You are on page 1of 21

REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA.

UNIVERSIDAD RAFAEL URDANETA.

ESCUELA DE INGENIERA INDUSTRIAL.

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRICOS Y ELECTRONICOS.

DOCENTE: CLAUDIO BUSTOS.

Prcticas #11 CARACTERISTICAS DEL DIODO

REALIZADO POR:

BOLAOS PATRICIA C.I.:24736615

RAMREZ MARINA C.I.:24404274

BRACHO KARLA C.I.:25189864

Maracaibo, 17 de abril de 2015.


Practica #11. CARACTERISTICAS DEL DIODO

OBJETIVOS

Medida de la resistencia directa e inversa de un diodo


Trazado de la curva caracterstica tensin- corriente
Anlisis del rectificador de media onda

BASES TERICAS

El diodo es un dispositivo de semiconductor compuesto por la unin P-N y


su curva caracterstica corriente-tensin es la que muestra en la figura

Los parmetros caractersticos visualizados en el grafico son:

La tensin de ruptura Vz, a la cual se verifica el efecto avalancha; en


correspondencia de dicha tensin se tiene un rpido incremento de la
corriente que, si no se limita correctamente, provoca la destruccin del
diodo
La tensin de umbral Vs, a la cual el diodo comienza a conducir
considerablemente; para valores de tensin de polarizacin directa
superiores a este, la corriente crece rpidamente
En la polarizacin directa, la corriente puede expresarse mediante la ecuacin:

Donde:

Io es la corriente inversa

Q es la carga del electrn

V es la tensin anodo-catodo

N es una constante que depende del tipo de semiconductor

K es la constante de boltzman

T es la temperatura del semiconductor en grados kelvin

En la ecuacin se observa que la corriente que circula a travs de un diodo es


funcin no solo de la tensin de alimentacin, sino tambin de la temperatura

Otro parmetro importante que caracteriza un diodo de semiconductor es la


resistencia diferencial, la cual se define como la relacin entre una pequea
variacin de tensin y la correspondiente variacin de corriente alrededor de un
punto de trabajo; grficamente dicho parmetro esta dado por el inverso de la
pendiente de la curva que se muestra en la figura

El smbolo grafico del diodo se muestra

Se ha visto que un diodo conduce solo si se polariza directamente, por lo tanto,


alimentando un diodo con tensin alterna, es fcil verificar que solo la media onda
positiva provocara en el circuito una circulacin de corriente, dado que la
componente negativa se cortara. El circuito ms sencillo que utiliza el diodo como
rectificador se muestra en la figura

La corriente circula por el circuito durante medio periodo (duracin de media onda)
y produce en los extremos de la resistencia de carga una media onda positiva de
tensin. El valor medio Vm de la tensin rectificada en la carga R viene dado por

Y el valor eficaz viene dado por

MATERIALES UTILIZADOS EN LA PRCTICA

Unidad bsica para sistema IPES


Modulo de experimentacin MCM3/EV
Multimetro
Osciloscopio con onda diferencial

PROCEDIMIENTO PRCTICO

MCM3= desconectar todos los puentes


SIS1= situar tolos los interruptores en la posicin off

SIS2= teclear el cdigo de la leccin B03

Medida de la conduccin directa e inversa de un diodo

Predisponer el multimetro para medidas de resistencia


Medir el grado de conduccin (elevado, medio, bajo) que presentan los
diodos, D1 (al silicio) y D2(al germanio), polarizndolos directamente e
inversamente; luego, anotar los resultados en la tabla

ANALISIS DE RESULTADOS

Preguntas:

1. Que diferencias presentan los diodos al germanio y al silicio?


R= la resistencia directa del diodo de silicio es pequea pero superior a la
del diodo al germanio; en cambio, las dos resistencias inversas son
elevadas
directa Inversa material Voltaje
umbral
D1 20 20 silicio 0.6-0.7v
D2 10 K 3M germanio 0.2-0.3v
50 k
D3 3 k > 50 silicio 0.6-0.7v
1 M
Medida de la corriente en el diodo en funcin a la tensin aplicada
Conectar los puentes J2, J8, J9 Y J5 de manera de realizar el circuito
que se muestra en la figura


Aumentar progresivamente la tensin de alimentacin y medir la
tensin en los extremos del diodo de silicio para obtener los valores
Desconectar los puentes J8 y J9 y conectar los puentes J10 y J11
Repetir las medidas para el germanio y anotar los daros en la tabla
Desconectar todos los puentes del modulo
Conectar los puentes J1, J8, J9, J6 y el ampermetro en los extremos
de J7, de manera de realizar las medidas cuando el diodo esta
polarizado inversamente
Para los valores de la tensin de alimentacin indicados en la tabla,
medir la corriente que circula a travs del diodo al silicio y anotar los
valores
Desconectar los puentes J8 y J9 y conectar J10 y J11; luego repetir
las medidas en polarizacin inversa para el diodo D2 al germanio

Id (mA) Vd (D2) (V)


0.40 0.216
0.70 0.224
1.00 0.234
5.00 0.276
10.00 0.278
V (V) Id (ge) (D2) (mA)
5 0.45
10 0.54
20 0.64

2. Cul es el comportamiento del diodo al variar la tensin de alimentacin?


R= en polarizacin directa la corriente toma valores muy bajos hasta que la
tensin alcanza un valor propio del diodo; luego, crece exponencialmente;
en polarizacin inversa la corriente alcanza un valor muy pequeo y difcil
de medir

Trazado de la curva caracterstica volt- amperimetrica del diodo


Con los resultados obtenidod del apartado anterior, trazar las curvas
corriente- tension tanto para el diodo de silicio como para el diodo al
germanio.
Las curvas obtenidas pueden representarse mediante lineas
segmentadas, compuetsas por un tramo horizontal superpuesto al
eje de las tensiones y un tramo vertical levemente inclinado con
respecto al eje de las corrientes
El punto de corte de la recta identifica la tendion de umbral Vs del
diodo, a partir de la cual el diodo comienza a conducir
considerablemente
3. cuanto vale la tensin de umbral de los diodos D1 y D2?
R= 0.2-0.3 V para D2 y 0.5-0.7 v para D1

Deteccin de la curva caracterstica del diodo en el osciloscopio


Desconectar todos los puentes anteriormente conectados al modulo
Conectar los puentes J3, J7, J8, J9 y J4 de manera de realizar el
circuito que se muestra en la figura

Conectar la masa del osciloscopio al ctodo de D1, el canal 1


de manera de visualizacin de tensin en los extremos del
diodo y el canal 2 de manera de visualizacin de tensin en
los extremos de R1
Invertir el canal 1 del osciloscopio y seleccionar el modo de
visualizacin XY
Ya que la tensin VR1 es proporcional a la corriente que
circula a travs del diodo, se puede observar directamente la
curva caracterstica del diodo
Medir la tensin de umbral y calcular la pendiente de la curva
en el caso de conduccin directa
Desconectar los puentes J8, J9 y conectar los puentes J10 y
J11, luego, repetir las medidas anteriores al diodo al germanio
D2
Las formas de onda visualizadas en ambos casos deberan
ser anlogas a las representadas en la figura
Verificar si los valores de las tensiones de umbral medidas
con el osciloscopio son prximos a los obtenidos por la va
grafica del apartado anterior

Anlisis del rectificador de media onda

Conectar los puentes J14, J24, J31, J27, J20 y el ampermetro, de manera
de realizar el siguiente circuito


Regular RV2 para obtener la corriente mnima en el circuito
Conectar el osciloscopio de manera de visualizar la seal de entrada y la
tensin presentes en los extremos de la carga (serie de R4 con RV2)
Comparar las dos formas de onda y determinar cuando el diodo conduce
4. Que diferencias presentan las dos seales visualizadas?
R= dos seales estn en fase, en la de carga falta media onda negativa,
mientras que la de entrada tiene amplitud levemente superior

SIS1= Situar el interruptor S23 en la posicin ON


SIS2= pulsar INS

5. Que se puede deducir a travs de las variaciones indicadas por los


instrumentos?
R= la resistencia de carga disminuyo

Cuestionario recapitulativo

6. Cul es el smbolo grafico del diodo

R=

7. la curva caracterstica tensin-corriente en el diodo depende de la


temperatura y del tipo de semiconductor?
R= si
REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA.

UNIVERSIDAD RAFAEL URDANETA.

ESCUELA DE INGENIERA INDUSTRIAL.

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRICOS Y ELECTRONICOS.

DOCENTE: CLAUDIO BUSTOS.

Practica #12. TRANSISTORES NPN Y PNP

REALIZADO POR:

BOLAOS PATRICIA C.I.:24736615

RAMREZ MARINA C.I.:24404274

BRACHO KARLA C.I.:25189864

Maracaibo, 17 de abril de 2015.


Practica #12. TRANSISTORES NPN Y PNP

OBJETIVOS

Reconocimiento de un transistor PNP o NPN


Medida de las resistencia interunion
Reconocimiento de los tres terminales base, emisor y colector
utilizando un hmetro
Verificacin de las relaciones fundamentales de corriente continua
Medida de corriente de colector en funcin de la corriente de base
Clculos de los factores y

BASES TERICAS

Estructuras PNP y NPN

Los modelos fsicos de los transistores PNP y NPN se muestran en la figura. La


zona central se denomina base mientras que los extremos se demominan emisor y
colector

El funcionamiento de los transistores se basa en la posibilidad de controlar la


corriente que fluye entre colector y emisor a travs de la aplicacin de una
corriente en la base, lo cual se obtiene polarizando directamente la unin base.
Emisor e inversamente la unin base- colector

En ausencia de tensiones de polarizacin, las barreras de potencial existentes se


muestran en las figuras
Funcionamiento del transistor PNP

En la condicin de funcionamiento normal el diodo base emisor D2 esta polarizado


directamente (polo positivo en el emisor y negativo en la base); en cambio el diodo
colector-base D1, esta polarizado inversamente y el colector tiene un potencial
negativo respecto a la base

Con el circuito base-colector abierto, ya que el diodo D2 esta polarizado


directamente, su barrera de potencial se reduce y de esta forma favorece un
desplazamiento de cargas positivas desde el emisor hacia la base

Consideremos ahora la situacin en la cual el circuito colector base aumenta, de


esta forma solo una pequea corriente de huecos positivos fluye desde la base
hacia el colector y al mismo tiempo una corriente de electrones fluye desde el
colector hacia la base

Supongamos ahora que tanto el circuito base-emisor como el circuito colector-


base se cierran simultneamente. El espesor de la base es muy delgado respecto
a la distancia media que pueden recorrer los huecos positivos procedentes del
emisor; una parte considerable de estas cargas puede atravesarlas y llegar a la
unin colector-base, donde sern atradas por el potencial negativo del colector,
creando as una corriente emisor-colector.

Un razonamiento anlogo lleva a resultados similares en el casi del transistor NPN


Las estructuras PNP y NPN constituyen la base constructiva de los transistores
bipolares o BJT

Los smbolos grficos correspondientes se muestran en la figura

La flecha en el smbolo grafico indica el sentido de la corriente de emisor. La


polarizacin correcta de un BJT se muestra en la figura
Las magnitudes que determinan el funcionamiento de un transistor de corriente
continua son

1. Las tres corrientes que circulan en el transistor (IB, IC, IE)


2. Las tres tensiones presentes en los extremos terminales (VBE, VCE, VCB)
3. Los dos coeficientes de amplificacin de corriente (, )

Ecuaciones fundamentales
Considerando como sentido de las corrientes de las cargas mviles
positivas, se consideran validas las siguientes relaciones
IE= IC+IB
IC= IE+ ICBO

Donde
El coeficiente tiene un valor comprendido entre 0.9 y 0.999

Curvas caractersticas
Las relaciones anteriores pueden expresarse de forma grafica mediante las
curvas caractersticas indicadas a continuacin
MATERIALES UTILIZADOS EN LA PRCTICA

Unidad bsica para sistema IPES


Modulo de experimentacin MCM4/EV
Multimetro

PROCEDIMIENTO PRCTICO

MCM4= desconectar todos los puentes

SIS1= situar tolos los interruptores en la posicin off

SIS2= teclear el cdigo de la leccin B13

Reconocimiento de un transistor PNP o NPN


En los transistores T2 y T3, determinar los pines que corresponden la base,
al colector y al emisor
Predisponer el hmetro en el alcance ms bajo, medir las resistencias de
unin entre base-emisor, base-colector y colector-emisor en los dos
sentidos de polarizacin
Verificar , con los valores de resistencia obtenidos, que el transistor T2 es
un NPN y el T3 es un PNP

ANALISIS DE RESULTADOS

B-C C-B B-E E-B C-E E-C


T2 4.8 M 4.9 M
T3 4.9 M 4.9 M

Preguntas:

1. En general Cmo puede representarse un transistor?

R= Con dos diodos conectados en serie y en oposicin, con la base como centro
comn

Verificacin experimental de las relaciones entre corrientes

Regular la alimentacin variable Vcc a 12V. conectar los puentes J2, J8 y


J6, luego, conectar los ampermetros de manera de realizar el circuito

Medir la corriente de colector Ic para los valores de la corriente base IB


Calcular la ganancia de corriente Hfe para cada valor de la tabla
IB A Ic mA Hfe (Ic/Ib)
10 3.22 320
30 9.75 325
50 16.1 322
70 21.51 307
90 23.08 256

IB A Ic mA Hfe (Ic/Ib)
10 3.2 320
30 9.75 325
50 16.1 322
70 21.51 307
90 23.08 256
2. dentro de cuales valores est comprendido el valor de Hfe?
R= 100-400

SIS1 situar el interruptor S1 en la posicin ON


SIS2 pulsar INS
3. Qu efecto se observa en el circuito y cul es la causa?
R= Ic se volvi nula debido a la desconexin del circuito de polarizacin de
la base

SIS1 situar en interruptor S1 en la posicin OFF

Relacin entre las corrientes de colector y de emisor


Variar el circuito anterior desconectando el ampermetro de la base
del transistor, conectar J5, desconectar J6 y conectar el ampermetro
en los extremos 5-6 para poder medir la corriente de emisor
Girar RV1 para obtener Ic= 25mA
Medir el valor de Ie
Calcular el coeficiente
4. Cunto vale ?
R= es un poco inferior a 1

Cuestionario recapitulativo
5. En un transistor NPN estn presentes
R= 2 uniones

6. El coeficiente de amplificacin de un transistor se define con


R= IC/IE

7. Eligiendo como sentido convencional para las corrientes el de las cargas


mviles positivas, para un transistor BJT PNP la relacin correcta es
R= IE=IC+IB

8. Los coeficientes y estn relacionados mediante las expresiones


R= =/(1-)

9. Si en un transistor =50, Cunto vale ?


R= 0.98
CONCLUSIONES

Ma. Virginia Bohrquez CI 24382401

En esta prctica, aprendimos lo que es un diodo, el cual es un componente


electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a
travs de l en un solo sentido. Se ha visto que un diodo conduce solo si se
polariza directamente, por lo tanto, alimentando un diodo con tensin alterna, es
fcil verificar que solo la media onda positiva provocara en el circuito una
circulacin de corriente, dado que la componente negativa se cortara.

Vimos dos tipos de diodos, los que son al silicio y los que son al germanio,
de ellos podemos concluir que la resistencia directa del diodo de silicio es
pequea pero superior a la del diodo al germanio; en cambio, las dos resistencias
inversas son elevadas.

Con esto podemos concluir que la curva caracterstica tensin-corriente en


el diodo depende de la temperatura y del tipo de semiconductor.

En la prctica de los transistores NPN Y PNP, vimos ambas estructuras en


las cuales La zona central se denomina base mientras que los extremos se
denominan emisor y colector.

El funcionamiento de los transistores se basa en la posibilidad de controlar


la corriente que fluye entre colector y emisor a travs de la aplicacin de una
corriente en la base, lo cual se obtiene polarizando directamente la unin base.
Emisor e inversamente la unin base- colector

You might also like