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PRCTICA PD1
CARACTERSTICAS DE VOLTAJE CONTRA CORRIENTE DE
DIODOS SEMICONDUCTORES
OBJETIVOS
1.1 INTRODUCCIN
Vlvula abierta
Vlvula cerrada
Presin
Esta analoga sirve para explicar el funcionamiento de un diodo, ya que idealmente el diodo se
comporta como una vlvula electrnica. Cuando se aplica un voltaje entre las terminales de un diodo, la
polaridad del voltaje aplicado provoca que el diodo se encuentre en uno de dos estados posibles:
Estado 1. El diodo conduce la corriente en una determinada direccin. Este estado tambin es llamado
de polarizacin directa. Se dice que el diodo se encuentra polarizado directamente cuando aplicamos
un voltaje positivo de nodo con respecto al ctodo. En la Figura 1.2 (a) y (b), se observa como el
comportamiento del diodo es similar al de un interruptor cerrado permitiendo la circulacin de
corriente.
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PD1 - Caractersticas V-I de Diodos
Diodo como
Diodo interruptor cerrado
1N4007
I I
Direccin de la corriente Direccin de la corriente
Carga Carga
-- V + -- V +
Fuente de Fuente de
voltaje voltaje
(a) (b)
Figura 1.2 a) Representacin de un circuito con diodo en polarizacin directa. b) Circuito equivalente simplificado
Estado 2. El diodo bloquea el flujo de la corriente en sentido inverso. Este estado tambin es llamado
de polarizacin inversa. Se dice que el diodo se encuentra polarizado inversamente cuando aplicamos
un voltaje negativo de nodo con respecto al ctodo. En la Figura 1.3 (a) y (b), se observa como el
comportamiento del diodo es similar al de un interruptor abierto, y por lo tanto, no permite el flujo de
corriente. Observe que en este caso la polaridad de la fuente de voltaje se ha invertido en comparacin
con el circuito de la Figura 1.2(a).
Carga Carga
+ V -- + V --
Fuente de Fuente de
voltaje voltaje
(a) (b)
Figura 1.3 a) Representacin de un circuito con diodo en polarizacin inversa. b) Circuito equivalente simplificado
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PD1 - Caractersticas V-I de Diodos
Un diodo se construye uniendo dos capas de materiales semiconductores, una capa de material
semiconductor tipo P y una capa de material tipo N. En la Figura 1.4(a) se representa la estructura
bsica de un diodo. La terminal conectada a la regin N es llamada ctodo (K), y la terminal conectada
a la regin P, se conoce como nodo (A). Por otro lado, en la Figura 1.4(b) se ilustra el smbolo
elctrico usado para representar el diodo.
nodo Ctodo
(A) (K)
(a) (b)
Bibliografa
Libro de Texto:
Microelectronics; Circuit Analysis and Design (Chapter 1)
Donal A. Neamen, McGraw Hill, 3rd Edition, 2007
Libros de Consulta:
Electronic Devices (Chapter 1)
Thomas L. Floyd, Prentice Hall, 6th Edition, 2002
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PD1 - Caractersticas V-I de Diodos
Instrucciones
Siga detalladamente las instrucciones para cada uno de los puntos que se plantean en la
presente actividad. Conteste y/o resuelva lo que se le pide en los espacios correspondientes para cada
pregunta. Hgalo de manera ordenada y clara. En el reporte agregue en el espacio asignado grficas
comparativas, anlisis de circuitos, simulaciones en computadora, ecuaciones, referencias
bibliogrficas, ejemplos, aplicaciones, segn sea el caso.
No olvide colocar una portada con sus datos de identificacin as como los datos relacionados
con la prctica en cuestin, como nmero de prctica, titulo, fecha, etc.
Utilizando una analoga diferente a la de la vlvula check describa con sus propias palabras el
funcionamiento ideal de un diodo.
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Dibuje el smbolo elctrico del diodo y especifique las terminales de nodo y ctodo. Dibuje
tambin la estructura interna de las capas de semiconductor de un diodo e identifique sus
terminales.
Realice una comparacin entre las caractersticas de voltaje contra corriente real de un diodo y
su caracterstica ideal.
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PD1 - Caractersticas V-I de Diodos
II) Hoja de especificaciones de diodos. Los datos que los fabricantes proporcionan en sus hojas de
especificaciones acerca de los dispositivos semiconductores son piezas claves para la correcta
utilizacin del dispositivo. Estas incluyen grficas, tablas, identificacin de terminales, materiales
utilizados en la construccin del dispositivo, temperaturas de operacin, corrientes mximas
permitidas, dimensiones, recomendaciones generales, etc..
A continuacin se presenta una lista con los datos ms importantes que deben conocerse para una
correcta utilizacin de un diodo. Se pide que comprendas el significado de cada uno de ellos.
1. Tipo de diodo
2. El voltaje de conduccin en directa VF (a una corriente y temperatura especficas)
3. La corriente directa mxima IF (a una temperatura especfica)
4. La corriente de saturacin inversa IR (a un voltaje y temperatura especficos)
5. El voltaje de ruptura VBR (breakdown) (a una temperatura especificada)
6. La capacidad mxima de disipacin de potencia a una temperatura en particular
7. El tiempo de recuperacin inverso trr
8. El rango de temperatura de operacin
Otros datos adicionales que dependen del tipo de diodo que se trate son: rango de frecuencia,
caractersticas pticas, el nivel de ruido, el tiempo de conmutacin, los niveles de resistencia
trmica y los valores pico repetitivos.
III) Imprima la hoja de datos del fabricante para los siguientes modelos de diodos: 1N4001, HLMP-
M200 y 1N5818. Estudie la hoja de datos de cada modelo. Nota, tome en cuenta que algunos
fabricantes pueden omitir algunos parmetros.
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PD1 - Caractersticas V-I de Diodos
IV) Tomando en cuenta la informacin contenida en la hoja de datos de cada modelo de diodo conteste
lo siguiente:
A que tipo de diodo corresponde cada modelo. Llene la siguiente tabla comparativa:
Para cada modelo indicado, llene la siguiente tabla con los parmetros que se especifican en
ella. Considere los parmetros a temperatura ambiente (25C).
Corriente de saturacin
inversa IR a voltaje inverso
VR mximo
Disipacin mxima de
potencia
Rango de temperaturas de
operacin
Para los tres modelos de diodos, observe los valores de corriente directa (IF) promedio o
continua y comprelos con los de la corriente directa pico no repetitiva. En relacin a estos
valores de corriente Qu puede concluir? Suponga que en cada uno de los diodos mantenemos
constante el valor de la corriente pico durante un tiempo prolongado. Qu efecto tendra esta
accin en el dispositivo?
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PD1 - Caractersticas V-I de Diodos
1.3 PROCEDIMIENTO
En esta seccin se construirn, de forma experimental, las curvas caractersticas de voltaje
contra corriente para tres diferentes modelos de diodos. A partir de ellas se obtendrn varios parmetros
de inters, tales como la resistencia interna del diodo, voltaje de umbral, corriente de saturacin
inversa, voltaje trmico, etc. Una vez recolectados los datos para cada modelo de diodo, se pide que a
partir de esta informacin se identifique el modelo especfico de cada uno.
Para la construccin de la curva caracterstica de voltaje contra corriente, ajuste el valor de voltaje de la
batera de acuerdo a las siguientes recomendaciones: para voltajes positivos se sugieren incrementos de
0.05 a 0.1V; mientras que para valores negativos es recomendable realizar incrementos de 0.5 a 1V.
Observe en la Figura 1.5 como este voltaje se aplica directamente a las terminales del diodo. Una vez
seleccionado el nivel de voltaje, presione el botn Execute. Esta accin es la encargada de aplicar el
voltaje seleccionado fsicamente al dispositivo semiconductor. Para cada nivel de voltaje aplicado, el
sistema mide la corriente que se establece en el diodo y grafica a la vez cada punto de voltaje contra
corriente. Debe ir ajustando el valor de la fuente de voltaje, tanto para valores positivos como para
valores negativos, de manera que vaya construyendo la curva caracterstica del diodo.
I) Voltaje Trmico VT
a) Temperatura de operacin del diodo. Tome la lectura de la temperatura (en C) a la cual estn
operando los diodos, este dato se puede obtener de la interfase grfica del Laboratorio Remoto de
Electrnica (eLab).
b) Voltaje Trmico VT. Con el dato de temperatura obtenido en el inciso anterior calcule el Voltaje
Trmico. Realice los clculos en el siguiente espacio y anote su resultado.
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PD1 - Caractersticas V-I de Diodos
Voltaje Trmico VT
c) Calculo de la resistencia promedio. Ahora se calcular la resistencia promedio para este diodo en
varios puntos de operacin. Utilizando los resultados del inciso anterior, realice los clculos respectivos
y llene la siguiente tabla.
Vd V V3 Vd V V5 Vd V V8
rAV 1 rAV 3 rAV 6
I d I D1 I D 3 I d I D3 I D5 I d I D 6 I D8
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PD1 - Caractersticas V-I de Diodos
Diodo 1 rd = rd = rd =
e) Voltaje de umbral. Con la curva caracterstica de voltaje contra corriente obtenida en el inciso a)
del procedimiento realice los trazos adecuados para calcular el voltaje de umbral del diodo. Se
recomienda que realice el siguiente procedimiento: primero, trace una lnea recta tangente a la regin
de plena conduccin del diodo, enseguida, extienda esta lnea hasta que sta cruce el eje horizontal.
Finalmente, el voltaje en el cual la lnea recta corta el eje horizontal corresponde al voltaje de umbral
VTh del diodo.
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PD1 - Caractersticas V-I de Diodos
c) Calculo de la resistencia promedio. Ahora se calcular la resistencia promedio para este diodo en
varios puntos de operacin. Utilizando los resultados del inciso anterior, realice los clculos respectivos
y llene la siguiente tabla.
Vd V V3 Vd V V5 Vd V V8
rAV 1 rAV 3 rAV 6
I d I D1 I D 3 I d I D3 I D5 I d I D 6 I D8
Diodo 2 rd = rd = rd =
e) Voltaje de umbral. Con la curva caracterstica de voltaje contra corriente obtenida en el inciso a)
del procedimiento realice los trazos adecuados para calcular el voltaje de umbral del diodo. Se
recomienda que realice el siguiente procedimiento: primero, trace una lnea recta tangente a la regin
de plena conduccin del diodo, enseguida, extienda esta lnea hasta que sta cruce el eje horizontal.
Finalmente, el voltaje en el cual la lnea recta corta el eje horizontal corresponde al voltaje de umbral
VTh del diodo.
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PD1 - Caractersticas V-I de Diodos
Para el presente diodo, a continuacin, anote el valor del voltaje de umbral obtenido:
c) Calculo de la resistencia promedio. Ahora se calcular la resistencia promedio para este diodo en
varios puntos de operacin. Utilizando los resultados del inciso anterior, realice los clculos respectivos
y llene la siguiente tabla.
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PD1 - Caractersticas V-I de Diodos
Vd V V3 Vd V V5 Vd V V8
rAV 1 rAV 3 rAV 6
I d I D1 I D 3 I d I D3 I D5 I d I D 6 I D8
Diodo 3 rd = rd = rd =
e) Voltaje de umbral. Con la curva caracterstica de voltaje contra corriente obtenida en el inciso a)
del procedimiento realice los trazos adecuados para calcular el voltaje de umbral del diodo. Se
recomienda que realice el siguiente procedimiento: primero, trace una lnea recta tangente a la regin
de plena conduccin del diodo, enseguida, extienda esta lnea hasta que sta cruce el eje horizontal.
Finalmente, el voltaje en el cual la lnea recta corta el eje horizontal corresponde al voltaje de umbral
VTh del diodo.
Para el presente diodo, a continuacin, anote el valor del voltaje de umbral obtenido:
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PD1 - Caractersticas V-I de Diodos
1.- Para cada tipo de diodo, observe la tabla obtenida en el inciso (c) del procedimiento qu sucede
con su resistencia promedio a medida que disminuye la corriente que circula por l? Proporcione una
explicacin para estos resultados.
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2) Para cada tipo de diodo, observe los datos obtenidos en el inciso (d) del procedimiento. Qu sucede
con la resistencia dinmica a medida que disminuye el punto de operacin? Justifique su respuesta
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3) Para cada diodo compare los resultados obtenidos en el inciso (c) y (d) del procedimiento. Explique
el motivo de las diferencias en los resultados de ambos incisos.
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4) Para los modelos de diodos analizados en la presente prctica realice una comparacin entre sus
voltajes de umbral. Complete la siguiente tabla.
A continuacin, mencione cuales son las causas que dan lugar a las diferencias en los resultados de la
tabla anterior.
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5) De los modelos de diodos analizados en el punto IV de la actividad previa y en base a las mediciones
efectuadas en el procedimiento Determine el modelo correspondiente para cada tipo de diodo
analizado en el procedimiento de la practica?
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