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REALIZADO POR:
OBJETIVOS
BASES TERICAS
Donde:
Io es la corriente inversa
V es la tensin anodo-catodo
K es la constante de boltzman
La corriente circula por el circuito durante medio periodo (duracin de media onda)
y produce en los extremos de la resistencia de carga una media onda positiva de
tensin. El valor medio Vm de la tensin rectificada en la carga R viene dado por
PROCEDIMIENTO PRCTICO
ANALISIS DE RESULTADOS
Preguntas:
Aumentar progresivamente la tensin de alimentacin y medir la
tensin en los extremos del diodo de silicio para obtener los valores
Desconectar los puentes J8 y J9 y conectar los puentes J10 y J11
Repetir las medidas para el germanio y anotar los daros en la tabla
Desconectar todos los puentes del modulo
Conectar los puentes J1, J8, J9, J6 y el ampermetro en los extremos
de J7, de manera de realizar las medidas cuando el diodo esta
polarizado inversamente
Para los valores de la tensin de alimentacin indicados en la tabla,
medir la corriente que circula a travs del diodo al silicio y anotar los
valores
Desconectar los puentes J8 y J9 y conectar J10 y J11; luego repetir
las medidas en polarizacin inversa para el diodo D2 al germanio
Conectar los puentes J14, J24, J31, J27, J20 y el ampermetro, de manera
de realizar el siguiente circuito
Regular RV2 para obtener la corriente mnima en el circuito
Conectar el osciloscopio de manera de visualizar la seal de entrada y la
tensin presentes en los extremos de la carga (serie de R4 con RV2)
Comparar las dos formas de onda y determinar cuando el diodo conduce
4. Que diferencias presentan las dos seales visualizadas?
R= dos seales estn en fase, en la de carga falta media onda negativa,
mientras que la de entrada tiene amplitud levemente superior
Cuestionario recapitulativo
R=
REALIZADO POR:
OBJETIVOS
BASES TERICAS
Ecuaciones fundamentales
Considerando como sentido de las corrientes de las cargas mviles
positivas, se consideran validas las siguientes relaciones
IE= IC+IB
IC= IE+ ICBO
Donde
El coeficiente tiene un valor comprendido entre 0.9 y 0.999
Curvas caractersticas
Las relaciones anteriores pueden expresarse de forma grafica mediante las
curvas caractersticas indicadas a continuacin
MATERIALES UTILIZADOS EN LA PRCTICA
PROCEDIMIENTO PRCTICO
ANALISIS DE RESULTADOS
Preguntas:
R= Con dos diodos conectados en serie y en oposicin, con la base como centro
comn
IB A Ic mA Hfe (Ic/Ib)
10 3.2 320
30 9.75 325
50 16.1 322
70 21.51 307
90 23.08 256
2. dentro de cuales valores est comprendido el valor de Hfe?
R= 100-400
Cuestionario recapitulativo
5. En un transistor NPN estn presentes
R= 2 uniones
Vimos dos tipos de diodos, los que son al silicio y los que son al germanio,
de ellos podemos concluir que la resistencia directa del diodo de silicio es
pequea pero superior a la del diodo al germanio; en cambio, las dos resistencias
inversas son elevadas.