Electrnica IV

Universidad Autnoma del Carmen

DES de Ingeniera y Tecnologa
Unidad Acadmica CAMPUS III

Medicin de la corriente inversa del

diodo PIN o diodo de potencia
Jos Guadalupe Villanueva Snchez; Mara Jos Vzquez Lpez; Consuelo del Carmen Espinosa Garca; Jairo
Fernando Vzquez Jimnez; Lissette Maldonado Garca

RESUMEN: Se elaborar un circuito Chopper o circuito troceador que carga una bobina en corriente
para la medicin a travs de una resistencia de la corriente inversa del diodo de potencia, para posteriormente
compararla con el modelo del Pspice.

*INTRODUCCIN* Los diodos de potencia se caracterizan

porque en estado de conduccin, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad con una
Diodo de Potencia pequea cada de tensin. En sentido inverso,
deben ser capaces de soportar una fuerte tensin
Uno de los dispositivos ms importantes negativa de nodo con una pequea intensidad de
de los circuitos de potencia son los diodos, aunque fugas.
tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son
dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular
la corriente en sentido contrario al de conduccin. Caractersticas
El nico procedimiento de control es invertir el
voltaje entre nodo y ctodo. Caractersticas estticas:
Parmetros en bloqueo (polarizacin
inversa).
Parmetros en conduccin.
Modelo esttico.
Caractersticas dinmicas:
Tiempo de recuperacin inverso (trr).
Influencia del trr en la conmutacin.
Tiempo de recuperacin directo.
Potencias:
Potencia mxima disipable.
Potencia media disipada.
Potencia inversa de pico repetitivo.
Potencia inversa de pico no repetitivo.
Caractersticas trmicas.

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Proteccin contra sobreintensidades. capacidad de la unin polarizada en inverso. En

la prctica se suele medir desde el valor de pico
negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste.
Tiempo de recuperacin inverso trr (tiempo de recuperacin inversa): es la
suma de ta y tb.

*CONFIGURACIN
EXPERIMENTAL*

El paso del estado de conduccin al de

bloqueo en el diodo no se efecta
instantneamente. Si un diodo se encuentra
conduciendo una intensidad IF, la zona central de la
unin P-N est saturada de portadores
mayoritarios con tanta mayor densidad de stos
cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de
una tensin inversa forzamos la anulacin de la
corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que Material
despus del paso por cero de la corriente existe
cierta cantidad de portadores que cambian su R1 = 0.25 a 1 watt
sentido de movimiento y permiten que el diodo (4 resistencias de 1 en paralelo)
conduzca en sentido contrario durante un R2 = 10 a watt
instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo Q1 = TIP41
no se establece hasta despus del tiempo ta L = Cualquier valor
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los D = Diodo de potencia cualquiera
portadores empiezan a escasear y aparece en la
unin la zona de carga espacial. La intensidad
todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de
Equipo
cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM)
V1 = Fuente de CD de 30 V
a un valor despreciable mientras van
V2 = Generador de funciones
desapareciendo el exceso de portadores.
Osciloscopio digital
ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo
que transcurre desde el paso por cero de la Procedimiento
intensidad hasta llegar al pico negativo.
tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido 1. A partir del valor de L, calcular el tiempo de
desde el pico negativo de intensidad hasta que encendido del interruptor con una
sta se anula, y es debido a la descarga de la

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corriente mxima de 1 Amper (Frmula *RESULTADOS

VL = L di/dt)
2. Configurar el generador de funciones con EXPERIMENTALES*
el ton calculado en el punto 1

3. Simular el funcionamiento en Pspice

midiendo la corriente del diodo
4. Implementar el circuito en el Laboratorio y
realizar mediciones

Nota: En el generador de funciones se puede

ajustar el ton, toff, amplitud.

Calculos
L = 0.8914 mH

3

*DISCUSIN DE LOS
RESULTADOS*
La grfica obtenida en el osciloscopio
presentaba el triangulito del tiempo de
recuperacin inversa que se pretenda observar,
pero despus se supona que quedara en cero y en
cambio, mostraba unas oscilaciones que se cree
que es ruido.
Se deca que era por los alambres de
alimentacin que estaban extremadamente largos,
pero los acortamos y la grfica segua igual.
As que, al final, quedamos en que era por
el diodo, puesto que se compr el equivalente del
MUR860 y ste es un diodo chafa.
Electrnica IV
*CONCLUSIONES*
Para el desarrollo de esta prctica tuvimos
varios tropiezos en el inicio, pues fue difcil
conseguir el diodo de potencia, pero tuvimos la
fortuna de conseguir un equivalente, sin embargo
no todos corrieron con la misma suerte por lo que
la prctica se atraso un poquito.
Lo importante a resaltar es que nunca
habamos utilizado un equipo capaz de medir
inductores y mucho menos trabajado con ellos.
Para el equipo de medicin que utilizamos
como el osciloscopio, se tena 2 tipos de
osciloscopios, pero el ms eficaz era el tektronix ya
que este nos brindaba las opciones que
necesitbamos para medir la seal arrojada de la
bobina atreves de un trigger.
Contar con un programa de simulacin es
muy importante como el PSPICE ya que este es un
software muy completo capaz de examinar las
caractersticas de cada dispositivo electrnico y su
comportamiento casi real con respecto a la
recuperacin, salida, frecuencia y voltaje.
Otros de nuestros problemas fue poder
encontrar una bobina grande en cuestin de
inductancia porque contbamos con una que era
muy pequea (0.11 mH) por lo que decidimos
utilizar otra facilitada por otros compaeros de
otro equipo (0.89 mH).
Durante el desarrollo de la prctica en el
laboratorio al momento de hacer las mediciones
los resultados no eran muy precisos pero estos
defectos se deban a las caractersticas que
presentaba nuestro diodo chafa y la presencia de
seal parsita o ruido que se estableca de la
fuente por los cables largos hacia nuestro sistema o
circuito.
El tiempo de recuperacin inversa obtenido
en nuestro diodo de potencia fue
aproximadamente de 80 ns, mientras que la hoja
de datos que traa el empaquetado del diodo deca
que era de 60 ns.
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*BIBLIOGRAFA*
Diodos: Diodo de potencia. Extrado el 1 de octubre del
2010 desde: <http://usuarios.multimania.es/oscar
gomezf/utilidades_electronica/diodo.htm>

Electrnica de Potencia. Extrado el 1 de octubre del

2010 desde: <http://www.slideshare.net/8EL/electrnica-
de-potencia>

Google libros. Electrnica de Potencia. Extrado el 1 de

octubre del 2010 desde: <http://books.google.com.mx/
books?id=5OXh2vdmCRsC&pg=PA35&lpg=PA35&dq=%2
2corriente+inversa%22+%22diodo+de+potencia%22&so
urce=bl&ots=9qrWry5fpt&sig=6BkpT4aXpQr5-0WLIK94
6pYS_8A&hl=es&ei=CjiqTOraBITEsAOTybSfAw&sa=X&oi
=book_result&ct=result&resnum=5&ved=0CCMQ6AEwB
A#v=onepage&q=%22corriente%20inversa%22%20%22d
iodo%20de%20potencia%22&f=false>

Dispositivos de Electrnica de Potencia. Extrado el 1 de

octubre del 2010 desde: <http://materias.fi.uba.ar/6625
/Clases/Dispositivos%20de%20electronica%20de%20pot
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Diodos de Potencia. Extrado el 1 de octubre del 2010

desde: <http://www.scribd.com/doc/12949131/Diodos-
de-Potencia>

Dispositivos de la electrnica de potencia. Extrado el 1

de octubre del 2010 desde: <http://www.google.com
.mx/url?sa=t&source=web&cd=46&ved=0CCQQFjAFOCg
&url=http%3A%2F%2Fciecfie.epn.edu.ec%2FMaterial%2
F2do%2520nivel%2FDispositivosEP%2FLecturas%2FDISP
OSITIVOS%2520DE%2520%2520LA%2520ELECTRONICA
%2520DE%2520POTENCIA.ppt&rct=j&q=%22diodo%20d
e%20potencia%22&ei=6TuqTNPcG432swO1-JieDQ&usg
=AFQjCNFwFri52l6IelNTl32OgpO4yNHIKQ&cad=rja>

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*APNDICES*

30.40V

30.25V

30.00V

29.75V

29.50V
48us 49us 50us 51us
V(D5:2) V(R1:1)
Time

Figura 1 Simulacin del tiempo de recuperacin inversa del MUR860

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30.365V
30.250V
30.000V
29.750V
29.500V
49.600us 49.700us 49.800us 49.900us 50.000us 50.100us 50.200us 50.30
V(D5:2) V(R1:1)
Time