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C URITIBA -PR
Prof. Dr. C.A. Dartora
Roteiro do Captulo:
Fontes Termicas
8 - Processos Opticos e Dispositivos: LEDs, LASERs Semicondutores e Fotodetectores 2/54
Prof. Dr. C.A. Dartora
E ph = h . (1)
Lembrando que uma onda e definida pela sua frequencia e vetor de onda
k = (/c)n, o foton tambem carrega momento linear p, na forma
h
p = hk = n. (2)
c
1) Absorcao
2) Emissao Espontanea
3) Emissao Estimulada
Absorcao
h = E2 E1 .
A taxa com que a absorcao ocorre e proporcional ao numero inicial de
fotons n, pois quanto mais fotons houverem no incio do processo(estado
inicial), maior a probabilidade de ocorrencia de uma absorcao.
Emissao Espontanea
Emissao Estimulada
4k2dk 82d
dN = 2 =
(2/L)3 (2/L)3c3
de onde tiramos a densidade de estados de fotons na cavidade:
dN 82
() = =
d (2/L)3c3
Rabs = w12()N1n
onde w12 = w21 e um parametro recproco de taxa que depende das funcoes
de ondas relativas aos nveis E1 e E2 e aqui nao vem ao caso, em detalhes,
() e a densidade de estados de fotons, N1 o numero de ocupacao do nvel
N1 e n o numero de fotons.
1
, n() =
e 1
h
8 2
n()()d = 3 3
d .
(2/L) c e 1
h
Alargamento espectral
Luminescencia
Alargamento espectral
; Em gases ocorre o efeito Doppler: desvio de frequencia devido a ve-
locidade dos atomos/moleculas.
; Em solidos os nveis de energia discretos devem ser substitudos por
bandas de energia. Nesse caso, as transicoes acontecem entre uma banda e
outra: transicoes interbanda.
; Usualmente entre a banda de conducao e a banda de valencia.
; Vamos considerar os materiais semicondutores, importantes na tecnolo-
gia de lasers e leds atuais. Um eletron na BC pode, atraves da emissao de
um foton, recombinar com um buraco na BV.
; E possvel ainda, um eletron na BV absorver um foton e ocupar um
estado na BC.
; Como as bandas BC e BV nao sao nveis discretos, o espectro de
absorcao ou emissao nao sera uma linha do tipo delta de Dirac, mas sim
uma funcao com certa largura de banda. Sem considerar outros processos,
o valor mnimo de energia do foton corresponde ao valor do gap Eg = h.
2 3 = 0.
Luminescencia
; E a emissao de luz excitada por algum mecanismo fsico especfico.
; Tipos de excitacao possveis sao:
Fotons - Fotoluminescencia;
Eletrons ou outro tipo de raios catodicos: Catodoluminescencia. Im-
pacto de partculas no meio material produz luminescencia;
Fotons de Raio X ou Raios : Radioluminescencia;
Processos Qumicos: Quimioluminescencia;
Campos eletricos DC ou AC: Eletroluminescencia - a radiacao e incoer-
ente e tem largura de banda usualmente algumas ordens de grandeza maior
do que a radiacao coerente de um laser. LEDs sao dispositivos eletrolumi-
nescentes;
; Quando o processo envolve armadilhas que permitem tempos de re-
sposta de segundos ou ate horas, o processo normalmente e denominado
Fosforescencia.
8 - Processos Opticos e Dispositivos: LEDs, LASERs Semicondutores e Fotodetectores 21/54
Prof. Dr. C.A. Dartora
LASERS
Tipos de Lasers:
Lasers Gasosos: tem linha espectral mais estreita, sao utilizados para
geracao de altas potencias, com linha espectral pura. Exemplo: Laser He-
Ne. A excitacao normalmente e feita por uma lampada fluorescente em um
sistema gasoso de tres nveis.
; Tem-se a condicao:
N2
>1 .
N1
Essa condicao e denominada INVERSAO de POPULACAO! Nao pode
ser atingida na condicao de equilbrio termico. Um Laser deve operar fora
do equilbrio, portanto, e deve-se manter uma situacao de inversao.
; Um laser pode ser visto como um oscilador. Deve-se entao ter uma
condicao de sintonia. Esta e providenciada por uma cavidade ressonante,
capaz de filtrar os modos eletromagneticos, e permitir que somente o modo
desejado esteja presente.
; Alem disso deve haver um meio ativo, propiciando um ganho que possa
compensar as perdas do sistema.
S() Gd ()
G() = = .
E() 1 Gd ()Gr ()
Oscilador: S() 6= 0 mesmo com E() = 0. Consequentemente o criterio
de oscilacao e
Gd ()Gr () = 1
refletividades R1 e R2.
A = A0 R1R2e2(g)d e2id .
; A fase e aquela adquirida por uma onda apos se propagar uma distancia
total 2d.
Para que A = A0, devemos ter R1R2e2(g)d = 1 e 2d = 2m , m =
1, 2, 3..., ou ainda:
m0
d= , m = 1, 2, 3... (3)
2ne f f
1 1
g = + ln . (4)
4d R1 R2
Lasers Semicondutores
Combinacoes de elementos III-V: GaAs, InP, GaP, InAs, etc. Alguns tem
gap direto.
h2k2
Ec(k) = (5)
2me
h2k2
Ev(k) = Eg (6)
2mv
np = n2i ,
(a) Estrutura de Bandas com Gap Direto: processo de recombinacao radiativa. (b)
Figure 5:
h2k2 h2k2
h = Eg + + ,
2me 2mv
ou seja, para quasi-partculas de massa reduzida mr satisfazendo
1 1 1
= +
mr me mh
e uma relacao de dispersao parabolica E = h2k2/(2mr ), temos:
E = h Eg .
; E importante notar que a condicao de conservacao de momentum:
kopt = ke + kh ,
mas como |kopt | << |ke|, |kh|, entao a transicao deve ser direta, ou em
outras palavras
ke + kh 0 .
h2k2
Rabs(k, ) = wcvv(k)c(k)n() fv(E)[1 fc(E)] h Eg .
2mr
h2k2
Rem(k, ) = wcvv(k)c(k)n() fc(E)[1 fv(E)] Eg + h .
2mr
e as distribuicoes de Fermi-Dirac sao dadas por:
1
fc(E) = (EE )
e Fc + 1
1
fv(E) = (EE E )
e g Fv + 1
p
() = K h Eg[ fc(Ec) fv(Ev)]
Equacoes de Taxa
dN I N
= wNn , (8)
dt e nr
dn n
= wNn , (9)
dt p
I N
wNn = 0 , (10)
e nr
n
wNn = 0 , (11)
p
cuja solucao nos da:
1
N= , (12)
w p
p
(I Ith) , n= (13)
e
sendo a corrente de limiar (threshold current) dada por:
e
Ith = .
wnr p
E ph = nh .
Sera entao a potencia de sada do laser dada por:
dn
Pout = h .
dt out
Mas a taxa com que os fotons saem da cavidade e inversamente propor-
cional ao tempo de vida dos fotons no interior da cavidade, ou seja:
dn n
=
dt out p
e uma eficiencia que esta associada a perda de fotons para outros mecan-
ismos que nao sejam a transmissao para fora da cavidade, de tal forma que:
h
Pout = (I Ith) .
e
eV
I = Is(e kB T 1) .
Fontes Termicas
O Sol e as estrelas;
FOTODETECTORES
Fotodiodo PIN;
Fotodiodo de Avalanche
Fototransistor;
= e(hNh eNe)
Popt () = Smed () A
dn Popt
= .
dt h
O acrescimo de corrente eletrica e proporcional a taxa de fotons absorvidos
que sao convertidos em portadores:
e
I = Popt ,
h
onde = T q e a eficiencia do processo, envolvendo a transmissividade
da interface e uma eficiencia quantica da geracao eletron-buraco.
8 - Processos Opticos e Dispositivos: LEDs, LASERs Semicondutores e Fotodetectores 50/54
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AMPLIFICADORES OPTICOS