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11
PALACIOS C. SEVERO
INGENIERA DE PROCESOS
PALACIOS C. SEVERO
Primer Puesto VICHAMA DE ORO
IX CONIMETM HUACHO
E-Mail: espc02@yahoo.com
Mvil: 9669-6214
Lima Per
IMPRESO EN EL PERU
PRINTED IN PERU
12
INGENIERA DE PROCESOS
PRO L O G O
La comprensin de los tpicos que abarcan la lixiviacin de
minerales, con sus procesos asociados, hacen necesario el estudio de
principios bsicos de termodinmica, cintica y de electroqumica.
13
PALACIOS C. SEVERO
1
CURVAS DE DISOLUCIN METLICA
1. PRINCIPIOS DE LIXIVIACIN.
14
INGENIERA DE PROCESOS
equipos ms complejos que los anteriores, pero son los que en-
cuentran mayor aplicacin en los estudios de disolucin.
R
S P E
mV
r a
G
r
c
c
Fig. (1) Circuito trazado de curvas estticas de Fig. (2) Circuito de trazado de curvas dinmi-
disolucin metlica R: resistencia; r: resisten- cas de disolucin metlica G: registrador; P:
cia de celda; mA: miliampermetro; mV: mili potenciostato; R: resistencia; r: resistencia de
voltmetro. celda.
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PALACIOS C. SEVERO
ee
t
t
0 0
Fig. (3) Dependencia del potencial en funcin Fig. (4) Dependencia de la corriente con res-
del tiempo pecto al tiempo.
i =
N 1 k ( t ) (1.1)
16
INGENIERA DE PROCESOS
2i0 1 1
k=
nF C D + C D (1.2)
0 0 r r
17
PALACIOS C. SEVERO
C Cu
B Fe
POTENCIAL
POTENCIAL
A S
Fig. (5) Curvas dinmicas de disolucin metli- Fig. (6) Curvas dinmicas de disolucin met-
ca (andica) de concentrados de cobre en me- lica de concentrado de cobre (Cu-Fe-S) en
dio cido. medio cido.
18
INGENIERA DE PROCESOS
19
PALACIOS C. SEVERO
3. FUNDAMENTOS DE LIXIVIACIN.
O + ne R (1.3)
20
INGENIERA DE PROCESOS
vb vf
R ne + O O + ne R (1.2)
Por otra parte se debe tener en cuenta de que manera las con-
centraciones de las especies definen el potencial de equilibrio de
la reaccin:
RT C
E = E + Ln O (1.3)
nF CR
iC ia
v f = k f CO (0, t ) = vb = kb CR (0, t ) = (1.4)
nFA nFA
i
vneta = v f vb = k f CO (0, t ) kb C R (0, t ) =
nFA (1.5)
21
PALACIOS C. SEVERO
M
nodo
Ra
Ea
i e i
RM ia
Ec
Rc
Ctodo
N
i a + i x = ic (1.6)
E a = ia Ra + E c + Rc ic (1.7)
22
INGENIERA DE PROCESOS
E a = ia Ra + E c + Rc (i x + ia ) (1.8)
Ahora, para que exista la disolucin de reaccin andica no de-
be ser cero o negativa, tenemos:
Ea = Ec + ia (Ra + Rc ) ix Rc (1.9)
Rx
C
RM
A ia
MINERAL i T ic
ANODO O
D
Rc
O Ec
ix
(1) Se eleva el potencial agregando cualquier agente oxidante en el medio lixiviante, por lo cual
es necesario conocer a priori las propiedades del mismo.
23
PALACIOS C. SEVERO
2
MECANISMOS DE LIXIVIACIN
1. GENERALIDADES.
TABLA I
Heterogeneidad
Tipo de heterogeneidad Forma de lixiviacin
del sistema
En el medio lixiviante Disolucin Qumica
Esttica Selectiva
En el mineral
Dinmica Completa
24
INGENIERA DE PROCESOS
25
PALACIOS C. SEVERO
Me Men+ + ze (2.1)
Me + H 2O Me(OH ) + + mH + (2.2)
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INGENIERA DE PROCESOS
Cu Cu 2+ + 2e (a)
4 H + + 4e 2 H 2 (b)
27
PALACIOS C. SEVERO
2 H 2 O O2 + 4 H + + 4e (d)
Cu 2+ + Cl CuCl + e (f)
O2 O2
Electrolito H+
e-
NODO CTODO
28
INGENIERA DE PROCESOS
Cu + + H + + 2e CuH (2.3)
29
PALACIOS C. SEVERO
A + B + C = DB AB
30
INGENIERA DE PROCESOS
A + C + B = AB DB
Alternativa de lixiviacin
Lixiviacin convencional
31
PALACIOS C. SEVERO
32
INGENIERA DE PROCESOS
33
PALACIOS C. SEVERO
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INGENIERA DE PROCESOS
35
PALACIOS C. SEVERO
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INGENIERA DE PROCESOS
3
INGENIERA DE LIXIVIACIN
1. FUNDAMENTOS DE CINTICA DE DIFUSIN.
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PALACIOS C. SEVERO
zona de menor
concentracin
h
zona de mayor
concentracin
Fig. (12) Gradiente de concentracin Fig. (13) Vista de planta gradiente de concentracin
38
INGENIERA DE PROCESOS
39
PALACIOS C. SEVERO
C a
J d = Da (3.1)
x
C a
i = nF ( J d ) x = 0 = nFD (3.2)
x x=0
a
Me Me n+
+ ze
(3.4.1)
n+
Me Me ze (3.4.2)
40
INGENIERA DE PROCESOS
RT C n+
E = E0 + Log Me (3.5)
nF C Me
C i = C Me n+ (x = 0) (3.6)
C i 2C a
= Di (3.7)
t x 2
41
PALACIOS C. SEVERO
Ci C n+ Ci
= K = Me (3.8)
x
42
INGENIERA DE PROCESOS
C Me n +
id = nFD i (3.10)
Ci i
= 1 (3.11)
C Me n + id
RT i
E = Ln 1 (3.12)
nF i
cuya situacin da,
d
nF
i = i d 1 exp E (3.13)
RT
C
Ci
CM +
x
43
PALACIOS C. SEVERO
2.1 MODELACIN.
44
INGENIERA DE PROCESOS
Consideremos la reaccin,
Me + rH 2O Me(OH ) + mH +
+
(3.14)
K=
[Me(OH ) n ][H + ]m
[Men+ ][H 2O]r (3.15)
45
PALACIOS C. SEVERO
K =
[
d Me n +
]
dt (funcin del reactante) (3.16)
r=
[
d Me n + ]=
1 d [H 2 O ]
[
= K Me n + ]
dt n dt
[ ]
r = K Me n + [H 2 O ] = K
[ ]
Me n + [H 2 O ]
=
[
Me n + [H 2 O ]
r
] (3.17)
H+ [ ] K
H+ [ ]
m
en general: [
r = K Me n + ] [H O ] [H ] [Me (OH ) ]
a
2
b + m
n
d
(3.18)
46
INGENIERA DE PROCESOS
47
PALACIOS C. SEVERO
rSn = K [Sn]
2
(b)
= K [Sn ]
dSn
2
(d)
dt
[Sn ]e [Sn ]2
= K dt
0
48
INGENIERA DE PROCESOS
1 1
= Kt
[Sn]e [Sn]s (e)
1
[
rSn = 0.66[Sn ] OH ]
1
(f)
49
PALACIOS C. SEVERO
dX
= K 1 X K 2Y (3.19.1)
dt
dY
= K 3Y K 4 X (3.19.2)
dt
50
INGENIERA DE PROCESOS
dX (3.20.1)
= K 1 X K 2 Y b1U
dt
dY
= K 3 Y K 4 X b 2U (3.20.2)
dt
dX
= ( K 1 X K 2 Y b1U ) (3.21.1)
dt
dY
= ( K 3 Y K 4 X b 2U ) (3.21.2)
dt
( s K 1 ) X ( s ) = X 0 b1U ( s ) K 2Y ( s ) (3.23.1)
( s K 3 )Y ( s ) = Y0 b2U ( s ) K 4 X ( s ) (3.23.2)
X 0 b1U ( s ) ( s K1 ) X ( s )
Y (s) = (3.24)
K2
51
PALACIOS C. SEVERO
K + K1
2
A = K 3 K1 K 4 K 2 3
2
K + K1
B= 3
2
X 0 b1U ( s ) K 2Y ( s )
de (3.23.1): X (s) = (3.26)
s K1
que viene a ser el otro modelo cintico con otra variable, los va-
lores de A y B son los mismos que el modelo anterior.
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INGENIERA DE PROCESOS
dX (3.28.1)
= K 1 X K 2 XY b1U
dt
dY
= K 3Y K 4 YX b 2U (3.28.2)
dt
dX
= (K 1 X K 2 XY b1U ) (3.29.1)
dt
dY
= (K 3Y K 4 YX b 2U ) (3.29.2)
dt
sX ( s ) X 0 = K1 X ( s ) K 2 X ( s )Y ( s ) b1U ( s )
(3.30.1)
sY ( s ) Y0 = K 3Y ( s ) K 4Y ( s ) X ( s ) b2U ( s )
(3.30.2)
( s K1 + K 2Y ( s )) X ( s ) = X 0 b1U ( s ) (3.31.1)
( s K 3 + K 4 X ( s ))Y ( s ) = Y0 b2U ( s ) (3.31.2)
X 0 b1U ( s)
X (s) = (3.32)
s + ( K 2Y ( s ) K 1 )
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PALACIOS C. SEVERO
X 0 b1U ( s )
X (t ) =
s + ( K 2Y ( s ) K 1 )
X (t ) = ( X 0 b1U (t )) e ( K1 K 2 )Y ( t ) t
Y0 b2U ( s)
Y ( s) = (3.33)
s + ( K 4 X ( s) K 3 )
Y0 b2U ( s )
Y (t ) =
s + ( K 4 X ( s) K 3 )
Y (t ) = (Y0 b2U (t ))e ( K 3 K 4 )Y ( t ) t
d2X dX
A 2
+B + C ( X ) + P (U ) (3.35)
dt dt
54
INGENIERA DE PROCESOS
U x = N iV i (3.36)
i
U x = N AV A + N B V B (3.37)
C A ( N A V A + N B V B ) = J A = D AB
dC A
N
(3.38)
A
dt
55
PALACIOS C. SEVERO
U m X A = D AB X A (3.40)
X AX A + (1 X A ) X A = 0 (3.41)
2 X A 2 X A 2 X A
2
X A X X
2 2
+ A + A = X A + +
x y z x 2
y 2 z 2
56
INGENIERA DE PROCESOS
2 2 2
+ + = 2 = 0 (3.42)
x 2
y 2
z 2
57
PALACIOS C. SEVERO
1 1
RT +
n+ n
D AB =
1 1
(3.43)
F 2
+
+
58
INGENIERA DE PROCESOS
+ dC + dE
J+ = RT + FC + (3.44.1)
dx
2
F dx
dC dE
J = RT + FC (3.44.2)
dx
2
F dx
59
PALACIOS C. SEVERO
dC + 1 dC 1
+
RT + dC + dx n + dx
n J = n+C +
F n + dx
+ 2
+C + + C
dC + 1 dC 1
+
RT dC dx n + dx
n J = nC
F 2 n dx
+C + + C
60
INGENIERA DE PROCESOS
Difusin de Kundsen
Difusin superficial.
1 1
v
v
v
v
0.5 0.5
3 3
Fig. (16) espesor de pelcula en mineral aurfe- Fig. (17) espesor de pelcula en mineral aurfe-
ro lixiviado por Proceso SEVERO ro lixiviado por cianuracin
61
PALACIOS C. SEVERO
62
INGENIERA DE PROCESOS
8 2 2 RT
1/ 2
2
1/ 2
T
D AB = = 19 , 274
3 Sg P M Sg P M (3.47)
63
PALACIOS C. SEVERO
C = CS = 0,00025mol g / cm; en r = r0 , t 0,
C = 0; en r =
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INGENIERA DE PROCESOS
dC
( N A ) r = r 0 = D AB (b)
dr r = r 0
C C S r0 r r0 C S r0 (r r0 )2
= erf 1 exp (c)
r DT
2
dx r 2 Dt 4 Dt
CS D AB C S
De donde: N = D AB + (d)
D AB t
A
r0
D AB P
( N A ) r = r0 = (X A1 X A ) (e)
RTr 0
D AB t = 99 r0
99 2 r02
t = = 0 ,1196 s
D AB t
65
PALACIOS C. SEVERO
8 PRINCIPIOS DE LIXIVIACIN.
66
INGENIERA DE PROCESOS
LM2 Y
corona
dh
ht h
LM1 X
Fig. (18) Esquema de una pila de lixiviacin
Y X
LM 2 = LM1 (3.48)
1Y 1 X
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PALACIOS C. SEVERO
Y LM1 X
= (3.49)
1 Y LM 2 1 X
LM1
Y = X (3.50)
LM 2
Y = KX (3.51)
68
INGENIERA DE PROCESOS
NA = KL X (Ci C) = KL ( Xi X ) (3.52)
69
PALACIOS C. SEVERO
X Y1X1
YX
YX
N
O
CI
YiXi
RA
IO
IB R
PE
U IL
O
Q
DE
D EE
A
EA
NE
L IN
LI
YX
Y2X2
Y
Fig. (19) Mtodo grfico de diseo basado en los coeficientes.
d (L M 1 X ) = N A AV dh = L M 1 dx + XdL M 1 (3.54)
Poniendo, dL M 1 = N A AV dh
70
INGENIERA DE PROCESOS
X2
LM 1 X Bm dx
hi =
X1 (1 X )( X i X ) (3.56)
_
L
K X Bm AV
X =
(1 X ) (1 Xi)
1 X
Bm
Donde: Ln (3.57)
1 Xi
LM 1
HL = _ (3.58)
K L X Bm AV
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PALACIOS C. SEVERO
X 2
dx
NL = (3.60)
X1 X X i
Xi X
N L = Ln (3.61)
Xi Y
Y (1 X )= 0 . 75 (3.62)
X (1 Y )
0 . 75 X
Y = (3.63)
1 0 . 25 X
72
INGENIERA DE PROCESOS
0.75X
Y=
1 - 0.25X
FLUJO LIXIVIANTE
ELEMENTO DE
VOLUMEN FIJO
FLUJO LIXIVIADO
Fig. (20) Regin de volumen fijo, a travs del cual circula un fluido.
73
PALACIOS C. SEVERO
A n Ax n Ay n Az
+ + + = rA
(3.64)
t x y z
Esta es la ecuacin de continuidad para el lixiviante que
describe la variacin de la concentracin de A con respecto del
tiempo para un punto fijo en el espacio. Esta variacin resulta
del movimiento de A y de la reaccin qumica que origina A. La
magnitud nA es el componente rectangular del vector de densi-
dad de flujo de materia nA=AV0. La ecuacin (3.64) expresada
en forma vectorial ser:
A
+ n A = rA (3.65)
t
A
+ V = 0 (3.66)
t
V = 0 (3.67)
A
+ A V = D AB W A + r A (3.68)
t
74
INGENIERA DE PROCESOS
A
+ A ( V ) + V A = D AB 2 A + r A
t (3.69)
A
+ V C A = D AB 2 C A + R A (3.70)
t
C A
= D AB 2 C A (3.7)
t
75
PALACIOS C. SEVERO
ELEMENTO
DE
VOLUMEN
FIJO
CB = CONC. DE FLUJO
DE REACCION
PELICULA DE
LIXIVIANTE z=
z=0
N N
se obtiene Lim
A z+ z A z
= 0 (3.72)
z 0 z
76
INGENIERA DE PROCESOS
dN A
de donde: =0 (3.73)
dz
d dC B
D AB = 0 (3.75)
dz dz
d 2C B
=0 (3.76)
dz 2
z = 0 C B = C B0 (3.77.1)
Condiciones lmites:
z = C B = C B (3.77.2)
77
PALACIOS C. SEVERO
dC B dC B (3.78.1)
d = C1 = C1
dz dz
dC B = C 1 dz C B = C 1 z + C 2 (3.78.2)
C B 0 C B
C B = C B0 z (3.80)
dC B C C B
N B = D AB z =0 C B 0 B 0 z z =0
dz
(3.81)
C B 0 C B C B 0 C B
= D AB 0 (1) = D AB
0
y
PERFIL DE
h
VELOCIDAD
ELEMENTO LIXIVIANTE
Z A
VALIOSO
B L
CB0 = CONCENTRACION DE
SATURACION
CB
78
INGENIERA DE PROCESOS
para el estado estacionario: = 0 (3.83)
t
debido a que Vx=Vy=0 ( v x ) + ( v y ) = 0 (3.84)
x y
La ecuacin (4.51) se reduce a: (v z )= 0 (3.85)
z
vz v v v d 2v d 2v d 2v
( + vx z + vy z + vz z ) = + 2z + 2z + 2z + g z (3.86)
t x vy vz z dx dy dz
v z
para el estado estacionario: =0 (3.87)
t
v z v
vx = vy z = 0 (3.88)
x v y
79
PALACIOS C. SEVERO
= 0 (3.89)
z
2v z
+ g = 0 (3.91)
y 2
vz = 0 cuando y = 0 (3.92.1)
Condiciones lmites: dv z
= 0 cuando y =
dy (3.92.2)
g 2
vz = y + C1y + C 2 (3.93)
2
g 2 2y y
2
vz = (3.94)
2
o tambin v z = v max 2 y y
2
(3.95)
g 2
donde la velocidad mxima es, v max = (3.96)
2
80
INGENIERA DE PROCESOS
g
vz = y (3.97)
CB CB C C 2C 2C 2C
+ vx + vy B + vz B = DAB 2B + 2B + 2B + RB (3.98)
t x y z x y z
C B
para el estado estacionario: =0 (3.99)
t
C B C B
vx = vy = 0 (3.100)
x y
2C B
= 0 (3.101)
x 2
2C B
= 0 (3.102)
z 2
81
PALACIOS C. SEVERO
C B 2C B
vz = D + RB (3.103)
z y 2
AB
C B 2C B
ay = D AB + RB (3.104)
x y 2
Siendo: g
a = (3.105)
h
: pequeo (3.106)
v max
CB = 0 cuando z = 0 0 y
(3.107.1)
CB = 0 cuando y = 0 z h
(3.107.2)
C B = C B0 cuando y = 0 0 z h
(3.107.3)
CB
= f (n ) (3.108)
C B0
82
INGENIERA DE PROCESOS
1/2
a
n = y (3.109)
9 D AB z
C B 0 f 1 C B0 2 f
ay n = D y 2 n + R
2
3 n 2
AB B
z n
1/3
3 (3.112)
f n 2 f
3 y
a RB
= +
9 D AB z n y 2 n 2 D AB C B 0 n
f 2 f RB
3n 3 = n + (3.113)
n n 2
D AB C B 0 n
2 f f y2RB
de donde: + 3n 2 = (3.114)
n 2
n D AB C B 0 n 2
d2 f df y2RB
Que es lo mismo 2
+ 3n 2 = (3.115)
dn dn D AB C B 0 n 2
df
F =
dn
si hacemos: dF d 2 f
=
dn dn 2
83
PALACIOS C. SEVERO
dF y2RB
+ 3n 2 F = (3.116)
dn D AB C B 0 n 2
y2RB 1
F = + 3n 3 (3.117)
D AB C B 0 n
Como C B = f ( n )
C B0
df y 2RB 1
= + 3n 3
dn D AB C B 0 n
f = 0 cuando n = 0
f = f cuando n = n
f
y 2 R B n 1
df = + 3n 3
0 D AB C B 0 0 n
y2RB 3 2
f = Ln ( n ) + n 3n
D AB C B 0 2
y2RB
CB = ( Ln ( n ) 3 n ) (3.118)
D AB
D AB C B
N = y=0 dz (3.119)
y
B , Med
L
1/ 3
CB a
con ayuda de = f (n) y n = y
C B0 9 D AB z
84
INGENIERA DE PROCESOS
1/3
C B f C B n f a
Se tiene y
= = C B 0 (3.120)
n f y n 9 D AB z
2
df y R 1
= B
+ 3n 3
dn D C n
Adems de (3.118)
AB B 0
df 3 y 2R
n = 0 = B
dn D AB C B 0
De (3.120),
1/ 3 1/ 3
C B 3 y 2 RB a 3 y 2 RB a
= C B 0 = (3.121)
y D AB C B 0 9 D AB z D AB 9 D AB z
RB = 0 (3.123)
C B 2C B
vz = D AB (3.124)
z y 2
C B 2C B
ay = D AB (3.125)
z y2
85
PALACIOS C. SEVERO
CB = 0 cuando y= 0 zL (3.126)
f 2 f
3n 3 = n (3.128)
n n 2
de donde f2 + 3 n 2 f = 0
2
(3.129)
n n
2
que es lo mismo d 2f + 3 n 2 df = 0 (3.130)
dn dn
86
INGENIERA DE PROCESOS
f = 0 cuando n =
f = 1 cuando n = 0
df
si hacemos F =
dn
dF d2 f
Entonces =
dn dn 2
dF
+ 3n 2 F = 0 (3.131)
dn
dF
Integrando: = 3 n 2 dn
F
se obtiene LnF = n 3 + C 1
n + C1
o tambin F = e = C 2e n
3 3
(3.132)
df
= C 2e n
3
o lo que es lo mismo (3.133)
dn
87
PALACIOS C. SEVERO
1 3 1 x
1
1 = C2 x e dx (3.136)
3 0
1
1
1
= x 3 e x dx (3.137)
3 0
1 1
1 = C 2 (3.138)
3 3
4
1 = C 2 (3.139)
3
1
C =
de donde 4
2
3
f = 0 cuando n =
f = f cuando n = n
f = C 2 e n dn
3
As (3.140)
0
e n dn
3
C B
O tambin = f = 0 (3.141)
C B0 4
3
88
INGENIERA DE PROCESOS
89
PALACIOS C. SEVERO
2C 2 C
(k + )C = D iP + (3.143)
t r 2
r r
90
INGENIERA DE PROCESOS
Siendo: M0: Masa inicial del mineral. L0: Ley inicial del mineral.
: Densidad del slido. X: Conversin de soluto a tiempo infinito
3X + A i (1 X )TanA i = 3 Ai X (3.147)
VC
X = (3.148)
M 0 L0
91
PALACIOS C. SEVERO
CA
X
CB
CA0
3
g
= (3.149)
3
En el presente caso el lixiviante suministrado tiene una concen-
tracin de soluto CA y la superficie de la pelcula descendente se
mantiene en la concentracin de CB0. La concentracin en un
punto cualquiera z, y dentro de la pelcula se encuentra al resol-
ver la ecuacin,
C A 2C A
vz = D AB (3.150)
z y 2
g 1 2
vz = y y (3.151)
2
C A 2C A
vz = D AB + rA (3.152)
z y 2
92
INGENIERA DE PROCESOS
C A
pero el trmino v z
z
Es el que representa la conveccin paralela a la pila. En el pre-
sente caso el flujo de difusin es positivo en la direccin de las Y
decrecientes. Las condiciones de frontera son:
C = C0 cuando t = 0
C = Ci cuando y =
D AB t
B =
2
93
PALACIOS C. SEVERO
5 335,47320 0,011401760
6 498,09708 0,007675470
7 692,72580 0,005517943
8 919,35817 0,004157034
9 1177,99343 0,003243074
10 1468,63100 0,002601795
94
INGENIERA DE PROCESOS
4 4vz
Re = = (3.155)
95
PALACIOS C. SEVERO
d m V Az ( 0 , 5 )( 30 , 48 )( 1 , 20 )
Re = = = 1618 , 07
12 ,15 E 3
El nmero de Schmidt Sc = = = 577 , 83
D AB D AB
K C = j D V Az S C 2 / 3
a =
rea perimetral
=
6
(1 )
unidad volumen lecho dm
a =
6
(1 0 , 416 )= 7 , 008
0 ,5
Con flujo pistn a travs del lecho con una concentracin super-
ficial constante Ci,
V Az dC = K C a (C i C )dh
V Az C i C1
La integral da h = Ln
KCa Ci C2
96
INGENIERA DE PROCESOS
30 , 48
h = Ln 10 = 417 , 27 cm
0 , 02 * 7 , 008
JD = V SC2/3
AZ
KC
dmVAZ
Re =
97
PALACIOS C. SEVERO
dv z
xz = (3.156)
dx
xz = gxCos (3.157)
gCos
C = 2
(3.160)
2
g 2 Cos
2
x
vz = 1 (3.161)
2
98
INGENIERA DE PROCESOS
X
Vz
g 2 Cos
v max = (3.162)
2
ii) Velocidad media, en una seccin transversal de la pelcula,
se obtiene
g 2 Cos
v z = (3.163)
3
gW 2 Cos
Q = (3.164)
3
3 v z 3
= = 3 (3.165)
gCos 2 gWCos
99
PALACIOS C. SEVERO
3 g ( 5 E 4 ) 3 ( 1 , 83 )( 9 , 8 )
= = = 5 , 49 E 5 Kg / ms
3 3 ( 1 , 36 E 5 )
100
INGENIERA DE PROCESOS
C A 2C A C A
= D vz (3.166)
t y 2 z
Siendo: VZ: Flujo msico direccional, CA: Concentracin del lixi-
viante, y D. Coeficiente de dispersin independiente de la posi-
cin y concentracin.
Flujo de licor VZ
Espacio compactado
101
PALACIOS C. SEVERO
C A
Siendo rA =
t
102
INGENIERA DE PROCESOS
v Az C i C1
h = Ln (3.171)
KCa C1 C 2
103
PALACIOS C. SEVERO
104
INGENIERA DE PROCESOS
A B R A = k 1" aC A
(3.173)
ENTRADA
ELEMENTO
VOLUMEN FIJO
SALIDA
(S.NA) z+ z
(SN Az ) z (SN Az ) z + z + R A Sz = 0
(N ) z+z (N )z
lim Az Az
= RA
z 0 z
De donde:
d
(N Az )= RA (3.174)
dz
105
PALACIOS C. SEVERO
N Az = D AB
dC A
+
CA
(N Az N Bz )
dz c
d dC A
D AB = k 1" aC A
dz dz
d 2C A a
Siendo lo mismo: 2
k 1" C A = 0 (3.176)
dz D AB
z = +b C A = C AS (3.177.1)
z = b C A = C AS (3.177.2)
C A = C 1e + z + C 2 e z (3.178)
106
INGENIERA DE PROCESOS
a
= k 1"
D AB
C AS = C 1e + b + C 2 e b (3.179)
C AS = C 1e b + C 2 e + b (3.180)
e + b e b
C 1 = C AS e b e b (3.181)
e + 2 b e 2 b
e + b e b
C2 = C (3.182)
e + 2b e 2 b
AS
+ k 1"
a
z k 1"
a
z
a
cosh k 1" z
e
D D
e AB AB
cosh( z ) D
= C = C = C
AB
C A AS AS
cosh( b )
AS
+ k 1"
a
k 1"
a " a
b b cosh k b
e
D D 1
e AB AB
D AB
107
PALACIOS C. SEVERO
b
W A = 2 R 2 D AB C AS tanh (3.185)
n
108
INGENIERA DE PROCESOS
V0 Y
X
h H H
XY (VZ)lZ
Y
X
Z
X Y (VZ)lZ+Z
Balance de materia:
109
PALACIOS C. SEVERO
x y ( v z )z x y ( v z ) z+ z = 0
( v z ) z ( v z ) z + z = 0
(v z ) z (v z ) z+ z = 0 (3.188)
simplificando (3.188): x y ( xz )x x y ( xz ) x + x + x y z g =0
x+ x
+ g = 0
xz x xz
x
Reordenando y tomando limites cuando x0
x+ x
= g
xz xz x
Lim
x 0 x
d
xz = g
dx
d dv z
= g
dx dx
d 2vz g
= (3.189)
dx 2
110
INGENIERA DE PROCESOS
x = 0 v = +v0
Condiciones lmites:
z
x = H v z = 0
dv z g
d = dx
dx
dv z g
= x + C1
dx
g
dv = xdx + C 1 dx
z
g 2
vz = x + C1x + C 2
2
g
v0 = (0 )2 + C (0 ) + C
Primera condicin lmite: 2
1 2
C 2 = v0
g
0 = H 2
+ C H + v
2
1 0
g 2 gH v0
vz = x + x + vo
2 2 H
g x x
De donde: vz = H 2
1 H + v 0 1 H (3.190)
2
111
PALACIOS C. SEVERO
H w
Q 1 = v z dxdy
0 0
g x x
Q = w H 2
1 dx 2 wv 1 dx (3.192)
0
H H
g 1 1
Q = w H 3
[1 n ]dn 2 wv H [1 n ]dn
0
0 0
g n2 1 n2 1
Integrando Q = w H 3
n | 2 wv H n |
2 0
0
2 0
112
INGENIERA DE PROCESOS
Bronces: Cu-Sn-P
Latones: Cu-Zn-Sn-Si-Mn-Ni-Al
Aceros Inox: Cr-Ni-Mo-Fe-C-Ti
Nquel (nicrom): Ni-Ti-Cr-W-Al
Vitalium (cobalto): C-Cr-Ni-Mo-Co
Zinc (babbitts): Sn-Pb-Zn
Soldadura de plata: Cu-Pb-Ag-Sn
113
PALACIOS C. SEVERO
I = N M + = J x
M + + J g
M + (3.194)
O = N Cl =J Cl
x
+ J Clg (3.195)
114
INGENIERA DE PROCESOS
d
y para los iones, g iz = i (3.197)
m i dz
dX X i i d
J iz = cD iw i
+ (3.198)
dz KTdz
dX +
I z = 2 cD M +
w
M
(3.201)
dz
X + X I
=
M 0 z
(3.202)
z 2 cD M +
w
115
PALACIOS C. SEVERO
4 cD + X
I max = (3.203)
M w med
CTODO NODO
Movimiento
- ionico +
XM+ XL
Xmed
X0
0 L
116
INGENIERA DE PROCESOS
(2) Aporte del Autor a este campo de lixiviacin, se aplica a los diversos materiales existentes
que se quiera recuperar
(3) Se deja al lector para que evale cual es el metal valioso a recuperar, X Y?
(4) Se pide al lector demostrar y obtener los coeficientes de la ecuacin
(5) Ver Libro Ingeniera de Lixiviacin, pgina 157.
(6) Dicha fuerza est referida al arrastre de la solucin acuosa por gravedad y especficamente
por el flujo de riego.
(7) Mayor informacin Tabla 16.1-3 ecuacin J Fenmenos de Transporte R.B. Bird, W.E.
Stewart, E.N. Lighfoot.
(8) Ver fundamentos de cintica de difusin.
(9) Ver pargrafo (7) del captulo bases matemticas, Libro Ingeniera de lixiviacin
PROBLEMAS PROPUESTOS
117
PALACIOS C. SEVERO
Z=0
CA0
Z
MATERIAL
VALIOSO
A
Flujo Principal de riego
CA
Pelcula Liquida
Respuesta: 5,6 m.
3) Consideremos la columna de lixiviacin descrito en el
problema anterior. Supngase las mismas condiciones de
operacin excepto que el instante t=0 el mineral contiene
una cantidad de cido sulfrico uniformemente distribuido
y que su concentracin inicial es CA0, Se puede admitir
tambin que el lquido restante (agua) en un recipiente
exterior entrara para equilibrarse con la fase acuosa de
salida y que por lo tanto el contenido de soluto corres-
pondiente a la fraccin molar de equilibrio XA=XA(CA). Ex-
118
INGENIERA DE PROCESOS
Q
Y
LM1
CA Q Q + VK Q
= 1 exp
1
t +
C A0 Q + VK 1 V Q + VK 1
119
PALACIOS C. SEVERO
120
INGENIERA DE PROCESOS
( )
x
Fe = 1 e ( x)
J0 i 4 x dx (c)
0
121
PALACIOS C. SEVERO
Respuesta: 2,3 m.
122
INGENIERA DE PROCESOS
Respuesta: 3,6 m
Respuesta: 8,4E-2 m
12) En un lecho de mineral oxidado se efecta la lixiviacin
con flujo descendente, en el instante t=0 el mineral con-
tiene una cantidad de cido sulfrico concentrado unifor-
memente distribuido con una velocidad cinemtica de
1,36E-5 m/seg y una densidad de 1,83 se desea calcular
la velocidad de flujo de masa de una pelcula que des-
ciende por la pared del mineral con una inclinacin de 15
grados para que el espesor promedio de la pelcula sea
de 0,5 mm.
123
PALACIOS C. SEVERO
124
INGENIERA DE PROCESOS
4
RECUPERACION DE VALORES
METALICOS DE SOLUCIONES
1. EXTRACCIN POR SOLVENTES
125
PALACIOS C. SEVERO
C I C I
= DI < z < 0 (4.1)
t z
C II C II
= D II 0 < z < (4.2)
t z
Siendo CI la concentracin del componente A en la fase I, y CII
la concentracin del componente A en la fase II.
126
INGENIERA DE PROCESOS
C I C I
= D I
t z
sC I ( s ) (C ) t=0 = DI (C )
z
I I
d C I ( s )
sC I ( s ) C 0
= DI
I
dz (4.8)
de igual manera
C II
= D II (C II )
t z
C II ( s )
sC II ( s ) C II0 = D II
z (4.9)
127
PALACIOS C. SEVERO
para z = 0 C ( s ) = mC (s)
II I
(4.10)
dC (s) dC (s)
para z = 0 DI I
= D II II
dz dz (4.11)
C I0
para z = C I (s) =
s (4.12)
C II0
para z = + C II ( s ) = (4.13)
s
s s C I0
C I ( s ) = A 1 exp z + A 2 exp z + (4.14)
DI DI s
s s C II0
C ( s ) = A 3 exp z + A 4 exp z +
II
D II D II s (4.15)
C II ( s ) = mC I (s)
C II0 C I0 (4.16)
A3 + A4 + = m A1 + A 2 +
s s
128
INGENIERA DE PROCESOS
dC (s) s s s s
I
= A 1 exp z A 2 exp z
dz DI DI DI DI
dC I ( s ) s s
z=0 = A1 A2
dz DI DI
dC (s) s s s s
II
= A 3 exp z A 4 exp z
dz D II D II D II D II
dC II ( s ) s s
z=0 = A3 A4
dz D II D II
dC I ( s ) dC II ( s )
DI z=0 = D II z=0
dz dz
s s s s
DI A1 + A 2 = D II A3 + A4
DI DI D II D II
De donde:
DI
( A1 A 2 ) = (A 3 A4 ) (4.17)
D II
C I0 C0
= A1 ( 0 ) + A 2 ( ) + I Donde A2 es cero
s s
C II0 C II0
= A3 ( ) + A4 (0 ) +
s s Donde A3 es cero
129
PALACIOS C. SEVERO
0
0
A 4 +
C II
= m A 1 +
C I
(4.18)
s s
D
I
A = A
D II
1 4
(4.19)
D II
1 mC I0 C II0
A =
s
4
1 + m +
D II
(4.21)
D I
1 + m +
D II
D II s (4.23)
DI
m +
DI
De donde
130
INGENIERA DE PROCESOS
z
1 + erf
C I (z, t) C I 4D It
= (4.24)
C II mC I
0 0
DI
m +
D II
z
exp
s
DI z
1 = 1 + erf
s 4D It
As mismo:
z
exp
s
mC I0 C II0 D II 1
1
C (s) = 1
+ C 0
1
II
D II s
II
s
1 + m
D I
mC I0 C II0 1 erf z
C (z,t) = 4 D t + C
0
II
D II
II
1 + m +
II
D I
De donde
z
1 erf
C II ( z , t ) C II0 4 D II t
=
C I0
1
C II0 1
+
D II (4.25)
m m DI
s
exp z
1 D II = 1 + erf z
= 1 erf z
4 D II t
s 4 D II t
131
PALACIOS C. SEVERO
2. INTERCAMBIO INICO
]RAuCl4-
NOCl
Fig. (29) Torre de adsorcin de in tetracloroaurato
132
INGENIERA DE PROCESOS
( y z xz ) x ( y z xz ) x + x + g x y z = 0
De donde ordenando y tomando lmites:
lim xz x + x = g
xz x
x 0
x
d
( xz ) = g
dx
d dv z
= g
dx dx
d v z g
=
dx (4.26)
133
PALACIOS C. SEVERO
g
v z = x + C 1 x + C 2 (4.28)
2
g x
2
v z = 1 (4.29)
2
g 2
V max = (4.30)
2
CA0
CA(x,z)
X
Gravedad
Perimetral
Z
Direccin
134
INGENIERA DE PROCESOS
( x yN Az ) z ( y zN Ax ) x + ( x yN Az ) z + z ( yzN Ax ) x + x + 0 = 0
N x + x N Ax N Az z + z N Az
lim Ax + lim =0
x z
x 0
x
z0
z
(N Ax ) + (N Az ) = 0 (4.31)
x z
C A
N Ax = D AB + x A ( N Ax + N Bx ) (4.32)
x
C A
N Az = D AB + x A ( N Az + N Bz ) (4.33)
z
C A
N Ax D AB (4.34)
x
N Az x A (N Az + N Bz ) = (C AVAz + C BVBz )
CA
c
(4.35)
C AC B
VBz C AVBz C AVz
c
135
PALACIOS C. SEVERO
C A 2C A
Vz = D AB (4.36)
z x 2
z=0 CA = 0 (4.37)
x=0 C A = C A0 (4.38)
x= CA = 0 (4.39)
C A = C A 0 1 erf x (4.40)
z
4 D AB V
max
C A
N Ax x=0 = D AB x=0 (4.41)
x
D AB V max
N Ax x=0 = C A0 (4.42)
z
136
INGENIERA DE PROCESOS
W A = [N Ax ]dydz
w L
x=0
0 0
D AB V max
= wC A0
L
4 D AB V max
= wLC (4.43)
A0
L
137
PALACIOS C. SEVERO
5
ELECTROMETALURGIA
1. CINTICA ELECTROQUMICA
138
INGENIERA DE PROCESOS
j = nFv (5.3)
I = nFAv (5.4)
139
PALACIOS C. SEVERO
Re d + ( Z n ) + ne Ox +Z
(5.5)
Fig. (30) Esquema de una electrlisis a dos electrodos. Se indican las reacciones electroqumi-
cas en el nodo (polo positivo) con la transformacin de Red a Ox (reaccin de electrooxidacin)
y ctodo (polo negativo) donde ocurre la transformacin de Ox a Red (reaccin de electroreduc-
cin).
140
INGENIERA DE PROCESOS
141
PALACIOS C. SEVERO
= E j E j 0 (5.7)
Eap = Ea Ec + RI (5.8)
Eap = ( Ea ) j = 0 + a ( Ec ) j 0 c + RI (5.9)
142
INGENIERA DE PROCESOS
3. SOBREPOTENCIALES
143
PALACIOS C. SEVERO
neta es nula, cada una de ellas por separado tienen igual valor
(j0) pero de sentido opuesto. Esta es la condicin de equilibrio
para una interfase aislada (equilibrio electroqumico).
= a + bLog ( j ) (5.10)
2 . 303 RTLog ( j 0 )
a = = bLog ( j) (5.11)
(1 )nF
Con:
RTLog (10 )
b = =
Log ( j ) (1 )nF
T (5.12)
144
INGENIERA DE PROCESOS
= a + bLog j (5.13)
2 . 303 RT log ( j 0 )
a = = bLog ( j0 ) (5.14)
nF
Con:
2 . 303 RT
b = =
Log ( j )
T
nF (5.15)
145
PALACIOS C. SEVERO
conc = E Ej = 0 (5.16)
RT C
conc = Ln x =0 0 (5.17)
nF C
146
INGENIERA DE PROCESOS
RT j
conc = Ln 1 (5.18)
nF j lim
nF
O como es lo mismo; j = j lim 1 exp (5.19)
RT
147
PALACIOS C. SEVERO
nFD i C i0
j lim = (5.20)
Fig. (31) Grfico de j = f (h) para un aireacin de electroreduccin con efectos de transferencia
de masa. Se indica como jlim la mxima densidad de corriente que se puede alcanzar.
148
INGENIERA DE PROCESOS
Fig. (32) Esquema de una electrlisis a tres electrodos. Se indican en el esquema la fuente de
poder, el ampermetro (A), el voltmetro de alta impedancia (Volt. de A.I.), el electrodo de trabajo
(ET), el electrodo auxiliar (EA) y el electrodo de referencia (ER) en otra celda.
149
PALACIOS C. SEVERO
E.T, ctodo Cu 2+
+ 2 e Cu (5.21)
2+
E.A. nodo Cu Cu + 2e (5.22)
2+
referencia Cu + 2e Cu E 0
Cu ++
/ Cu
= 0 . 34 V (5.23)
E( E.T .E. A.) = (act + conc )an (act + conc )cat + RI (5.25)
150
INGENIERA DE PROCESOS
E.T, ctodo Cu 2+
+ 2 e Cu (5.26)
+
2H + 2e H 2 (5.27)
E.A. nodo Cu Cu 2+
+ 2e
(5.28)
+
2 H 2O O 2 + 4 H + 4e E 0
O2 / H 2O = 1 . 23 V (5.29)
referencia Cu 2+
+ 2 e Cu (5.30)
151
PALACIOS C. SEVERO
E ( E .T . E . A . ) = E ( H 2 O / O 2 ENH )i = O E (H + / H ENH )i = O
(5.31)
2
E.T, nodo Cu Cu 2+
+ 2e (5.32)
2+
E.A. ctodo Cu + 2 e Cu (5.33)
2+
referencia Cu + 2 e Cu (5.34)
152
INGENIERA DE PROCESOS
Cu Cu 2+
+ 2e (5.36)
+
2 H 2O O2 + 4 H + 4e (5.37)
2+
Cu + 2 e Cu (5.38)
+
2H + 2e H 2 (5.39)
2+
Cu + 2 e Cu (5.40)
Fig. (33) Representacin de la curva j - E(ET-ER) para una electrlisis de sulfato de cobre en medio
cido. Las ramas andica y catdica se representan en forma separada a fin de facilitar la com-
presin de los procesos electrdicos.
153
PALACIOS C. SEVERO
Fig. (34) Representacin de la curva I - E(ET-ER) para una electrlisis de sulfato de cobre en medio
cido.
Fig. (35) Representacin de la curva - Log(j) para los procesos andicos de disolucin cobre y
liberacin de oxgeno. Se indican en el esquema la pendiente b y la ordenada en el origen a=-
bLog(j0) para ambas reacciones.
154
INGENIERA DE PROCESOS
Fig. (36) Representacin de la curva - Log(j) para las reacciones catdicas de electrodeposi-
cin de cobre y desprendimiento de hidrgeno en una electrlisis. Se indican en el esquema la
pendiente b y la ordenada en el origen, a=bLog(j0) para ambas reacciones.
155
PALACIOS C. SEVERO
5. ELECTRODEPOSICIN
x 2 = 2 k FDct (5.41)
1
R= (5.42)
k
156
INGENIERA DE PROCESOS
n + n2 L
R = 1 (5.43)
(n1 + n 2 )x S
L
R= (5.44)
xS
MY
L = (5.46)
S
157
PALACIOS C. SEVERO
2 ExS 2
Y2 = t (5.47)
FM
158
INGENIERA DE PROCESOS
TABLA PERIDICA
11
PALACIOS C. SEVERO
12
INGENIERA DE PROCESOS
13