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COMPONENTES NO LINEALES:
DIODOS
Fundamentos de Electrónica 1
Índice:
3.1) Introducción a los elementos de circuitos no lineales:
Propiedades básicas.
Análisis gráfico con un elemento no lineal.
3.2) El diodo: introducción a la física del componente.
Diodo Zener. Diodo Schottky. Diodo Led. Diodo láser.
3.3) Circuito de diodo simple
3.4) Modelo del diodo para polarización directa.
3.5) Aplicaciones elementales de los diodos.
Rectificación.
Corte y limitación.
Circuito de corte con dos elementos no lineales
Rectificadores y limitadores de precisión.
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1
Introducción a los elementos de circuitos no lineales
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Fundamentos de Electrónica 4
2
Introducción a los elementos de circuitos no lineales
s v s ≤ VTR
0
is
Elemento no
Vs
lineal
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EL DIODO:
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3
TIPOS DE MATERIALES EN FUNCIÓN DE LA CONDUCCIÓN ELÉCTRICA
σ (Ω/cm)
10-18 10-15 10-12 10-9 10-6 10-3 .100......103 106 109... .......1026
Óxidos Si, Ge,
Nylon.. Pb a 4ºK
AsGa Grafito
Cuarzo Vidrio NiCr Ag, Cu,
Polietileno. Madera.. Fe..
.
aislantes semiconductores conductores
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ESTRUCTURA DE BANDAS
E B.C
B.C B.C
EC ≈ 3 eV
Eg B.C ≈ 1 eV
EV
B.V
B.V B.V B.V
En
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4
)SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO:Semiconductor en estado puro y
perfectamente cristalizado. (Si y Ge con Eg = 1,1 eV y 0,6 eV)
ni = p = n
ni = f (T , E g ) ⇒ Inconveniente para aplicaciones prácticas,
donde lo que se busca es un comportamiento
estable frente a la temperatura ⇒ SOLUCIÓN:
DOPAJE.
)SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO: se introducen átomos de diferente
valencia, dentro de la red del material semiconductor en estado puro.
Conducción por impurezas. Tipo p. Tipo n.
NA + n = ND + p
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• • + • • • • +
+ +
• •
• •
• • z
• { •
• • + • • • •
+ + +
• • z • •
• •
{ •
{
+ • • + • • + • • +
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5
Procesos de conducción en un semiconductor: tipos de corrientes
)Arrastre. • • • e-
• • • e-
• • • •
• • • • • •
Eapli ≠ 0
Movimiento aleatorio de Movimiento ordenado
los electrones. de los electrones bajo
la acción de un campo
eléctrico.
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)Difusión. t1 = 0 s
Si-n Si-p
t1 = 0s
[e-]
Distancia, x
[e-] t2 - - - - - -
t3 ______
Distancia, x
Esquema de la generación de una corriente de difusión al poner en contacto
un semiconductor tipo n y otro tipo p. Se representa la concentración de
electrones [e-], frente a la distancia x
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UNIÓN P-N: DIODOS SEMICONDUCTORES P N
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e
e
Polarización inversa
Polarización directa
VD
KT
VT = ≈ 25 mV a T ambiente
q
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Característica voltaje-corriente de la unión PN
iD (mA)
v D / ηVT
i D = I S (e − 1)
iD VT
Tensión inversa
de (µA)
ruptura
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DIODOS ESPECIALES
)Diodo Zéner
)Diodo Schottky
)Diodo Led
)Diodo láser
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