ANALISIS Y PRUEBA DE
SEMICONDUCTORES
(Cuarta y ltima parte)
En esta ltima parte del artculo, vamos a
hablar de la construccin, principio de
operacin y procedimientos de prueba de
los transistores MOSFET. Tambin
analizaremos otros dispositivos
semiconductores, tales como los tiristores
de los tipos SCR, Diac y Triac. Y para darle
un soporte prctico a la materia, no slo
concluiremos la explicacin del
procedimiento para fabricar una fuente de
poder -que iniciamos en la segunda parte
de este artculo-, sino que adems, y
relacionado con el tema de los tiristores, le
mostraremos cmo construir un control de
voltaje para una lmpara incandescente
(dimmer), que tambin puede aplicarse por
ejemplo en la regulacin de la temperatura
de un cautn.
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eyser-251 16
Leopoldo Parra Reynada, en
colaboracin con Felipe Orozco
El transistor MOSFET
A pesar de que un FET consume una mnima
cantidad de corriente comparado con un tran-
sistor convencional, an existen aplicaciones en
las que incluso ese diminuto consumo no es con-
veniente; por eso es necesario un dispositivo que
requiera todava menos energa. Es as como
surge una variante del FET, llamada MOSFET (por
las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor o transistor de efecto de campo
por xido de semiconductor metlico). En la fi-
gura 21 se muestra la construccin interna de
este dispositivo, en sus versiones de agotamiento
y de crecimiento.
Principios de operacin
El MOSFET de agotamiento incluye un par de
bloques de material semiconductor idntico (en
nuestro ejemplo, material tipo N), a los cuales
estn conectadas las terminales de la fuente (S)
y del drenaje (D); entre ambos bloques existe un
canal delgado del mismo material N. Por su par-
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 A
G
Figura 21 D SiO2
S
MOSFET
de agotamiento N N
B
G
D SiO2 S Sustrato P
N N
Sustrato P MOSFET de crecimiento
te, la compuerta se conecta a una capa de dixido
de silicio (SiO2), que acta como aislante; por
esta razn, tericamente no debe existir flujo de
corriente entre la compuerta y las otras termi-
nales del transistor.
Veamos qu sucede cuando aplicamos un
voltaje entre D y S, y a la vez colocamos una
entrada entre G y S. Si el voltaje de entrada es
igual a cero (figura 22A), la compuerta no indu-
ce ningn campo elctrico al dispositivo, por lo
que sus condiciones operativas no cambian y se
puede establecer un flujo entre D y S; pero esta
corriente no ser muy amplia, debido a la resis-
tencia interna del material N.
Si aplicamos un voltaje positivo, el campo
elctrico que se forma en la compuerta empuja
las cargas positivas del material P del sustrato,
ampliando as la capa conductora tipo N y dis-
minuyendo la resistencia; de este modo, el dis-
positivo podr manejar una corriente mayor que
en el caso anterior (figura 22B).
Si finalmente aplicamos un voltaje negativo
a la compuerta, el campo elctrico generado
atraer las cargas positivas del sustrato P hacia
ella misma; entonces el material P invadir el
espacio del canal N, e impedir el flujo de co-
rriente (figura 22C).
Es fcil apreciar entonces que este dispositi-
vo tambin es manejado completamente por
voltaje; mas debido a la presencia del aislante
entre la compuerta y el cuerpo del transistor, la
corriente que llega a circular por esta terminal
es nicamente de algunos picoamperes, lo que
redunda en un muy bajo consumo de energa y
en una muy alta impedancia de entrada (cuali-
dades que lo hacen ideal para la construccin
de circuitos integrales digitales).
El MOSFET de crecimiento funciona de ma-
nera similar, pero en este caso no se incluye el
canal N que conecta a los bloques D y S, sino
que directamente encontramos material del
sustrato P. Entonces, cuando a la compuerta no
se le aplica ningn voltaje, el material P impide
el paso de la corriente entre D y S; as que el
dispositivo est en corte (figura 23A).
Cuando comenzamos a aplicar un voltaje po-
sitivo a G, el campo elctrico generado empuja
las cargas positivas del sustrato P y comienza a
formar un canal N que une a D con S. De tal suer-
te, se establece una corriente que se ir incre-
mentando conforme aumente el voltaje aplica-
do a G, logrando que cuando el voltaje aplicado
en G sea lo suficientemente grande el transistor
se coloque en saturacin (figura 23B).
Este comportamiento lineal (0 volts = 0 co-
rriente, voltaje en G alto = corriente entre D y S
alta) ha hecho que los transistores de este tipo
sean los ms empleados en aplicaciones diver-
sas, que van desde los circuitos digitales que
apenas consumen unos cuantos microamperes

Figura 22

IDS2 > IDS1

A B C

N N N N N N N N

IDS1 IDS2
IDS = 0
Sustrato P Sustrato P Sustrato P

ELECTRONICA y servicio No.25 17

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 Figura 23 A Tabla 4

IDS = 0
PUNTA PUNTA
N N POSITIVA NEGATIVA MEDICION
EN EN

Colector Diodo
Sustrato P Base
B Emisor Diodo
Transistor
NPN Base OL
Colector
Emisor OL

Base OL
N N Emisor
Colector OL
IDS

Sustrato P IDS > 0 Colector OL

Base
Emisor OL

Base Diodo
Transistor
Colector
PNP
hasta dispositivos de manejo de potencia capa- Emisor OL
ces de controlar voltajes de miles de volts y co- Base Diodo
rriente de cientos de amperes. En la figura 24 se Emisor
Colector OL
muestran los smbolos de estos dispositivos, as
como sus encapsulados ms comunes.
Realizar experimentos con estos transistores
resulta un tanto complejo, ya que su construc-
cin interna los hace extremadamente sensibles los que se efectan en la prueba de diodos, to-
a descargas electrostticas y, por ende, pueden mando en cuenta que ahora tenemos un dispo-
daarse con facilidad. Adems, en pocas tien- sitivo de tres terminales en vez de dos. No obs-
das de electrnica se dispone de este tipo de tante, resulta muy sencillo determinar si un
componentes (sobre todo en sus versiones de transistor se encuentra en buen estado; slo hay
baja seal), lo que dificulta an ms la elabora- que verificar si existe o no un diodo en sus ter-
cin de prcticas. De ah que hayamos decidido minales.
no hacer por el momento ningn experimento En la tabla 4 se muestran las mediciones tan-
con este tipo de dispositivos. to en transistores NPN como en PNP. Si al revi-
sar algn dispositivo el resultado no coincide con
Prueba de transistores ninguno de los dos indicados, lo ms seguro es
que el transistor tiene problemas y por lo tanto
Con respecto a los pasos a seguir para la prueba debe ser reemplazado.
de transistores, en realidad son muy parecidos a

Figura 24

Canal N Canal P Canal N Canal P

D D D D

G G G G

S S S S

MOSFET de crecimiento MOSFET de agotamiento

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 Tiristores
Aunque los diodos y transistores constituyen sin
duda alguna los dispositivos semiconductores
ms empleados en aplicaciones diversas, exis-
ten otros componentes que tambin se fabrican
con materiales de semiconduccin (por ejemplo
los tiristores, entre los que destacan el SCR, el
Triac y el Diac); sin embargo, su aplicacin es
relativamente ms especializada.
Un tiristor es un dispositivo construido con
ms de tres capas de material semiconductor, lo
que le confiere un comportamiento particular de-
pendiendo tanto del nmero de capas como de
su disposicin interna. Estos componentes sue-
len utilizarse especialmente en el manejo de
potencias elevadas; y al contrario de otros dis-
positivos electrnicos, normalmente se conec-
tan a la lnea de alimentacin para ejercer fun-
ciones de control.
El tiristor SCR
El SCR (Silicon Controlled Rectifier = rectificador
controlado de silicio) es un dispositivo especial-
mente diseado para controlar elevadas corrien-
tes y voltaje. Se construye con cuatro capas al-
ternadas de material semiconductor (figura 25),
a las cuales se conectan tres terminales llama-
das nodo, ctodo y compuerta (A, C y G respec-
tivamente). Por considerarlo inapropiado en este
momento, no veremos comprobaciones tericas
complejas; slo diremos que la estructura parti-
cular de este dispositivo lo hace funcionar como
Figura 25 A
P A
N bre de mantenimiento la corriente que circula
G
P Precisamente por este comportamiento tan
G
N
C Y si aplicamos entre las terminales A y C un
C
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un diodo que requiere de un pulso de disparo
para empezar a conducir (de ah los nombres de
nodo y ctodo). En la misma figura se muestra
el smbolo que identifica a este componente.
Principios de operacin
La forma en que trabaja este elemento es muy
sencilla: en condiciones normales, entre las ter-
minales A y C puede aplicarse un voltaje ya sea
positivo o negativo; pero mientras el voltaje de
compuerta sea igual a cero, el SCR no conducir
en absoluto (figura 26A y B).
Figura 26
I=0 I=0
A B
VG = 0
LOAD LOAD
I>0 I=0
C D
LOAD
LOAD
Si aplicamos un voltaje positivo entre A y C, y
en G un pequeo pulso de encendido, el dispo-
sitivo comenzar a conducir (aunque por una
caracterstica de realimentacin interna, perma-
necer conduciendo incluso cuando se haya re-
tirado el pulso de encendido).
La nica forma de apagar un SCR consiste en
aplicarle, momentneamente, un voltaje nega-
tivo entre A y C, o en disminuir hasta un nivel
inferior a cierto valor umbral que recibe el nom-
por l (figura 26C).
particular, el SCR es un dispositivo ideal para el
control de potencia en circuitos AC.
voltaje negativo y un pulso de encendido en G,
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 el dispositivo no conducir (vea la figura 26D)
porque el diodo interno del SCR se encuentra
polarizado de manera inversa.
Pero, para qu sirve un componente con ta-
les caractersticas? Supongamos que se tiene un
motor elctrico de AC, y que se desea controlar
la potencia suministrada (figura 27A). Hace aos,
este control se ejerca por medio de restatos
muy grandes que se encargaban de disminuir el
voltaje aplicado; para ello, era necesario aadir
una resistencia variable en serie con el motor
(figura 27B). Esto implica que la potencia no apli-
cada al motor se desperdiciaba en el restato en
forma de calor, lo cual era poco eficiente.
Figura 27 A
CONTROL
MOTOR
AC
B El Triac
Restato
MOTOR
AC
C En este caso tampoco trataremos los aspec-
MOTOR
AC
Cuando aparecieron los SCR, se descubri que
se poda recortar la seal senoidal aplicada al
motor (figura 27C). As es posible controlar de
forma muy precisa la potencia suministrada (ya
sea al motor o a cualquier dispositivo que traba-
ja con AC), con slo aplicar a los tiristores pul-
sos cuidadosamente medidos. De esta manera
no se presenta el desperdicio de energa que
implican los restatos, y adems se tiene la po-
sibilidad de controlar el funcionamiento del mo-
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Figura 28 Line 1
P
N
P
G
N
P
Line 2
L1 L1
= G
G L2
L2
tor por medio de un panel digital o incluso de
una computadora.
El Triac es un dispositivo que permite sustituir a
los SCR con los que se controla la AC. Su estruc-
tura se muestra en la figura 28; observe que exis-
ten cinco capas de semiconductor alternadas y
que se mantienen las mismas tres terminales.
tos tericos del funcionamiento de tales dispo-
sitivos. Basta con mencionar que un Triac susti-
tuye a dos SCR encontrados, y que, con uno de
estos dispositivo y un solo circuito de control se
puede regular la corriente en ambos sentidos.
Esta caracterstica, ha hecho del Triac el dispo-
sitivo ideal para el control de potencia en circui-
tos de AC.
Experimento
Con el propsito de comprobar el funcionamien-
to del Triac, enseguida efectuaremos un peque-
o experimento. Para construir el circuito que
se muestra en la figura 29, consiga los materia-
les indicados en la tabla 5.
Dado que en este experimento se manejan
voltajes relativamente altos, le recomendamos
no conectar el circuito a la lnea de alimenta-
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 0.01
Figura 29
TIC 216D
330
10k
cin sin ANTES haber comprobado que todos los
componentes se encuentran colocados en su
lugar correspondiente.
Si el ensamblado de este pequeo circuito es
correcto, observar que cuando se mueve el
potencimetro la intensidad de la luz del foco
aumenta y disminuye. Y as, experimentando,
habr construido un sencillo circuito dimmer o
atenuador de luz.
Si bien existen otros dispositivos semiconduc-
tores multicapa (genricamente conocidos como
tiristores), entre los que podemos citar al Diac, al
GTO (interruptor controlado por compuerta), al
diodo Schockley, etc., no los veremos por ahora
con excepcin del primero porque su aplica-
cin es muy especializada.
Sin embargo, si usted llega a toparse con al-
gn dispositivo de este tipo, y que hayamos ana-
lizado en cualquiera de las cuatro partes que
componen el presente artculo, ver que los prin-
cipios explicados le servirn como base para
comprender su funcionamiento.
El Diac
Otro dispositivo semiconductor multicapa que
rpidamente ha encontrado aplicaciones en apa-
Tabla 5 Cable y clavija
1 Foco con socket (mx. 60w)
1 Triac TIC216D o equivalente
1 Resistencia de 330 , 1/2w
1 Resistencia de 10k
1 condensador de polister de 0.01F/250v
ELECTRONICA y servicio No.25
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Figura 30
N
P
N
P
N
ratos para el hogar y la industria, es el Diac. La
construccin de este elemento se muestra en la
figura 30, en donde se puede apreciar que es
idntico a un Triac; mas en este caso se ha omi-
tido la terminal de disparo, lo que convierte a
este tiristor en uno de los escasos dispositivos
semiconductores multicapa con slo dos termi-
nales.
Aplicaciones del Diac
Durante las pruebas efectuadas con los prime-
ros tiristores conocidos (los SCR), se descubri
que su curva de comportamiento presentaba una
propiedad muy particular. Si polarizamos al dis-
positivo en inversa (figura 31), no existe prcti-
camente conduccin (porcin 1 de la curva),
hasta llegar al lmite de ruptura (en el cual el
voltaje aplicado es mayor de lo que puede so-
portar el dispositivo en estado de corte) para
empezar a conducir de manera abrupta y, en con-
secuencia, generar una gran cantidad de calor y
Figura 31
Porcin 4
v
Porcin 2
Porcin 3
Porcin 1
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 casi con toda seguridad provocar la destruc-
cin del tiristor (porcin 2).
Por otra parte, en los puntos positivos es po-
sible hacer que el voltaje aplicado crezca hasta
un nivel muy alto; entonces el elemento no con-
ducir, a menos que se aplique un pulso de dis-
paro en la compuerta con lo que el tiristor pa-
sara a la porcin 4 de la curva. Esto significa
que puede conducir una gran magnitud de co-
rriente con una cada mnima entre terminales.
Pero analizando cuidadosamente la porcin 3 de
la curva, los investigadores encontraron que
cuando al tiristor se le aplicaba un voltaje lo su-
ficientemente alto, entraba bruscamente en con-
duccin, aun sin necesidad de un pulso de dis-
paro. A este tipo de encendido se le llama disparo
por voltaje, y precisamente es el fenmeno que
aprovecha el Diac.
Cuando se construyeron los primeros Triac,
se descubri que su curva de comportamiento
era muy similar a la de un SCR; mas como ahora
se trata de un dispositivo bidireccional, las por-
ciones 1 y 2 de la curva anterior han sido sustitui-
das por un reflejo de las porciones 3 y 4 (figura
32). Esto significa que un Triac puede ser dispa-
rado en ambas polaridades, y que tambin en
ambos sentidos existe un voltaje lmite despus
del cual el dispositivo entra en conduccin por
s mismo sin necesidad de pulsos de disparo.
Ahora bien, descubrimientos posteriores de-
mostraron que calculando cuidadosamente el
ancho de las capas de material semiconductor y
el grado de impurezas aplicadas en cada capa,
se poda controlar de forma muy precisa el vol-
taje de ruptura. Esto permiti disear un dispo-
sitivo que entrara en conduccin exactamente a
Figura 32
v
22
eyser-251 22
los X volts, sin importar su polaridad. As surge
el Diac, cuyo smbolo y encapsulados tpicos
vemos en la figura 33.
Figura 33
Smbolo
Y para qu sirve un dispositivo con este com-
portamiento? Aunque su aplicacin ms obvia
consistira en proteger contra sobrevoltaje a los
circuitos, en realidad un Diac no soporta una
gran magnitud de corriente (en realidad, sta
provocara su destruccin); de hecho, para la
proteccin de circuitos de AC por lo general se
utiliza un dispositivo conocido como MOV o
varistor de metal-xido (cuyo estudio no entra
en los objetivos del artculo).
Para responder a la pregunta arriba formula-
da, podemos decir que el Diac es un auxiliar muy
valioso para aumentar la precisin de los circui-
tos de disparo en controles de AC basados en
Triacs. Veamos un ejemplo.
En la figura 34 se muestra el mismo circuito
controlador de potencia AC descrito en el apar-
tado correspondiente al Triac, pero ahora mejo-
rado con la inclusin de un Diac compensador;
Figura 34
Lmpara
P1
R2
Triac Diac
Q1 R1
Q2 C2
C1
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 Tabla 6 R1 = 100 , 1/2 W Triac, pero esta vez agregando un Diac para me-
jorar su desempeo (tabla 6). Note que el expe-
R2 = 1K , 1/2W
rimento es muy similar al efectuado con Triacs,
P1 = 100k lineal aunque ahora se han incorporado un Diac y un
C1 = C2 = 0.1F, 250v par de condensadores.
Mueva el potencimetro en uno y otro senti-
Q1 = TIC 216D (Triac)
do, y compruebe que es posible llegar prctica-
Q2 = D3202U equivalente (Diac)
mente a un voltaje de salida igual a cero (hecho
Lmpara mximo de 100 watts imposible de lograr con el circuito anterior).

Placa de circuito impreso para la

ste permite controlar el ngulo de disparo del
Triac en los 180 grados que dura un semiciclo
de seal AC (el circuito que slo incluye al Triac
y al potencimetro, apenas puede controlar 90
grados).
Experimento
Vamos a realizar un experimento con los mis-
mos componentes que usamos en la prctica del
fuente de alimentacin
Ya para finalizar, en la figura 35 se muestran los
diagramas para que usted construya la placa de
circuito impreso de la fuente de poder con que
hemos efectuado diversos experimentos; para
facilitarle la tarea, se indica tanto el lado de sol-
dadura como el de componentes. Para hacer los
orificios, utilice una broca de 1/32" 3/64"; y
sea cuidadoso en la labor de soldadura.

Figura 35
IN AC

IN AC

+
10cm

TIP
31
GND

OUT
+5v

5 cm

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