UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Per, Decana de Amrica)

FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELECTRCA.

EP. Ing. Electrnica

EXPERIENCIA N6: Memoria SRAM

Alumnos : Castro Baares Jhon Leonidas 14190120

Espinoza Celedonio Cecibel Auda 15190035

Curso:
Circuitos Digitales II-Grupo 2
Profesor:
Guillermo Tejada Muoz

Fecha de realizacin: 16 de Octubre

Fecha de entrega: 23 de Octubre

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 CONTENIDO

Resumen y objetivos de la experiencia.3

Datos y cmputos 4
Presentacin de grficas ....6
Discusin de datos y resultados..9
Conclusiones.10
Apndice.............11

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 OBJETIVOS Y RESUMEN DE LA EXPERIENCIA

OBJETIVOS

Aprender el procedimiento de lectura y escritura en una memoria SRAM

mediante el manejo manual de sus pines de direccin, control y datos.

RESUMEN

El presente trabajo desarrolla la parte experimental de la clase sobre

memoria SRAM, se espera analizar el proceso tanto de escritura y lectura en
este dispositivo y comprobar con la parte terica. As mismo se adicionan
elementos para un mejor resultado un ejemplo de esto son los bferes sobre
el cual hablaremos ms adelante.

Se comienza por implementar el circuito de la gua y reconocer la funcin de

cada elemento as como tambin los pines de los integrados, primero se
grabaran los datos luego se visualiz cambiando direcciones de forma
manual.

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 PRESENTACIN DE DATOS Y CMPUTOS
1. Implemente el circuito de la Figura 1.

SW1 SW2

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2. Escriba en la memoria los datos, en las direcciones y con la activacin de los
pines necesarios, que se muestran en la figura 2.

DESARROLLO

Para implementar el circuito es necesario conocer la funcin que cumple

cada pin de los C.I. para ello es necesario conocer el DataSheet de cada
C.I. Pasaremos a detallar los pines de la memoria SRAM.

A0-A10: Lneas de direccin.

I/O0-7: Pines que funcionan como entrada o salida de datos (tamao de
la palabra).
*CS: Chip selector; sirve para habilitar o deshabilitar la memoria.
*OE: Output enable; si esta en 0 entonces los pines I/O funcionan como
salida de datos; si esta en 1 funcionan como entrada de datos.
*WE: Write enable; si esta en 1 lgico la memoria entonces solo nos
permitir leer, si esta en 0 lgico la memoria servir para el
almacenamiento de datos.
Vcc: Pin de alimentacin a la memoria.
GND: tierra (0V)

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 Sabiendo eso nos queda implementar el circuito:

PRESENTACIN DE GRAFICAS
FIGURA 1:

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FIGURA 2:

FIGURA 3:

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FIGURA 4:

FIGURA 5:

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 DISCUSIN DE DATOS Y RESULTADOS

En la figura 1 se habilita la memoria esto sucede cuando *CE est a nivel bajo por ello
cerramos el SW2 (en la pgina 3 se especifica SW2-SW1) para conectarlo a tierra
directamente, ahora necesitamos habilitar la lectura para eso dejamos abierto al SW1,
en consecuencia *OE estar en bajo y *WE en alto; luego de realizar las conexiones
notamos en el display la informacin inicial que tiene; esto se aprecia en la figura 1.

En la figura 2 para lograr ingresar la letra H en la direcciones 00 entonces A1-A0 las

conectamos a tierra se especifica en la pgina 3) luego tenemos que habilitar la escritura
para ello se cierra el SW1, en consecuencia *OE est en alto y *WE en bajo, para lograr
la letra H habilitamos solo las entradas D6, D5, D4, D2 y D1.

En la figura 3 para lograr ingresar la letra O en la direcciones 01 entonces A1 la

conectamos a tierra y A0 la dejamos suelta; luego tenemos que habilitar la escritura para
ello se cierra el SW1, en consecuencia *OE est en alto y *WE en bajo, para lograr la
letra O habilitamos solo las entradas D6, D5, D4, D3, D2, D1 y D0.

En la figura 4 para lograr ingresar la letra L en la direcciones 10 entonces A1 la dejamos

suelta y A0 la conectamos a tierra; luego tenemos que habilitar la escritura para ello se
cierra el SW1, en consecuencia *OE est en alto y *WE en bajo, para lograr la letra L
habilitamos solo las entradas D5, D4 y D3.

En la figura 5 para lograr ingresar la letra A en la direcciones 11 entonces A1 y A0

debemos dejarlo suelto; luego tenemos que habilitar la escritura para ello se cierra el
SW1, en consecuencia *OE est en alto y *WE en bajo, para lograr la letra O habilitamos
solo las entradas D6, D5, D4, D2, D1 y D0.

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 CONCLUSIONES

Usamos bferes triestado para controlar las entradas D0 D7

durante el ciclo de escritura.

Las memoria SRAM son voltiles y al cortar la energa obtenamos

salidas aleatorias en el display.

Se concluy el experimento demostrando y explicando el

funcionamiento de la memoria SRAM6116 de manera satisfactoria,
teniendo como prueba de esta experiencia que los resultados
obtenidos gracias a la teora fueron precisos, con su respectiva
explicacin.

Los resultados tericos se compararon con los obtenidos en el

laboratorio mediante la LECTURA y ESCRITURA de la palabra HOLA,
eso garantiza que el funcionamiento del circuito funciona de manera
ptima.

No se presentaron mayores inconvenientes en la experiencia y por

tanto, el objetivo de comprobar el funcionamiento del ciclo de
escritura y lectura de la SRAM6116 fue realizado sin problemas.

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 APENDICE

SRAM 6116:

C.I. 74S04

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C.I. 74LS08

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C.I. 74LS244

C.I. 74LS122:

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