01 Resistencia Materiales

RESISTENCIA DE LOS MATERIALES
SEMANA 1
Estructura de la materia
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ESTE DOCUMENTO CONTIENE LA SEMANA 1
NDICE
APRENDIZAJE ESPERADO..................................................................................................................... 4
INTRODUCCIN ................................................................................................................................... 4
1. MODELO DE ESFERAS Y RESORTES .............................................................................................. 5
1.1. MODELO DEL ESTADO SLIDO VISTO COMO ESFERAS REGULARES UNIDAS POR
RESORTES ........................................................................................................................................ 6
1.2. RESORTES, DEFORMACIONES PLSTICAS Y ELSTICAS ....................................................... 8
1.3. LEY DE HOOKE ................................................................................................................... 13
2. ESTRUCTURAS CRISTALIZADAS .................................................................................................. 16
2.1. CELDA UNITARIA ............................................................................................................... 19
2.2. CRISTALES .......................................................................................................................... 26
2.3. FALLAS DE LA ESTRUCTURA CRISTALIZADA....................................................................... 34
2.3.1. DISLOCACIONES......................................................................................................... 34
2.3.2. DEFECTOS PUNTUALES .............................................................................................. 39
2.3.3. ESTRUCTURA DE GRANO ........................................................................................... 43
COMENTARIO FINAL.......................................................................................................................... 49
REFERENCIAS ..................................................................................................................................... 50
3
ESTRUCTURA DE LA MATERIA
APRENDIZAJE ESPERADO
Identificar la aplicacin de modelos tericos vinculados a la estructura de los materiales.
INTRODUCCIN
La civilizacin actual vive en un mundo donde las posesiones materiales definen, en gran medida,
las relaciones sociales y la calidad de vida; los materiales y la ingeniera han evolucionado en el
transcurso del tiempo y continan hacindolo, siendo innegable el efecto que esa evolucin de los
materiales y sus diversas aplicaciones ha tenido sobre la cultura y las costumbres de la humanidad.
De esta manera se ha pasado de las edades de Piedra y Barro, hacia la de los Metales, y de all
hasta la era actual, donde los plsticos, el silicio con sus aplicaciones electrnicas o los nuevos
nanomateriales1 estn conduciendo a la humanidad a nuevos horizontes llenos de posibilidades
para la innovacin y el desarrollo.
Para poder aprovechar estas oportunidades, es necesario que quienes vayan a trabajar con
cualquier tipo de material dispongan de los conocimientos y las herramientas que les permitan
tomar decisiones acertadas con respecto al diseo, seleccin y uso de los diferentes materiales
para satisfacer los requerimientos de aplicaciones especficas. El estudio de los materiales se basa
en cuatro principios (Newell, 2011, p. 4):
1) Los principios que regulan el comportamiento de los materiales estn cimentados en la ciencia
y son comprensibles.
2) Las propiedades de un material especfico estn determinadas por su estructura. El
procesamiento puede alterar esa estructura en formas especficas y predecibles.
3) Las propiedades de todos los materiales cambian a travs del tiempo con el uso y con la
exposicin a las condiciones ambientales.
4) Cuando se selecciona un material para una aplicacin especfica, se deben efectuar las
pruebas suficientes y adecuadas para asegurar que el material se conservar idneo para la
aplicacin correspondiente durante la vida razonable del producto.
1
Los nanomateriales son todos aquellos materiales que al menos en una de sus dimensiones son inferiores a
100 nm. Ver ms en: https://goo.gl/vi8crW
4
Con el fin de poder entender las propiedades o caractersticas observables de los materiales, es
necesario entonces comprender su estructura a escala atmica y/o microscpica, puesto que, en
general, las propiedades principales de los diferentes materiales utilizados en ingeniera son
consecuencia directa de los mecanismos que tienen lugar a esa escala.
Es el propsito del contenido de estudio de esta semana, exponer los modelos tericos acerca de
la estructura de la materia y vincularlos con las propiedades y los comportamientos observados en
los diferentes materiales y sus usos industriales.
1. MODELO DE ESFERAS Y RESORTES

El galardonado con el Nobel de Fsica, Richard Feynman2, expres (Feynman, Leighton y Sands,
1965, pp. 1 y 2):
Si, en algn cataclismo, todo el conocimiento cientfico llegara a destruirse y solo pasara
a las generaciones futuras una oracin, cul podra contener la mayor informacin en la
menor cantidad de palabras? Yo creo que es la hiptesis atmica de que todas las cosas
estn hechas por tomos, pequeas partculas que se mueven perpetuamente, se atraen
las unas a las otras cuando estn separadas por poca distancia, pero se repelen si estn
siendo oprimidas unas sobre otras. En esa oracin, como vern, existe una enorme
cantidad de informacin acerca del mundo, si solo se aplica un poco de imaginacin y
pensamiento.
En la cita anterior, Feynman resume las propiedades bsicas de los tomos que son importantes
para el estudio de la materia:
Toda la materia est constituida por tomos.

Los tomos se atraen unos a otros cuando estn lo suficientemente cerca.
Los tomos se repelen cuando estn demasiado cerca unos de otros.
Los tomos de los slidos, lquidos y gases se mantienen en movimiento, aun a muy bajas
temperaturas.
2
Ver ms en: https://goo.gl/bmozXy
5
Estas propiedades lograron ser establecidas luego de ms de un siglo de estudios intensos acerca
de los tomos realizados tanto por fsicos como por qumicos, empleando para ello una gran
variedad de fundamentos tericos y tcnicas experimentales.
Pero, cules de las propiedades de una barra de aluminio, observables

sin equipos especiales, soportan las afirmaciones hechas por Feynman
con respecto a que los tomos se atraen unos a otros cuando no estn
demasiado cerca y se repelen cuando s lo estn?
A pesar de no contar con observaciones exactas, con los equipos apropiados de medicin se puede
afirmar que una barra de aluminio no se desintegra espontneamente o se evapora, se puede
suponer que sus tomos constitutivos deben estar atrayndose unos a otros; por otro lado, es
muy difcil comprimir la barra, as que sus tomos deben estar resistiendo los intentos de
empujarlos para acercarlos ms entre ellos; y, evidentemente, los tomos en una barra de
aluminio se encuentran normalmente a la distancia correcta, no muy cerca ni muy lejos (esa
distancia justa se conoce como distancia de equilibrio3 entre los tomos) (Chabay y Sherwood,
2001).
1.1. MODELO DEL ESTADO SLIDO VISTO COMO ESFERAS REGULARES

UNIDAS POR RESORTES
Dos tomos unidos mediante un enlace qumico se comportan de una manera similar a dos esferas
conectadas entre s con un resorte de muy poca masa (ver siguente figura). El sistema esfera-
resorte es un buen modelo para el sistema atmico en el cual:
Cada esfera en el modelo representa un ncleo atmico rodeado de los electrones internos del
tomo (los que se encuentran ms cerca del ncleo). Casi toda la masa de un tomo se
encuentra concentrada en el ncleo.
El resorte en el modelo representa el enlace qumico, el cual ocurre al compartir los electrones
de las capas externas de los tomos.
3
Es la distancia interatmica en la cual estn balanceadas las fuerzas de atraccin y repulsin y en la que los
tomos se encuentran en un mnimo de energa potencial.
6
Modelo de dos esferas conectadas a un resorte En la primera lnea de la figura se puede
observar un resorte relajado que no genera
fuerzas sobre las esferas. Al centro hay un
resorte estirado que ejerce fuerzas para
acercar las esferas. Y, finalmente, se aprecia
un resorte comprimido que ejerce fuerzas
para separar las esferas.
Fuente: Chabay y Sherwood (2001, p. 139).
El sistema atmico se comporta de manera muy parecida al modelo del sistema macroscpico
mientras el estiramiento o la compresin del resorte sea poca, como ocurre en un proceso
ordinario. Si los tomos se tratan de separar, ellos experimentan fuerzas que tienden a resistir la
separacin; por otro lado, si los tomos son forzados a acercarse, experimentarn fuerzas en
resistencia a la compresin.
En la figura de la derecha se presenta un Modelo de esferas y resortes para dos tomos

modelo de esferas y resortes para dos tomos conectados por un enlace qumico
conectados por un enlace qumico
(representado por el resorte) que se superpone
sobre una representacin de la nube de
electrones de cada tomo.
Como es conocido, un objeto slido contiene muchos tomos, no solo dos. A partir de la
microscopa de efecto tnel (MET) y la microscopa de fuerza atmica (MFA) se ha llegado a
conocer que muchos objetos slidos como, por ejemplo, los metales, son cristales compuestos de
arreglos regulares de tomos, como se muestra en la siguiente figura.
Imgenes de dos superficies de un cristal de silicio En la primera imagen las esferas indican la
nube de electrones asociada a cada
tomo, no solo el ncleo, sino que
tambin los electrones internos. En la
segunda imagen se muestra un arreglo
hexagonal de tomos.
7
Por otra parte, es necesario aclarar que los tomos se encuentran arreglados no solo en la
superficie de un slido, sino que poseen patrones tridimensionales como las esferas y resortes,
representados en la figura que sigue. En los slidos, los tomos se encuentran ordenados en una
red regular, por lo cual son llamados cristales. Entre ellos estn los metales, el cuarzo, el diamante,
el hielo y la sal comn, pero no as muchos slidos orgnicos como los plsticos o la madera.
La red representada en la figura de la derecha Modelo simple de un slido (esferas en movimiento

muestra la forma ms simple de un cristal, constante conectadas por resortes)
conocida como red cbica, debido a que los
tomos se encuentran localizados en las
esquinas de cubos adyacentes (imagen de la
izquierda en dos dimensiones o 2D y la imagen
de la derecha en tres dimensiones o 3D).
Existen diferentes arreglos de redes cristalinas que conforman estructuras ms complejas y,

aunque la mayora de los cristales presenta una complejidad mayor que la de la red cbica, se
utilizar el modelo cbico simple de esferas y resortes, puesto que incorpora todas las
caractersticas importantes requeridas. En el modelo, las esferas (ncleos) no se ven afectadas por
las condiciones externas, como fuerzas aplicadas, calor, etc., pero s se ven afectadas por dichas
condiciones los resortes (enlaces), los que se estiran o encogen dependiendo del efecto especfico
de la condicin aplicada.
Los tomos de un slido (y de cualquier estructura molecular) se encuentran en movimiento,

oscilando continuamente alrededor de sus posiciones de equilibrio, pero al aumentar la
temperatura (energa), dichas oscilaciones atmicas se hacen ms vigorosas. Por tanto, mientras
mayor es la energa, mayor es el movimiento y, a su vez, se registra una mayor temperatura
(Chabay y Sherwood, 2001). Por tanto, la respuesta que tendr un slido a medida que se
incrementa la energa depender, entonces, de la constante de elasticidad (k) del resorte (enlace).
Luego, la constante de expansin est directamente asociada a la constante de elasticidad del
resorte. Por otra parte, si la energa o fuerza suministrada al material es la misma para dos
materiales diferentes, aquel cuya respuesta sea mayor indicar una menor constante elstica,
como consecuencia del inverso de la proporcionalidad referida en la ley de Hooke.
1.2. RESORTES, DEFORMACIONES PLSTICAS Y ELSTICAS

El resorte es un elemento mecnico que puede ser deformado por una fuerza o energa y volver a
su forma original en la ausencia de esta y tiene como aplicacin en ingeniera el proporcionar un
rango de fuerza a un recorrido determinado o restituir dicha fuerza en el momento adecuado. En
8
cualquier tipo de resorte, una fuerza o torque4 externo produce una deformacin lineal o angular
y esta deformacin se traduce en un aumento en la energa interna del material que conforma el
resorte, a causa del esfuerzo al cual ha sido sometido.
Los resortes vienen en una gran variedad de formas diferentes, pero el de tipo metlico en espiral
es el ms familiar. Los resortes son una parte esencial de casi todos los dispositivos mecnicos
moderadamente complejos (desde bolgrafos y juguetes hasta motores de autos Frmula 1). El
material seleccionado para la construccin del resorte depender de cada aplicacin, teniendo en
cuenta diversos factores externos que puedan afectar su vida til como, por ejemplo: corrosin,
fatiga, esfuerzos dinmicos, rozamiento, temperatura, etc.
ELASTICIDAD
En fsica, el trmino elasticidad se utiliza para designar la propiedad de un material que le hace
recuperar su tamao y forma original luego de ser comprimido o estirado por una fuerza externa.
En un cuerpo slido, cada tomo o molcula se encuentra rodeada por otros tomos o molculas,
todos ellos enlazados por fuerzas interatmicas o intermoleculares y esto hace que se mantenga
en una posicin estable de equilibrio. Cuando un slido es deformado, los tomos o molculas son
desplazados de dicha posicin, causando un cambio en las distancias interatmicas (o
intermoleculares). Asimismo, al removerse la fuerza que origina esa deformacin, los enlaces
entre los tomos, que actuaron como resortes, volvern el sistema a la posicin original, logrando
con ello que el cuerpo recupere su forma y tamao.
Esquema de la recuperacin elstica en el modelo de esferas y resortes
Fuente: basado en https://goo.gl/xfHNiY
ESFUERZO ()
En mecnica, se conoce como esfuerzo (, sigma) a la magnitud de la fuerza actuante (F) que
experimenta un slido dividida por el rea (A) transversal sobre la que acta dicha fuerza (Hugh y
Freedman, 2009):
4
Torque o momento de una fuerza es a la capacidad de dicha fuerza para producir un giro o rotacin
alrededor de un punto. Ver ms en: https://goo.gl/GA1mxu
9

=
=
La unidad en la que se expresa el esfuerzo en el sistema internacional (SI) es el pascal (Pa), donde
1 Pa = 1 N/m2 (un newton por metro cuadrado).
De esta manera, si una viga soporta una carga, el esfuerzo en cualquier punto en el interior de la
viga es la carga (fuerza) dividida entre el rea de la seccin transversal en ese punto, por lo que si
en dicha viga ocurre un cambio de seccin transversal, las secciones ms delgadas experimentarn
el mayor esfuerzo, de all proviene el dicho la cuerda se corta por lo ms delgado; un ejemplo
puede verse en la siguiente figura.
Representacin del clculo del esfuerzo en una barra con cambio de seccin transversal
DEFORMACIN ()
Se conoce como deformacin (, psilon) al grado de estiramiento o encogimiento que se produce

como resultado de una fuerza aplicada a un material y se mide por el cociente entre el cambio en
alguna dimensin del cuerpo con respecto a la dimensin original en la que ocurre el cambio
(Hugh y Freedman, 2009).
10

=

0
= =
0 0
De esta manera, la deformacin que sufre un cuerpo cuando est sometido a una carga axial5, es
el cambio de la longitud (L) sobre la longitud original L0. La deformacin no tiene unidades, ya
que es un cociente entre cantidades con las mismas dimensiones y, frecuentemente, se reporta en
trminos de porcentaje de deformacin con respecto a la dimensin original.
Cada material responde de distinta forma al esfuerzo, y los detalles de la respuesta son
importantes para quienes deben seleccionar materiales a partir de sus estructuras, con el fin de
poder disear mquinas y herramientas que se comporten de manera predecible bajo esfuerzos
esperados. Para la mayora de los materiales, la deformacin que estos experimentan cuando se
les aplica un pequeo esfuerzo depende de la tensin de los enlaces qumicos entre sus tomos o
molculas, de tal forma que la rigidez del material est directamente relacionada con la estructura
qumica de este y con los tipos de enlaces qumicos presentes (Askeland, Fulay y Wright, 2012).
Por tanto, la deformacin se evidencia cuando se quita el esfuerzo y se observa hasta qu punto
los tomos se han desplazado dentro de la estructura del material slido. En general se pueden
identificar dos tipos de deformacin:
Deformacin elstica: es aquella en la que, al momento de quitar el esfuerzo que ha causado la

deformacin, el material regresa a la forma que tena originalmente. En este caso, la
deformacin es reversible y no es permanente.
5
Carga axial es aquella que aparece como resultante de un sistema de cargas, misma que transcurre por el
eje centroidal de la seccin del elemento cargado, ya sea en tensin o compresin. Ver ms en:
https://goo.gl/XYD9Dy
11
Deformacin reversible
Fuente: basado en https://goo.gl/acnfCW
Deformacin plstica: esta ocurre cuando se aplica un esfuerzo tan grande a un material que al
retirarlo, el material no regresa a su forma anterior, pudindose incluso ocasionar una
deformacin permanente e irreversible (ruptura).
Se denomina lmite elstico del material al valor mnimo de esfuerzo necesario para llegar a
producir una deformacin plstica, que puede llegar hasta la ruptura de los enlaces, como se
observa en la siguiente figura.
Deformacin irreversible con ruptura
Fuente: basado en https://goo.gl/Iulc1f
12
1.3. LEY DE HOOKE
Robert Hooke6, en su libro De potentia Ley de Hooke
restitutiva (1679), estableci su famosa ley en
la cual relaciona las fuerzas con las
deformaciones. A travs de un sencillo
dispositivo en el cual a un plato conectado a un
resorte se le iban agregando pesos y se medan
las deformaciones que se producan, Hooke
descubri que existe una proporcionalidad
directa entre los pesos aplicados y dichas
deformaciones o fuerza requerida para estirar
el resorte u objeto elstico.
Fuente: https://goo.gl/Sa5Ber
Hooke observ que para muchos materiales la curva de esfuerzo versus la deformacin existe una
regin lineal, representada en la siguiente ecuacin:
Donde Fx es la fuerza necesaria para lograr la deformacin; x puede ser la extensin o compresin,
segn el caso del objeto elstico y k es la constante de fuerza del resorte (o constante de resorte),
establecida con signo negativo7.
6
Fsico ingls del siglo XVII. Ver ms en: https://goo.gl/PPjIQM
7
Aunque hasta ahora no se ha establecido explcitamente la direccin de la fuerza, habitualmente se le
coloca un signo negativo, esto con el propsito de indicar que la fuerza de restauracin debida al resorte
est en direccin opuesta a la fuerza que caus el desplazamiento. Por ejemplo, si se tira un resorte hacia
abajo, este se estirar hacia abajo, lo que a su vez resultar en una fuerza hacia arriba, debida a la
resistencia que opone el resorte a su deformacin. La unidad de k es fuerza divida por distancia: N/m.
13
Ejemplos:
1) Una mujer que pesa 600 N se sube a una

bscula que contiene un resorte rgido. En
equilibrio, el resorte se comprime 1,0 cm
bajo su peso. Calcule la constante de
fuerza del resorte.
Fuente: Young y Freedman (2009, p. 194).
Solucin:
En equilibrio, la fuerza ejercida hacia arriba por el resorte equilibra la fuerza hacia abajo del peso
de la mujer. Se utiliza este principio y la frmula de la ley de Hooke para determinar la constante
de fuerza k.
Se tiene, en este caso, que el desplazamiento del resorte (x) al ocurrir compresin es negativo y la
fuerza que ejerce el resorte para contrarrestar el peso de la mujer (Fx) es positivo.
Por tanto, el resorte se desplaza x = 1,0 cm = 0,01 m y la fuerza que la mujer aplica al resorte es
Fx = 600 N. Luego, despejando de la frmula para obtener la constante:
600
= = = = 60.000 = 6 104 /
( 0,01 )
2) A un resorte de 18 cm de longitud en reposo y una constante desconocida, se le realizaron

pruebas con diferentes pesos y se obtuvieron los siguientes valores de longitud final (Lf) para
cada peso:
F (N) 0 75 150 300 450 600

Lf (cm) 18 23,49 28,98 39,96 50,94 61,92
Elaborar la grfica de fuerzas (N) y las distintas variaciones de longitudes (L) en metros y, a
partir de esos valores, determinar la constante del resorte (k).
Solucin:
Se tiene como dato la longitud inicial del resorte L0 = 18 cm y los datos de fuerza contra longitud
final. A partir de ellos se obtendr la variacin de longitud del resorte en cada caso y convertidos
en metros. A partir de esos datos se construye la grfica, que est a continuacin:
14
F (N) Lf (cm) L (Lf - L0)(cm) L (m)
0 18,00 18,00 18,00 = 0,00 0,00
75 23,49 23,49 18,00 = 5,49 0,055
150 28,98 28,98 18,00 = 10,98 0,110
300 39,96 39,96 18,00 = 21,96 0,22
450 50,94 50,94 18,00 = 32,94 0,329
600 61,92 61,92 18,00 = 43,92 0,439
700
0,439; 600
600
500 0,329; 450

Fuerza (N)
400
0,220; 300
300
200 0,110; 150

0,055; 75
100
0
0,000 0,100 0,200 0,300 0,400 0,500
Variacin de longitud del resorte (m)
Como puede observarse en la grfica, se nota la proporcionalidad de la fuerza aplicada con la

deformacin alcanzada; la pendiente de la recta obtenida corresponde a la constante del resorte
k.
Utilizando, entonces, la ecuacin de la ley de Hooke para cualquier punto en donde se haya
aplicado una fuerza, se tiene:
600
= = = = 1363,63 = 1364 /
0,44
A continuacin se sugiere revisar el siguiente video donde se realiza

una demostracin experimental para determinar la constante de
elasticidad de un resorte.
Ley de Hooke
15
2. ESTRUCTURAS CRISTALIZADAS
La necesidad de entender la estructura del cristal (y toda la geometra y nomenclatura que le
acompaa), se basa en el concepto de que la estructura de un material regula sus propiedades.
Los materiales se seleccionan porque tienen propiedades adecuadas para una funcin
determinada y estas propiedades determinan si un material puede ser utilizado o no para esa
funcin.
El siguiente esquema proporciona una representacin grfica de la inquebrantable interrelacin

entre la estructura, las propiedades y el procesamiento (Newell, 2011):
Las propiedades de cualquier material vienen determinadas por la estructura del mismo en cuatro
diferentes niveles (de menor a mayor) (Newell, 2011):
1) Estructura atmica: se refiere a cuntos tomos estn presentes y qu propiedades poseen.8

2) Arreglo atmico: es el posicionamiento de los tomos entre s y el tipo de enlace que poseen.
3) Microestructura: es la secuencia de cristales existente a nivel microscpico.
4) Macroestructura: es el ajuste de las microestructuras para conformar un material en
proporciones macroscpicas.
La siguiente tabla muestra cmo estos niveles de orden, los cuales van desde la estructura atmica
hasta la macroestructura, se aplican, por ejemplo, a los cristales de la sal comn (NaCl). Las
propiedades de un material estn determinadas por los efectos combinados de los cuatro niveles y
estos arreglos estructurales pueden ser alterados empleando una diversidad de tcnicas de
procesamiento (Newell, 2011).
8
Respecto de las propiedades de los tomos, se sugiere revisar en los recursos adicionales de esta semana
el documento que trata sobre la estructura atmica.
16
Niveles de orden aplicados a los cristales de la sal comn (NaCl)
Estructura atmica Arreglo atmico Microestructura Macroestructura
tomos de sodio (Na) Mltiples molculas A la orilla de una red El ojo normal ve los
y cloro (Cl) enlazados de NaCl enlazadas cristalina se le llama cristales de NaCl como
inicamente. para formar una red borde grano. Estos slidos claros, aunque
cristalina cbica bordes son visibles pueden estar
centrada en las caras. bajo un microscopio. coloreados con
impurezas.
Fuente: Newell (2011, p. 34).
Arreglos ordenados de corto alcance
Sin embargo, no todos los materiales muestran estructuras ordenadas en todos los niveles como la
sal comn. Por ejemplo, en el caso de los gases monoatmicos como el argn (Ar) o el plasma
creado en las lmparas fluorescentes, los tomos o iones no exhiben ningn tipo de arreglo
ordenado.
Una categora de ordenamiento la conforman aquellos materiales que muestran un arreglo

ordenado de corto alcance en el cual se extiende solo hasta los tomos vecinos ms cercanos, por
ejemplo: el agua, vidrios inorgnicos o polmeros como el polietileno (Askeland, Fulay y Wright,
2012).
Cada molcula de agua en la fase de vapor, Estructura del agua

presenta un ordenamiento de corto alcance
debido a los enlaces covalentes entre los
tomos de hidrgeno y oxgeno, puesto que
cada tomo de oxgeno se encuentra enlazado
con dos tomos de hidrgeno formando un
ngulo fijo de 104,5 entre los enlaces; en estas
molculas no existe ningn orden de largo
alcance, porque no forman ningn arreglo con
respecto a la posicin de las otras molculas
circundantes.
Fuente: https://goo.gl/z6Y8q5
17
Una situacin similar ocurre en los materiales conocidos como vidrios inorgnicos: la molcula de
slice presenta la forma de un tetraedro y estas unidades tetradricas en el vidrio se unen de
manera desordenada, pudiendo compartir esquinas, bordes o caras con las otras molculas, por lo
que no existe periodicidad en su arreglo. Por el contrario, en el caso del cuarzo o de otras formas
cristalizadas de slice, este tetraedro se encuentra, de hecho, conectado en diferentes arreglos
peridicos.
Muchos polmeros tambin muestran un arreglo atmico de corto alcance que asemeja a la
estructura del vidrio de slice. El polietileno est compuesto por cadenas de tomos de carbono
con dos hidrgenos enlazados a cada carbono; debido a que el carbono tiene valencia 4 y el enlace
con el hidrgeno es de tipo covalente se produce, asimismo, una estructura tetradrica, la cual se
une con el resto de los tomos de carbono para formar una cadena de polmero (Askeland, Fulay y
Wright, 2012).
Comparacin entre la estructura cristalina y la estructura vtrea de la slice
Fuente: https://goo.gl/mjAZqX
Antes de pasar a estudiar en detalle la estructura y conformacin de los materiales cristalinos, se

debe hacer mencin a un grupo importante dentro de los materiales de uso en la industria tanto
en aplicaciones de uso comn como para desarrollo de ingeniera, estos son los materiales
amorfos.
MATERIALES AMORFOS9
Cualquier material que solo exhiba un ordenamiento atmico de corto rango es un material
amorfo, en otras palabras, un material no-cristalino. En general, la mayora de los materiales busca
formar arreglos estructurados, dado que esa configuracin maximiza la estabilidad termodinmica
del material, sin embargo, los materiales amorfos se tienden a formar cuando, por cualquier
razn, la cintica del proceso por el cual el material fue hecho no le permiti la formacin de
arreglos peridicos.
9
Muchos materiales de ingeniera son etiquetados como amorfos aun cuando posean un cierto grado de
cristalizacin.
18
Los vidrios, que tpicamente se forman en sistemas cermicos y polimricos, son buenos ejemplos
de materiales amorfos; los materiales amorfos frecuentemente ofrecen una mezcla nica de
propiedades, ya que los tomos no estn ensamblados en sus arreglos regulares y peridicos.
A continuacin se estudiar la estructura de los materiales cristalinos, la cual se encuentra

caracterizada por el tamao, la forma y el arreglo de los tomos dentro de la red cristalizada
tridimensional.
2.1. CELDA UNITARIA

La principal caracterstica de la estructura cristalina es su conformacin regular y repetitiva. Para
poder cuantificar esta repetitividad, requiere decidir qu unidad estructural es la que se repite.
Una misma estructura cristalina puede describirse utilizando diferentes unidades estructurales
(como se puede apreciar en la siguiente figura), sin embargo en la prctica, se escoge la estructura
ms sencilla como unidad estructural representativa de la simetra cristalina y esta es denominada
celda unitaria (Shackelford, 2005).
Unidades estructurales que describen esquemticamente la estructura cristalina
Fuente: basado en Shackelford (2005).
DEFINICIN
La celda unitaria es la unidad estructural fundamental que define la estructura cristalina mediante
su geometra y la posicin de los tomos dentro de ella. En el espacio tridimensional, la celda
unitaria de la mayora de las estructuras cristalinas son paraleleppedos o prismas con tres
conjuntos de caras paralelas (Callister, 2007).
La caracterstica clave de la celda unidad es que contiene una descripcin completa de la

estructura como un todo, ya que la estructura completa puede ser generada mediante el
agrupamiento repetido de celdas unitarias colocadas cara a cara a lo largo del espacio
tridimensional.
19
Geometra de una celda unitaria genrica La figura representa la geometra de una celda
unitaria genrica con sus constantes o
parmetros de red: longitudes axiales (a, b, c) y
ngulos interaxiales entre los ejes
cristalogrficos (, , ).
Fuente: basado en Shackelford (2005).
CLASIFICACIN
La descripcin de las estructuras cristalinas mediante celdas unidad tiene una ventaja importante:
todas las estructuras posibles se reducen a un pequeo nmero de geometras de la celda unidad
bsica, lo que se demuestra de dos formas que se revisarn a continuacin (Shackelford, 2005).
En primer lugar, solo existen siete celdas unitarias que pueden disponerse de forma que rellenen
por completo el espacio tridimensional, conformando los llamados siete sistemas cristalinos. La
siguiente figura muestra las relaciones entre parmetros de red (las longitudes axiales: a, b, c y los
ngulos interaxiales) y las geometras de las celdas unitarias de los siete sistemas cristalinos. Por
ejemplo, en el primer sistema, el cbico, a = b = c y = = = 90.
Los siete sistemas cristalinos
Fuente: basado en Callister (2007).
20
Asimismo, existe un nmero limitado de posibilidades de maneras en que pueden agruparse los
tomos (vistos como esferas rgidas) dentro de una celda unitaria, las que son conocidas como las
14 redes de Bravais. Por tanto, por ejemplo, dentro del sistema cristalino cbico, las redes
cristalinas segn Bravais son: simple, centrado en las caras o centrado en el cuerpo.
Las catorce redes cristalinas de Bravais
Fuente: Askeland, Fulay y Wright (2012, p. 62).
Cada celda unitaria contiene un nmero especfico de puntos de red o nodos, que son todos
aquellos sitios ocupados por tomos dentro de la celda y que por convencin se sitan en el
centro de cada tomo; al contar el nmero de puntos de red que pertenecen a una celda unitaria,
se debe reconocer que, al igual que los tomos, estos puntos pueden estar compartidos por ms
de una celda unitaria.
21
Esquemas de la cantidad de celdas que comparte un tomo dependiendo de su posicin en la celda
unitaria
Un punto de red en una esquina de una celda unitaria est compartido por ocho celdas unitarias
adyacentes, por lo que solo un octavo (1/8) de cada esquina pertenece a una celda unitaria en
particular; por otra parte, las caras de cada celda contribuyen en 1/2 punto y las posiciones
centradas en el cuerpo, 1 punto (ver figura anterior). Debido a esto, el nmero de puntos de red
de todas las posiciones en las esquinas en una celda unitaria es:
1
8
(8 ) ( )=1

El nmero de tomos por celda unitaria es el producto del nmero de tomos por punto de red
por el nmero de puntos de red por celda unitaria.
A continuacin se muestran los tres modelos o estructuras de las celdas unitarias para el sistema
cristalino cbico:
22
CARACTERSTICAS
Las caractersticas ms importantes de la estructura cristalina son el nmero de coordinacin y el

factor de empaquetamiento.
Nmero de coordinacin: es el nmero de tomos que tocan un tomo en particular o nmero

de tomos vecinos o cercanos para ese tomo en particular. Esto indica qu tan estrecha y
eficientemente se encuentran los tomos empaquetados entre s. En el caso de los slidos
inicos, el nmero de coordinacin de los cationes se define como el nmero de aniones ms
cercanos y para los aniones, es el nmero de cationes ms cercanos.
En las estructuras cbicas que solo contienen

un tomo por punto de red, los tomos
tienen un nmero de coordinacin
relacionado con la celda unitaria. Para la
estructura CS, se tiene un nmero de
coordinacin de seis tomos vecinos.
Para la estructura BCC hay ocho (8) tomos

vecinos por cada tomo.
Para el caso del FCC, el nmero de

coordinacin es de 12: cuatro tomos en la
cara del cubo, cuatro en el plano posterior y
cuatro en el plano anterior.
Fuente: basado en Askeland, Fulay y Wright (2012);

Callister (2007).
Factor de empaquetamiento o fraccin de empaquetamiento atmico (FEA): es la fraccin de

espacio ocupado por los tomos (suponiendo que los tomos son esferas duras). La expresin
general para determinar el factor de empaquetamiento es:
23
(. ) ( )
=

Por ejemplo, para calcular el factor de empaquetamiento de la celda unitaria FCC, primero se
debe recordar que existen cuatro puntos de red por celda, por lo que si hay un tomo por cada
punto de red, entonces la celda contiene 4 tomos. Al considerar los tomos como esferas
slidas, su volumen viene dado por la ecuacin:
4
= 3
3
Y el volumen para la celda unitaria cbica es:
= (0 )3
Donde r es el radio del tomo y a0 el parmetro de red. Por tanto:
4
(4 ) ( 3 )
= 3
(0 )3
Dado que para las celdas unitarias FCC, 0 = 42, entonces:
4
(4) ( 3 ) 2
= 3
3 = 6 = 0,74
(42) 18
Entonces, el factor de empaquetamiento atmico de la celda unitaria FCC, 0,74, significa que
es el empaquetamiento ms eficiente posible.
Por su parte, las celdas BCC tienen un factor de empaquetamiento de 0,68 y para el CS es de
0,52. Como puede observarse, el FEA es independiente del radio atmico.
NMERO DE TOMOS POR CELDA UNITARIA
Para determinar el nmero de puntos de red por celda en los sistemas cristalinos cbicos, se debe
considerar que solo hay un tomo ubicado en cada punto de red.
Para la celda unitaria cbica simple (CS), los puntos de red solo estn localizados en las esquinas
del cubo, por ello:
1
= (8 ) ( /) = 1
8
24
Para la celda BCC (cbica centrada en el cuerpo), los puntos de red estn localizados en las
esquinas y en el centro del cubo:
1
= (8 ) ( ) + (1 ) (1) = 2
8
En el caso de la celda FCC (cbica centrada en las caras), los puntos de red estn en las esquinas y
en las caras del cubo:
1 1
= (8 ) ( ) + (6 ) ( ) = 4
8 2
Dado que se supone que por cada punto de red se localiza un solo tomo, el nmero de tomos
por celda unitaria sera de 1, 2 y 4 tomos para las celdas CS, BCC y FCC, respectivamente.
RELACIN ENTRE EL RADIO ATMICO Y LOS PARMETROS DE RED
Uno de los parmetros relevantes para la caracterizacin de una celda unitaria es la relacin entre
el radio atmico y los parmetros de red. Las direcciones en la celda unitaria, a lo largo de las
cuales los tomos estn en contacto continuo, se denominan direcciones compactas. En las
estructuras sencillas, particularmente en aquellas con un solo tomo por punto de red, se utilizan
estas direcciones para calcular la relacin entre el tamao aparente del tomo y el tamao de la
celda unitaria (Askeland, Fulay y Wright, 2012).
Al determinar de manera geomtrica la longitud de la direccin con relacin a los parmetros de

red y, posteriormente, adicionando el nmero de radios atmicos a lo largo de esa direccin, se
puede determinar la relacin deseada.
Para el caso de una estructura CS, se puede

apreciar que los tomos se tocan a lo largo del
borde del cubo en la estructura, asimismo, los
tomos de la esquina estn centrados en cada
esquina del cubo, en una relacin
0 = 2.
25
Por su parte, en una estructura BCC, los tomos
se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo, es
decir, la lnea que atraviesa el cubo de la
esquina frontal superior izquierda hasta la
inferior trasera derecha, la cual tiene una
longitud de 3 0 . Por tanto, hay dos radios
atmicos que corresponden al tomo centrado
en el cuerpo y un radio atmico de cada uno de
los tomos de las esquinas en la diagonal del
cuerpo. Luego, la relacin entre los radios
atmicos y los parmetros de red es:
4 4
0 = = 3
3 3
Finalmente, en una estructura FCC, los tomos

se tocan a lo largo de la diagonal de la cara del
cubo, la cual es de 20 de longitud. Entonces,
existen cuatro radios atmicos a lo largo de esa
longitud, dos que corresponden al tomo
centrado en la cara y un radio de cada tomo
de las esquinas. Entonces, la relacin entre los
radios atmicos y los parmetros de red es:
4
0 = = 22 Fuente: Askeland, Fulay y Wright (2012, p. 68).
2
2.2. CRISTALES
Conocidas ya las reglas estructurales bsicas, es posible proceder a describir sistemticamente las
principales estructuras cristalinas asociadas a los materiales importantes en ingeniera mediante
su definicin, su clasificacin en sistemas cristalinos, las diferentes estructuras encontradas, las
fallas de la estructura cristalizada y su impacto sobre las propiedades de los materiales.
DEFINICIN
Un cristal puede definirse como la agrupacin de tomos o iones que se encuentran en las
posiciones de equilibrio, es decir, sin que se le est aplicando ninguna fuerza, constituyendo una
estructura ordenada, peridica y repetitiva, que se extiende en las tres direcciones del espacio (x,
y, z), generando un ordenamiento de largo alcance (Gemes y Martn, 2012).
26
Algunos materiales pueden presentarse ya sea en forma de cristales o de vidrios amorfos,
dependiendo, principalmente, de cmo se llega al estado slido desde el fundido, como es el caso,
por ejemplo, del xido de silicio (SiO2), que se presenta como cuarzo (forma cristalina) o como
slice vtrea (amorfa).
CLASIFICACIN
La mayora de los metales y sus aleaciones, los semiconductores, las cermicas y algunos
polmeros tienen una estructura cristalina, a estos materiales se les conoce como materiales
cristalinos o cristalizados.
Fotografa de un monocristal de slice Si un material cristalino consiste nicamente de

un cristal grande, se trata entonces de un
monocristal. Los monocristales son tiles en
muchas aplicaciones electrnicas y pticas, por
ejemplo, los chips de computadora se fabrican
con monocristales de silicio de hasta 30 cm de
dimetro. Asimismo, pueden procesarse para
obtener pelculas delgadas que se utilizan en
ciertas aplicaciones electrnicas.
Micrografa de un acero inoxidable policristalino, Un material policristalino es aquel que se

mostrando los granos y los bordes de grano encuentra constituido por varios cristales ms
pequeos con diversas orientaciones en el
espacio; a estos cristales ms pequeos se les
llaman granos y a los bordes entre los cristales,
donde se encuentran unos con otros, se les
conocen como lmites de grano o bordes de
grano. Muchos de los materiales con los que se
trabaja en aplicaciones de ingeniera son
policristalinos, como los aceros utilizados en
construccin, aleaciones de aluminio para
aeronaves, etc.
Muchas de las propiedades de los materiales policristalinos dependen de las caractersticas fsicas
y qumicas tanto de los granos como de los lmites de grano, mientras que las propiedades de los
monocristales dependen de la composicin qumica y de las direcciones especficas dentro del
cristal o direcciones cristalogrficas. El orden de largo alcance de los materiales cristalizados puede
ser detectado y medido utilizando tcnicas como la difraccin de rayos X o la difraccin de
electrones (Askeland, Fulay y Wright, 2012).
27
Otra clasificacin de los cristales son los cristales lquidos, que son materiales polimricos que
exhiben un tipo especial de ordenamiento, ya que se comportan como materiales amorfos10, es
decir, sin ordenamiento estructural, similar a los lquidos, pero cuando se les aplica un estmulo
externo, como un campo elctrico o un cambio en la temperatura, algunas molculas de polmero
se alinean formando pequeas regiones cristalinas, de all su nombre. Estos materiales tienen
muchas aplicaciones comerciales, especialmente en tecnologas de produccin de pantallas de
televisores (pantallas LCD).
EJEMPLOS DE CRISTALES Y SU ESTRUCTURA
Metales
Entre los materiales de uso en ingeniera, uno de los grupos ms relevantes est conformado por
los metales. El enlace atmico de este grupo de materiales es metlico y de naturaleza no
direccional, por consiguiente, no hay restricciones en cuanto a la cantidad y posicin de los
tomos vecinos ms prximos, esto conduce, para la mayora de los metales, a estructuras
cristalinas densamente empaquetadas.
La mayora de los metales ms corrientes cristaliza en una de las tres estructuras cristalinas
siguientes: cbica centrada en las caras (FCC), cbica centrada en el cuerpo (BCC) y hexagonal
compacta (HC).
En las siguientes tablas se muestran la estructura cristalina y el radio atmico de algunos metales
(Callister, 2007).
Estructura Radio Atmico Estructura Radio Atmico

Metal Metal
Cristalina (nm) Cristalina (nm)
Aluminio FCC 0,1431 Magnesio HC 0,1600
Cadmio HC 0,1490 Molibdeno BCC 0,1363
Cromo BCC 0,1249 Nquel FCC 0,1246
Cobalto HC 0,1253 Platino FCC 0,1387
Cobre FCC 0,1278 Plata FCC 0,1445
Oro FCC 0,1442 Tntalo BCC 0,1430
Hierro () BCC 0,1241 Titanio () HC 0,1445
Hierro () FCC 0,1241 Tungsteno BCC 0,1371
Plomo FCC 0,1750 Zinc HC 0,1332
En prrafos y ejemplos anteriores se ha caracterizado en detalle las estructuras para las celdas FCC
y BCC, las cuales son de las ms recurrentes encontradas en los metales. A continuacin, se
muestra una tabla resumen con las caractersticas cristalogrficas de cada una:
10
Del griego a (sin) y morphos (forma).
28
Parmetro de tomos por N de Factor de
Estructura Representacin Metales
red a0 celda cordinacin empaquetamiento
Cu, Al, Au, Ag,

FCC 2r2 4 12 0,74 etc.
BCC (4/3) r3 2 8 0,68 Cr, Fe, Mo, etc
No todos los metales tienen una celda unitaria con simetra cbica; algunos se presentan
conformados en una estructura cristalina del tipo hexagonal compacto, como es el caso del
cadmio, el cobalto, el magnesio, el titanio y el zinc.
En las siguientes imgenes, en la primera de la izquierda, utilizando el modelo de esferas

reducidas, se muestra la celda unitaria de esta estructura denominada hexagonal compacta (HC),
donde a y c representan las aristas corta y larga, respectivamente y se encuentran relacionados
por el cociente 0 0 = 83 = 1,633; mientras que en la figura de la derecha se aprecia un
conjunto de varias celdas unitarias HC, conformando un cristal.
La mayora de los metales, sin embargo, tienen relaciones 0 0 que difieren ligeramente del
valor ideal debido a enlaces mezclados. Debido a que la estructura HC, como la FCC, presenta el
factor de empaquetamiento ms eficiente (FEA 0,74) y un nmero de coordinacin de 12,
muchos metales presentan tambin este arreglo cristalino, entre ellos se encuentran el cadmio, el
magnesio, el titanio y el zinc, entre otros.
Estructura cristalina hexagonal compacta
Representacin de la celda unitaria mediante Agregado de muchos tomos

esferas reducidas
Fuente: Callister (2007, p. 36).
Las bases superior e inferior consisten en hexgonos regulares con sus tomos en los vrtices y
uno en el centro (G y C). Existe otro plano que provee de tres tomos adicionales a la celda
unitaria y que est situado entre ambos planos; los tomos en este plano central son adyacentes.
29
Cada celda unitaria del sistema hexagonal compacto equivale a seis tomos: cada tomo situado
en los 12 vrtices superiores e inferiores contribuye con la sexta parte, los 2 tomos del centro de
las caras de los hexgonos contribuyen con la mitad y los 3 tomos del plano central contribuyen
por entero.
Algunos metales y no metales pueden tener ms de una estructura cristalina, lo cual es un

fenmeno conocido como polimorfismo; si este fenmeno ocurre en un slido elemental se
denomina alotropa (Callister, 2007).
La existencia de una estructura cristalina Polimorfismo del carbono

depende de la presin y de la temperatura Grafito Diamante
exterior, un ejemplo es el carbono: el grafito
es la condicin polimrfica estable en
condiciones ambientales, mientras que el
diamante se forma a presiones
extremadamente elevadas.
Fuente: https://goo.gl/5PQ29c y https://goo.gl/uXBAPF
30
Por su parte, el hierro puro tiene estructura Polimorfismo del hierro
cristalina BCC a temperatura ambiente y
cambia a FCC a 912 C. La transformacin
polimrfica a menudo va acompaada de
modificaciones de la densidad y de otras
propiedades fsicas.
Fuente: Smith y Hashemi (2006, p. 123).
Las propiedades fsicas de algunos cristales dependen de la direccin tomada para su medida; por
ejemplo, el mdulo elstico, la conductividad elctrica y el ndice de refraccin pueden tener
diferentes valores si se mide a lo largo del cristal o a travs de este.
DIRECCIONALIDAD DE LAS PROPIEDADES
Anisotropa
Se denomina anisotropa cuando hay una relacin entre la variacin de la distancia atmica y la
direccin cristalogrfica; mientras que las substancias cuyas propiedades son independientes de la
direccin de la medida se denominan isotrpicas.11
La extensin y la magnitud de los efectos anisotrpicos en materiales cristalinos estn en funcin

de la simetra de la estructura cristalina. El grado de anisotropa se incrementa al disminuir la
simetra estructural; normalmente son las estructuras triclnicas las que tienen la mayor
anisotropa. En la siguiente tabla se muestran los valores del mdulo elstico en las orientaciones
[100], [110] y [111] de varios materiales.
11
Ver ms en: https://goo.gl/CUs6J8
31
En la mayora de los materiales policristalinos, las orientaciones cristalogrficas de los granos

individuales son completamente al azar; bajo estas circunstancias, aunque cada grano sea
anisotrpico, la probeta compuesta de un conjunto de granos se comporta isotrpicamente.
Asimismo, la magnitud de la propiedad medida representa el promedio de los diferentes valores
direccionales (Callister, 2007).
En algunas ocasiones, los granos de materiales policristalinos presentan una orientacin

cristalogrfica preferencial, en cuyo caso se dice que tienen textura. Las propiedades magnticas
de algunas aleaciones de hierro utilizadas en los ncleos de transformadores elctricos son
anisotrpicas, es decir, que los granos o los monocristales se magnetizan ms fcilmente en la
direccin [100] que en cualquier otra direccin; se logra, entonces, minimizar las prdidas de
energa en los ncleos de los transformadores al utilizar lminas policristalinas de estas aleaciones,
en las cuales se ha introducido una textura magntica en donde la mayora de los granos de cada
lmina se encuentran alineados o casi alineados en esa direccin que es, adems, la direccin del
campo magntico aplicado.
El conocimiento de la estructura cristalina de un slido metlico permite el clculo de su densidad

() mediante la siguiente relacin:
32
12

=

Donde:
n = nmero de tomos asociados a cada celda unitaria.

A = peso atmico.
Vc = volumen de la celda unitaria.
NA = nmero de Avogadro (6,023 x 1023 tomos/mol).12
Por ejemplo, si se deseara calcular la densidad terica del cobre (Cu) y conociendo que este
presenta una estructura cristalina FCC, un radio atmico de 0,1278 nm (1,278 ) y un peso
atmico de 63,5 g/mol, entonces, ordenando los datos se tiene lo siguiente:
Estructura cristalina para el cobre (Cu) = FCC

Parmetro de red FCC, 0 = 4 = 22
2
n = nmero de tomos asociados a la celda unitaria FCC = 4
ACu = peso atmico del cobre = 63,5 g/mol
rCu = radio atmico del cobre = 0,1278 nm = 1,278 x 10-8 cm
NA = nmero de Avogadro = 6,023 x 1023 tomos/mol
Calculando el volumen de la celda unitaria FCC se tiene:

3
= (0 )3 = (22) = 16 3 2 = 16 (1,278 108 )3 2 = 4,7231 1023 3
Por lo tanto, la densidad terica del cobre sera:

(4 ) (63,5 )
= = = 8,93 3
. 3
(4,7231 1023 ) (6,023 1023 )
12
Nmero de Avogadro es el nmero de entidades elementales (es decir, de tomos, electrones, iones,
molculas) que existen en un mol de cualquier sustancia. Ver ms en: https://goo.gl/SWLRsl
33
2.3. FALLAS DE LA ESTRUCTURA CRISTALIZADA
Comnmente se ha supuesto, de forma tcita, que existe un orden perfecto de los tomos en
todos los materiales cristalinos; sin embargo, ese slido idealizado no existe, todos tienen un gran
nmero de defectos e imperfecciones de variada ndole y muchas de las propiedades de los
materiales son profundamente sensibles a las desviaciones de dicha perfeccin cristalina.
Estas imperfecciones solo representan defectos o desviaciones en la perfeccin de los arreglos

estructurales ideales de los tomos o iones, pero el material no es considerado defectuoso desde
el punto de vista tecnolgico; de hecho, en muchas aplicaciones, la presencia de tales defectos es
til. Debido a esos efectos positivos sobre las propiedades, es importante tener conocimiento
acerca de los tipos de imperfecciones que existen y el papel que juegan en el comportamiento de
los materiales.
Frecuentemente, los defectos pueden ser creados intencionalmente para obtener propiedades
electrnicas, magnticas, pticas o mecnicas de acuerdo con las necesidades y requerimientos de
una determinada aplicacin. Entre los ejemplos de estos efectos sobre las propiedades, se tiene el
caso del bronce, que es una aleacin de cobre y zinc con la cual se logra una mayor dureza y
resistencia mecnica que la del cobre puro. Sin embargo, cuando se necesita utilizar el cobre como
conductor para elementos de microelectrnica, se debe utilizar el cobre lo ms puro posible,
puesto que cualquier impureza causa incrementos sustanciales en la resistividad13 del cobre
afectando su desempeo.
Un defecto cristalino es una irregularidad de red en la cual una o ms de sus dimensiones son
afectadas al menos por el orden de magnitud de un dimetro atmico. La clasificacin de las
imperfecciones cristalinas se realiza frecuentemente segn la geometra o las dimensiones del
defecto.
A continuacin, se tratar sobre los diferentes tipos de defectos e imperfecciones que pueden
encontrarse en la estructura cristalina de los materiales y sus efectos sobre las propiedades
finales. Entre los defectos a estudiar se tienen las dislocaciones, los defectos puntuales y la
estructura de grano, la cual es un defecto de superficie.
2.3.1. DISLOCACIONES
Las dislocaciones son imperfecciones lineales en un cristal que, de otra manera, sera perfecto; por
lo regular se introducen al cristal durante la solidificacin del material o cuando se deforma el
material de manera permanente (deformacin plstica) (Askeland, Fulay y Wright, 2012).
13
Resistividad (tambin conocida como resistividad elctrica, resistencia elctrica especfica o resistividad de
volumen): cuantifica la fuerza con la que se opone un material dado al flujo de corriente elctrica. Ver ms
en: https://goo.gl/tTJhv7
34
Las dislocaciones se forman a partir de tres fuentes principales (Newell, 2011):
Nucleacin homognea: ocurre una ruptura en los enlaces en la estructura de la red cristalina
y esta sufre un esfuerzo de corte, creando dos planos de dislocacin enfrentados en
direcciones opuestas.
Fronteras de grano: los escalones y las salientes presentes en las separaciones entre los
granos adyacentes se propagan durante las primeras etapas de la deformacin.
Interacciones de red cristalina/superficie: los escalones localizados en la superficie del cristal

concentran la tensin en pequeas regiones haciendo ms propensa la propagacin de la
dislocacin.
La nucleacin homognea requiere de una tensin concentrada para fracturar los enlaces de la red
cristalina y rara vez ocurre espontneamente; la iniciacin de las fronteras de grano y la iniciacin
de superficie requieren de menos energa y por ello son ms comunes.
Aunque las dislocaciones se encuentran presentes en todos los materiales, incluyendo las
cermicas y los polmeros, son particularmente tiles para explicar la deformacin y el
endurecimiento en los materiales metlicos (Askeland, Fulay y Wright, 2012).
TIPOS Y EFECTOS EN LA MATERIA
Se pueden identificar tres tipos de dislocaciones: la dislocacin de tornillo o helicoidal, la

dislocacin de borde y las dislocaciones mixtas.
Dislocacin de tornillo: resulta del corte y desplazamiento de la red cristalina por un espacio
atmico (Newell, 2011). Puede ilustrarse cortando de manera parcial a travs de un cristal
perfecto (ver siguiente figura a), el cual es cortado y desplazado por el espacio de un tomo
(figura b) y posteriormente torciendo el cristal por el espacio de un tomo. Si se sigue un plano
cristalogrfico, una revolucin alrededor del eje sobre el cual se torci el cristal (figura c),
comenzando desde el punto x y recorriendo espaciados atmicos iguales en cada direccin, se
termina en el punto y el cual se encuentra un espaciado atmico debajo del punto inicial; de no
estar presente la dislocacin de tornillo la vuelta se cerrara, si se contina la rotacin se
trazara una trayectoria en espiral (Askeland, Fulay y Wright, 2012).
35
Dislocaciones de borde: estas resultan de la adicin de una placa de red cristalina parcial extra,
como se muestra en la siguiente figura. Los tomos que contactan directamente la dislocacin
de borde se aprietan muy cerca, mientras que aquellos que estn inmediatamente ms all son
empujados muy lejos entre s. La lnea que se extiende a travs del plano parcial extra de
tomos se conoce como lnea de dislocacin (Newell, 2011).
La dislocacin de borde se puede ilustrar cortando de manera parcial a travs de un cristal

perfecto (ver figura a), separando el cristal y llenando de manera parcial el corte con un medio
plano adicional o extra de tomos (figura b); la arista inferior de este plano insertado
representa la dislocacin de borde (Askeland, Fulay y Wright, 2012).
Si se describe una vuelta en sentido horario alrededor de la dislocacin de borde, comenzando

por el punto x (figura c) y recorriendo un nmero igual de espaciados atmicos en cada
direccin, se termina en el punto y, a un espaciado atmico del punto inicial; de no estar
presente la dislocacin de borde, la vuelta se cerrara.
Dislocaciones mixtas: es aquel tipo de defecto de materiales cristalinos que presenta

componentes de dislocaciones que no son propiamente ni de cua ni de hlice, sino que
presentan componentes de ambos, con una regin de transicin discernible entre ambas como
puede verse en la siguiente figura (Callister, 2007).
36
Fuente: Askeland, Fulay y Wright (2012, p. 123). Fuente: Newell (2012, p. 56 ).
Cuando se encuentran bajo esfuerzo de corte, las dislocaciones pueden moverse a travs de un
material; las fuerzas de corte causan la ruptura de los enlaces entre los tomos en un plano (ver
figura a). El plano de corte se desplaza ligeramente y se enlaza a los tomos colindantes,
provocando que la dislocacin se deslice por un espaciamiento atmico (imgenes b y c). El
proceso se repite en el tiempo y trae como resultado un escaln y, por tanto, un cristal deformado
(d). Este movimiento de dislocaciones a travs de un cristal es anlogo al desplazamiento de una
oruga (e) y se le denomina deslizamiento (Newell, 2011).
Deslizamiento de las dislocaciones
37
Existen diversos factores que promueven la ocurrencia de deslizamientos (Newell, 2011):
El deslizamiento ocurre mayormente cuando los tomos estn muy juntos. La tensin
requerida para inducir el deslizamiento se incrementa exponencialmente en la medida que
aumenta el espacio interplanar14.
El deslizamiento se produce por la ruptura de los enlaces, por tanto, los materiales con enlaces
covalentes fuertes (como los polmeros) son ms resistentes.
Los materiales con enlaces inicos (como los xidos de metal) son resistentes a los
desplazamientos debido a sus mayores distancias interplanares y a las repulsiones provocadas
cuando las partculas con cargas similares son forzadas a pasar cerca la una de la otra.
La direccin en la que la dislocacin se mueve se llama direccin de deslizamiento y los planos

impactados por el deslizamiento se llaman planos de deslizamiento; los planos de deslizamiento y
la direccin de deslizamiento forman el sistema de deslizamiento. Se requiere de una energa
suficiente como para romper los enlaces y mover los tomos para que suceda el deslizamiento y la
dislocacin se mover en la direccin que requiera la menor energa.
Las dislocaciones tienen una importancia significativa en el caso de los metales y aleaciones, ya
que ellas proporcionan un mecanismo para explicar la deformacin plstica, la cual es el efecto
acumulativo del deslizamiento de numerosas dislocaciones. La deformacin plstica, como se
explic, se refiere a la deformacin irreversible o cambio en la forma que permanece luego de que
la fuerza o esfuerzo que caus la deformacin es removido.
Para el caso de los metales (Askeland, Fulay y Wright, 2012):
El deslizamiento explica por qu la resistencia de los metales es mucho menor que el valor
pronosticado a partir del enlace metlico. Si ocurre deslizamiento, solo se necesita romper
una pequea fraccin de todos los enlaces metlicos que atraviesan la interfaz en cualquier
momento y la fuerza requerida para deformar el metal es pequea; de hecho, la resistencia
real de los metales es de mil a 10 mil veces menor que la predicha a partir de la fuerza de los
enlaces.
El deslizamiento provee ductilidad en los metales. De no presentarse dislocaciones, una barra

de hierro sera quebradiza y el metal no podra moldearse por medio de procesos de
metalmecnica, tales como el forjado.
14
Distancia interplanar es la distancia entre dos planos de tomos paralelos adyacentes. Ver ms en:
https://goo.gl/2wsYeV
38
Las propiedades mecnicas de un metal o una aleacin se controlan interfiriendo con las
dislocaciones. La introduccin de un obstculo en el cristal previene que una dislocacin se
deslice a menos que se apliquen fuerzas mayores; por ello, la presencia de dislocaciones ayuda
a incrementar la resistencia de los materiales metlicos.
Las dislocaciones tambin afectan las propiedades electrnicas y pticas de los materiales; por
ejemplo, la resistividad del cobre puro aumenta con el incremento de la densidad de
dislocaciones. De manera similar se prefiere el uso de cristales de silicio que en esencia sean libres
de dislocaciones, puesto que esto permite que los portadores de carga, como los electrones, se
muevan de manera ms libre a lo largo del slido.
Por lo general, la existencia de dislocaciones es tambin perjudicial sobre el desempeo de

fotodetectores, diodos emisores de luz (LED), lseres y celdas solares15 (Askeland, Fulay y Wright,
2012).
2.3.2. DEFECTOS PUNTUALES
Los defectos puntuales son perturbaciones en los arreglos inicos o atmicos en una estructura
cristalina que, de otra manera, sera perfecta; aun cuando se les denomina defectos puntuales, la
perturbacin afecta una regin que involucra varios tomos o iones. Estas imperfecciones pueden
ser introducidas por el movimiento de los tomos o iones cuando ganan energa al calentarse,
durante el procesamiento del material o por la introduccin, intencional o no, de impurezas
(Askeland, Fulay y Wright, 2012).
Por lo general, las impurezas son elementos o compuestos que no forman parte originalmente del
material y que se presentan a partir de las materias primas utilizadas o del procesamiento del
material; por ejemplo, los cristales de silicio crecen en crisoles de cuarzo que tienen oxgeno como
impureza. Los dopantes, por otro lado, son elementos o compuestos que han sido
deliberadamente aadidos, en concentraciones conocidas y en ubicaciones especficas, dentro de
la microestructura, con el propsito de modificar las propiedades o las condiciones de
procesamiento del material (Askeland, Fulay y Wright, 2012).
Un defecto puntual involucra un tomo o un par de tomos y, por lo tanto, es diferente de los que
se conocen como defectos extendidos, tales como las dislocaciones y los bordes de grano. Otro
15
Estos dispositivos se fabrican con frecuencia a partir de semiconductores compuestos con arseniuro de
galio y arseniuro de aluminio (GaAs y AlAs) y las dislocaciones en estos materiales pueden originarse de las
desigualdades en las concentraciones de ambos arseniuros en el fundido a partir del cual crecen los cristales
o a que se inducen esfuerzos debido a los gradientes trmicos a los que se exponen los cristales durante el
enfriamiento desde la temperatura de crecimiento.
39
aspecto importante acerca de los defectos puntuales es que, aunque el defecto ocurre en uno o
dos sitios, su efecto es percibido sobre distancias mucho ms largas en el material cristalino.
Impurezas y dopantes
En general, el impacto de las impurezas sobre las propiedades del material es perjudicial, mientras
que el del dopante es beneficioso; por ejemplo, el fsforo y el boro son dopantes que se
incorporan a los cristales de silicio para mejorar las propiedades elctricas con respecto al silicio
puro.
VACANCIAS
Las vacancias o vacantes resultan de la

ausencia de un tomo en un sitio de la red
cristalina; los sitios de redes cristalinas
vacantes reducen la fuerza y estabilidad de la
red en su totalidad (Newell, 2011).
Todos los materiales cristalinos tienen defectos de vacancias, las cuales son introducidas en los
metales y aleaciones durante la solidificacin, al someterse a elevadas temperaturas o como
consecuencia del dao por radiaciones; las vacancias desempean una funcin importante en la
determinacin de la velocidad a la cual los tomos o iones se mueven o difunden16 en un material
slido, en especial en los metales puros (Askeland, Fulay y Wright, 2012).
Afortunadamente, existen pocas vacancias a temperatura ambiente, pero su nmero se

incrementa en forma exponencial a medida que aumenta la temperatura, puesto que se
proporciona a los tomos la energa suficiente para romper sus enlaces en la red cristalina y
difundir. La dependencia de las vacancias con la temperatura sigue un comportamiento de tipo
Arrhenius expresado en la siguiente ecuacin (Newell, 2011):
16
La difusin en slidos puede ser definida como el mecanismo por el cual la materia es transportada por la
materia. Los tomos de gases, lquidos y slidos estn en constante movimiento y se desplazan en el espacio
tras un perodo de tiempo. Ver ms en: https://goo.gl/u38ibq
40

= exp ( )

Donde:
nv = es el nmero de vacancias por cm3.

n = es el nmero de tomos por cm3.
Qv = es la energa requerida para producir un mol de vacancias.

R = es la constante de los gases, 1,987 u 8,314

T = es la temperatura en grados Kelvin.
Debido a la gran energa trmica que disponen los tomos cuando estn cerca de la temperatura
de fusin, en un momento dado, se puede tener hasta una vacancia por cada 10.000 tomos de
carbono. Es de observarse que la ecuacin proporciona la concentracin de equilibrio de las
vacancias a una temperatura dada.
Asimismo, es posible mantener una concentracin de las vacancias producidas a una alta
temperatura al enfriar rpidamente el material; es por ello que, en muchas situaciones, la
concentracin de vacancias observada a temperatura ambiente no es la concentracin de
equilibrio pronosticada mediante clculos tericos (Askeland, Fulay y Wright, 2012).
INTERSTICIALES
Los defectos intersticiales resultan cuando un

tomo ocupa un espacio en una red cristalina
que normalmente est vacante. En general, el
tomo que invade debe ser lo suficientemente
pequeo como para caber en un hueco en la
red cristalina (Newell, 2011).
41
En los metales, los defectos intersticiales introducen distensiones relativamente grandes en los
alrededores de la red, porque los tomos suelen ser mucho mayores que las posiciones
intersticiales donde se sitan; por consiguiente, la formacin de este defecto no es muy probable y
existen en pequeas concentraciones, significativamente menores que para las vacantes (Callister,
2007). A diferencia de las vacantes, una vez introducidos, el nmero de tomos o iones
intersticiales permanece casi constante, aun cuando se modifique la temperatura.
SUSTITUCIONALES
Los defectos sustitucionales resultan cuando un tomo sustitucional pequeo

tomo en el sitio de la red cristalina es
reemplazado con un tomo de un elemento
diferente, el cual pasa a ocupar una posicin
normal dentro de la red (Newell, 2011). El
tomo sustituto puede ser ms pequeo,
causando entonces que los tomos que le
rodean tengan un mayor espacio interatmico
o ms grande que el tomo o ion normal, en tomo sustitucional grande
cuyo caso el espacio interatmico se ve
reducido; en cualquier caso, lo defectos por
sustitucin afectan la estructura del cristal a su
alrededor (Askeland, Fulay y Wright, 2012).
Las sustituciones pueden ser beneficiosas o dainas, dependiendo de la clase de sustitucin y las
propiedades deseadas; algunas veces las sustituciones son deliberadamente inducidas a un
material a travs de un proceso llamado adulteracin (dopaje) y una vez introducidas en la
estructura del material su nmero es relativamente independiente de la temperatura (Askeland,
Fulay y Wright, 2012). Ejemplos de defectos sustitucionales incluyen la incorporacin de dopantes
como el fsforo y el boro en el silicio, as como la incorporacin de cobre al nquel, en donde el
cobre pasa a ocupar sitios cristalogrficos en donde debera estar presente el nquel; los tomos
sustitucionales frecuentemente incrementan la resistencia de los materiales metlicos.
OTROS
Los materiales inicos y cermicos estn sujetos a una forma especial de defectos intersticiales
relacionados con las partculas cargadas.
42
Por ejemplo, el defecto Frenkel resulta del Defecto de Frenkel
movimiento de un ion hacia un sitio intersticial
en la red cristalina; el resultado de este
movimiento es un defecto intersticial y una
vacante, aunque, por lo general, se asocia con
los materiales inicos. Un defecto de Frenkel
puede ocurrir en metales y en materiales con
enlaces covalentes (Askeland, Fulay y Wright,
2012).
Y el defecto Schottky es nico para materiales Defecto de Schottky

inicos y sucede cuando hay una vacante de
catin y de anin en la red cristalina, debido a
que como el material debe permanecer
elctricamente neutro, una vacante no puede
formarse sin la otra (Newell, 2011).
Los defectos puntuales y los defectos lineales son una muestra de que los materiales cristalinos no
pueden estar libres de imperfecciones. Estas imperfecciones existen en el interior de cada
material, pero tambin debe considerarse que la cantidad de cualquier material es finita y que
est contenida dentro de alguna superficie frontera. Esta superficie es, en s misma, una
discontinuidad en el apilamiento de los tomos del cristal (Shackelford, 2005).
2.3.3. ESTRUCTURA DE GRANO
La microestructura de muchas cermicas y materiales metlicos se encuentra conformada por

muchos granos. Un grano es una porcin de material dentro de la cual el arreglo de los tomos es
casi idntico; sin embargo, la orientacin del arreglo de tomos o de la estructura cristalina es
diferente para cada grano adyacente (Askeland, Fulay y Wright, 2012).
43
En la figura de la izquierda, arriba, se muestran
de forma esquematizada tres granos diferentes
donde puede observarse que el arreglo es
idntico, pero los granos se orientan de manera
diferente en cada caso; la superficie divisoria
entre los granos individuales se conoce como
lmite de grano.
En la figura de abajo puede observarse una
micrografa de los granos y lmites en el acero
inoxidable.
Fuente: Askeland, Fulay y Wright (2012).
TAMAO
Un mtodo para controlar las propiedades de un material es mediante el manejo del tamao de
los granos en la estructura del mismo. Al reducir el tamao se incrementa el nmero de granos por
volumen y, de la misma forma, aumenta el rea de la superficie de los lmites de grano. Esto es
importante, puesto que cualquier dislocacin solo podr moverse una corta distancia antes de
encontrar un lmite de grano que acta como obstculo a este movimiento y con ello se
incrementa la resistencia del material metlico (Askeland, Fulay y Wright, 2012).
SUPERFICIES
Un defecto superficial que ocurre en ciertos materiales es la macla.
44
Una macla separa dos regiones cristalinas que Macla de pirita
son, estructuralmente, imagen especular una
de otra. Esta discontinuidad en la estructura,
altamente simtrica, puede producirse por
deformacin (por ejemplo, en metales BCC y
HCP) y por recocido (por ejemplo, en metales
FCC) (Shackelford, 2005).
Fuente: https://goo.gl/jEKavp
Representacin del lmite de macla
Fuente: Shackelford (2005).
Esquema sencillo de la superficie de un material No todos los materiales cristalinos presentan

cristalino maclas, pero todos deben tener una superficie.
En la figura se muestra una vista sencilla de la
superficie cristalina, que no es ms que el final
abrupto de la disposicin ordenada de los
tomos. Es importante notar que en esta
ilustracin esquemtica se revela que los
Fuente: Shackelford (2005, p. 125).
tomos de la superficie son ligeramente
diferentes a los tomos del interior o del
volumen. Esto es debido a los diferentes
nmeros de coordinacin de los tomos de la
superficie, lo que implica distintas fuerzas de
enlace y alguna asimetra (Shackelford, 2005).
La superficie exterior puede ser tambin muy spera, contener muescas y entalladuras muy
pequeas y ser mucho ms reactiva que el resto del material. Esta reactividad superficial es
utilizada en la industria petrolera y petroqumica a travs de los catalizadores con una alta rea
superficial para mejorar la eficiencia y la cintica de las reacciones qumicas.
45
EJEMPLOS
A continuacin, se muestran algunos ejemplos de estructuras de granos en diferentes materiales

tales como aleaciones de hierro, aleaciones de cobre, aleaciones de aluminio, polmeros y
cermicas.
En la imagen de la derecha se muestra una Acero inoxidable (austentico) tipo 304

micrografa de un acero tipo 304, el cual tiene
una composicin aproximada de: Fe 71,45%, Cr
19%, Ni 9,5% y C 0,05%.
Fuente: https://goo.gl/Rg0fbK
La siguiente imagen muestra la estructura de Micrografa de una muestra de latn al plomo, la

granos de una aleacin de cobre (latn al lnea de escala es de 25m
plomo con una composicin aproximada de: Cu
62%, Zn 37%, Pb 0,9%, Fe 0,1%), la muestra fue
obtenida por el proceso de vaciado (cast) y la
lnea de escala representa 25 micras.
Fuente: https://goo.gl/uALTeB
A continuacin se muestra una serie de micrografas de dos aleaciones de aluminio (AA 7004, AA
7075). En la parte superior se muestran las micrografas tomadas con un microscopio ptico y luz
blanca; mientras que en la parte inferior se presentan las mismas muestras, pero utilizando luz
polarizada, la cual es una manera ms eficiente para determinar el tamao del grano17.
17
De acuerdo con el concepto de grano, cada uno muestra una orientacin cristalogrfica diferente y por
ello aparece de un color diferente al utilizar luz polarizada; este fenmeno facilita la identificacin de los
lmites de grano entre granos vecinos en comparacin con la micrografa de luz blanca.
46
Micrografas tomadas con luz blanca de AA 7004 Micrografas tomadas con luz blanca de AA 7075
Micrografas con luz polarizada de AA 7004 Micrografas con luz polarizada de AA 7075
Fuente: https://goo.gl/TnfQOS
47
Cristales de polipropileno (PP) con sus
patrones de interferencia creados por el uso
de luz polarizada. Estos cristales se denominan
esferulitas, ya que en tres dimensiones su
forma tiende a ser esfrica. Donde se une una
esferulita con sus vecinas se forma un borde o
lmite de grano. El tamao de las esferulitas de
PP depende, adems, de su estructura
molecular, de la velocidad de enfriamiento y
de la presencia o no de agentes nucleantes.
Fuente: https://goo.gl/M3KnvH
En la micrografa se muestra la estructura de

granos tpica de una cermica basada en dixido
de estao y xido de cobalto (SnO2, CoO),
utilizada para la fabricacin de elementos
electrnicos (varistores)18.
Fuente: https://goo.gl/AGdB7f
18
Un varistor es una resistencia variable, que se utiliza comnmente en los circuitos de proteccin. Ver ms
en: https://goo.gl/FqYvZs
48
COMENTARIO FINAL
Desde la Antigedad, el ser humano ha trabajado los materiales para satisfacer sus diferentes
necesidades, desde vasijas para recoger agua hasta herramientas para sus distintos oficios o armas
para cazar y defenderse; sin embargo, el conocimiento acerca del manejo y procesamiento de
estos materiales, solo se lograba mediante ensayo y error y se transfera de generacin en
generacin a travs de la experiencia. Actualmente, el entendimiento acerca de la estructura
atmica de la materia y la relacin entre esta y las caractersticas de los materiales utilizados en la
industria, permite un conocimiento ms profundo de los mecanismos que regulan el
comportamiento de los materiales y su resistencia frente a las condiciones de uso para garantizar
un correcto desempeo.
Esta semana se inici el estudio de la asignatura Resistencia de los Materiales partiendo de un

modelo idealizado de la estructura de un material slido (esferas y resortes) y desde ah se
comenz a descifrar la estructura de los materiales de ingeniera de acuerdo con su nivel de
ordenamiento. Para los materiales con ordenamiento de largo alcance, como los cristales, se
revisaron los conceptos de la estructura cristalina y sus arreglos atmicos, inicialmente desde un
punto de vista ideal y, posteriormente, al ser llevados a la realidad, se observ cmo se presentan
las diferentes imperfecciones cristalinas y su impacto sobre algunas de las propiedades de los
materiales, todo esto para construir un marco de referencia a partir del cual entender las
relaciones entre la estructura y la resistencia de los materiales bajo las diferentes condiciones de
trabajo a las cuales puedan ser sometidos.
En la medida que los cientficos, ingenieros, tcnicos o cualquier profesional que tenga que
trabajar con cualquier tipo de material pueda estar ms familiarizado con este y sus relaciones con
las diferentes propiedades y caractersticas, mayor ser su habilidad para poder tomar las
decisiones de seleccin y uso ms idneo basadas en esos criterios.
En las prximas semanas, a medida que se profundice en esta materia, estas relaciones se harn
ms evidentes y se consolidarn como herramientas fundamentales de apoyo para su vida laboral.
49
REFERENCIAS
Asbhy, M. (2005). Materials Selection in Mechanical Design. 3.a edicin. Oxford: Elsevier.
Askeland, D.; Fulay, P. y Wright, W. (2012). Ciencia e ingeniera de materiales. 6.a edicin. Mxico:
Cengage Learning Editores, S. A.
Callister, W. (2007). Introduccin a la ciencia e ingeniera de los materiales. 6.a edicin. Barcelona:
Editorial Revert, S. A.
Chabay, R. y Sherwood, B. (2001). Matter and Interactions. 3.a edicin, vol. 1. Nueva York: John
Wiley and Sons.
Feynman, R.; Leighton, R. y Sands, M. (1965). The Feynman Lectures On Physics. Reading: Addison-
Wesley.
Gemes, A. y Martn, N. (2012). Ciencia de materiales para ingenieros. Madrid: Pearson Educacin
S. A.
Hugh, Y. y Freedman, R. (2009). Fsica universitaria. 12.a edicin, vol. 1. Mxico: Pearson
Educacin.
Unin Internacional de Qumica Pura y Aplicada (International Union of Pure and Applied
Chemistry), IUPAC. (1997). Compendium of Chemical Terminology - Gold Book 2.a edicin.
International Union of Pure and Applied Chemistry.
Newell, J. (2011). Ciencia de materiales. Aplicaciones en ingeniera. Mxico: Alfaomega Grupo
Editor S. A. de C. V.
Petrucci, R.; Herring, F. G.; Madura, J. y Bissonnette, C. (2011). Qumica general. 10.a edicin.
Madrid: Pearson Education.
Salazar, J. (2007). Resistencia de materiales bsica para estudiantes de ingeniera. Manizales:
Universidad Nacional de Colombia.
50
Serway, R. y Faughn, J. (2001). Fsica. 5.a edicin. Mxico: Pearson Educacin.
Shackelford, J. (2005). Introduccin a la ciencia de materiales para ingenieros. 6.a edicin. Madrid:
Pearson Educacin S. A.
Smith, W. y Hashemi, J. (2006). Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales. 4.a edicin.
Mxico: McGraw-Hill
Young, H. y Freedman, R. (2009). Fsica universitaria. 12. edicin, vol. I. Mxico: Pearson
Educacin.
PARA REFERENCIAR ESTE DOCUMENTO, CONSIDERE:
IACC (2017). Estructura de la materia. Resistencia de los Materiales. Semana 1.
51
52

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RESISTENCIA DE LOS MATERIALES

1. MODELO DE ESFERAS Y RESORTES

cantidad de informacin acerca del mundo, si solo se aplica un poco de imaginacin y

Toda la materia est constituida por tomos.

Pero, cules de las propiedades de una barra de aluminio, observables

1.1. MODELO DEL ESTADO SLIDO VISTO COMO ESFERAS REGULARES

Fuente: Chabay y Sherwood (2001, p. 139).

En la figura de la derecha se presenta un Modelo de esferas y resortes para dos tomos

Fuente: Chabay y Sherwood (2001, p. 139).

Fuente: Chabay y Sherwood (2001, p. 139).

La red representada en la figura de la derecha Modelo simple de un slido (esferas en movimiento

Fuente: Chabay y Sherwood (2001, p. 140).

Existen diferentes arreglos de redes cristalinas que conforman estructuras ms complejas y,

Los tomos de un slido (y de cualquier estructura molecular) se encuentran en movimiento,

1.2. RESORTES, DEFORMACIONES PLSTICAS Y ELSTICAS

Esquema de la recuperacin elstica en el modelo de esferas y resortes

Fuente: basado en https://goo.gl/xfHNiY

Se conoce como deformacin (, psilon) al grado de estiramiento o encogimiento que se produce

Deformacin elstica: es aquella en la que, al momento de quitar el esfuerzo que ha causado la

Fuente: basado en https://goo.gl/acnfCW

Deformacin irreversible con ruptura

Fuente: basado en https://goo.gl/Iulc1f

1) Una mujer que pesa 600 N se sube a una

Fuente: Young y Freedman (2009, p. 194).

2) A un resorte de 18 cm de longitud en reposo y una constante desconocida, se le realizaron

F (N) 0 75 150 300 450 600

500 0,329; 450

200 0,110; 150

Como puede observarse en la grfica, se nota la proporcionalidad de la fuerza aplicada con la

A continuacin se sugiere revisar el siguiente video donde se realiza

El siguiente esquema proporciona una representacin grfica de la inquebrantable interrelacin

1) Estructura atmica: se refiere a cuntos tomos estn presentes y qu propiedades poseen.8

Estructura atmica Arreglo atmico Microestructura Macroestructura

Fuente: Newell (2011, p. 34).

Arreglos ordenados de corto alcance

Una categora de ordenamiento la conforman aquellos materiales que muestran un arreglo

Cada molcula de agua en la fase de vapor, Estructura del agua

Comparacin entre la estructura cristalina y la estructura vtrea de la slice

Antes de pasar a estudiar en detalle la estructura y conformacin de los materiales cristalinos, se

A continuacin se estudiar la estructura de los materiales cristalinos, la cual se encuentra

2.1. CELDA UNITARIA

Unidades estructurales que describen esquemticamente la estructura cristalina

Fuente: basado en Shackelford (2005).

La caracterstica clave de la celda unidad es que contiene una descripcin completa de la

Fuente: basado en Shackelford (2005).

Los siete sistemas cristalinos

Fuente: basado en Callister (2007).

Las catorce redes cristalinas de Bravais

Fuente: Askeland, Fulay y Wright (2012, p. 62).

Fuente: Askeland, Fulay y Wright (2012, p. 65).

Fuente: Askeland, Fulay y Wright (2012, p. 65).

Las caractersticas ms importantes de la estructura cristalina son el nmero de coordinacin y el

Nmero de coordinacin: es el nmero de tomos que tocan un tomo en particular o nmero

En las estructuras cbicas que solo contienen

Para la estructura BCC hay ocho (8) tomos

Para el caso del FCC, el nmero de

Fuente: basado en Askeland, Fulay y Wright (2012);

Factor de empaquetamiento o fraccin de empaquetamiento atmico (FEA): es la fraccin de

Y el volumen para la celda unitaria cbica es:

Donde r es el radio del tomo y a0 el parmetro de red. Por tanto:

Dado que para las celdas unitarias FCC, 0 = 42, entonces:

NMERO DE TOMOS POR CELDA UNITARIA

RELACIN ENTRE EL RADIO ATMICO Y LOS PARMETROS DE RED