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- Animacin del funcionamiento de una memoria TSOP

Como apoyo a la comprensin del tema, te ofrecemos una animacin sobre el


funcionamiento interno de una memoria RAM:

Figura 1. Animacin de funcionamiento interno de una memoria RAM

1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica


el valor 1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica


el valor 0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin se


pierde.

4) Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga constante ya que tienden a


descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 un 1, esto se le llama
"refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente
poco eficaces.

- Definicin de memoria SRAM, definicin de memoria Cach y Buffer

TSOP proviene de ("Thin Small Out-line Package"), lo que traducido significa


conjunto de bajo perfil fuera de lnea. Son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas
construidas a base de capacitores), los primeros mdulos de memoria aislados que se
introducan en zcalos especiales de la tarjeta principal ("Motherboard").
Estos chips en conjunto iban sumando las cantidades de memoria RAM del
equipo. (Extrado de InformaticaModerna.com)

Las memorias TSOP no fueron totalmente reemplazados en aquel tiempo, sino que se
conjuntaron los mdulos en una placa plstica especial y se organizaron las terminales
con forma de pin en un solo lado de la tarjeta, naciendo el estndar de memorias SIP
("Single In-line Package").
- Caractersticas generales de la memoria TSOP

+ Bsicamente haba de diferentes formas y tamaos como cualquier otro circuito


integrado.
+ Cuentan con una forma fsica como cualquier otro chip y se introducen las
terminales en el espacio asignado para ello.

- Partes que componen la memoria TSOP

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:

1.- Encapsulado: integra dentro de s una gran


cantidad de elementos electrnicos microscpicos
(transistores, capacitores, compuertas, etc.),
formadores de la memoria RAM.

2.- Pines: se encargan de transmitir las seales


elctricas y los datos.

3.- Punto de referencia: indica cul es la


terminal No. 1.

4.- Mdulo zcalo: permite albergar e insertar


la memoria TSOP.

- Conectores - pines para las terminales

Se muestra un ejemplo de memoria TSOP del equipo Acer 915 con microprocesador
AMD 286.

Conector Figuras

Conector de la memoria
TSOP de 20
terminales Zcalos de
la tarjeta principal

- La memoria de paridad
Es una caracterstica integrada en los chips de memoria, la cul consiste en la
deteccin de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes
de que la computadora utilice el dato.

Esto se logra aadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
nmero de "unos" del byte es par, el "bit extra bit de paridad" ser 1 y si el nmero
de "unos" del byte es impar, el "bit extra bit de paridad" ser 0, ejemplo:

Caracter
Byte Nmero de unos Impar par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad


asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se desarrollo
posteriormente la tecnologa ECC.

- Capacidades de almacenamiento TSOP

La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria


TSOP es el Kilobyte (KB) y se muestra un ejemplo de una memoria para placa 915P(N)
de Acer.

Tipo de memoria Capacidad en Kilobytes (MB)


TSOP KM41464AP-12 128 KB

- Usos especficos de la memoria TSOP

Los TSOP se utilizaron bsicamente en computadoras con microprocesadores de la


familia Intel 286 y modelos anteriores.

LA MEMORIA RAM TIPO SIP

- Animacin del funcionamiento de una memoria SIP

Como apoyo a la comprensin del tema, te ofrecemos una animacin sobre el funcionamiento interno
1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor 1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor 0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin se pierde.

4) Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga constante ya que tienden a descargarse, independ

- Definicin de memoria SIP

SIP es la sigla de ("Single In-line Package"), lo que traducido significa soporte simple en lnea: son l
en una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de pines (30) que se inserta

Reemplazaron el uso de las memorias TSOP.

Las memorias SIP fueron rpidamente reemplazadas por las memorias RAM tipo SIMM
("Single In line Memory Module"), ya que las terminales se integraron a
una placa plstica y se hizo mas resistente a los dobleces.

Figura 2. Memoria RAM tipo SIP

- Caractersticas generales de la memoria SIP

+ Solo se comercializ una versin de memoria SIP de 30 terminales.


+ Cuentan con una forma fsica especial, pero tenan el inconveniente de que al
tener los pines libres y en lnea corran el riesgo de doblarse y romperse.
+ La memoria SIP de 30 terminales permite el manejo de 8 bits.
+ La medida del SIP de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm. de alto.
- Partes que componen la memoria SIP

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn


soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son mdulos de memoria voltil.

3.- Conector (30 pines): son terminales tienen


forma de pin, que se insertan en el mdulo especial
para memoria SIP.

Figura 3. Esquema de una Partes de una memoria SIP y sus funciones


memoria RAM tipo SIP

- Conectores - pines para la ranura

Son 2 versiones:

Conecto
Figuras
r

Conector de la
memoria
SIP 30
pines "Ranura" de
la tarjeta principa
l

- Velocidad de la memoria SIP


La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En
el caso de los SIP su velocidad de trabajo era la misma que los microprocesadores del
momento, esto es aproximadamente entre 25 MHZ y 33 MHz.

- La memoria de paridad

Es una caracterstica integrada en los chips de memoria, la cul consiste en la


deteccin de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes
de que la computadora utilice el dato.

Esto se logra aadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
nmero de "unos" del byte es par, el "bit extra bit de paridad" ser 1 y si el nmero
de "unos" del byte es impar, el "bit extra bit de paridad" ser 0, ejemplo:

Caracter
Byte Nmero de unos Impar par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad


asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se desarrollo
posteriormente la tecnologa ECC.

- El tiempo de acceso de la memoria SIP

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tiempo de respuesta en nanosegundos


Tipo de memoria
(nseg)
SIP 30 pines 60 nseg
- Capacidades de almacenamiento SIP

La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria SIP


es Kilobyte (KB) y el Megabyte (MB). En este caso como hubo 2 versiones, estas
varan de acuerdo al modelo y se comercializaron bsicamente las siguientes
capacidades:

Capacidad en Kilobytes (KB) / Megabytes


Tipo de memoria
(MB)
SIP 30 pines 256 KB, 512 KB, 1 MB?

- Usos especficos de la memoria SIP

Los SIP de 30 pines se utilizaron bsicamente en computadoras con


microprocesadores de la familia Intel 286.
LA MEMORIA RAM TIPO SIMM

Animacin del funcionamiento de una memoria SIMM

Como apoyo a la comprensin del tema, te ofrecemos una animacin sobre el


funcionamiento interno de una memoria RAM:

Figura 1. Animacin de funcionamiento interno de una memoria RAM

1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor
1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor
0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin se


pierde.

4) Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga constante ya que tienden a


descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 un 1, esto se le llama
"refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente
poco eficaces.

- Definicin de memoria SIMM

SIMM proviene de ("Single In line Memory Module"), lo que traducido significa


mdulo de memoria de nicamente una lnea (este nombre es debido a que sus
contactos se comparten de ambos lados de la tarjeta de memoria): son un tipo de
memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen
los chips de memoria de un solo lado de la tarjeta y cuentan con un conector especial
de 30 72 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). (Extrado de
InformaticaModerna.com)
Las memorias SIMM reemplazaron a las memorias RAM tipo SIP ("Single In-Line
Package")

Las memorias SIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In
line Memory Module").

Figura 2. Memoria RAM tipo SIMM,


genrica, L-9645-8ML-194V-0, 3 chips, Figura 3. Memoria RAM tipo SIMM,
30 pines, capacidad de 1 MB genrica, HYM591000PM, 12 chips, 72
pines, capacidad 32 MB
- Caractersticas generales de la memoria SIMM

+ Hay 2 versiones de memoria SIMM, con 30 y con 72 terminales, siendo el


segundo el sucesor.
+ Cuentan con una forma fsica especial, para que al insertarlas, no haya riesgo de
colocarla de manera incorrecta. Adicionalmente el SIMM de 72 terminales cuenta con
una muesca en un lugar estratgico del conector.
+ La memoria SIMM de 30 terminales permite el manejo de 8 bits y la de 72
terminales 32 bits.
+ La medida del SIMM de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm. de
alto.
+ La medida del SIMM de 72 terminales es de 10.88 cm. de largo X 2.54 cm. de
alto.
+ Pueden convivir en la misma tarjeta principal ("Motherboard") ambos tipos si
esta tiene las ranuras necesarias para ello.

- Partes que componen la memoria SIMM

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre
la cul estn soldadas los componentes
de la memoria.

2.-Chips: son mdulos de memoria


voltil.

3.- Conector (30 terminales): base de


la memoria que se inserta en la ranura
especial para memoria SIMM.

Partes de una memoria SIMM y sus


Figura 4. Esquema externo de una funciones
memoria RAM tipo SIMM

- Conectores - terminales para la ranura

Son 2 versiones:

Conector Figuras
Conector de la
SIMM 30 memoria
terminale Ranura de
s la tarjeta princip
al

- Velocidad de la memoria SIMM

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En


el caso de los SIMM su velocidad de trabajo era la misma que
los microprocesadores del momento, esto es aproximadamente entre 25 MHZ y 33
MHz.

- La memoria de paridad

Es una caracterstica integrada en los chips de memoria, la cul consiste en la


deteccin de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes
de que la computadora utilice el dato.

Esto se logra aadiendo un "bit extra" por cada Byte (8 bits), de modo que si el
nmero de "unos" del Byte es par, el "bit extra bit de paridad" ser 1 y si el nmero
de "unos" del Byte es impar, el "bit extra bit de paridad" ser 0, ejemplo:

Caracter
Byte Nmero de unos Impar par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0

Entonces al momento de utilizar el Byte, si este no coincide con su paridad


asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se utiliza la
tecnologa ECC.

- Tecnologa de correccin de errores (ECC)

La tecnologa ECC en memorias SIMM se utilizaba bsicamente para equipos que


manejaban datos sumamente crticos, ya que no era comn su uso en equipos
domsticos porque esta tecnologa aumentaba en gran medida los costos de la
memoria.

ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa cdigo para
correccin de errores. Se trata de un cdigo que tiene la capacidad de detectar y
corregir errores de 1 mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero
en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.

Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemtico de parte del ECC, el cul
se almacena junto con los otros datos, as al ser solicitados estos, se comparar el
cdigo almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta
de lo anterior el cdigo original se decodificar para determinar la falla y se procede a
corregirlo.

- Modo de acceso FPM

FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") modo rpido de paginacin. Es una
tecnologa que mejora el rendimiento de las memorias DRAM ("Dinamic Random
Access Memory", es decir memorias con almacenamiento basado en capacitores ,
accediendo a las direcciones solicitadas por medio de cambios de pgina (...).

- El tiempo de acceso de la memoria SIMM

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tiempo de respuesta en nanosegundos


Tipo de memoria
(nseg)
SIMM 30 terminales 60 nseg
SIMM 72 terminales 40 nseg

- Capacidades de almacenamiento SIMM

La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria


SIMM es KiloByte (KB) y el MegaByte (MB). En este caso como hubo 2 versiones, estas
varan de acuerdo al modelo y se comercializaron bsicamente las siguientes
capacidades:

Tipo de memoria Capacidad en MegaBytes (MB)


SIMM 30 terminales 256 KB, 512 KB, 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8 MB
SIMM 72 terminales 4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB

- Usos especficos de la memoria SIMM

Los SIMM de 30 terminales se utilizaron bsicamente en computadoras con


microprocesadores de la familia Intel 386 y 486.

Los SIMM de 72 terminales fueron posteriores a los SIMM de 30 terminales, pero


algunas placas integraban ranuras para ambos. Se utilizaban en computadoras con
bsicamente procesadores de la familia Intel 486 y Pentium.

LA MEMORIA RAM TIPO DIMM SDRAM

Animacin del funcionamiento de una memoria DIMM - SDRAM

Como apoyo a la comprensin del tema, te ofrecemos una animacin sobre el


funcionamiento interno de una memoria RAM:

1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica


el valor 1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica


el valor 0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin se


pierde.

4) Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga constante ya que tienden a


descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 un 1, esto se le llama
"refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente
poco eficaces.

- Significado de memoria DIMM - SDRAM

DIMM proviene de ("Dual In line Memory Module"), lo que traducido significa


mdulo de memoria de lnea dual (este nombre es debido a que sus contactos de
cada lado son independientes, por lo tanto el contacto es doble en la tarjeta de
memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base
de capacitores), las cules pueden tener chips de memoria en ambos lados de
la tarjeta solo de un lado, cuentan con un conector especial de 168 terminales para
ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Cabe destacar que la caracterstica de
las memorias de lnea dual, es precursora de los estndares modernos RIMM y DDR-
X), por ello no es de extraarse que tambin se les denomine DIMM - SDRAM tipo
RIMM DIMM - SDRAM DDR-X. (Extrado de InformaticaModerna.com)

SDRAM proviene de (Synchronous Dynamic Random Access Memory), memoria


de acceso aleatorio sincrnico, esto significa que existe un cierto tiempo entre el
cambio de estado de la misma sincronizado con el reloj y bus del sistema, en la
prctica se le denomina solo DIMM.

Reemplazaron a las memorias RAM tipo SIMM ("Single In line Memory Module").

Las memorias DIMM - SDRAM fueron reemplazadas por las memorias tipo RIMM
("Rambus Inline Memory Module") y las memorias tipo DDR ("Double Data Rate").

- Caractersticas generales de la memoria DIMM - SDRAM

+ Cuenta con conectores fsicamente independientes en ambas caras de


la tarjeta de memoria, de all que se les denomina duales.
+ Todos las memorias DIMM - SDRAM cuentan con 168 terminales.
+ Cuentan con un par de muescas en un lugar estratgico del conector, para que al
insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
+ La memoria DIMM - SDRAM permite el manejo de 32 y 64 bits.
+ La medida del DIMM - SDRAM es de 13.76 cm. de largo X 2.54 cm. de alto.
+ Puede convivir con SIMM en la misma tarjeta principal ("Motherboard") si esta
cuenta con ambas ranuras.
- Partes que componen la memoria DIMM - SDRAM

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul
estn soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son mdulos de memoria voltil.

3.- Conector (168 terminales): base de la


memoria que se inserta en la ranura especial para
memoria DIMM - SDRAM en la tarjeta principal
(Motherboard).

4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro de la


ranura de memoria.

Partes de la memoria DIMM - SDRAM y sus funciones


- Conectores - terminales para la ranura

Solo hay una versin fsica:

Conector Figuras

DIMM - Conector de la
SDRAM memoria
168 Ranura de
terminale la tarjeta principa
s l

- Velocidad de la memoria DIMM - SDRAM

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En


el caso de los DIMM - SDRAM, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cul
se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Bsicamente
fueron las siguientes:

Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side


Nombre asignado
Bus")
---- 25 MHz, 33 MHz, 50 MHz
PC66 66 MegaHertz (MHz)
PC100 100 MHz
PC133 133 MHz
PC150 150 MHz
- La memoria de paridad

Es una caracterstica integrada en los chips de memoria, la cul consiste en la


deteccin de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes
de que la computadora utilice el dato.
Esto se logra aadiendo un "bit extra" por cada Byte (8 bits), de modo que si el
nmero de "unos" del Byte es par, el "bit extra bit de paridad" ser 1 y si el nmero
de "unos" del Byte es impar, el "bit extra bit de paridad" ser 0, ejemplo:

Caracter
Byte Nmero de unos Impar par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0

Entonces al momento de utilizar el Byte, si este no coincide con su paridad


asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se utiliza la
tecnologa ECC.

- Tecnologa de correccin de errores (ECC)

La tecnologa ECC en memorias DIMM - SDRAM se utilizaba bsicamente para


equipos que manejaban datos sumamente crticos, ya que no era comn su uso en
equipos domsticos porque esta tecnologa aumentaba en gran medida los costos de la
memoria.

ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa cdigo para
correccin de errores. Se trata de un cdigo que tiene la capacidad de detectar y
corregir errores de 1 mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero
en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.

Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemtico de parte del ECC, el cul
se almacena junto con los otros datos, as al ser solicitados estos, se comparar el
cdigo almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta
de lo anterior el cdigo original se decodificar para determinar la falla y se procede a
corregirlo.

- Modo de acceso FPM

FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") modo rpido de paginacin. Es una
tecnologa que mejora el rendimiento de las memorias DRAM ("Dinamic Random
Access Memory"), es decir memorias con almacenamiento basado en capacitores ,
accediendo a las direcciones solicitadas por medio de cambios de pgina (...).

- El tiempo de acceso de la memoria DIMM - SDRAM

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tiempo de respuesta en nanosegundos


Tipo de memoria
(nseg)
DIMM - SDRAM 168 terminales 12 nseg - 10 nseg - 8 nseg
- Latencia de la memoria DIMM - SDRAM
CL proviene de ("CAS Latency"), lo cul es el tiempo que emplea la memoria en
colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definicin es "Tiempo que toma a un
paquete de datos en llegar a su destino". Este factor est relacionado directamente con
la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar est, tambin aumenta la
latencia.

Tipo de memoria Latencia promedio CAS


DIMM - SDRAM 168 terminales 3

- Capacidades de almacenamiento DIMM - SDRAM

La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria


DIMM - SDRAM es el MegaByte (MB). Actualmente en Mxico todava se venden de
manera comercial algunas de las siguientes capacidades:

Tipo de memoria Capacidad en MegaBytes (MB)


DIMM - SDRAM 168 terminales PC100 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB
DIMM - SDRAM 168 terminales PC133 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB

- Usos especficos de la memoria DIMM - SDRAM

Los DIMM - SDRAM de 168 terminales se utilizaron bsicamente en computadoras


de escritorio con microprocesadores de la familia Intel Pentium Pro, Pentium
II, Celeron y algunos modelosPentium III.

- La memoria SODIMM - SDRAM (Variante de DIMM - SDRAM)

Significado de SODIMM - SDRAM: proviene de ("Small


Outline Dual In line Memory Module"), siendo la variante de
memorias DIMM - SDRAM para computadoras porttiles.|

Caractersticas de la memoria SODIMM - SDRAM:

Figura 4. Memoria + Todas las memorias SODIMM - SDRAM cuentan con 144
SODIMM - SDRAM, terminales, especiales para computadoras porttiles.
144 terminales, + Las dems especificaciones como latencia, capacidades de
100/133 MHz almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato
DIMM - SDRAM para computadora de escritorio.
- Auto evaluacin, dudas y correcciones sobre los temas

LA MEMORIA RAM TIPO DDR /DDR1


- Animacin del funcionamiento de una memoria DDR

Como apoyo a la comprensin del tema, te ofrecemos una animacin sobre el


funcionamiento interno de una memoria RAM:

Figura 1. Animacin de funcionamiento interno de una memoria RAM

1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor
1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor
0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin se


pierde.

4) Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga constante ya que tienden a


descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 un 1, esto se le llama
"refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente
poco eficaces.

- Definicin de memoria tipo DDR

Tambin llamada memoria DDR1, las siglas DDR provienen de ("Dual Data Rate"),
lo que traducido significa transmisin doble de datos (este nombre es debido a que
incorpora dos canales para enviar los datos de manera simultnea): son un tipo de
memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen
los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial
de 184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les
denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores fsicamente
independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. (Extrado de
InformaticaModerna.com)

Compiti directamente contra las memorias RAM tipo RIMM ("Rambus In line Memory
Module").

Estas memorias estn siendo reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR2 ("Double
Data Rate - 2").
Figura 2. Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston, modelo KVR266, capacidad 128
MB, bus 266 MHz

- Caractersticas generales de la memoria DDR

+ Todos las memorias DDR cuentan con 184 terminales.


+ Cuentan con una muesca en un lugar estratgico del conector, para que al
insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
+ La medida del DDR mide 13.3 cm. de largo X 3.1 cm. de alto y 1 mm. de
espesor.
+ Como sus antecesores (excepto la memoria RIMM), pueden estar no ocupadas
todas sus ranuras para memoria.
- Partes que componen la memoria DDR

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul


estn soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son mdulos de memoria voltil.

3.- Conector (184 terminales): base de la


memoria que se inserta en la ranura especial para
memoria DDR.

4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro de la


ranura de memoria DDR.

Figura 3. Esquema de partes de Partes de la memoria DDR


la memoria RAM tipo DDR

- Conectores - terminales para la ranura

Solo hay una versin fsica:

Conector Figuras
DDR 184
Conector de la
terminal
memoria
es
Ranura de
la tarjeta princi
pal
- Velocidad de la memoria DDR

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En


el caso de los DDR, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cul se tiene que
adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Bsicamente se
comercializaron las siguientes:

Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side


Nombre asignado
Bus")
PC-2100 266 MHz
PC-2700 333 MHz
PC-3200 400 MHz
- Tecnologa DDR ECC

La tecnologa ECC en memorias DDR se utiliza bsicamente para servidores que


manejan datos sumamente crticos, ya que no es comn su uso en equipos domsticos
porque esta tecnologa aumenta en gran medida los costos de la memoria.

ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa cdigo para
correccin de errores. Se trata de un cdigo que tiene la capacidad de detectar y
corregir errores de 1 mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero
en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.

Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemtico de parte del ECC, el cul
se almacena junto con los otros datos, as al ser solicitados estos, se comparar el
cdigo almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta
de lo anterior el cdigo original se decodificar para determinar la falla y se procede a
corregirlo.

- El tiempo de acceso de la memoria DDR

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tiempo de respuesta en nanosegundos


Tipo de memoria
(nseg)
DDR PC2100 7.5 nseg
DDR PC2700 6 nseg,
DDR PC3200 5 nseg
- Latencia de la memoria DDR

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cul es el tiempo que emplea la memoria en


colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definicin es "Tiempo que toma a un
paquete de datos en llegar a su destino". Este factor est relacionado directamente con
la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar est, tambin aumenta la
latencia.

Tipo de memoria Latencias (CL)


DDR PC2100 2.5
DDR PC2700 2.5
DDR PC3200 2.5 hasta 4

- Capacidades de almacenamiento DDR

La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria


DDR es el MegaByte (MB). y el GigaByte (GB). Las capacidades comerciales son las
siguientes:

Capacidad en MegaBytes (MB) / GigaBytes


Tipo de memoria
(GB)
DDR 184 terminales 128 MB, 256 MB, 512 MB y 1 GB

- Usos especficos de la memoria DDR

Los DDR de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con


microprocesadores de la familia AMD Athlon y por su bajo precio y eficiencia tambin
la firma Intel lo adopto para sus productos Pentium 4.

- La memoria SODDR (Variante de DDR)

Significado de SODDR: proviene de ("Small Outline Dual


Data Rate"), siendo la variante de memoria DDR para
computadoras porttiles. Otro tipo de memorias DDR para
computadoras porttiles son las microDRR, utilizadas en ciertos
modelos de porttiles de las marcas Toshiba y Sony.

Caractersticas de la memoria SODDR:

Figura 4. Memoria + Todas las memorias SODDR cuentan con 200 terminales,
SODDR, 200 especiales para computadoras porttiles, mientras que las
terminales, 266/333 microDDR cuentan con 172 terminales.
MHz + Las dems especificaciones como latencia, capacidades de
almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato
DDR para computadora de escritorio.
- Auto evaluacin, dudas y correcciones sobre los temas

LA MEMORIA RIMM
Animacin del funcionamiento de una memoria RIMM

Como apoyo a la comprensin del tema, te ofrecemos una animacin sobre el


funcionamiento interno de una memoria RAM:

Figura 1. Animacin de funcionamiento interno de una memoria RAM

1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor
1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el


valor 0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin se


pierde.

4) Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga constante ya que tienden a


descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 un 1, esto se le llama
"refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente
lentas.

- Definicin de memoria RIMM

RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido significa


mdulo de memoria de lnea con bus integrado (este nombre es debido a que
incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran velocidad en la
propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus
Dynamic Random Access Memory"): es decir, tambin estn basadas en
almacenamiento por medio de capacitores), que integran circuitos integrados y en
uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de
las ranuras especiales para memoria de la tarjeta principal (Motherboard). (Extrado de
InformaticaModerna.com)

Tambin se les denomina DIMM tipo RIMM, debido a que cuentan con conectores
fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM.

Se buscaba que fueran el estndar que reemplazara a las memorias RAM tipo DIMM
("Dual In line Memory Module").
Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR ("Double
Data Rate") las cules eran ms econmicas.

Figura 2. Memoria RAM tipo RIMM, marca Samsung, modelo PC800, 184
terminales, chips RDRAM, capacidad 256 MB, con ECC

- Caractersticas generales de la memoria RIMM

+ Este tipo de memorias siempre deben ir por pares, no funcionan si se coloca


solamente un mdulo de memoria.
+ Todos las memorias RIMM cuentan con 184 terminales.
+ Cuentan con 2 muescas centrales en el conector, para que al insertarlas, no
haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
+ La memoria RIMM permite el manejo de 16 bits.
+ Tiene una placa metlica sobre los chips de memoria, debido a que estos tienden
a calentarse mucho y esta placa acta como disipador de calor.
+ Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras asignadas para
ellas estn ocupadas.

- Partes que componen la memoria RIMM

Los componentes internos estn cubiertos por una placa metlica que acta
como disipador de calor:

1.- Disipador: es una placa metlica que cubre


la tarjeta plstica y los chips, ya que tienden a
sobrecalentarse y de este modo absorbe el calor y lo
transmite al ambiente.

2.- Conector (184 terminales): base de la


memoria que se inserta en la ranura especial para
memoria RIMM.

3.- Muescas: son 2 hendiduras caractersticas de la


memoria RIMM y que indican la posicin correcta
dentro de la ranura de memoria.

Figura 3. Esquema externo de Lista 1. Partes externas y funciones de una memoria


una memoria RAM tipo RIMM RIMM.
- Conectores - terminales para la ranura

Solo hay una versin fsica:

Conector Figuras

Conector de la
RIMM memoria
184 Ranura de
terminal la tarjeta princi
es pal (viene por
pares)

- Tecnologa de correccin de errores (ECC)

La tecnologa ECC en memorias RIMM se utiliza bsicamente para equipos que van
a manejar datos sumamente crticos, ya que no es comn su uso en equipos
domsticos porque esta tecnologa aumenta en gran medida los costos de la memoria.

ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa cdigo para
correccin de errores. Se trata de un cdigo que tiene la capacidad de detectar y
corregir errores de 1 mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero
en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.

Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemtico de parte del ECC, el cul
se almacena junto con los otros datos, as al ser solicitados estos, se comparar el
cdigo almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta
de lo anterior el cdigo original se decodificar para determinar la falla y se procede a
corregirlo.

- Velocidad de la memoria RIMM

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En


el caso de los RIMM, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cul se tiene
que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Bsicamente fueron las
siguientes:

Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side


Nombre asignado
Bus")
PC600 300 MegaHertz (MHz)
PC700 356 MHz
PC800 400 MHz
PC1066 533 MHz
(...) 800 MHz
- El tiempo de acceso de la memoria RIMM

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tiempo de respuesta en nanosegundos


Tipo de memoria
(nseg)
RIMM 184 terminales 40 nseg aproximadamente

- Latencia de la memoria RIMM

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cul es el tiempo que emplea la memoria en


colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definicin es "Tiempo que toma a un
paquete de datos en llegar a su destino". Este factor est relacionado directamente con
la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar est, tambin aumenta la
latencia.

Tipo de memoria Latencia CAS


RIMM 184 terminales 4y5

- Capacidades de almacenamiento RIMM

La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria


RIMM es el MegaByte (MB). Se comercializaron bsicamente las siguientes
capacidades:

Tipo de memoria Capacidad en MegaBytes (MB)


RIMM 184 terminales 64 MB, 128 MB, 256 MB

- Usos especficos de la memoria RIMM

Los RIMM de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con


microprocesadores de la familia Intel Pentium 4, pero era muy caro y tenda a
sobrecalentarse, por lo que termin siendo reemplazado en el mbito general por las
memorias RAM tipo DDR que eran mas econmicas y no necesitaban ventilacin
adicional.

LA MEMORIA RAM TIPO DDR2


Animacin del funcionamiento de una memoria DDR2

Como apoyo a la comprensin del tema, te ofrecemos una animacin sobre el


funcionamiento interno de una memoria RAM:

Figura 1. Animacin de funcionamiento interno de una memoria RAM

1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor
1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor
0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin se


pierde.

4) Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga constante ya que tienden a


descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 un 1, esto se le llama
"refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente
poco eficaces.

- Definicin de memoria tipo DDR

DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisin
doble de datos segunda generacin (este nombre es debido a que incorpora dos
canales para enviar y adems recibir los datos de manera simultnea): son un tipo de
memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen
los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial
de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les
denomina DIMM tipo DDR2, debido a que cuentan con conectores fsicamente
independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. (Extrado de
InformaticaModerna.com)

Actualmente se encuentra desplazando a la memoria DDR

Actualmente compite contra un nuevo estndar: las memorias RAM tipo DDR-3
"Double Data Rate -3 "
Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-2, marca Kingston, capacidad para 512 MB,
velocidad 667 MHz, tipo PC5300

- Caractersticas generales de la memoria DDR-2

+ Todos las memorias DDR-2 cuentan con 240 terminales.


+ Cuentan con una muesca en un lugar estratgico del conector, para que al
insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
+ Como sus antecesores, pueden estar no ocupadas todas sus ranuras para
memoria.
+ Tiene un voltaje de alimentacin de 1.8 Volts.
- Partes que componen la memoria DDR-2

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul


estn soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son mdulos de memoria voltil.

3.- Conector (240 terminales): base de la


memoria que se inserta en la ranura especial para
memoria DDR2.

4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro de la


ranura de memoria DDR2.
Figura 3. Esquema de partes
externas de una memoria DDR- Partes externas y funciones de la memoria DDR-2
2

- Conectores - terminales para la ranura

Solo hay una versin fsica:


Conecto
Figuras
r

Conector de la
DDR-2 memoria
240
terminal
Ranura de
es
la tarjeta princ
ipal
- Velocidad de la memoria DDR-2

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En


el caso de los DDR-2, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cul se tiene
que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Bsicamente se
comercializaron las siguientes:

Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side


Nombre asignado
Bus")
PC5300 667 MHz
PC6400 800 MHz
- El tiempo de acceso de la memoria DDR-2

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tiempo de respuesta en nanosegundos


Tipo de memoria
(nseg)
DDR-2 PC5300 6 nseg
DDR-2 PC6400 5 nseg,
- Latencia de la memoria DDR-2

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cul es el tiempo que emplea la memoria en


colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definicin es: Tiempo que toma a un
paquete de datos en llegar a su destino. Este factor est relacionado directamente con
la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar est, tambin aumenta la
latencia.

Tipo de memoria Latencias (CL)


DDR2 PC5300 4y5
DDR2 PC6400 4, 5 hasta 6

- Capacidades de almacenamiento DDR-2


La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria
DDR-2 es el MegaByte (MB) y el GigaByte (GB). Las capacidades comerciales son las
siguientes:

Capacidad en MegaBytes (MB) / GigaBytes


Tipo de memoria
(GB)
256 MB, 512 MB, 1 GB, 2 GB, y
DDR-2 240 terminales
4 GigaBytes (GB)

- Usos especficos de la memoria DDR-2

Los DDR-2 de 240 terminales se utilizan en equipos con microprocesadores de la


firma AMD: Athlon 64, Athlon 64 X2, Athlon 64 X2 Dual Core. En el caso de Intel
se utilizan en equipos: Pentium 4, Core 2 Duo, Core 2 Quad y Core Quad.

- La memoria SODDR (Variante de DDR2)

Significado de SODDR2: proviene de ("Small Outline Dual


Data Rate 2"), siendo la variante de memoria DDR2 para
computadoras porttiles.

Caractersticas de la memoria SODDR2:

Figura 4. Memoria + Todas las memorias SODDR2 cuentan con 200


SODDR2, 200 terminales, especiales para computadoras porttiles.
terminales, + Las dems especificaciones como latencia, capacidades
533/667/800 MHz de almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del
formato DDR2 para computadora de escritorio.

LA MEMORIA RAM TIPO DDR3

Animacin del funcionamiento de una memoria DDR3

Como apoyo a la comprensin del tema, te ofrecemos una animacin sobre el


funcionamiento interno de una memoria RAM:
Figura 1. Animacin de funcionamiento interno de una memoria RAM

1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor
1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor
0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin se


pierde.

4) Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga constante ya que tienden a


descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 un 1, esto se le llama
"refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente
poco eficaces.

- Definicin de memoria tipo DDR3

DDR-3 proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisin
doble de datos tercer generacin: son el mas moderno estndar, un tipo de memorias
DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen
los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial
de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les
denomina DIMM tipo DDR3, debido a que cuentan con conectores fsicamente
independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. Este tipo de memoria
cuenta en su gran mayora de modelos con disipadores de calor, debido a que se
sobrecalientan. (Extrado de InformaticaModerna.com)

Actualmente compite contra el estndar de memorias RAM tipo DDR-2 ("Double Data
Rate - 2 ") y se busca que lo reemplace

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-3, marca Kingston, ValueRAM, 240 terminales,
capacidad para 2 GB, latencia CL 9, voltaje 1.5V
- Caractersticas generales de la memoria DDR3

+ Todos las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales.


+ Una caracterstica es que si no todas, la mayora cuentan con disipadores de
calor.
+ Cuentan con una muesca en un lugar estratgico del conector, para que al
insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta para evitar que se
inserten en ranuras inadecuadas.
+ Como sus antecesores, pueden estar no ocupadas todas sus ranuras para
memoria.
+ Tiene un voltaje de alimentacin de 1.5 Volts hacia abajo.
+ Con los sistemas operativos Microsoft Windows mas recientes en sus versiones
de 32 bits , es posible que no se reconozca la cantidad de memoria DDR3 total
instalada, ya que solo se reconocern como mximo 2 GB 3 GB, sin embargo el
problema puede ser resuelto instalando las versiones de 64 bits.
+ Algunas versiones de memorias DDR3 son Plug&Play, por lo que no es necesario
reiniciar el equipo al conectarse y se detecta de manera automtica y se aada a la ya
existente.

- Ventiladores para memorias DDR3

Un dispositivo electrnico ente menos calor


almacene, aumenta su vida til y eficiencia, por lo que
en el caso de las memorias RAM tipo DDR3, al estar
manejando frecuencias de trabajo muy altas, en el
orden de hasta 2.3 GHz, ya cuentan con disipadores de
aluminio desde su ensamblaje, el cul puede ser
complementado con el uso de ventiladores
especialmente diseados para enfriar de una mejor
manera el mdulo de memoria.

Hay que tener en cuenta que el uso de ventiladores,


Figura 3. Disipador de calor aceleran el proceso de fijacin de polvo en los circuitos y
para memorias RAM, partes, por lo que no solo en la memorias RAM, sino en
marca Kingston modelo todo dispositivo de la computadora, es necesario dar
HyperX, 3000 RPM mantenimiento preventivo ms frecuentemente.
- Partes que componen la memoria DDR3

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn
soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son mdulos de memoria voltil.

3.- Conector (240 terminales): base de la memoria


que se inserta en la ranura especial para memoria
DDR3.

4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro de la


ranura de memoria DDR3.

Figura 4. Esquema de partes de


la memoria DDR-3
- Conectores - terminales para la ranura

Solo hay una versin fsica:

Conecto
Figuras
r

Conector de la
DDR-3 memoria
240
terminal Ranura de
es la tarjeta princi
pal
- Velocidad de la memoria DDR3

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En


el caso de los DDR-3, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cul se tiene
que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Bsicamente se
comercializaron las siguientes:

Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side


Nombre asignado
Bus")
DDR3 PC3-8500 1066 MHz
DDR3 PC3-10600 1333 MHz
DDR3 PC3-12800 1600 MHz
DDR3 PC3-14900 1866 MHz
DDR3 PC3-16000 2000 MHz
DDR3 PC3-17000 2133 MHz
DDR3 PC3-19400 2400 MHz
- El tiempo de acceso de la memoria DDR-3
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tiempo de respuesta en nanosegundos


Tipo de memoria
(nseg)
DDR3 PC3-8500 7.5 nseg.
DDR3 PC3-10666 6 nseg,
DDR3 PC3-12800 5 nseg,
DDR3 PC3-14900 4 nseg,
DDR3 PC3-16000 No disponible nseg,
- Latencia de la memoria DDR-3

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cul es el tiempo que emplea la memoria en


colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definicin es "Tiempo que toma a un
paquete de datos en llegar a su destino". Este factor est relacionado directamente con
la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar est, tambin aumenta la
latencia.

Tipo de memoria Latencias (CL)


DDR3 PC3-8500 6 hasta 8
DDR3 PC3-10666 7 hasta 10
DDR3 PC3-12800 8 hasta 11
DDR3 PC3-14900 11 hasta 13
DDR3 PC3-16000 9

- Capacidades de almacenamiento DDR-3

La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria


DDR-3 es el GigaByte (GB). Tambin se comercializan mdulos independientes y
tambin por Kit; es importante mencionar que las memorias de mas de 8 GB no vienen
en un slo mdulo de memoria, sino que vienen en Kit (esto es, se venden 3 memorias
de 4 GB, dando resultado 12 GB, siendo su nomenclatura 3X4), por lo que al momento
de decidir como comprar la memoria, hay que tomar en cuenta el nmero de ranuras
con que cuenta la tarjeta principal y cul es su mxima capacidad en caso de que
despus queramos escalarla.

Tipo de memoria Capacidad en GigaBytes (GB)


DDR-3 240 terminales en un slo mdulo 1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB y 32 GB

- Usos especficos de la memoria DDR-3


Los DDR-3 de 240 terminales se utilizan en equipos con el procesador iX (i5 e i7)
de la firma Intel y tambin en equipos con procesador AMD Phenom y AMD FX-
74.

- La memoria SODDR3 (Variante DDR3)

Significado de SODDR3: proviene de ("Small Outline Dual


Data Rate 3"), siendo la variante de memoria DDR3 para
computadoras porttiles.

Caractersticas de la memoria SODDR3:

+ Todas las memorias SODDR3 cuentan con 204 terminales,


Figura 5. Memoria SODDR3, especiales
para computadoras porttiles.
204 terminales, 1066 MHz.
+ Las dems especificaciones como latencia, capacidades de
almacenamiento, velocidad, etc. son iguales a la del formato
DDR3 para computadora de escritorio.
- Auto evaluacin, dudas y correcciones sobre los temas

LA MEMORIA RAM TIPO DDR4

Animacin del funcionamiento de una memoria DDR4

Como apoyo a la comprensin del tema, te ofrecemos una animacin sobre el


funcionamiento interno de una memoria RAM:

Figura 1. Animacin de funcionamiento interno de una memoria RAM

1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor
1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor
0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin se


pierde.
4) Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga constante ya que tienden a
descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 un 1, esto se le llama
"refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente
poco eficaces.

- Definicin de memoria tipo DDR4

DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisin
doble de datos cuarta generacin: se trata de el estndar desarrollado inicialmente
por la firma Samsung para el uso con nuevas tecnologas. Al igual que sus
antecesoras, se basa en el uso de tecnologa tipo DRAM (RAM de celdas construidas a
base de capacitores), cuentan con 288 terminales, las cules estn especializadas
para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generacin con
soporte Intel Haswell-E (X99). Tambin se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a
que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el
primer estndar DIMM. (Extrado de InformaticaModerna.com)

Se espera que este estndar sea el reemplazo del estndar de memorias RAM tipo
DDR-3 ("Double Data Rate - 3 ").

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-4, marca Crucial, modelo CT4K16G4RFD4213,


capacidad 16 GB.

- Caractersticas generales de la memoria DDR3

+ Cuentan con 288 terminales para la conexin a la Motherboard.


+ Cuentan con una muesca en un lugar estratgico del conector, para que al
insertarlas no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta para evitar que se
inserten en ranuras inadecuadas.
+ Como sus antecesores, pueden estar no ocupadas todas sus ranuras para
memoria.
+ Utiliza la tecnologa de 30 nanmetros para su fabricacin.
+ Tiene un voltaje de alimentacin de 1.2-1.35 Volts, menor a las anteriores
versiones DDR.
- Partes que componen la memoria DDR4

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn
soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son mdulos de memoria voltil.

3.- Conector de 288 terminales: base de la


memoria que se inserta en la ranura especial para
memoria DDR4.

4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro de la


ranura de memoria DDR4.

Figura 3. Esquema de partes de


la memoria DDR-4
- Conectores - terminales para la ranura

Solo hay una versin fsica, el mdulo puede llevar disipador no segn el
fabricante:

Conect
Figuras
or

Conector de
la memoria
DDR-4
288
termin
Ranura de
ales
la tarjeta pri
ncipal
(similar)

- Velocidad de la memoria DDR4

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En


el caso de los DDR-4, tiene principalmente una velocidad dada a conocer, a la cul se
tienen que adaptar los dems componentes del resto del sistema. Bsicamente se
present la siguiente:

Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side


Nombre asignado
Bus")
2133 MHz / 2400 Mhz / 2666 Mhz / 2800 Mhz /
PC4-17000
3000 Mhz / 4266 Mhz?
- El tiempo de acceso de la memoria DDR-4

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tiempo de respuesta en nanosegundos


Tipo de memoria
(nseg)
PC4-17000 (No disponible) nseg.
- Latencia de la memoria DDR-4

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cul es el tiempo que emplea la memoria en


colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definicin es "Tiempo que toma a un
paquete de datos en llegar a su destino". Este factor est relacionado directamente con
la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar est, tambin aumenta la
latencia.

Tipo de memoria Latencias (CL)


DDR4 PC4-14900E 12-15

- Capacidades de almacenamiento DDR-4

La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria


DDR-4 es el GigaByte (GB). El modelo presentado es el siguiente:

Tipo de memoria Capacidad en Gigabytes (GB)


DDR-4 288 terminales en un slo mdulo 2 GB, 4 GB, 8 GB y 16 GB

Se pueden encontrar memorias de "32 GB y hasta 64 GB", sin embargo se trata de


Kits, es decir, 2 4 mdulos de 16 GB que suman 32 GB y 64 GB respectivamente,
Ejemplo:http://media.kingston.com/pdfs/HX_Predator_DDR4_US.pdf

- Usos especficos de la memoria DDR-4

Los DDR-4 de 288 terminales es un formato que se encuentra desarrollada para el


uso en sistemas con soporte X99 Intel Chipset (Haswell), por lo que para AMD an
no esta disponible.

- La memoria SODDR4 (Variante DDR4)


Significado de SODDR4: proviene de
("Small Outline Dual Data Rate 4"), siendo la
posible variante de memoria DDR4 para
computadoras porttiles, sin embargo an no se
encuentra disponible para este tipo de
dispositivos sino slo para ciertas placas de la
marca Intel

Caractersticas de la memoria SODDR4:

+ Cuentan con 260 terminales, especiales


para la ranura.
+ Las dems especificaciones como latencia,
capacidades de almacenamiento, velocidad, etc.
Figura 4. Memoria SODDR4, modelo son similares a la del formato DDR4 para
KVR21SE15S8/4204, marca computadora de escritorio.
Kingston, 2133 Mhz
Se encuentra disponible con tecnologa ECC para
el uso con procesadores para servidor Intel
Xeon

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