GUA N 4

Facultad: Aeronutica Asignatura: Electrnica Analgica

Ttulo: Uso de Equipo Electrnico
Lugar de ejecucin: 3.21 Fundamentos Generales CITT UDB
Tiempo de ejecucin: 3 hrs.
I. Objetivos

Prueba de transistores bipolares con el ohmetro.

Encontrar la curva de Ic-Ib.
Encontrar la recta de carga, enfatizando condiciones de corte y saturacin.
Determinar el punto Q para un transistor de tipo NPN y PNP.

II. Introduccin

El transistor bipolar es un dispositivo amplificador de corrientes, pudiendo hacerse una

comparacin con una llave de agua en la cual, por medio de la llave se regula el flujo, as tambin,
regulando la corriente en la juntura base-emisor, puede limitarse la corriente que existe entre los
terminales de colector y emisor.
Es muy importante considerar las condiciones de corte y saturacin de un transistor, ya que
puede distorsionar las seales que amplifica obtenindose resultados no deseados en
amplificadores de seal, donde el BJT juega un papel muy importante.

Se recuerda que

Existen diversas formas de lograr que el BJT se site en las regiones de conduccin o
saturacin, en cuanto a la circuitera que lograr una corriente en la juntura base emisor, se
mencionan:

1. POLARIZACION FIJA . Uno de los mtodos ordinarios de polarizar un transistor es el de

polarizacin fija. En esta polarizacin si nos basamos en un transistor NPN la base y el colector
se hacen positivas con respecto al emisor por medio de una tensin de alimentacin. La
resistencia de base Rb se elige de modo que provea la corriente de base que se desea para Q1,
la cual a su vez
establece la corriente de emisor deseada Ic. Este tipo de polarizacin se subdivide a su vez en
polarizacin fija con realimentacin de colector y polarizacin fija con realimentacin de emisor.

2. AUTOPOLARIZACION. Este tipo de polarizacin solventa los inconvenientes que tiene el

mtodo de polarizacin fija a costa de una reduccin de la ganancia efectiva del circuito. El
resistor de la base se conecta directamente al colector, contribuyendo esto a estabilizar el punto
de trabajo a causa de un aumento o disminucin de la corriente de colector producir una
disminucin o un aumento respectivamente en la polarizacin de la base.

Prueba de transistor mediante hmetro

Se puede utilizar un hmetro o las escalas de resistencia de un multmetro digital

(DMM, por sus siglas en ingls) para verificar el estado de un transistor.
Recuerde que para un transistor en la regin activa la unin base a emisor est
polarizada en directa y la unin base a colector est en inversa. En esencia, por
consiguiente, la unin polarizada en directa deber registrar una resistencia
relativamente baja, en tanto que la unin polarizada inversa muestra una
resistencia mucho ms alta. Para un transistor npn, habr que verificar la unin
polarizada en directa (polarizada por la fuente interna en el modo de resistencia)
de la base al emisor como se muestra en la figura 1 y la lectura por lo general
quedar dentro del intervalo de 100 a algunos kilohms; tambin la unin base
a colector polarizada en inversa (de nuevo polarizada en inversa por la fuente
interna), como se muestra en la figura 2 con una lectura por lo general de ms
de 100 . Para un transistor pnp los cables se invierten para cada unin.
Obviamente, una alta o baja resistencia en ambas direcciones (al invertir los
cables) en cualquier unin de un transistor npn o pnp indica un dispositivo
defectuoso.

Figura 1. Verificacin de la unin base a emisor polarizada en directa de un transistor NPN

Figura 2. Verificacin de la unin base a colector polarizada en inversa de un transistor NPN

Modalidad X-Y en el osciloscopio.

Muchos osciloscopios no solo nos permiten presentar seales en funcin del tiempo (amplitud
vs tiempo o Y-T) sino que tambin nos permiten representar unas seales en funcin de otras
(X-Y). Con ello, lo que conseguimos es ver la relacin que puede existir entre dos canales del
osciloscopio

Esta configuracin produce unos patrones llamados figuras de Lissajous (en honor al fsico
francs Jules Antoine Lissajous) que es la representacin de una funcin en funcin de otra.
Esta figura son de especial inters para hacer anlisis de fase entre dos seales pero, tambin
tiene una utilidad muy interesante de cara a poder mostrar la relacin entre la tensin y la
corriente (I-V) de un componente (como veremos en el vdeo de hoy).

Cmo funciona el modo X-Y?

Antes de empezar veamos que es eso de representar una funcin frente a otra.

En la Figura superior podemos ver 2 seales cuadradas representadas en el tiempo. Si

observamos estas seales, estn oscilando entre 0 y 100. Ahora imaginemos que en un instante
de tiempo determinado tomamos una medida de la tensin de cada una de ellas. En el primer
instante de tiempo, podemos ver como la seal 1 tiene un valor de 0 y la seal 2 tambin. Por lo
tanto ya tenemos unas coordenadas (0, 0) que presentaremos en pantalla como un punto. En el
siguiente instante de tiempo, tenemos la seal en (100, 100) y as sucesivamente. Si
proyectamos esto en una representacin (X, Y) lo que tendremos es una grfica de dos puntos:
(0, 0) y (100, 100). Pero nuestra seal no es tan rpida y tiene un tiempo de subida y bajada,
adems nuestro osciloscopio es muy rpido (en comparacin) y por lo tanto podremos ver
durante la subida y bajada de la seal los puntos intermedios.
 III. Materiales y Equipo

N Cantidad Descripcin
1 1 Tarjeta DEGEM EB-111
2 1 PC Oscilloscope PicoScope 2205
3 2 Puntas para osciloscopio
4 1 Transistor 2N2222
5 1 Transistor 2N2905
6 1 Unidad PU-2000
7 1 Multmetro

IV. Procedimiento

1. Prueba de transistores bipolares con el hmetro.

1.1 Transistor NPN.

Busque la hoja de datos (hoja tcnica) 2N2222 y coloque la distribucin de terminales

a la figura 3.

___ ___ ___

Figura 3. Transistor 2N2222

Haciendo uso del hmetro (multmetro), complete la tabla 1. Conecte el terminal del
multmetro en el terminal del transistor que se indica, y luego anote el valor de la
resistencia.

Tabla 1. Mediciones de resistencia en transistor NPN

Emisor Base Colector Valor ()

+ -
+ -
+ -
- +
- +
- +
Qu puede concluir de los resultados obtenidos?
1.2 Transistor PNP.

Busque la hoja de datos (hoja tcnica) 2N2905 y coloque la distribucin de terminales

a la figura 4.

___ ___ ___

Figura 4. Transistor 2N2905

Haciendo uso del hmetro (multmetro), complete la tabla 2. Conecte el terminal del
multmetro en el terminal del transistor que se indica, y luego anote el valor de la
resistencia.

Tabla 2. Mediciones de resistencia en transistor PNP

Emisor Base Colector Valor ()

+ -
+ -
+ -
- +
- +
- +

Qu puede concluir de los resultados obtenidos?

2. Obtencin de la curva caracterstica de entrada del transistor bipolar

Busque al circuito que contiene el transistor Q1. Est en la esquina superior derecha de la
tarjeta EB-111, y se muestra en la figura 5.

Arme el circuito y ponga el micro ampermetro (uA) en la base del transistor y el Canal A del
osciloscopio entre la base y el emisor. El osciloscopio debe estar en acople DC. Time div:
10m/s, Volt/Div: Auto.
 Figura 5. Circuito caracterstico de entrada del transistor BJT.

Ajuste a RV1 para obtener los valores de corriente de base que se indican en la tabla 3.

Es importante agregar una medicin: Mxima para obtener el voltaje (VBE) en canal A y
completar en la tabla 3.

En la tabla se muestran el valor nominal y el valor real de la corriente. Por ejemplo para la
primera medicin se puede ajustar a 8uA y el valor del VBE que se muestra en el canal A del
osciloscopio corresponden a las primeras mediciones; Para las prximas mediciones se
pueden realizar con los valores de IB: 20uA, 40 uA, 160uA.

Tabla 3. Corrientes y voltajes de entrada para el transistor BJT.

Para cada valor de corriente de base, mida la tensin de base a tierra (referencia) y anote los
resultados en la tabla 3.

Dibuje en la figura 6 utilizando los valores de corriente de base en funcin de la tensin de

base a emisor obtenidos en la tabla 3.
IB(uA)

VBE(V)
0
Figura 6. Curva caracterstica de entrada del transistor.
3. Obtencin de la curva caracterstica de entrada del transistor bipolar
Implemente el circuito de la figura 7.
Ponga el resistor R5 en cortocircuito con un puente y conecte PS-1 al colector del transistor.

Figura 7. Circuito de polarizacin.

La corriente de base IB se mide con un ampermetro conectado entre RV1 y la alimentacin de

5V.

Ajuste a RV1 para obtener una corriente de base de 10A. Quite el ampermetro y puentee la
alimentacin de 5 voltios a RV1.

Ajuste la fuente PS-1 a 0.5 voltios. Conecte el ampermetro en serie con PS-1 y anote la
corriente de colector en la tabla 4.

Tabla 4. Corriente de colector en funcin de Vce e Ib.

Vare a PS-1 a todos los valores de Vce de la tabla 4. Para cada tensin anote la corriente de
colector. Nunca altera la resistencia de RV1.

Ahora repita los pasos anteriores para corrientes de base de 20, 40, 80 A.

Grafique la familia de curvas de Ic en funcin de Vce con Ib como parmetro, en la figura 8.

(Grafique una curva para cada valor de la corriente de base indicada en la tabla 4)

Identifique y sombree las tres zonas de trabajo (activa, saturacin y corte) en el grfico de la
figura 8.
De las curvas, halle la ganancia de corriente de la zona lineal. La ganancia de corriente tpica
es:
Ic(mA)

Vce(V)
Figura 8. Familia de curvas Ib- Ic para un transistor NPN tpico.

II PARTE.

4. Recta de carga.
En esta etapa se har uso del circuito que incluye Q4 de la unidad EB-111. Ajuste la fuente, el
osciloscopio y el generador como se detalla a continuacin: (No los conecte entre ellos an)

Conecte PS-1 con tensin de 12V, R14 en la regin de colector, emisor directamente a GND y
la salida de baja tensin del generador de seales en el borne izquierdo de Rbase.

Osciloscopio. Con el generador de seales, aplique una tensin triangular: 1Vpp con un offset
tal que presente valores positivos nicamente (Arriba de 0.4V). La idea es lograr una tensin
variable en el tiempo entre 0 y 12 voltios en el colector.

Conecte ahora el osciloscopio as:

Canal B en el colector.
Canal A en el borne izquierdo de Rbase.
Modalidad de grfica X-Y.

Para activar la modalidad de la grfica X-Y:

Click derecho sobre la pantalla del osciloscopio: Aadir vista: XY

La grfica a obtener es una lnea recta con pendiente negativa que no tiene interseccin con
ninguno de los ejes de referencia.
Explique cmo influye en el grfico la tensin base emisor, en trminos del offset observado
en la pantalla del osciloscopio.

Interprete el significado de la seal obtenida. Grafquela a continuacin.

5. Punto de operacin.

En esta seccin se utilizar el circuito que incluye a Q4.

Use los conectores cortos para unir aquellos bornes que incluyen:
C1.
Cortocircuito para R11.
R14.
R16.
PS-1
Regulando PS-1 a 6 voltios y RV3 de manera que la tensin entre colector y emisor de Q4 sea
de 3 voltios, llene la tabla 5.

Tabla 5. Parmetros de un punto Q para el transistor Q4

Con los valores obtenidos anteriormente determine el valor de beta ( )

= _______ / ________ = ____________

V. Anlisis de resultados

Qu significa polarizacin en un transistor?
Cules regiones de operacin experiment Ud. en esta gua?
Dira Ud. que una polarizacin en saturacin especfica como la parte II, significa Ic Max para
el transistor?
Para qu sirven las resistencias de polarizacin en un transistor?
Por qu es muy difcil fijar el punto Q, en un circuito de polarizacin de base? Razone su
respuesta.
Cmo mejora el circuito de polarizacin fija al aadirle la resistencia de emisor? Explique.
Explique el funcionamiento de la polarizacin por realimentacin de colector.

VI. Bibliografa

Boylestad, Robert, Electrnica, teora de circuitos, sexta edicin. Edit. Prentice-Hall

hispanoamericana, S. A. 1997