Mosfet

Introduccin

MOSFET transistores de efecto de campo por semiconductor de xido metlico que posee
capacidad de conduccin de corriente en estado activo y buena capacidad de tensin de bloqueo
en estado pasivo.

Operan con base a mecanismos fsicos diferentes a los BJT. Los MOSFET han sustituido a los BJT en
diferentes aplicaciones que se requieran mayor velocidad de conmutacin,

Estructura Bsica

Posee una estructura de orientacin vertical de dopaje interno de tipo p y tipo n entre ellas n+, pn-
, n+. Son llamadas fuente y drenaje cuyos sustratos son de n+ y mientras que la capa p es el
cuerpo, cabe destacar que la capa n- es la regin de arrastre de drenaje y determina la tensin de
ruptura del dispositivo.

Las dos capas de n+ son capas grandes de 10 19cm-3.

La capa central p se dopa 106 cm-3

La capa n- se suele dopa de 1014 1015 cm-3

El xido de compuerta posee un espesor de 1000 A (Armstrong) aproximadamente.

Debido a la existencia de canales np puede aparecer BJT parsitos, aunque para eliminar estos se
utiliza puentes metlicos, y gracias a esto en la estructura interna del MOSFET existe un diodo
parasito conectado entre la el drenaje y la fuente del MOSFET.