Professional Documents
Culture Documents
Las memorias TSOP no fueron totalmente reemplazados en aquel tiempo, sino que se
conjuntaron los mdulos en una placa plstica especial y se organizaron las terminales
con forma de pin en un solo lado de la tarjeta, naciendo el estndar de memorias SIP
("Single In-line Package").
- Caractersticas generales de la memoria TSOP
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:
Se muestra un ejemplo de memoria TSOP del equipo Acer 915 con microprocesador
AMD 286.
Conector Figuras
Conector de la memoria
TSOP de 20
terminales Zcalos de
la tarjeta principal
- La memoria de paridad
Es una caracterstica integrada en los chips de memoria, la cul consiste en la
deteccin de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes
de que la computadora utilice el dato.
Esto se logra aadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
nmero de "unos" del byte es par, el "bit extra bit de paridad" ser 1 y si el nmero
de "unos" del byte es impar, el "bit extra bit de paridad" ser 0, ejemplo:
Caracter
Byte Nmero de unos Impar par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0
Como apoyo a la comprensin del tema, te ofrecemos una animacin sobre el funcionamiento interno
1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor 1.
2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor 0.
3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin se pierde.
4) Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga constante ya que tienden a descargarse, independ
SIP es la sigla de ("Single In-line Package"), lo que traducido significa soporte simple en lnea: son l
en una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de pines (30) que se inserta
Las memorias SIP fueron rpidamente reemplazadas por las memorias RAM tipo SIMM
("Single In line Memory Module"), ya que las terminales se integraron a
una placa plstica y se hizo mas resistente a los dobleces.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:
Son 2 versiones:
Conecto
Figuras
r
Conector de la
memoria
SIP 30
pines "Ranura" de
la tarjeta principa
l
- La memoria de paridad
Esto se logra aadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
nmero de "unos" del byte es par, el "bit extra bit de paridad" ser 1 y si el nmero
de "unos" del byte es impar, el "bit extra bit de paridad" ser 0, ejemplo:
Caracter
Byte Nmero de unos Impar par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor
1.
2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor
0.
Las memorias SIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In
line Memory Module").
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre
la cul estn soldadas los componentes
de la memoria.
Son 2 versiones:
Conector Figuras
Conector de la
SIMM 30 memoria
terminale Ranura de
s la tarjeta princip
al
- La memoria de paridad
Esto se logra aadiendo un "bit extra" por cada Byte (8 bits), de modo que si el
nmero de "unos" del Byte es par, el "bit extra bit de paridad" ser 1 y si el nmero
de "unos" del Byte es impar, el "bit extra bit de paridad" ser 0, ejemplo:
Caracter
Byte Nmero de unos Impar par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa cdigo para
correccin de errores. Se trata de un cdigo que tiene la capacidad de detectar y
corregir errores de 1 mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero
en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemtico de parte del ECC, el cul
se almacena junto con los otros datos, as al ser solicitados estos, se comparar el
cdigo almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta
de lo anterior el cdigo original se decodificar para determinar la falla y se procede a
corregirlo.
FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") modo rpido de paginacin. Es una
tecnologa que mejora el rendimiento de las memorias DRAM ("Dinamic Random
Access Memory", es decir memorias con almacenamiento basado en capacitores ,
accediendo a las direcciones solicitadas por medio de cambios de pgina (...).
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
Reemplazaron a las memorias RAM tipo SIMM ("Single In line Memory Module").
Las memorias DIMM - SDRAM fueron reemplazadas por las memorias tipo RIMM
("Rambus Inline Memory Module") y las memorias tipo DDR ("Double Data Rate").
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul
estn soldadas los componentes de la memoria.
Conector Figuras
DIMM - Conector de la
SDRAM memoria
168 Ranura de
terminale la tarjeta principa
s l
Caracter
Byte Nmero de unos Impar par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa cdigo para
correccin de errores. Se trata de un cdigo que tiene la capacidad de detectar y
corregir errores de 1 mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero
en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemtico de parte del ECC, el cul
se almacena junto con los otros datos, as al ser solicitados estos, se comparar el
cdigo almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta
de lo anterior el cdigo original se decodificar para determinar la falla y se procede a
corregirlo.
FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") modo rpido de paginacin. Es una
tecnologa que mejora el rendimiento de las memorias DRAM ("Dinamic Random
Access Memory"), es decir memorias con almacenamiento basado en capacitores ,
accediendo a las direcciones solicitadas por medio de cambios de pgina (...).
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
Figura 4. Memoria + Todas las memorias SODIMM - SDRAM cuentan con 144
SODIMM - SDRAM, terminales, especiales para computadoras porttiles.
144 terminales, + Las dems especificaciones como latencia, capacidades de
100/133 MHz almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato
DIMM - SDRAM para computadora de escritorio.
- Auto evaluacin, dudas y correcciones sobre los temas
1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor
1.
2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor
0.
Tambin llamada memoria DDR1, las siglas DDR provienen de ("Dual Data Rate"),
lo que traducido significa transmisin doble de datos (este nombre es debido a que
incorpora dos canales para enviar los datos de manera simultnea): son un tipo de
memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen
los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial
de 184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les
denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores fsicamente
independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. (Extrado de
InformaticaModerna.com)
Compiti directamente contra las memorias RAM tipo RIMM ("Rambus In line Memory
Module").
Estas memorias estn siendo reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR2 ("Double
Data Rate - 2").
Figura 2. Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston, modelo KVR266, capacidad 128
MB, bus 266 MHz
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:
Conector Figuras
DDR 184
Conector de la
terminal
memoria
es
Ranura de
la tarjeta princi
pal
- Velocidad de la memoria DDR
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa cdigo para
correccin de errores. Se trata de un cdigo que tiene la capacidad de detectar y
corregir errores de 1 mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero
en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemtico de parte del ECC, el cul
se almacena junto con los otros datos, as al ser solicitados estos, se comparar el
cdigo almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta
de lo anterior el cdigo original se decodificar para determinar la falla y se procede a
corregirlo.
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
Figura 4. Memoria + Todas las memorias SODDR cuentan con 200 terminales,
SODDR, 200 especiales para computadoras porttiles, mientras que las
terminales, 266/333 microDDR cuentan con 172 terminales.
MHz + Las dems especificaciones como latencia, capacidades de
almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato
DDR para computadora de escritorio.
- Auto evaluacin, dudas y correcciones sobre los temas
LA MEMORIA RIMM
Animacin del funcionamiento de una memoria RIMM
1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor
1.
Tambin se les denomina DIMM tipo RIMM, debido a que cuentan con conectores
fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM.
Se buscaba que fueran el estndar que reemplazara a las memorias RAM tipo DIMM
("Dual In line Memory Module").
Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR ("Double
Data Rate") las cules eran ms econmicas.
Figura 2. Memoria RAM tipo RIMM, marca Samsung, modelo PC800, 184
terminales, chips RDRAM, capacidad 256 MB, con ECC
Los componentes internos estn cubiertos por una placa metlica que acta
como disipador de calor:
Conector Figuras
Conector de la
RIMM memoria
184 Ranura de
terminal la tarjeta princi
es pal (viene por
pares)
La tecnologa ECC en memorias RIMM se utiliza bsicamente para equipos que van
a manejar datos sumamente crticos, ya que no es comn su uso en equipos
domsticos porque esta tecnologa aumenta en gran medida los costos de la memoria.
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa cdigo para
correccin de errores. Se trata de un cdigo que tiene la capacidad de detectar y
corregir errores de 1 mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero
en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemtico de parte del ECC, el cul
se almacena junto con los otros datos, as al ser solicitados estos, se comparar el
cdigo almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta
de lo anterior el cdigo original se decodificar para determinar la falla y se procede a
corregirlo.
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor
1.
2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor
0.
DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisin
doble de datos segunda generacin (este nombre es debido a que incorpora dos
canales para enviar y adems recibir los datos de manera simultnea): son un tipo de
memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen
los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial
de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les
denomina DIMM tipo DDR2, debido a que cuentan con conectores fsicamente
independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. (Extrado de
InformaticaModerna.com)
Actualmente compite contra un nuevo estndar: las memorias RAM tipo DDR-3
"Double Data Rate -3 "
Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-2, marca Kingston, capacidad para 512 MB,
velocidad 667 MHz, tipo PC5300
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:
Conector de la
DDR-2 memoria
240
terminal
Ranura de
es
la tarjeta princ
ipal
- Velocidad de la memoria DDR-2
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor
1.
2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor
0.
DDR-3 proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisin
doble de datos tercer generacin: son el mas moderno estndar, un tipo de memorias
DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen
los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial
de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les
denomina DIMM tipo DDR3, debido a que cuentan con conectores fsicamente
independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. Este tipo de memoria
cuenta en su gran mayora de modelos con disipadores de calor, debido a que se
sobrecalientan. (Extrado de InformaticaModerna.com)
Actualmente compite contra el estndar de memorias RAM tipo DDR-2 ("Double Data
Rate - 2 ") y se busca que lo reemplace
Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-3, marca Kingston, ValueRAM, 240 terminales,
capacidad para 2 GB, latencia CL 9, voltaje 1.5V
- Caractersticas generales de la memoria DDR3
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn
soldadas los componentes de la memoria.
Conecto
Figuras
r
Conector de la
DDR-3 memoria
240
terminal Ranura de
es la tarjeta princi
pal
- Velocidad de la memoria DDR3
1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor
1.
2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor
0.
DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisin
doble de datos cuarta generacin: se trata de el estndar desarrollado inicialmente
por la firma Samsung para el uso con nuevas tecnologas. Al igual que sus
antecesoras, se basa en el uso de tecnologa tipo DRAM (RAM de celdas construidas a
base de capacitores), cuentan con 288 terminales, las cules estn especializadas
para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generacin con
soporte Intel Haswell-E (X99). Tambin se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a
que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el
primer estndar DIMM. (Extrado de InformaticaModerna.com)
Se espera que este estndar sea el reemplazo del estndar de memorias RAM tipo
DDR-3 ("Double Data Rate - 3 ").
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn
soldadas los componentes de la memoria.
Solo hay una versin fsica, el mdulo puede llevar disipador no segn el
fabricante:
Conect
Figuras
or
Conector de
la memoria
DDR-4
288
termin
Ranura de
ales
la tarjeta pri
ncipal
(similar)
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):