs (t) < 0 =polarizacin inversa
Solo los semiciclos positivos de la fuente de tensin pasan por la carga
Para un diodo real , la tensin de salida es algo menor que la de la
fuente en una cantidad igual a la cada de tensin en el dido
Figura : Rectificador de media onda con carga resistiva

Rectificador de media onda
El valor medio de una seal sinusoidal rectificada de media onda es el

rea bajo la curva dividida por el periodo (2):
vs (t) = Vm sen(2ft)

area 1
1
Vmed = = Vm sen(2ft)dt = Vm sen(u)du
2 2 0 2 0
Vm Vm Vm
(cos(u) |0 ) = [cos() (cos(0))] = 2
2 2 2
Vm
Vmed =

Vm Vcodo
Para un diodo real Vmed =

Rectificador de media onda con capacitor de filtrado
Figura : Rectificador de media onda con capacitor de filtrado

Figura : Rectificador de media onda con capacitor de filtrado

A causa del ciclo cara-descarga, la tension de la carga tiene una

pequea componente de alterna, llamada rizado
En general, es aconsejable minimizar el rizado por lo que elegimos el
valor de capacidad mas grande posible
Una valor inicial a tomar en cuenta para calcular el valor de capacidad
del capacitor es:
IL T
C=
Vr
donde IL es la corriente en la carga, T es el periodo y Vr es la tensin de
rizado pico a pico

Tensin inversa de pico
Un aspecto importante de los circuitos rectificadores e la tensin

inversa de pico en los diodos
La especificacin de tensin de ruptura debe ser mayor que la tensin
inversa de pico
Con capacitor de filtro en paralelo con la carga, el valor de la tensin
inversa de pico se incrementa hasta aproximadamente 2Vm

Rectificador de onda completa con transformador con punto medio y
dos diodos
Consiste en dos rectificadores de media onda con fuentes de tension

desfasadas y una carga comun
Los diodos conducen alternadamente un semiciclo
Figura : Rectificador de onda completa

El transformador permite:
suministrar las tensiones desfasadas
ajustar el valor de Vm seleccionando la relacin de espiras
Como el rea durante un ciclo completo es el doble de la obtenida por
un sistema de media onda, el nivel de continua tambin se duplica:
2Vm
Vmed =

Para un diodo real Vmed = 2 (Vm 2Vcodo)

Rectificador de onda completa con puente de diodos
Se utilizan cuatro diodos en una configuracin de puente
Figura : Rectificador de onda completa con puente de diodos

Figura : Rectificador de onda completa con puente de diodos

Circuitos conformadores de onda
En los sistemas electrnicos se usan muchos circuitos conformadores

de onda.
Estos circuitos transforman una forma de onda en otra
Se emplean, por ejemplo, en generadores de funciones, transmisores y
receptores de televisin, radar, etc.

Circuitos recortadores
Una porcin de la seal de entrada se recorta
Figura : Circuito recortador

Circuitos limitadores (o sujetadores)
Agrega un nivel de continua a una seal alterna
Figura : Circuito sujetador

Fsica de semiconductores
Electrones de valencia: Describen rbitas alejadas del ncleo, tienen
mas energa y estn dbilmente enlazados al tomo que aquellos mas
cercanos al ncleo. Contribuyen a las reacciones qumicas, al enlace
dentro de la estructura de un material y determinan sus propiedades
elctricas.
Aislante: No conduce corriente elctrica en condiciones normales. Los
electrones de valencia estn fuertemente enlazados a los tomos (por
lo tanto hay muy pocos electrones libres)
Conductores: Es un material que conduce corriente elctrica
fcilmente. Los mejores conductores son materiales de un solo
elemento (cobre, plata, oro, aluminio) que estn caracterizados por
tomos con un solo electrn de valencia muy dbilmente enlazado al
tomo. En un material conductor, los electrones libres son electrones
de valencia
Semiconductores: Es un material en el medio entre un conductor y un
aislante (respecto a su capacidad de conducir corriente elctrica)
Los semiconductores mas comunes (de un solo elemento) son el silicio,

germanio y carbn.
Bandas de energa: Cuando un electro adquiere suficiente energa
adicional puede abandonar la banda de valencia, convertirse en un
electrn libre y existir en la banda de conduccin

Figura : Diagramas de energa

Electrones de conduccin y huecos
Cuando un electrn salta a la banda de conduccin, deja un espacio

vaco en la banda de valencia. Este espacio se llama hueco
Por cada electrn elevado a la banda de conduccin por medio de
energa externa queda un hueco en la banda de valencia y se crea lo
que se conoce como par electrn-hueco
Ocurre un recombinacin cuando un electrn de banda de conduccin
pierde energa y regresa a un hueco en la banda de valencia
A temperatura ambiente, en cualquier instante se tiene, varios
electrones de banda de conduccin (libres) y un numero igual de
huecos en la banda de valencia que se crean cuando estos electrones
saltan a la banda de conduccin

Figura : Creacin de pares electrn-hueco en un cristal de silicio

Corrientes de electrn y hueco
Si aplico tensin a un trozo de silicio los electrones libres generados

trmicamente (que se mueven libremente y al azar) son atrados hacia
el extremo positivo. Este movimiento se llama corriente de electrn
Otro tipo de corriente ocurre en la banda de valencia, donde existen
los huecos creados por los electrones libres (la corriente es generada
por los los electrones de valencia que se mueven a huecos cercanos).
Esta corriente se llama corriente de hueco
La conduccin en semiconductores es el movimiento de electrones
libres en la banda de conduccin o el movimiento de huecos en la
banda de valencia

Semiconductores tipo N y tipo P
La mayora de los semiconductores en su estado intrnseco no

conducen bien la corriente (por su numero limitado de electrones libres
en la BC y se huecos en la BV)
El silicio intrnseco (o germanio) se debe modificar incrementando el
numero de electrones libres o huecos para aumentar su conductividad
y hacerlo til en dispositivos electrnicos.
Se aaden impurezas al material intrnseco (dopaje)
Dos tipos de materiales extrinsecos (impuros), el tipo n y el tipo p,
son los bloques de construccin fundamentales en la mayora de los
dispositivos electrnicos
Mediante el dopaje se incrementa el numero de portadores de corriente
(electrones o huecos)

Semiconductor tipo N
Se agregan impurezas para aumentar el nmero de electrones en la

banda de valencia
El nmero de electrones de conduccin puede ser controlado con
cuidado mediante el numero de tomos de impurezas agregados
Un electrn de conduccin creado mediante el proceso de dopaje no
deja un hueco en la banda de valencia
Como la mayora de los portadores de corriente son electrones, se los
llama portadores mayoritarios en material tipo n.
Los huecos en un material tipo n reciben el nombre de portadores
minoritarios

Semiconductor tipo P
Se agregan impurezas para aumentar el numero de huecos

Un hueco creado mediante el proceso de dopado no esta acompaado
de un electrn de conduccin (libre)
Como la mayora de los portadores de corriente son huecos, se los
llama portadores mayoritarios en material tipo p
Los electrones de banda de conduccin en un material tipo p son los
portadores minoritarios

Juntura PN
La juntura PN se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p
Cuando los dos materiales se unen, los electrones y los huecos en la
regin de la unin se combinan y provocan carencia de portadores
libres (regin de empobrecimiento)
Figura : Juntura PN

Juntura PN
Se debe aplicar una cierta cantidad de tensin (potencial de barrera)

para que los electrones comiencen a fluir a traves de la union
El potencial de barrera es aproximadamente 0.7 V para el silicio y 0.3
V para el germani a 25C.
Juntura PN = DIODO

Juntura PN
Polarizacin directa
Figura : Juntura PN.Polarizacin directa

Juntura PN
Polarizacin inversa
Figura : Juntura PN. Polarizacin inversa

Ecuacin de Shockley
Las caractersticas generales de un diodo semiconductor se pueden

definir mediante la ecuacin de Shockley:
VD
ID = IS (e nVT 1)
donde:
IS es la corriente de saturacion inversa
VD es la tension de polarizacion en directa
n es un factor de idealidad (sup n=1)
VT es la tensin termica VT = kT q

Diodos especiales
Diodo varactor
La capacitancia en la unin de los diodos varia con la cantidad de

polarizacin inversa
Los diodos varactores estn diseados especialmente para aprovechar
esta caractersticas
Se utilizan como capacitores controlador por tensin
Su utilizan comnmente en sistemas de comunicaciones
Son tambin conocidos como varicaps o diodos sintonizadores

Diodos especiales
Diodo emisor de luz (LED)
Cuando el dispositivo esta polarizado en directa, los electrones

atraviesan la juntura pn desde el material tipo n y se recombinan con
huecos en el material tipo p.
Cuando ocurre la recombinacin, los electrones recombinantes liberan
energas en forma de fotones.
Se agregan varias impurezas durante el dopado para establecer la
longitud de onda de la luz emitida
La tensin de polarizacin varia entre 1.2 V y 3.2 V

Diodos especiales
Fotodiodo
Opera con polarizacin inversa

Tiene una pequea ventana que permite que la luz choque con la
juntura pn
Cuando la juntura pn se expone a la luz, la corriente inversa se
incrementa con la intensidad de la luz
Cuando no hay luz la corriente inversa es casi despreciable
Se usa como un dispositivo de resistencia variable controlado por la
intensidad luminosa

Diodos especiales
Diodo lser (laser + fotodiodo: reproductor de CD)

Diodos Schottky (alta corriente: aplicaciones de alta frecuencia y
conmutacin rpida)
Diodo tunel (resistencia negativa: aplicaciones de osciladores y
amplificadores de microondas)

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Electrnica - 2013

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 1 / 58

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 2 / 58

El diodo es un dispositivo electrnico de dos terminales: el nodo(A) y

Figura : Smbolo del diodo

La tensin vD en el diodo se toma como positiva de nodo a ctodo

Figura : Curva caracterstica tensin-corriente

Polarizacin directa: vD > 0 =flujo de corriente grande (iD > 0)

El ctodo K y el nodo A se indican en el encapsulado. Normalmente

Figura : Ejemplos de encapsulado

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 5 / 58

Figura : Diodo de silicio de pequea seal

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 6 / 58

Regin de polarizacin directa= los diodos de silicio de pequea

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 7 / 58

La curva caracterstica tensin-corriente de los diodos no es lineal

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 8 / 58

Figura : Anlisis de la recta de carga

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 9 / 58

diodo fuera un elemento lineal!!!!)

Por grfico vDq 0,78V y iDq = 18,5 mA

Figura : Ejemplo 1. Recta de carga

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 11 / 58

Con el anlisis mediante recta de carga tenemos resultados precisos

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 12 / 58

Es el modelo menos preciso y se representa mediante un interruptor

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 13 / 58

Figura : Modelo ideal de un diodo

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 14 / 58

Suposiciones para el anlisis de circuitos con diodos ideales

Inicialmente puede que no sepamos que diodos son interruptores

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 15 / 58

Anlisis de circuitos con diodos usando el modelo del diodo ideal

Figura : Ejemplo. Modelo ideal de un diodo

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 16 / 58

Incluye el potencial de barrera

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 17 / 58

Figura : Modelo prctico de un diodo

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 18 / 58

Aproximacin mas precisa

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 19 / 58

Figura : Modelo completo de un diodo

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 20 / 58

1 Determinar la tensin y corriente de polarizacin en directa para c/u

Figura : Ejercicio. Modelos del diodo

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 21 / 58

Diodos que trabajan en la zona de ruptura

Figura : Diodo Zener

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 22 / 58

Con un multmetro digital se puede probar un diodo rpida y

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 23 / 58

Figura : Prueba de un diodo que funciona correctamente

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 24 / 58

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 25 / 58

Rectificadores de media onda

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 26 / 58

Convierten corriente alterna en corriente continua

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 27 / 58

Tensin de la fuente vs (t) > 0=polarizacin directa

Figura : Rectificador de media onda con carga resistiva

Ing. F .Ballina - Ing. E Mazzoni Electrnica - 2013 28 / 58

El valor medio de una seal sinusoidal rectificada de media onda es el