Construccin de un transistor

1. Qu nombres se aplican a los dos tipos de transistores BJT? Trace la construccin bsica de
cada uno y marque los varios portadores minoritarios y mayoritarios en cada uno. Trace el smbolo
grfico junto a cada uno. Cambia cualquier parte de esta informacin al cambiar de silicio a
germanio?

Transistores NPN.

Transistores PNP.

Unin polarizada en directa de un transistor pnp. Unin polarizada en inversa de un transistor pnp.

Notacin y smbolos utilizados con la configuracin en base comn: (a) transistor pnp; (b) transistor npn.

La diferencia principal que existe entre un transistor de silicio o germanio es la cada de tensin
entre base-emisor. La de Silicio es de 0,7 V mientras que la de Germanio es de 0,3 V.
Operacin del transistor
3. Cmo se deben polarizar las dos uniones de transistor para la correcta operacin de
amplificador del transistor?

Polarizacin en directa.

Polarizacin en inversa.

5. Trace una figura similar a la figura 3.3 de la unin polarizada en directa de un transistor npn.
Describa el movimiento resultante de los portadores.

Figura 3.3
Unin polarizada en directa de un transistor PNP.

Sin polarizacin entre la base y el emisor. Acta como un diodo polarizado en directa. El ancho de
la regin de empobrecimiento se redujo a causa de la polarizacin aplicada y el resultado fue un
intenso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al material tipo n.

7. Trace una figura similar a la figura 3.5 del flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un
transistor npn. Describa el movimiento resultante de los portadores.

Figura 3.5
Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.
Una gran cantidad de portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin pn polarizada en
directa hacia el material tipo n. El mayor nmero de estos portadores mayoritarios se difundir a
travs de la unin polarizada en inversa hacia el material tipo n conectado al colector. Ha habido
una inyeccin de portadores minoritarios en el material tipo n de la regin de la base.
9. Si la corriente en el emisor de un transistor es de 8 mA e I B es de 1/100 de IC, determine los
niveles de IC e IB.

= 8

= = 100
100
8
= = = 79.21
101 101
= 100 = 100(79.21 ) = 7.921
= 7.921
= 79.21
= 8
Configuracin en base comn
11. Utilizando las caractersticas de la figura 3.7 determine VBE con IE = 5 mA y VCB = 1.10 y 20 V.
Es razonable suponer de una forma aproximada que VCB tiene slo un efecto leve en la relacin
entre VBE e IE?

= 5
= 1.1 = 800
= 10 = 770
= 20 = 750
Escalas:

= 20 : 1
= 800 : 750 1.07: 1
Es un efecto muy leve.
Figura 3.7
Caractersticas de entrada para un
amplificador de transistor de silicio en
configuracin en base comn.

13. a. Con las caractersticas de la figura 3.8, determine la corriente en el colector si IE = 4.5
mA y VCB = 4 V.

b. Repita la parte (a) con IE = 4.5 mA y VCB = 16 V.

c. Cmo han afectado los cambios en VCB el nivel resultante de IC?

d. De una forma aproximada, Cmo se relacionan IE e IC con base en los resultados

anteriores?
 Figura 3.8
Salida o caractersticas del colector de un amplificador de transistor en base comn.

(a) = 4.5

(b) = 4.5

(c) Despreciable. El cambio no puede ser detectado en este tipo de caractersticas.

(d)