Empaquetamiento de esferas: En matemticas, los problemas de empaquetamiento de

esferas conciernen en la disposicin de esferas de idntico tamao rellenando un espacio.

Normalmente el espacio es el euclideo tridimensional. Sin embargo el problema puede
generalizarse a dos dimensiones (donde las esferas son crculos), a espacios n-
dimensionales (donde son hiperesferas) o a espacios no euclidianos como el espacio
hiperblico.

Un problema tpico de empaquetamiento es encontrar la disposicin en que las

esferas rellenen la mayor proporcin posible del espacio. La proporcin del espacio
rellenado por las esferas es llamada densidad del empaquetamiento. Como la densidad de
empaquetamiento puede depender del volumen en que se mida, el problema trata
normalmente de la densidad media mayor o asinttica, medida en un volumen lo
suficientemente amplio.

Difraccin de rayos x: La cristalografa de rayos X es una tcnica experimental para el

estudio y anlisis de materiales, basada en el fenmeno de difraccin de los rayos X por
slidos en estado cristalino.

Los rayos X son difractados por los electrones que rodean los tomos por ser
su longitud de onda del mismo orden de magnitud que el radio atmico. El haz de rayos
X emergente tras esta interaccin contiene informacin sobre la posicin y tipo de tomos
encontrados en su camino. Los cristales, gracias a su estructura peridica, dispersan
elsticamente los haces de rayos X en ciertas direcciones y los amplifican
por interferencia constructiva, originando un patrn de difraccin. Existen varios tipos de
detectores especiales para observar y medir la intensidad y posicin de los rayos X
difractados, y su anlisis posterior por medios matemticos permite obtener una
representacin a escala atmica de los tomos y molculas del material estudiado.

En fsica, la difraccin es un fenmeno caracterstico de las ondas que se basa en

la desviacin de estas al encontrar un obstculo o al atravesar una rendija. La difraccin
ocurre en todo tipo de ondas, desde ondas sonoras, ondas en la superficie de un fluido y
ondas electromagnticas como la luz visible y las ondas de radio. Tambin sucede cuando
un grupo de ondas de tamao finito se propaga; por ejemplo, por causa de la difraccin,
el haz colimado de ondas de luz de un lser debe finalmente divergir en un rayo ms
amplio a una cierta distancia del emisor.

Ciclo de born-haber: El ciclo de BornHaber comprende la formacin de un

compuesto inico desde la reaccin de un metal (normalmente un elemento del grupo 1
o 2) con un no metal (como gases halgenos, oxgeno u otros). Los ciclos de BornHaber
se usan principalmente como medio para calcular la energa reticular, que no puede ser
determinada experimentalmente.

Efecto pantalla: En fsica atmica, se le llama efecto pantalla al efecto que causan los
electrones que se hallan ms cerca del ncleo sobre los que estn en niveles ms externos.
Los electrones que se encuentran en niveles bajos, disminuyen la fuerza de atraccin que
ejerce en ncleo, cargado positivamente, sobre los electrones que se encuentran ms
alejados del mismo. Adems, los electrones de distintos niveles sufren fuerzas de
repulsin, debido a que sus cargas negativas se repelen.

Afinidad electrnica: La afinidad electrnica es la cantidad de energa absorbida por

un tomo aislado en fase gaseosa para formar un ion con una carga elctrica de -1. Si la
energa no es absorbida, sino liberada en el proceso, la afinidad electrnica tendr, en
consecuencia, valor negativo tal y como sucede para la mayora de los elementos
qumicos; en la medida en que la tendencia a adquirir electrones adicionales sea mayor,
tanto ms negativa ser la afinidad electrnica.

Radio inico: El radio inico es, al igual que el radio atmico, la distancia entre el centro
del ncleo del tomo y el electrn estable ms alejado del mismo, pero haciendo
referencia no al tomo, sino al ion. ste aumenta en la tabla de derecha a izquierda por
los perodos y de arriba hacia abajo en los grupos