PORTADORES DE CARGA.

EL ELECTRON Y EL HUECO

En los materiales conductores la circulacin de corriente es posible gracias a la

existencia de electrones libres. En los semiconductores tambin son los electrones los
responsables de la corriente. Sin embargo, puesto que en este caso provienen de un
enlace covalente y no de una nube electrnica, el fenmeno es ms complejo, y para
su explicacin se introduce un nuevo portador de carga ficticio: el hueco.

1 GENERACION TERMICA DE PORTADORES. EL ELECTRON Y EL HUECO

Si se eleva la temperatura del monocristal de silicio por encima de 0 K, parte de la

energa trmica permite liberar alguno de los electrones. Ello produce dos efectos:

a. Aparece un electrn libre capaz de moverse a travs de la red en presencia de

un campo elctrico.
b. En el tomo al que se asociaba el electrn aparece un defecto de carga
negativa, es decir, una carga positiva, que se denomina hueco.

Globalmente, el cristal mantiene la neutralidad elctrica, ya que no ha ganado ni

perdido cargas. Cuando se producen electrones libres en un semiconductor
nicamente por agitacin trmica, existen huecos y electrones en nmeros iguales,
porque cada electrn trmicamente excitado deja detrs de s un hueco. Un
semiconductor con un nmero igual de huecos y electrones se denomina intrnseco.

Recapitulando, los semiconductores se diferencian:

de los aislantes: La energa para liberar un electrn es menor en el

semiconductor que en el aislante. As a temperatura ambiente el primero
dispone ya de portadores libres.
de los conductores: Los semiconductores poseen dos tipos de portadores de
carga: el electrn y el hueco.

En el caso del silicio puro monocristalino, el nmero de portadores libres a

temperatura ambiente es lo suficientemente bajo como para asegurar una alta
resistividad.

2 RECOMBINACION DE PARES ELECTRON-HUECO

Tal y como se acaba de explicar, el hueco es un enlace covalente "no satisfecho". Si

un electrn atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar atrapado
en l. A este fenmeno se le denomina recombinacin, y supone la desaparicin de un
electrn y de un hueco. Sin embargo, como en el caso anterior, el material mantiene su
neutralidad elctrica.

3 IMPURIFICACION O DOPADO DE LOS SEMICONDUCTORES

En un semiconductor intrnseco las concentraciones de huecos y de electrones pueden

alterarse mediante la adicin de pequeas cantidades de elementos
llamados impurezas o dopantes, a la composicin cristalina. Como veremos a lo largo
de este curso, es esta caracterstica de los semiconductores la que permite la
existencia de circuitos electrnicos integrados.

La cuestin es: Qu sucede si adems de elevar la temperatura por encima de 0 K

consideramos la presencia de impurezas en el silicio?. Supongamos que sustituimos
un tomo de silicio (que pertenece al grupo IV) por otro de fsforo (grupo V),
pentavalente. Como slo hay la posibilidad de establecer cuatro enlaces covalentes
con los tomos de silicio adyacentes, un electrn quedar libre. Teniendo en cuenta
esto, es fcil deducir que es lo que ocurrir si se sustituye un tomo de silicio por otro
de un elemento perteneciente al grupo III, el boro por ejemplo: evidentemente se
introducir un hueco, ya que el boro solo aporta tres electrones de valencia. Las dos
situaciones se clarifican en la Figura 2.

Figura 2: Introduccin de impurezas en el silicio

Si la introduccin de impurezas se realiza de manera controlada pueden modificarse

las propiedades elctricas en zonas determinadas del material. As, se habla de
dopado tipo P N (en su caso, de silicio P N) segn se introduzcan huecos o
electrones respectivamente.

Centrmonos ahora en el silicio tipo P. En la prctica, a temperatura mayor que cero

este material estar formado por:

Huecos procedentes del dopado.

Huecos procedentes de la generacin trmica de pares e-/h+.
Electrones procedentes de la generacin trmica de pares e-/h+.
Electrones y huecos procedentes de impurezas no deseadas.

Habitualmente, a temperatura ambiente, el nivel de dopado es tal que los huecos

procedentes de l superan en varios rdenes de magnitud al resto de portadores. Ello
confiere el carcter global P del material. Sin embargo, ha de tenerse en cuenta que
existen electrones. En este caso, los huecos son los portadores mayoritarios, y los
electrones los minoritarios. Si se trata de un material de tipo N, los portadores
mayoritarios sern los electrones, y los minoritarios los huecos. Con la tabla siguiente
se pretende rematar estos conceptos.
 Material Portadores mayoritarios Portadores minoritarios
Silicio Puro - -
Silicio tipo P Huecos Electrones
Silicio tipo N Electrones Huecos

Hay que resaltar nuevamente que el dopado no altera la neutralidad elctrica global del
material.