UNIVERZITET U BEOGRADU

ELEKTROTEHNIKI FAKULTET

Duan S. Matijaevi

RADIJACIONI EFEKTI U
SUPERIZOLATORIMA

doktorska disertacija

Beograd, 2012
 UNIVERSITY OF BELGRADE

SCHOOL OF ELECTRICAL ENGINEERING

Duan S. Matijaevi

RADIATION EFFECTS IN
SUPERINSULATORS

Doctoral Dissertation

Belgrade, 2012
Mentor: dr Milo Vujisi, docent Elektrotehnikog fakulteta Univerziteta u Beogradu

lanovi komisije:

dr Milo Vujisi, docent Elektrotehnikog fakulteta Univerziteta u Beogradu

dr Predrag Osmokrovi, redovni profesor Elektrotehnikog fakulteta Univerziteta u

Beogradu

dr Predrag Marinkovi, redovni profesor Elektrotehnikog fakulteta Univerziteta u

Beogradu

dr Nenad Caki, vanredni profesor Elektrotehnikog fakulteta Univerziteta u Beogradu

dr Aleksandra Vasi-Milovanovi, vanredni profesor Mainskog fakulteta Univerziteta

u Beogradu

Datum odbrane: 11.6.2012.

 Hteo bih da se zahvalim doc. dr Milou Vujisiu, mom mentoru, na ogromnom
dobrinosu prilikom izrade doktorske disertacije. Lakoa komunikacije, njegova
spremnost da pomogne i oseaj za reavanje realnih problema, omoguili su mi da
celokupan pristup doktorskoj disertaciji doivim kao veliki izazov i ansu u nauno-
istraivakom radu.
Takoe sam zahvalan prof. dr Predragu Marinkoviu, vanr. prof. dr Aleksandri
Vasi, i vanr. prof. dr Nenadu Cakiu na korisnim strunim savetima, kojima su
doprineli kvalitetu ove disertacije.
Posebnu zahvalnost dugujem prof. dr Predragu Osmokroviu od koga sam tokom
viegodinjeg rada dobijao dragocene savete i pomo u nauno-istraivakom radu.
Njegov entuzijazam i pozitivna energija pomogli su mi da istrajem i da uobliim ovu
disertaciju.
Zahvaljujem se saradnicima Zavoda za fiziku tehnikih fakulteta Univerziteta u
Beogradu, kao i kolegama sa Elektrotehnikog fakulteta Univerziteta u Beogradu, a
posebno dr Koviljki Stankovi.
Veliku zahvalnost dugujem svojim dragim roditeljima i sestri Gordani, koji su mi
uvek pruali neophodnu podrku i bodrili me.
Svojoj supruzi Smilji zahvalan sam to je imala razumevanja i to je uvek uz mene.
Doktorsku disertaciju posveujem svojim sinovima Nemanji i Rastku, pred kojima
su velike obaveze na nastave porodinu tradiciju.
 RADIJACIONI EFEKTI U SUPERIZOLATORIMA

Rezime

Superprizolatorsko stanje je po prvi put eksperimentalno uoeno pre svega

nekoliko godina. Za elektrotehnike primene, najznaajnija osobina superizolatora je
beskonana elektrina otpornost. Superizolatorsko stanje mogue je shvatiti kao dualno
superprovodnom, pri emu oba opstaju samo do odreenih kritinih vrednosti ista tri
parametra: temperature, primenjenog napona i jaine magnetnog polja. Mogue primene
superizolatora su za izolaciju kablova (pogotovo superprovodnih kablova, ija
konstrukcija podrazumeva hlaenje do niskih temperatura na kojima se odravaju i
superprovodno i superizolatorsko stanje), galvanskih elemenata (ime bi gubici usled
struja curenja mogli da se svedu na zanemarljiv nivo) i komponenti u tehnologiji
integrisanih kola (to bi omoguilo izradu znatno tanjih dielektrinih slojeva).
Nakon razmatranja optih karakteristika izolatorskih materijala i osobina
superprovodnog stanja, u radu je dat opis mikroskopskih i makroskopskih karakteristika
superizolatorske faze. Detaljno su razmotreni efekti zraenja na materijale, u zavisnosti
od vrste zraenja i osobina materijalne sredine kroz koju ono prolazi. Posebna panja
posveena je interakciji zraenja sa izolatorskim materijalima, sa naglaskom na
radijaciona oteenja u vrstim izolatorima.
Izloeni su principi Monte Carlo metoda simulacije prolaska zraenja kroz
materijal, koje se zasnivaju na numerikoj simulaciji sluajnih veliina na osnovu
poznatih raspodela.
Prikazani su rezultati numerikih simulacija dejstva zraenja na analizirane
superizolatorske filmove, kojim su obuhvaeni gubici energije upadnog zraenja putem
jonizacije, fononskog pobuivanja reetke i izmetanja atoma materijala. Numerika
simulacija sporvedena u radu dovedena je u vezu sa teorijskim modelom
superizolatorske faze, uzimajui u obzir sve specifinosti ovog stanja. Uoeno je da
svaki od tri vida deponovanja energije zraenja u superizolatorima dovodi do
specifinih promena njegovih fizikih osobina, koje mogu da budu prolazne ili trajne.
Efekti zraenja razmatrani su sa stanovita strukturnih promena unutar ispitivanih
filmova, kao i promena elektrinih osobina, kao to su specifina elektrina otpornost i
strujno-naponska karakteristika. Radijacione promene su uporeene za razne tipove
zraenja i debljine filmova superizolatorskih materijala.
Ispitivanja i analiza sprovedeni u disertaciji ukazuju da se za odreene energetske
opsege, flunse i vrste zraenja mogu oekivati znatni efekti u superizolatorima, ak i pri
nanometarskim debljinama ovih materijala. Zakljuci o dejstvu zraenja na filmove u
superizolatorskom stanju omoguili su da u disertaciji budu predloene metode
radijacionog ovravanja sloenijih struktura u kojima bi se nali filmovi
superizolatora.

Kljune rei: superizolatori, superprovodnici, zraenje, radijacioni efekti, jonski snop,

Monte Carlo metoda, numerika simulacija

Nauna oblast:

Ua nauna oblast:

UDK broj: 621.3

 RADIATION EFFECTS IN SUPERINSULATORS

Abstract

Superinsulating state was experimentally observed for the first time only a couple
of years ago. The most important property of superinsulators, for their use in electrical
engineering, is the infinite electrical resistance. The superinsulating state can be viewed
as being dual to the superconducting one, with both states subsisting only below certain
critical values of the same three parameters: temperature, applied voltage, and magnetic
field strength. Possible applications of superinsulators are for cable insulation
(especially of superconducting cables that have to be cooled to low temperatures, at
which both the superconducting and the superinsulating state can exist), insulation of
galvanic elements (for reducing leakage current losses to a negligible level), and
insulation of components in integrated circuit technology (which could make dielectric
layers even thinner).
After surveying general characteristics of insulating materials and the properties of
the superconducting state, the dissertation provides a description of microscopic and
macroscopic characteristics of the superinsulating phase. A detailed review of radiation
effects in materials is included, depending on the type of radiation and the properties of
the medium it traverses. Special attention is given to the interaction of radiation with
insulating materials, emphasizing radiation damage in solid state insulators.
The principles of using Monte Carlo methods for simulating the passage of
radiation through matter are represented.
Results of numerical simulations of radiation effects in the analyzed
superinsulating films are presented. Simulated radiation transport included incident
radiation energy losses through ionization, phonon excitation, and atom displacement.
The conducted numerical simulation was linked to the theoretical model of the
superinsulating phase, taking account of all the specific traits of this state. It was noted
that all three modes of radiation energy deposition in superinsulators bring about either
transient or permanent changes of their properties. Radiation effects were considered
with respect to structural changes within the investigated films, as well as the changes
of electrical properties, such as the specific electrical resistance and the current-voltage
characteristic. Radiation-induced changes were compared for various types of radiation
and different superinsulating film thicknesses.
Investigation and analysis conducted in the dissertation suggest that for certain
energy ranges, fluence levels and types of radiation considerable effects in
superinsulators are to be expected, even at nanometer thickness. Based on the
conclusions about radiation effects in superinsulating films, methods for radiation
hardening of complex structures comprising these films are proposed in the dissertation.

Keywords: superinsulators, superconductors, radiation, radiation effects, ion beam,

Monte Carlo method, simulation

Nauna oblast:

Ua nauna oblast:

UDK number: 621.3

SADRAJ

1. UVOD............................................................................................................................ 1
2. SAVREMENI IZOLATORSKI MATERIJALI ............................................................ 3
2.1. Osobine vrstih izolatora ........................................................................................ 8
2.1.1. Relativna dielektrina permitivnost .................................................................. 8
2.1.2. Kompleksna dielektrina permitivnost ........................................................... 13
2.1.3. Faktor dielektrinih gubitaka .......................................................................... 14
2.1.4. Specifina elektrina otpornost ....................................................................... 18
2.1.5. Dielektrina vrstoa ...................................................................................... 21
2.2. Izolatori sa Kuperovim parovima ......................................................................... 26
2.2.1. Superprovodno stanje...................................................................................... 26
2.2.2. Dozefsonov spoj ............................................................................................ 31
2.2.3. Osobine izolatora sa Kuperovim parovima..................................................... 32
2.3. Superizolatori ....................................................................................................... 35
3. UTICAJ ZRAENJA NA FILMOVE IZOLATORSKIH MATERIJALA ................ 40
3.1. Interakcije zraenja sa atomima i molekulima ..................................................... 40
3.2. Gubitak energije zraenja pri prolasku kroz materijal.......................................... 48
3.3. Interakcija zraenja sa izolatorskim materijalima ................................................ 71
3.4. Radijaciona oteenja u vrstim izolatorima ........................................................ 72
4. NUMERIKA SIMULACIJA TRANSPORTA ZRAENJA KROZ
SUPERIZOLATORSKE FILMOVE .......................................................................... 79
4.1. Monte Carlo metoda simulacije prolaska zraenja kroz materijal ....................... 79
4.2. Generatori sluajnih brojeva................................................................................. 81
4.3. Rezultati numerikih simulacija dejstva zraenja na superizolatorske filmove ... 83
5. ANALIZA EFEKATA ZRAENJA U SUPERIZOLATORIMA............................ 111
5.1. Diskusija rezultata numerikih simulacija.......................................................... 111
5.2. Metode radijacionog ovravanja superizolatora ............................................. 115
6. ZAKLJUAK I PRAVCI DALJEG ISTRAIVANJA ............................................ 118
LITERATURA .............................................................................................................. 122
BIOGRAFIJA AUTORA .............................................................................................. 128
1. UVOD

Brojne primene elektronskih ureaja i elektrinih komponenti podrazumevaju

njihov rad u uslovima izloenosti jonizujuem zraenju, pri emu se pod jonizujuim
zraenjem podrazumeva estino i elektromegnatno zraenje sposobno da izazove
jonizaciju atoma i molekula sredine kroz koju prolazi. Pored zraenja koje prati ljudske
prakse, naa ivotna sredina neprestano je izloena kosmikom zraenju - primarnom,
koje dospeva do nae planete sa Sunca ili iz daljih delova galaksije, i sekundarnom, koje
nastaje u interakcijama primarnog zraenja sa atmosferom. Stoga je prouavanje dejstva
zraenja na elektronske komponente i materijale koji ih sainjavaju nezaobilazni aspekt
analize pouzdanosti rada ovih komponenti, ak i kada se koriste u uslovima bez
prisustva vetakih izvora zraenja. Analiza uticaja zraenja na savremene materijale
znaajna je i zbog uvida u ponaanje ovih materijala tokom standardnih tehnolokih
procesa izrade integrisanih elektronskih komponenti, koji esto ukljuuju izlaganje
jonskim snopovima u cilju implantacije primesa i profilisanja oblasti eljenih elektrinih
karakterstika.
U tehnologiji izrade integrisanih kola izolatorski materijali imaju mnogobrojne
uloge: od dielektrika gejta u MOS tehnologiji, preko vertikalne separacije susednih
elemenata, izolacije poluprovodnikih i provodnih slojeva u planarnim kolima, do
pasivizacije celokupnih kola. Minijaturizacija i sve vea gustina pakovanja u
savremenim komponentama nalau da se traga za alternativnim izolatorskim
materijalima, koji bi zamenili tradicionalne izolatore iji nedostaci postaju sve vei
problem sa svakom novom generacijom integrisanih komponenti.
Dok se ve decenijama ine brojni napori da se ostvare uslovi za rasprostranjenu
primenu superprovodnih materijala, tek nedavno je otkriveno da neki od ovih
materijala, pod pogodnim uslovima, prelaze u stanje okarakterisano nultom
provodnou. Materijali u ovom stanju nazvani su superizolatorima.
Cilj ovog rada je da se primenom Monte Carlo simulacije transporta zraenja kroz
superizolatorske filmove analizira dejstvo izlaganja jonizujuem zraenju na
karakteristike superizolatora, kao i da se doe do praktinih zakljuaka o primenjivosti
ovih materijala u uslovima izloenosti zraenju.

1
 U teorijskom delu rada izloene su fizike osobine superizolatroske faze, kao i
detalji interakcije zraenja sa izolatorskim materijalima u vrstom stanju.
Radijacioni efekti u superizolatorima analizirani su matematikim eksperimentima,
primenom Monte Carlo metoda simulacije. Jedinstvene fizike osobine
superizolatorskog stanja obuhvaene su modelom 2D niza Dozefsonovih spojeva.
Vrste zraenja i energetski opsezi u simulacijama odabrani su tako da predstavljaju
polja zraenja prisutna u svemirskim letelicama, na akceleratorskim i reaktorskim
postrojenjima, ili na odeljenjima nuklearne medicine i radioterapije, u kojima se oekuje
primena elektronskih komponenti koje e sadrati superizolatorske materijale. Uticaj
zraenja na superizolatore iskazan je kroz promene fizikih i elektrinih osobina
ispitivanih filmova. Razvijen je originalan model dejstva zraenja na karakteristike
superizolatora, kojim su obuhvaeni efekti uoeni u simulacijama. Na osnovu rezultata
numerikih eksperimenata odreene su vrednosti fluensa razliitih vrsta zraenja, kao i
apsorbovane doze u materijalima, pri kojima se oekuje pojava pojedinih radijacionih
efekata predvienih teorijskim modelom.
U zakljuku rada, ispitivani materijali uporeeni su sa stanovita budue primene u
radijacionim sredinama i predloeni mogui pravci daljeg istraivanja u ovoj oblasti.

2
2. SAVREMENI IZOLATORSKI MATERIJALI

Sutina problematike kojom se bave elektromagnetika i elektrotehnika svodi se na

mikroskopske i makroskopske efekte statikog naelektrisanja i usmerenog kretanja
naelektrisanja. Usmereno kretanje naelektrisanja, to jest elektrinu struju, omoguava
gradijent elektrinog potencijala, odnosno postojanje taaka u prostoru na razliitim
potencijalima. Za postojanje elektrotehnike treba da zahvalimo mogunosti realizacije
potencijalne razlike i mogunosti usmerenog kretanja naelektrisanja, tanije reeno
postojanju materijala koji provode elektrino naelektrisanje i materijala koji razdvajaju
razliite potencijale, odnosno koji ne provode elektrino naelektrisanje. Takvi materijali
se nazivaju elektroprovodni i elektroneprovodni materijali ili, skraeno, provodnici i
neprovodnici. Neprovodne materijale delimo jo na poluprovodnike i dielektrine
(izolatorske) materijale. Kriterijumi na osnovu kojih se vri ova podela baziraju se na
fundamentalnoj karakteristici materijala - energetskom procepu. Pored kriterijuma za
podelu elektrinih materijala prema energetskom procepu, esto se primenjuje i
istorijski stariji kriterijum prema ponaanju materijala u spoljanjem elektrinom polju.
Kristalni vrsti materijali odlikuju se periodinim prostornim rasporedom
strukturnih jedinica (atoma, jona ili molekula). Periodian raspored geometrijskih
taaka, koje predstavljaju ravnotene poloaje strukturnih jedinica u kristalu, naziva se
kristalna reetka. Kristal se moe tretirati kao gigantski molekul, u kom dolazi do
kolektivizacije elektrona pri zbliavanju pojedinanih atoma. Pored kristalnih, postoje i
nekristalni vrsti materijali, koji ne poseduju prostorno periodini raspored strukturnih
jedinica: amorfni materijali, teni kristali, polimeri i kompoziti [1,2].
Postojanje energetskog procepa je posledica meuatomskog dejstva na
kvantnomehanikom nivou. Nastankom kristala kao kvantnomehanikog sistema,
konstitutivni atomi gube svoju kvantnomehaniku autonomiju i kolektiviziraju se. Ta
kolektivizacija atoma u kristalnoj strukturi dovodi do pojave periodinog elektrinog
polja unutar kristala, i do pojave energetskih zona. Pojava energetskih zona, takozvana
zonalna struktura, uslovljena je cepanjem kvantnih nivoa pojedinanih atoma u kristalu.
Ovo cepanje nuno proistie iz Paulijevog principa iskljuenja za kristal kao
kvantnomehaniki sistem u celini. Prema Paulijevom principu iskljuenja, nije mogue
unutar jednog kvantno-mehanikog sistema nai dva fermiona (u posmatranom sluaju

3
elektrona) sa ista sva etiri kvantna broja (glavni, orbitalni, magnetni i spinski), a to
znai da kvantni nivoi valentnih elektrona atoma u kristalu moraju da se cepaju u cilju
poveanja broja dozvoljenih kvantnih stanja okarakterisanih razliitim kvantnim
brojevima. Meusobni razmak tako nastalih kvantnih nivoa je reda veliine 1022 eV,
to znai da se njihova diskretnost moe smatrati finom strukturom u odnosu na energije
karakteristine za atomske procese (reda veliine 10 eV i vie). Tako nastale oblasti
kvazikontinualnih energetskih stanja elektrona u kristalu nazivaju se energetske zone.
Unutar energetskih zona kristala elektroni se ponaaju kvazislobodno. To znai da
se oni lako pokreu spoljanjim toplotnim ili elektrinim poljem (takozvani
unutarzonski prelazi), uz ogranienja koja proistiu iz Paulijevog principa iskljuenja
(unutarzonski prelaz je nemogu ako vodi na zauzeto kvantnomehaniko stanje), i iz
dejstva periodinog elektrinog polja kristalne strukture. Ovi kvazislobodni elektroni
mogu da se tretiraju kao da su slobodni, sa efektivnom masom koja ukljuuje
specifinosti njihovog kretanja. U prvoj aproksimaciji moemo kvazislobodne elektrone
posmatrati kao slobodne elektrone energije:

p2 hk 2
E= = (2.1)
2 me 2 me

gde je k = 2/ talasni broj elektrona koji mu se pridruuje na osnovu odgovarajue

de Broljeve talasne duine .
Kako izraz (2.1) predstavlja parabolinu zavisnost izmeu energije kvazislobodnog
elektrona i njegovog talasnog broja (isprekidana linija na slici 2.1), moglo bi se
zakljuiti da kvazislobodnim elektronima u kristalu odgovaraju kontinulana kvantna
energetska stanja. Meutim, to bi bilo u suprotnosti sa kvantnomehanikom strukturom
kristala i kvazislobodnih elektrona kao njegovih konstitutivnih elemenata. Iz
kvantnomehanike prirode procesa koje posmatramo nuno proistie kvantovanje stanja
kvazislobodnih elektrona, to znai da za njih, pored dozvoljenih energetskih zona u
kristalu, moraju postojati i zabranjene energetske zone.
Da bi odredili granice dozvoljenih i zabranjenih energetskih zona u kristalu
polazimo od podatka da, prema Bragovom zakonu difrakcije za sluaj proste kubine
reetke parametra a, elektron talasnog broja n/a (n = 1, 2, ...) ne moe da se prostire

4
kroz kristal, to jest ne moe da postoji u njemu, jer se takav elektronski talas potpuno
reflektuje od kristala. Na osnovu toga moemo da zakljuimo da su talasni brojevi
/a, 2/a, ... zabranjeni za kvazislobodne elektrone u kristalu sa kubinom reetkom
parametara a, usled ega odgovarajui zonski spektar dobija izgled prikazan punom
linijom na slici 2.1. Oblasti vrednosti talasnog broja k pri kojima se energija elektrona
menja neprekidno, a na granicama doivljava prekid nazivamo Briluenove zone. Zbog
periodinosti kristala nije potrebno razmatrati strukturu i fenomene u svim Briluenovim
zonama, proto se sve mogu svesti na prvu Briluenovu zonu (/a < k < /a).

Slika 2.1. Zavisnost energije od talasnog broja kvazislobodnog elektrona u

kristalu sa kubinom reetkom parametara a, sa naznaenim dozvoljenim i
zabranjenim energetskim zonama.

Na slici 2.1. uoava se da kriva zavisnosti energije elektrona od talasnog broja

odstupa od parabolinog oblika, to rezultuje formiranjem niza zabranjenih zona.
Pri zbliavanju pojedinanih atoma, kolektivizacijom perifernih elektrona nastaju
dve energetske zone najbitnije za osobine kristala - valentna i provodna. Ove dve zone
nalaze se na vrhu energetske skale, pri emu se valentna zona nalazi ispod provodne.
irina valentne energetske zone je ~ 1 eV, dok su irine niih dozvoljenih zona manje.
Stepen kolektivizacije perifernih elektrona razliit je kod razliitih tipova hemijskih
veza u vrstom telu, ime je odreen i elektrini karakter materijala. Jonksa veza
osvaruje se prelaskom elektrona sa jednog tipa atoma u reetci na drugi, ime se dobija
struktura vrsto vezanih jona, u kojoj nema slobodnih elektrona, pa je ova veza
karaktersitina za mnoge vrste izolatorke materijale (dielektrike). Elektrostatika sila

5
koja dejstvuje izmeu jona je dugodometna i neusmerena, to znai da svaki jon osea
dejstvo velikog broja drugih jona iz okoline. U nekim vrstim izolatorima (npr. SiO2),
kao i u veini vrstih poluprovodnih materijala, hemijska veza kojom su povezani atomi
je kovalentna. Za razliku od jonske, kovalentna veza je usmerena, zasiena i
kratkodometna, to znai da je prisutna samo izmeu pojedinih susednih atoma u
vrstom telu. Kovalentna veza se pojmovima kvantne mehanike opisuje kao preklapanje
elektronskih gustina dva interagujua susedna atoma, ime oni ostvaruju stabilne
elektronske konfiguracije najbliih plemenitih gasova sa po osam elektrona u
spoljanjoj elektronskoj ljusci. U obrazovanju kovalentne veze uestvuju iskljuivo
periferni (valentni) elektroni, jer su nii nivoi u potpunosti popunjeni elektronima i
stoga hemijski neaktivni. U vrstom telu se upravo elektroni koji sainjavaju kovalentne
veze nalaze u valentnoj energetskoj zoni. Kako su valentni elektroni lokalizovani
izmeu najbliih suseda, kovalentni vrsti materijali u istom stanju (bez neistoa i
primesa) slabo provode elektrinu struju [2].
Za praktina razmatranja, itava zonska struktura materije se moe svesti na
valentnu i provodnu zonu (slika 2.2). Elektroni u provodnoj zoni pod dejstvom
spoljanjih polja lako uestvuju u provoenju toplote i naelektrisanja. Razlika energija
dna provodne zone Ep i vrha valentne zone E naziva se energetski procep Eg = Ep E i
predstavlja fundamentalnu karakteristiku materijala.

Ep
Eg
Ev

Slika 2.2. Dozvoljene i zabranjene energetske zone u kristalu, sa oznakama

dna provodne zone Ep, vrha valentne zone E i energetskog procepa Eg.

Najpreciznija podela elektrinih materijala zasniva se na vrednosti energetskog

procepa. Provodni materijali imaju nepopunjene energetske nivoe koji se nalaze iznad

6
valentnih nivoa. Elektroni se mogu lako, pod dejstvom spoljanjeg elektrinog polja,
premetati na susedne, vie nivoe, ostvarujui na taj nain elektrinu struju. Neprovodni
materijali su oni kod kojih je valentna zona sasvim popunjena, tako da spoljanje
elektrino polje ne predaje elektronima dovoljno energije, pa oni ne mogu da ostvare
meuzonske prelaze. Zbog toga su ovi materijali neprovodni pri uobiajenim
vrednostima spoljanjeg elektrinog polja. Dodatna klasifikacija neprovodnih materijala
vri se, takoe, na bazi energetskog procepa. Prema ovoj klasifikaciji, poluprovodnici
imaju energetski procep manji od 3,5 eV, a dielektrini ili izolatorski materijali vei od
3,5 eV.
Interakcija spoljanjeg elektrinog polja i materije se svodi na pomeranje
konstitutivnih naelektrisanih estica materije u pravcu polja. U sluaju da su neke od
konstitutivnih naelektrisanih estica materije slobodne (u smislu zonalne strukture
materije, ovaj uslov znai da postoje naelektrisane estice u provodnoj zoni), to jest da
se braunovski kreu kroz materiju, ovo pomeranje je makroskopsko, i njemu se vezane
konstitutivne estice materije suprotstavljaju sudarnim procesima. U sluaju da su sve
konstitutivne naelektrisane estice materije vezane, odnosno da osciluju oko stabilnih
ravnotenih poloaja, ovo pomeranje je mikroskopsko, i rezultuje stvaranjem dipola na
nivou strukturnih jedinica, to jest efektom poznatim pod imenom polarizacija. Ova dva
sutinski razliita odgovora materije na dejstvo spoljanjeg elektrinog polja javljaju se
istovremeno kod svih oblika materije [1].
Ako je za neki materijal dominantno usmereno kretanje slobodnih naelektrisanih
estica pod dejstvom spoljanjeg elektrinog polja, makroskopski se karakterie
veliinom poznatom pod imenom specifina elektrina otpornost (), koja predstavlja
koeficijent proporcionalnosti izmeu spoljanjeg elektrinog polja i gustine elektrine
struje. Takve materijale smatramo elektroprovodnim. Ako je za neki materijal
dominantan efekat polarizacije pod dejstvom spoljanjeg elektrinog polja,
makroskopski se karakterie veliinom poznatom pod imenom elektrina
susceptibilnost, koja predstavlja koeficijent proporcionalnosti izmeu gustine
polarizacije i spoljanjeg elektrinog polja. Takve materijale smatramo
elektroneprovodnim. Osnovna karakteristika dielektrika je njihova sklonost ka
polarizaciji pod dejstvom elektrinog polja, po emu se razlikuju od provodnika, kod
kojih elektrino polje dovodi do prenosa mase i energije.

7
 Podela elektrinih materijala prema ponaanju u spoljanjem elektrinom polju se
bazira na vrednosti specifine elektrine otpornosti. Razlog za ovo lei u injenici da se
specifina elektrina otpornost lako odreuje i za provodne, i neprovodne materijale,
dok se elektrina susceptibilnost ne odreuje jednostavno za provodne materijale.
Vrednost specifine elektrine otpornosti je za provodne materijale izmeu 108 i 106
m, za poluprovodnike materijale izmeu 106 i 1010 m, i za dielektrine materijale
izmeu 106 i 1018 m. Vidimo da po drugom kriterijumu dolazi do preklapanja
vrednosti specifine elektrine otpornosti karakteristine za poluprovodnike i
dielektrine materijale, te je stoga kriterijum prema veliini energetskog procepa
pouzdaniji.

2.1. Osobine vrstih izolatora

Najvaniji elektrini parametri izolatora su relativna dielektrina permitivnost,

faktor dielektrinih gubitaka, specifina unutranja i specifina povrinska elektrina
otpornost, kao i dielektrina vrstoa. Ove osobine, kojima se karakteriu dielektrini
materijali, posledica su njihovih fizikih osobina i od presudnog su znaaja prilikom
izbora nekog dielektrinog materijala za konkretnu namenu. Meu faktorima koji utiu
na ove osobine su frekvencija primenjenog napona, temperatura, vreme, vlanost,
mehanike deformacije i izloenost jonizujuem zraenju [1,2].

2.1.1. Relativna dielektrina permitivnost

Eksperimentalno je ustanovljeno da dva naelektrisana tela deluju meusobno

Kulonovom silom, proporcionalnom proizvodu tih naelektrisanja, a obrnuto
proporcionalnom kvadratu njihovog rastojanja, to jest:

Q1 Q2
F (2.2)
r2

8
 Uvoenjem konstante proporcionalnosti izraz (2.2) postaje:

1 Q1 Q2
F= (2.3)
4 0 r2

gde je 0 dielektrina permitivnost vakuuma. Ukoliko bi se naelektrisana tela nalazila u

nekoj drugoj dielektrinoj sredini, a ne u vakuumu, Kulonova sila izmeu njih bila bi
odreena izrazom:

1 Q1 Q2
F= (2.4)
4 r2

gde je dielektrina permitivnost materijala te sredine. Na osnovu izraza (2.3) i (2.4)

mogue je definisati relativnu dielektrinu permitivnost r nekog materijala kao odnos
Kulonove sile koja dejstvuje izmeu dva naelektrisana tela u vakuumu i u tom
materijalu, pri njihovom jednakom rastojanju.
Relativna dielektrina permitivnost moe alternativno da se definie preko promene
kapacitivnosti kondenzatora, kada se izmeu njegovih obloga postavlja dielektrini
materijal umesto vakuuma. Kapacitivnost kondenzatora sa izolatorom vea je r puta od
kapacitivnosti kondenzatora sa vakuumom. Ako se razlika potencijala na elektrodama
kondenzatora odrava konstantnom, za naelektrisanje kondenzatora sa vakuumom,
odnosno dielektrikom, izmeu metalnih elektroda, dobija se, respektivno:

Q0 = C0U (2.5)

Q =CU (2.6)

odnosno dobija se da je naelektrisanje kondenzatora sa dielektrikom izmeu metalnih

elektroda kondenzatora r puta vee od naelektrisanja kondenzatora sa vakuumom
izmeu metalnih elektroda.
Relativna dielektrina konstanta r se moe definisati, takoe, i u oblasti
ultravisokih frekvencija, tako to se brzina elektromagnetnih talasa u dielektriku

9
smanjuje u odnosu na njihovu brzinu u vakuumu r1/2 puta. Tako r za proizvoljni
izolator moe da se odredi merenjem talasnih duina elektromagnetnih talasa u tom
izolatoru i u vakuumu.
Relativna dielektrina konstanta moe da bude statika (u polju jednosmerne struje,
= 0) i dinamika (u polju naizmenine struje, > 0). Dielektrina permitivnost r ima
uglavnom pozitivnu vrednost, ali se kod frekventnih karakteristika r() mogu pojaviti
frekvencije na kojima relativna dielektrina permitivnost ima negativnu vrednost.
Takoe, r zavisi i od jaine elektrinog polja, a kod malog broja dielektrika zavisi i od
jaine magnetnog polja. Kod linearnih dielektrika pri veim vrednostima jaine
elektrinog polja moe da se javi nelinearna zavisnost r od elektrinog polja.

Slika 2.3. Model ploastog kondenzatora sa dielektrinim materijalom.

Sve do sada navedene definicije relativne dielektrine permitivnosti su

makroskopske prirode. Odziv izolatorskih materijala na dejstvo elektrinog polja
izraen relativnom dielektrinom permitivnou posledica je sklonosti dielektrinih
materijala ka polarizaciji, pa samim tim predstavlja mikroskopsku veliinu. Posmatrano
mikroskopski, relativnu dielektrinu permitivnost je mogue definisati kao odnos jaine
elektrinog polja u dielektriku i jaine elektrinog polja u vakuumu, odnosno kao
sklonost dielektrika prema polarizaciji. Pojava polarizacije se moe objasniti
posmatranjem ploastog kondenzatora, optereenog naelektrisanjem povrinske gustine
. Tada se mogu javiti dva sutinski razliita sluaja: kada je izmeu metalnih elektroda
vakuum, i kada je izmeu metalnih elektroda neki dielektrik (slika 2.3).

10
 Kada je izmeu metalnih elektroda kondenzatora vakuum, jaina elektrinog polja
u kondenzatoru je:

E0 = (2.7)
0

gde je 0 dielektrina konstanta vakuuma. Razlika potencijala izmeu metalnih

elektroda kondenzatora u tom sluaju iznosi:

E0
U0 = (2.8)
d

gde je d rastojanje izmeu ploa kondenzatora.

U drugom sluaju, kada se izmeu ploa kondenzatora nalazi dielektrik, jaina
elektrinog polja, a time i razlika potencijala izmeu metalnih elektroda kondenzatora,
smanjuje se r puta:

E
E= = 0 (2.9)
0r r

Smanjenje jaine elektrinog polja se objanjava time to se na povrinama

dielektrika, koji se nalazi izmeu metalnih elektroda, obrazuju naelektrisanja suprotnog
znaka od naelektrisanja na elektrodama koje ga delimino neutralie. Ovo
neutralizovano naelektrisanje je odreeno vektorom polarizacije P, iji intenzitet je:

1
P = 1 (2.10)
r

Za lokalno definisanje relativne dielektrine permitivnosti potrebno je jo uvesti i

vektor dielektrinog pomeraja D:

D 0E + P (2.11)

11
za iji intenzitet vai:

D = (2.12)
0

Za linearni dielektrik, r ne zavisi od jaine spoljanjeg elektrinog polja i vae

relacije:

P = 0 e E (2.13)

D = 0 r E (2.14)

gde je e elektrina susceptibilnost, to znai da je veza izmeu elektrine

susceptibilnosti i relativne dielektrine permitivnosti odreena izrazom:

e = 1 r (2.15)

Iz prethodnih izraza izvodi se relacija:

P
r 1 = (2.16)
0 E

Kod izotropnih dielektrika, r je isto u svim pravcima i smerovima. Kod

anizotropnih dielektrika, r ima razliite vrednosti u razliitim smerovima. U sluaju
anizotropnih linearnih dielektrika, relacija (2.14) postaje tenzorska jednaina oblika:

Di
= rij E j , i, j = 1, 2, 3, ... (2.17)
0

12
2.1.2. Kompleksna dielektrina permitivnost

Kada se ploasti kondenzator, optereen koliinom naelektrisanja Q, prikljui na

izvor prostoperiodinog napona ija je kompleksna predstava u = U0 eit, kroz ovaj
kondenzator protiu dve vrste elektrine struje (slika 2.4). Jedna je reaktivna struja,
usled pomeranja vezanih nosilaca naelektrisanja, koja fazno prednjai naponu za /2, i
iznosi:

dQ i t +
Ic = = I0 e 2 = i C0 U (2.18)
dt

gde je C0 kapacitivnost kondezatora sa vakumom kao dielektrikom. Druga je aktivna

struja gubitaka, koja je u fazi sa promenljivim naponom:

Ig = g U (2.19)

gde je g aktivna provodnost dielektrika. Ukupna struja kroz kondenzator je:

I = Ig + Ic = (g + i C0) U (2.20)

Slika 2.4. Ekvivalentna paralelna veza realnog kondenzatora prikljuenog

na izvor naizmeninog napona i vektorski dijagram gustine struje
provodnosti i gustine struje pomeraja kod a) paralelne i b) serijske veze.

13
 Na osnovu postojanja ove dve vrste struje, moe se definisati kompleksna
dielektrina permitivnost:

= i (2.21)

odakle sledi da se realni kondenzator moe predstaviti kompleksnom kapacitivnou:

C= C (2.22)
0

dok je ukupna struja kroz kondenzator sa gubicima, u kompleksnom obliku:

C0
I = i C U = (i + ) U = i C0 r U (2.23)
0

gde je r relativna dielektrina permitivnost dielektrika, koja moe da se predstavi

izrazom:

r = = r i r (2.24)
0

2.1.3. Faktor dielektrinih gubitaka

Elektrina energija koja se u dielektriku pretvara u toplotu predstavlja dielektrine

gubitke. Pojave u dielektriku koje dovode do dielektrinih gubitaka su elektrina
provodnost i polarizacija. Dielektrini gubici se javljaju uvek kao posledica delovanja
spoljanjeg elektrinog polja na dielektrik. to je due dejstvo elektrinog polja na
dielektrik, dolazi do veeg zagrevanja.
Da bi se objasnile pojave u dielektriku koje izazivaju gubitke, najlake je
posmatrati promenu gustine struje u dielektriku sa vremenom posle delovanja
spoljanjeg elektrinog polja (slika 2.5).

14
 Na slici 2.5. uoavaju se tri karakteristine oblasti. U trenutku uspostavljanja
spoljanjeg elektrinog polja konstantne vrednosti, u dielektriku dolazi do naglog skoka
gustine struje (deo 1 krive j(t)). Nakon toga dolazi do laganog opadanja vrednosti
gustine struje (deo 2 krive j(t)). Na kraju gustina struje kroz dielektrik opada do neke
konstantne vrednosti, koja se zove struja zasienja (deo 3 krive j(t)). Ova pojava
objanjava se na sledei nain: deo 1 predstavlja brze procese polarizacije, u koje spada
elastina polarizacija; deo 2 predstavlja spore procese polarizacije, u koje spadaju
orijentaciona i Maksvel-Vagnerova polarizacija i, konano, deo 3 predstavlja
elektroprovodnost u dielektriku [2].

Slika 2.5. a) Zavisnost jaine elektrinog polja.

b) Zavisnost gustine struje kroz dielektrik od vremena.

Dielektrini gubici su vana karakteristika dielektrinih materijala. Predstavljaju se

preko odstupanja od idealnog dielektrika. U tu svrhu se, kao najpogodnija veliina,
koristi ugao koji zaklapaju vektori napona i struje (ugao na slici 2.6). S obzirom da je
u dielektricima struja uglavnom reaktivnog karaktera, ugao je priblino /2, pa se za
karakteristiku dielektrinih gubitaka uzima ugao (ugao gubitaka), koji se definie kao:

= (2.25)
2

15
odnosno tangens ovog ugla, koji predstavlja odnos gustine aktivne i reaktivne struje.
Tangens ugla naziva se faktor dielektrinih gubitaka:

ja
tg = (2.26)
jr

Faktor dielektrinih gubitaka (tg) je od interesa u promenljivom elektrinom

polju. On je makroskopska veliina, i njegova zavisnost, pre svega od frekvencije,
temperature i jaine elektrinog polja, znaajna je za odreivanje oblasti primene
dielektrikih materijala.

Slika 2.6. Fazorski dijagram struja i elektrinog polja u dielektriku.

Uvoenje dielektrine konstante u kompleksnom obliku omoguava da se faktor

dielektrinih gubitaka izrauna iz odnosa njenog imaginarnog i realnog dela, odnosno:

r
tg = = (2.27)
r

Za razumevanje sutine faktora gubitaka pogodno je da se on posmatra kao

dielektrik kondenzatora. Ekvivalentna ema realnog kondenzatora sastoji se od
kapacitivnosti, koja karakterie razliite struje polarizacije, otpornosti, koja karakterie
dielektrine gubitke, i induktivnosti, koja karakterie relaksacione pojave. Uzimajui u

16
obzir sve procese koji se odigravaju u dielektriku realnog kondenzatora, njegova
ekvivalentna ema se moe prikazati kao na slici 2.7.

Slika 2.7. Ekvivalentna ema realnog kondenzatora.

Slika 2.8. Pojednostavljena ekvivalentna ema realnog kondenzatora, uz

uzimanje u obzir dielektrinih gubitaka usled orijentacione polarizacije,
elastine polarizacije i provodnosti.

Poto su gubici usled provodnosti obino dominantni u odnosu na gubitke usled

razdvojenih naelektrisanja, a kako su u oblasti tehnikih frekvencija dominantni gubici
usled orijentacione polarizacije, mogue je, za praktinu primenu, ekvivalentnu emu
realnog kondenzatora sa slike 2.7. zameniti ekvivalentnom emom prikazanom na
slici 2.8. esto se ekvivalentna ema prikazana na slici 2.8. dodatno pojednostavljuje, i

17
realni kondenzator se predstavlja emom na slici 2.9. Bez obzira koja se ekvivalentna
ema realnog kondenzatora usvoji, faktor dielektrinih gubitaka za posmatrani dielektrik
rauna se prema izrazu (2.26).

Slika 2.9. Paralelna ekvivalentna ema realnog kondenzatora i

odgovarajui fazorski dijagram.

Pored faktora gubitaka (tg), za razmatranje gubitaka u dielektriku ponekad se

koristi specifina snaga gubitaka, koja predstavlja koliinu toplote osloboenu u
kondenzatoru u jedinici zapremine. Specifina snaga gubitaka odreena je izrazom:

P
p= = E 2 0 r tg (2.28)
V

2.1.4. Specifina elektrina otpornost

Sutinski ne postoji razlika izmeu specifine elektrine otpornosti dielektrika i

specifine elektrine otpornosti provodnika i poluprovodnika. Praktina razlika,
meutim, postoji. Nosioci naelektrisanja struje kroz provodnik i poluprovodnik se
sudaraju sa strukturom materijala, to se makroskopski manifestuje kao elektrina
otpornost. U sluaju dielektrika situacija je drugaija. Nosioci naelektrisanja mogu da
struje kroz zapreminu dielektrika ili po dielektriku, odnosno po graninoj povrini
izmeu posmatranog dielektrika i dielektrinog medijuma u kome se on obavezno
nalazi. Zbog toga u sluaju dielektrika razlikujemo unutranju (zapreminsku) i
povrinsku dielektrinu otpornost. Unutranja elektrina otpornost predstavlja otpornost
strujnog kola koje se zatvara kroz uzorak, pri emu se parazitne povrinske struje

18
eliminiu. Povrinska elektrina otpornost predstavlja otpornost strujnog kola koje se
zatvara po povrini uzorka, pri emu se parazitne zapreminske struje eliminiu. Prema
tome, otpornost dielektrika se moe posmatrati kao paralelna veza unutranje otpornosti
i povrinske otpornosti [1,2].
Unutranja otpornost je karakteristika samog dielektrika, dok je povrinska
otpornost karakteristika granice izmeu dielektrika i dielektrinog medijuma koji ga
okruuje. Ova, veoma vana karakteristika za jednosmerni reim rada i spoljanju
ugradnju, odreuje se prema standardima, koji ukljuuju dielektrik, dielektrini
medijum i njegove parametre (hemijske uslove, temperaturu, itd).
Kondukciona struja Ic = U/R kroz dielektrini uzorak se, prema tome, sastoji od
zapreminske komponente Icv = U/Rv i povrinske komponente Icp = U/Rp:

I c = I cv + I cp (2.29)

gde je U napon na koji je prikljuen dielektrik, dok su R, Rv i Rp ukupna, unutranja i

povrinska otpornost dielektrika, respektivno. Na osnovu prethodnog izraza dobija se:

1 1 1
= + (2.30)
R Rv R p

U sluaju homogenog dielektrinog materijala, unutranja i povrinska otpornost su

proporcionalne specifinoj zapreminskoj i specifinoj povrinskoj otpornosti. Za
specifinu povrinsku elektrinu otpornost, koju ima jedino smisla definisati za vrste
dielektrike, ve je reeno da je sloene prirode, i da je odreuju, pored samog
dielektrika, parametri sredine. Od tih parametara, najvaniji su vlaga, neistoe i
temperatura. Oni zajedno utiu na formiranje provodnih elektrolitskih mostova po
povrini dielektrika. Ovi parametri vie utiu na povrinsku specifinu otpornost
dielektrinih materijala sa polarnim molekulima, a naroito na one iji polarni molekuli
pokazuju tendenciju prema disocijaciji u vodi. Na povrinsku specifinu elektrinu
otpornost vrstih dielektrika utie i stanje povrine, tako da je otpornost vea za
materijale iste i polirane povrine, poto se na njima tee formiraju elektrolitski
mostovi. Posebno nisku povrinsku specifinu otpornost imaju porozni materijali. Kao

19
posledica ovakve, multiparametarske prirode povrinske specifine otpornosti vrstih
dielektrika, specifina otpornost se odreuje prema definisanim standardima, pod strogo
kontrolisanim laboratorijskim uslovima.
Da bi povrinska specifina otpornost dielektrinog materijala bila definisana,
posmatra se uzorak na ijoj se povrini, na rastojanju a, nalaze dve elektrode irine b,
kao to je prikazano na slici 2.10.

Slika 2.10. Definisanje specifine elektrine otpornosti.

Povrinska otpornost koja bi se izmerila izmeu ovih elektroda je proporcionalna

rastojanju izmeu elektroda, a obrnuto proporcionalna njihovoj irini:

a
Rs = c (2.31)
b

pri emu c predstavlja povrinsku specifinu otpornost, koja je istih jedinica kao i
otpornost Rs. Prema izrazu (2.31), povrinska specifina otpornost se moe definisati
kao otpornost kvadrata bilo koje veliine po povrini uzorka, pod uslovom da se
otpornost meri izmeu naspramnih ivica kvadrata. Na osnovu ovakve definicije, mogao
bi se izvui zakljuak da se pri merenju povrinske specifine otpornosti uzorka mogu
upotrebiti elektrode bilo koje veliine i oblika. Meutim, treba naglasiti da je relacija
(2.31) tana ukoliko je a manje od b, odnosno ukoliko ne dolazi do pojave ivinih
efekata. Povrinska otpornost se, po pravilu, razmatra kao parametar iskljuivo vrstih
dielektrika, u zavisnosti od medijuma u kome se nalaze [1,2].

20
 Velika specifina elektrina otpornost vrstih dielektrika uslovljena je malom
koncentracijom i pokretljivou slobodnih nosilaca naelektrisanja u njegovoj
unutranjosti i na njegovoj povrini. Unutranja specifina elektrina otpornost vrstih
dielektrika zavisi od mnogih parametara, od kojih su najvaniji: temperatura, vlaga,
struktura materijala, hemijski sastav, primese i jaina elektrinog polja. Tako se,
primera radi, poveanjem temperature smanjuje unutranja specifina elektrina
otpornost amorfnih dielektrinih materijala usled smanjenja viskoznosti, koja rezultuje
poveanjem pokretljivosti slobodnih nosilaca naelektrisanja u dielektriku. Unutranja
specifina elektrina otpornost vrstih dielektrika opada i sa poveanjem prisustva
vlage, poto dolazi do razlaganja neistoa (a ponekad i molekula osnovnog materijala)
na jone u vodi. Vlaga naroito utie na unutranju specifinu otpornost vlaknastih
vrstih dielektrinih materijala, tako to po povrini vlakana materijala obrazuje
provodne mostove. Unutranja specifina elektrina otpornost vrstih dielektrika zavisi
od hemijskog sastava, odnosno vrste neistoa i primesa u njemu. U jakim elektrinim
poljima, reda veliine 100 MV/m, dolazi do izraaja uee elektrona u obrazovanju
struje kroz vrsti dielektrik i Omov zakon prestaje da vai, poto unutranja specifina
otpornost poinje da zavisi od elektrinog polja prema izrazu:

v = v 0ebE (2.32)

gde je b karakteristika materijala nezavisna od jaine elektrinog polja. U procesu

starenja vrstih dielektrinih materijala, skoro po pravilu, dolazi do porasta unutranje
specifine elektrine otpornosti. Ako se uvai i injenica da je kod kristalnih
dielektrinih materijala unutranja specifina elektrina otpornost anizotropna veliina,
onda je jasno da pri navoenju ovog podatka treba specificirati uslove pod kojima je on
odreen, ili standard prema kome se do njega dolo.

2.1.5. Dielektrina vrstoa

Dielektrina vrstoa predstavlja minimalnu vrednost homogenog elektrinog polja

pri kojoj dielektrini materijali gube svoju osnovnu karakteristiku da razdvajaju
potencijale, odnosno pri kojoj se kroz njih ostvaruje kratak spoj. Ova pojava se naziva

21
proboj dielektrika. U praksi se dielektrina vrstoa odreuje eksperimentalno, tako to
se dielektrik, izmeu elektroda koje obezbeuju pseudohomogeno elektrino polje,
optereuje sporo rastuim jednosmernim naponom dok se ne desi proboj. U praksi se
esto koristi pseudohomogeno elektrino polje, da bi se izbegli ivini efekti. Za
uspostavljanje pseudohomogenog polja najee se koriste elektrode profila Rogovskog,
koje pri odreenom meuelektrodnom rastojanju svojom konturom prate liniju
potencijala na kojoj se nalaze. Tako definisana dielektrina vrstoa se odnosi iskljuivo
na trenutni proboj, odnosno isto elektrini proboj dielektrinih materijala.
Do proboja dielektrika dolazi kada se intezitetom ili trajanjem spoljaenjeg
elektrinog polja u njemu pokrenu provodni mehanizami. Tako nastaje trenutni ili
odloeni proboj dielektrika. Do odloenog proboja dielektrika moe da doe samo u
sluaju kada je on u vrstom ili tenom agregatnom stanju. U sluaju dielektrika u
vrstom agregatnom stanju, ova vrsta proboja je povezana sa procesom zagrevanja
materijala dejstvom elektrinog polja, pa je u pitanju termiki proboj.
Proboj vrstih dielektrika zasniva se na mehanizmu spoljanje i unutranje
autoemisije. To je proces pri kojem, pod dejstvom elektrinog polja emisionim i
jonizacionim putem biva formirana kritina vrednost gustine elektrine struje kroz
dielektrik, nakon ega sledi njegov proboj.
Jedan od najvanijih faktora pri razmatranju proboja vrstih tela je injenica da je
nemogue proizvesti idealan vrsti materijal. Uzorci vrstog materijala, pored ostalih
strukturnih nepravilnosti, sadre gasne upljine u svojoj unutranjosti, kao i razne
topografske nepravilnosti na povrinama. Pored toga, oni u praksi imaju male, ak
mikroskopske, zapremine od druge faze istog materijala ili neistoa drugih materijala.
Sve to prouzrokuje da je isto teorijski pristup fenomenu proboja vrstog dielektrika,
baziran na uzorku idealne strukture, neprimenljiv. Meutim, prouavanje
mikroskopskih mehanizama elektrinog pranjenja u vrstom telu, na osnovu zonalne
(elektronske) teorije vrstog tela, prua uvid u primarne (elektrine) procese elektrinog
proboja vrstih dielektrika. Superponiranjem tih primarnih procesa sa sekundarnim
procesima, neelektrine prirode (temperatura, pritisak, hemijske reakcije), uz
uvaavanje realne, kompozitne, strukture vrstog tela, omoguava sagledavanje
mehanizma proboja vrstih dielektrika.

22
 Sa stanovita elektrinih procesa, vrsto telo se moe posmatrati kao skup
potencijalnih barijera Kulonovog tipa oko jonizovanih centara (vorita), koji se
ponavljaju periodinou njegove kristalne strukture. Proticanje struje kroz njih se
odvija elektronskom i jonskom komponentom.
Elektroni u vrstom dielektriku mogu da nastanu hladnom elektronskom emisijom,
termoelektronskom emisijom i jonizacijom neistoa. Tako nastali elektroni prelaze
preko potencijalnih barijera, to uslovljava zavisnost pretprobojne struje od napona.
Prelaz elektrona preko potencijalnih barijera odvija se skokovito od jednog centra do
drugog, ili driftovanjem sa vektorom brzine u pravcu polja superponiranog sluajnom
termikom kretanju. Srednja vrednost brzine elektrona proporcionalna je pokretljivosti
elektrona, a obrnuto proporcionalna koncentraciji centara. Joni u vrstom dielektriku
nastaju hemijskim, termikim ili sudarnim procesima. Oni se kreu sa jednog mesta na
drugo, savlaujui potencijalnu barijeru. Jonska komponenta u pretprobojnoj struji
vrstog tela je izrazito temperaturno zavisna. Pored gubitaka energije jona usled
pokretljivosti, javljaju se i dielektrini gubici, koji se menjaju sa temperaturom
proporcionalno faktoru gubitaka tg.
Od prateih efekata proticanja pretprobojne struje kroz vrsti dielektrik, najvanije
je poveanje temperature. Poveanje temperature nastaje usled sudara elektrona i jona
sa kristalnom strukturom, i usled varnienja u gasnim depovima unutar dielektrika.
Tako generisana toplota se delimino gubi provoenjem, a delimino se apsorbuje, to
poveava pretprobojnu struju.
Na slici 2.11. su prikazane pojedine faze elektrinog proboja vrstih dielektrika. To
su: a) poetno stanje - slobodni nosioci naelektrisanja u elektrodama i vezani nosioci
naelektrisanja u dielektriku; b) poetak spoljanje i unutranje autoelektronske emisije;
c) pojava slobodnih elektrona i jona u dielektriku, i d) formiranje provodnog kanala
emisionim procesima i procesima udarne jonizacije.
Kretanje estica usled proticanja provodne struje i polarizacionih efekata dovode,
nakon dueg naponskog naprezanja, do zagrevanja dielektrinog materijala. Nastala
toplota se odvodi iz zagrejanog materijala, to rezultuje pojavom nehomogenog
temperaturnog polja u njemu. Na taj nain se mogu javiti lokalna poveanja provodne
struje (odnosno struje termikih gubitaka), to pozitivnom povratnom spregom
uslovljava dalje lokalno poveanje temperature. Ako je ukupna snaga takvih lokalnih

23
gubitaka jednaka odvedenoj toploti iz dielektrika, smatra se da se ona nalazi u stabilnoj
toplotnoj radnoj taki. Meutim, ako je ukupna snaga lokalnih gubitaka vea od
odvedene toplote iz dielektrika, dolazi do porasta temperature i do toplotnog proboja
izolatora.

Slika 2.11. Faze elektrinog proboja vrstog dielektrika.

Slika 2.12. Faze toplotnog proboja vrstog dielektrika.

Na slici 2.12. su prikazane pojedine faze toplotnog proboja vrstih dielektrika. To

su: a) poetno stanje, sa vrsto vezanim nosiocima naelektrisanja u dielektriku; b)
lokalno zagrevanje usled provodnih i polarizacionih gubitaka; c) nastajanje slobodnih
elektrona i pozitivnih jona termikim efektima u zagrejanoj zapremini, i d) dalje
nastajanje slobodnih elektrona i pozitivnih jona termikim efektima i formiranje
provodnog kanala.

24
 Model toplotnog proboja vrstog dielektrinog materijala se formira posmatranjem
tog materijala kao dielektrika ploastog kondenzatora na konstantnoj temperaturi T, pri
temperaturi okoline T0. Za manja meuelektrodna rastojanja, vrednost toplotnog
probojnog napona U raste proporcionalno korenu meuelektrodnog rastojanja i u prvoj
aproksimaciji ne zavisi od temperature.

Slika 2.13. Faze erozionog proboja.

Tokom proizvodnog procesa u dielektrinim materijalima nastaju parazitne gasne

upljine, u kojima se dejstvom spoljanjeg elektrinog polja javljaju unutranja
parcijalna pranjenja. Takva parcijalna pranjenja dovode do pojave naelektrisanih
estica i zagrevanja gasa u parazitnim upljinama. Ovi efekti vremenom dovode do
razlaganja i pucanja unutranjosti dielektrinog materijala, rezultujui razvojem upljina
koje, pri trajnom dejstvu elektrinog polja, mogu dovesti do erozionog proboja vrstog
dielektrika. Mera verovatnoe nastupanja ovoga tipa proboja je intenzitet unutranjih
parcijalnih pranjenja [2].
Na slici 2.13. prikazane su pojedine faze erozionog proboja vrstih dielektrika u
homogenom elektrinom polju sa lokalnom nehomogenou. To su: a) poetno stanje sa
parazitnim upljinama unutar dielektrika, b) parcijalno pranjenje u parazitnim
upljinama, c) spajanje susednih upljina, njihovo grananje i poveanje intenziteta

25
unutranjeg pranjenja, d) formiranje strukture grana od spojenih parazitnih upljina, i
e) premoenje dielektrika jednom od grana, uz formiranje provodnog kanala.

2.2. Izolatori sa Kuperovim parovima

Izolatori sa Kuperovim parovima su materijali koji ispoljavaju superprovodno

ponaanje, ali se pod odreenim uslovima (koji se odnose na debljinu filma, primenjeni
napon, magnetno polje i prisustvo magnetnih neistoa) ponaaju kao izolatori sa
termiki aktiviranim Kuperovim parovima kao nosiocima naelektrisanja. Ovakvo
ponaanje uoeno je u tankim filmovima Bi, TiN, InOx i Be.

2.2.1. Superprovodno stanje

Superprovodnost je fenomen karakterisan nestajanjem elektrine otpornosti u

razliitim materijalima, legurama i jedinjenjima kada su ohlaena ispod odgovarajue
temperature poznate kao kritina temperatura (TC). Do pre par decenija najvia poznata
kritina temperatura bila je oko 23,2 K (za Nb3Ge), zbog ega su superprovodnici
morali da se hlade tenim helijumom (4,2 K).

Slika 2.14. Temperaturska zavisnost specifine elektrine otpornosti

superprovodnika.

26
 Meutim, 1986. godine otkrivena je nova klasa visoko-temperaturskih
superprovodnih keramika, za koje je vrlo brzo ustanovljeno da mogu da imaju kritine
temperature oko 100 K, zbog ega se mogu hladiti tenim azotom (77,3 K), znatno
jeftinijim od tenog helijuma.
Pored skokovitog opadanja specifine elektrine otpornosti na nulu (slika 2.14),
uoeno je da pri T < TC superprovodnik smeten u spoljanje magnetno polje istiskuje iz
sebe magnetni fluks. Na slici 2.15.a) prikazan je provodnik u obinom, a na slici 2.15.b)
u superprovodnom stanju. Ova pojava se naziva Majsnerov efekat, prema nauniku koji
ju je otkrio 1933. godine, i objanjava se indukovanjem povrinskih superprovodnih
struja koje svojim poljem ponitavaju spoljanje [3].

B B

a) Provodnik b) Superprovodnik

Slika 2.15. Ponaanje materijala u a) normalnom (provodnom) i

b) superprovodnom stanju pri unoenju u spoljanje magnetno polje.

Ubrzo nakon otkria efekta superprovodnosti, eksperimentima se dolo do

zapaanja da superprovodno stanje moe da bude uniteno ne samo zagrevanjem uzorka
iznad kritine temperature, ve i izlaganjem magnetnom polju odgovarajue jaine.
Magnetno polje koje dovodi do gubitka superprovodnog stanja se naziva kritino polje i
oznaava se sa HC. Kritino polje zavisi i od temperature. Ova zavisnost je dobro
opisana sledeom empirijskom relacijom:

T 2
H C (T ) = H C (0) 1 , T << TC (2.25)
TC

27
gde je HC(0) kritino magnetno polje superprovodnika na T = 0 K. Zavisnost iz
jednaine (2.25) je grafiki ilustrovana na slici 2.16.

Slika 2.16. Temperaturska zavisnost kritinog magnetnog polja

superprovodnika.

Ako se prethodno rashlaeni superprovodnik stavi u magnetno polje H vee od

njegovog kritinog magnetnog polja (HC), nee se javiti Majsnerov efekat, ve e
materijal izgubiti svoja superprovodna svojstva. Meutim, za iane uzorke, sa osom
usmerenom u pravcu primenjenog magnetnog polja, mogua su dva jasno razliita
naina ponaanja, zavisna iskljuivo od vrste superprovodnog materijala.
Kod superprovodnika I vrste pri H = HC(T) ceo uzorak se vraa u normalno stanje,
kada dolazi do potpunog prodiranja magnetne indukcije B unutar uzorka, kao to je
prikazano na slici 2.17.a). Kod superprovodnika II vrste (sve superprovodne legure i
intermetalana jedinjenja, kao i Nb) pri H < HC1(T), gde je HC1 prvo kritino polje,
magnetna indukcija ne prodire u uzorak. Kada je H > HC2(T), gde je HC2 drugo kritino
polje, uzorak se vraa u normalno stanje, sa potpunim prodiranjem magnetne indukcije
(slika 2.17.b). Za sluaj da je HC1(T) < H < HC2(T), dolazi do deliminog prodiranja
magnetne indukcije i u uzorku se pojavljuje prilino sloena pravilna mikroskopska
struktura naizmeninog rasporeda superprovodnih i normalnih oblasti. Tipine vrednosti
kritinog polja HC kod superprovodnika I vrste, pri temperturama znatno ispod TC, su
~ 105 A/m. Kod superprovodnika II vrste drugo kritino polje HC2 moe da dostigne
108 A/m [3].

28
 Superprovodno stanje iezava i ako struja u superprovodniku dostigne neku
kritinu povrinsku gustinu JCS. Ona zavisi od prirode i geometrije uzorka i povezana je
sa kritinom vrednou polja HC. Superprovodnost se razruava ako magnento polje
koje stvara struja u superprovodniku dostie kritinu vrednost na povrini uzorka.
Najvee do sada dobijene kritine gustine struje su oko 2000 A/mm2.

a) b)

Slika 2.17. Promena magnetne indukcije unutar uzorka u funkciji jaine

primenjenog magnetnog polja za sluaj superprovodnika
a) I vrste i b) II vrste.

Mehanizam pojave superprovodnosti postao je jasan tek pola stolea posle otkria
superprovodnosti, kada su Bardin (Bardeen), Kuper (Cooper) i rifer (Schrieffer)
objavili svoju teoriju (BCS teorija) [4]. Prva indikacija za prirodu superprovodnosti
dobijena je otkriem izotopskog efekta, saglasno kome razni izotopi jednog te istog
metala imaju razliite kritine temperature Tc , pri emu je ispunjena zavisnost:

TC M = const (2.26)

Na taj nain postalo je jasno da jonska reetka provodnika (mase jona M) aktivno
uestvuje u formiranju superprovodnog stanja. Teorijska analiza je pokazala da
interakcija izmeu elektrona i vibracija reetke (fonona) moe da izazove dopunsku
interakciju meu elektronima. Pri odreenim uslovima, ova interakcija dovodi do
uzajamnog privlaenja elektrona. Ukoliko ova privlana interakcija nadmauje odbojnu

29
kulonovsku, u provodniku nastupa efektivno privlaenje elektrona i kao posledica
superprovodno stanje.
Prema BCS teoriji, koja je primenljiva samo na niskotemperaturne
superprovodnike I vrste, pri veoma niskim temperaturama prolazak elektrona kroz
kristalnu reetku dovodi do krivljenja (savijanja) reetke prema elektronima, to stvara
paket fonona. Ovi fononi formiraju kanal pozitivnog naelektrisanja u oblasti krivljenja
kristalne reetke, koji privlai drugi elektron ka toj oblasti, u procesu zvanom stvaranje
parova posredovano fononima. Parovi elektrona stvoreni ovim procesom su poznati kao
Kuperovi parovi. Utvreno je da se elektronski par obrazuje lako ako su elektroni ne
samo suprotnih spinova (tako da je ukupni spin Kuperovog para jednak nuli), ve i
impulsa. Ovakvo objanjenje stvaranja elektronskog para je uproeno, s obzirom da su
u stvarnosti elektroni unutar parova nalaze na rastojanjima oko 1000 puta veim od
meuatomskih rastojanja. Ovo ukazuje na injenicu da je superprovodnost
makroskopski kvantnomehaniki efekat, gde se kvantnomehanike interakcije
rasprostiru na makroskopska rastojanja. Veina superprovodnika za koje se veruje da su
pokriveni BCS teorijom su metali i metaloidi, koji se pri sobnoj temperaturi ponaaju
kao provodnici [3,4].

Jednoelektronski
pobueni
nivoi

Osnovno dvoelektronsko
stanje

Slika 2.18. ema energetskih nivoa superprovodnika.

Superprovodnik se ponaa kao da u spektru dozvoljenih jednoelektronskih nivoa, u

blizini Fermijevog nivoa, postoji energetski procep irine 2. Zbog toga elektron
energije E moe da se smesti u superprovodnik samo ako je E EF > . Energetski

30
procep (T) monotono opada sa porastom temperature poev od (0) i pri T = TC
iezava ((TC) = 0), kada dolazi do nestanka superprovodnog stanja. Kao posledica
postojanja energetskog procepa , razruenje superprovodnog ureenja moe da nastane
izlaganjem superprovodnog materijala jonizujuem zraenju energije vee od 2.
S obzirom da Kuperovi parovi poseduju nulti totalni spin, oni predstavljaju bozone,
tj. potinjavaju se Boze-Ajntajnovoj statistici. Takve estice imaju svojstvo da se,
ispod neke temperature TC, "kondenzuju" na najniem energetskom nivou (u osnovnom
stanju), pri emu to ih je vie na tom nivou to je tee bilo koji od njih pobuditi iz tog
stanja. Ta pojava naziva se Boze-kondenzacija. Svi parovi u kondenzatu opisuju se
jednom talasnom funkcijom od jedne prostorne promenljive (r). Elektrina struja
takvog kondenzata je superprovodna (bezdisipativna), jer je bilo kojoj estici
kondenzata prilino teko da se raseje na primesnom atomu ili nekom drugom defektu
kristalne reetke, poto se tome opiru sve ostale estice kondenzata. ematski prikaz
energetskih nivoa superprovodnika dat je na slici 2.18. Sva parna stanja nalaze se
kondenzovana na nivou koji karakterie osnovno stanje superprovodnika. Nespareni
elektron ne moe da se nalazi na tom nivou i mora da zauzme prvi nezauzeti
jednoelektronski nivo. Pri razruenju superprovodnog para, oba elektrona moraju da se
pobude na dozvoljene jednoelektronske nivoe, za ta je neophodan utroak energije vei
od 2 [3,4].

2.2.2. Dozefsonov spoj

Dozefsonov spoj predstavlja strukturu od dva superprovodnika razdvojena tankim

nesuperprovodnim slojem ili tankoslojnim superprovodnim suenjem, to se naziva
slabom vezom. Na slici 2.19. dat je uproen prikaz poprenog preseka Dozefsonovog
spoja formiranog od dve superprovodne legure na bazi olova, razdvojene slojem oksida
nanometarske debljine, koji predstavlja tunelsku barijeru za Kuperove parove pri
prelasku iz jedne u drugu superprovodnu elektrodu [3].

31
 Slika 2.19. Temperaturska zavisnost kritinog magnetnog polja
superprovodnika.

Postoje dva Dozefsonova efekta: stacionarni i nestacionarni. U sluaju

stacionarnog efekta kroz Dozefsonov spoj proputa se veoma slaba jednosmerna struja
koja protie bez otpornosti, iako je sama slaba veza nainjena od nesuperprovodnog
materijala. Ovde do izraaja dolazi najvanije svojstvo superprovodnika - usaglaeno,
koherentno ponaanje njegovih elektrona. Talasna funkcija elektrona s jedne strane
slabe veze, proniknuvi kroz tu vezu na drugu stranu, interferira sa tamonjom talasnom
funkcijom elektrona. Kao posledica, superprovodni elektroni s obe strane slabe veze
poinju da se opisuju jedinstvenom talasnom funkcijom. Slaba veza jedino formira
faznu razliku talasne funkcije, koja i odreuje intenzitet Is superprovodne struje kroz
Dozefsonov prelaz:

I s ( ) = I c sin( ) (2.27)

gde je Ic kritina struja kroz prolaz. Nestacionarni efekat nastupa pojaavanjem

jednosmerne struje kroz slabu vezu dotle dok se na njoj ne pojavi neki napon. Pokazuje
se da taj napon, osim jednosmerne komponente U, ima i naizmeninu komponentu
ugaone uestanosti = 2eU/.

2.2.3. Osobine izolatora sa Kuperovim parovima

Izolatori sa Kuperovim parovima su materijali koji ispoljavaju superprovodno

ponaanje, ali se pod odreenim uslovima ponaaju kao izolatori sa Kuperovim
parovima kao nosiocima naelektrisanja. Teorijski je pretpostavljeno, a potom i utvreno

32
eksperimentom i putem simulacija, da se ova izolatorska faza odlikuje granularnom
strukturom, sainjenom od superprovodnih "ostrva" sa lokalizovanim Kuperovim
parovima, koja se rasprostiru kroz matricu normalnog, nesuperprovodnog materijala.
Mehanizam obrazovanja ovih ostrva jo uvek nije detaljno razjanjen i trenutno postoji
vie alternativnih teorijskih modela koji ga opisuju. Pod odgovarajuim uslovima,
lokalizacija Kuperovih parova unutar ostrva odvija se spontano u materijalu, kao
posledica poveane neureenosti. Fenomen prelaska superprovodnih materijala u
izolatorsko stanje se stoga esto tretira kao fazni prelaz izazvan neureenou [5-8].
Granularnu strukturu izolatora sa Kuperovim parovima mogue je predstaviti
dvodimenzionalnim nizom Dozefsonovih spojeva. To je sistem koji se sastoji od
superprovodnih ostrva malih dimenzija, od kojih je svako povezano sa susednim
ostrvima putem Dozefsonovih slabih veza (slika 2.20). Spoj izmeu svaka dva susedna
ostrva okarakterisan je Dozefsonovom energijom veze:

EJ = Ic/(2e) (2.28)

gde je Ic kritina struja Dozefsonovog spoja. Pored energije veze, spoj odlikuju jo i
energije naelektrisavanja Ec i Ec0, koje se respektivno odnose na kapacitivnost izmeu
ostrva i kapacitivnost prema uzemljenju (supstratu). Energija naelektrisavanja Ec
predstavlja energiju koju je potrebno uloiti da bi se jedan Kuperov par premestio sa
jednog ostrva na susedno [9-12].

Slika 2.20. Predstava granularne strukture izolatora sa Kuperovim parovima u

vidu 2D niza Dozefsonovih spojeva. Krugovi predstavljaju superprovodna
ostrva, a pravougaonici Dozefsonove slabe veze izmeu njih.

33
 2

Slika 2.21. Zavisnost specifine elektrine otpornosti od temperature, pri

nultom spoljanjem magnetnom polju, za materijal koji se na temperaturma
niim od 1 K ponaa kao superprovodnik (kriva 1),
odnosno izolator (kriva 2) [13].

Iscrpna ispitivanja uslova od kojih zavisi da li e na temperaturama niim od 1 K

neki materijal da se ponaa kao superprovodnik (kriva 1 na slici 2.21) ili izolator (kriva
2 na slici 2.21) pokazala su da se izolatorska faza javlja samo kada uslovi koji utiu na
stepen neureenosti ine da su energije naelektrisavanja vee od energije veze spoja (Ec,
Ec0 > EJ), dok je superprovodni energetski procep i dalje vei od meuostrvske energije
naelektrisavanja ( > Ec) [14].
Prilikom primene spoljanjeg napona, pored lokalne fazne koherencije i prostorne
konfiniranosti Kuperovih parova, dolazi do sinhronizacije faza talasnih funkcija svih
Kuperovih parova u nizu Dozefsonovih spojeva, ime se uspostavlja kolektivno strujno
stanje. Jednosmerna struja koja protie kroz niz usaglaava faze susednih spojeva, kako
bi se ostvarili minimalni gubici snage. Ova tenja uspostavlja stanje globalne fazne
sinhronizovanosti i protok struje odvija se istovremenim termikim pobuivanjem
Kuperovih parova du itavog niza. Temperaturna zavisnost otpornosti ima oblik
Arenijusovog zakona:

34

R exp c (2.29)
k BT

gde je c kolektivna kulonovska barijera, a kB Bolcmanova konstanta. Za 2D niz

Dozefsonovih spojeva ova barijera se izraava kao:

L
c = Ec ln (2.30)
d

gde je L karakteristina linearna dimenzija niza, dok je d poduna veliina elementarne

elije u nizu. Princip neodreenosti primenjen na Dozefsonov spoj daje nejednakost
n 1, gde je fazna razlika izmeu naspramnih strana spoja, dok je n broj
Kuperovih parova koji tunelovanjem kroz energesku barijeru prelaze spoj [14-20].
Fazna sinhronizacija talasnih funkcija Kuperovih parova omoguava da se 2D niz
Dozefsonovih spojeva tretira kao jedan ekvivalentni kondenzator kapacitivnosti:

C
Ctot = (2.31)
ln N

gde je C ~ e2/Ec kapacitivnost jednog spoja, a N ukupan broj spojeva u 2D nizu [21,22].

2.3. Superizolatori

Kada se izolator sa Kuperovim parovima ohladi do temperatura od oko 0,1 K, on

doivljava prelaz u superizolatorsko stanje nulte provodnosti. Prelaz iz stanja sa
termiki aktiviranom otpornou u superizolatorsko deava se na temperaturi
TSI ~ Ec/kB, gde je kB Bolcmanova konstanta. Detaljno fiziko objanjenje prelaza
izolator-superizolator temelji se na prenosu energije tunelujuih Kuperovih parova kako
na fonone, tako i na posrednike bozonske modove (elektromagnetne ili elektronsko-
upljinske eksitacije) [22-35].

35
 Tunelovanje kroz mezoskopske spojeve1, kakvi se javljaju izmeu ostrva u 2D nizu
Dozefsonovih spojeva, zahteva razmenu energije izmeu nosilaca naelektrisanja koji
tuneluju i neke vrste eksitacionih modova, kako bi se ostvarila kompenzacija razlike
poloaja energetskih nivoa na razliitim stranama spoja. Na temperaturama
karakteristinim za izolatorsko stanje sa Kuperovim parovima, prenos naelektrisanja
praen je dvostepenom razmenom energije. Tunelujui Kuperovi parovi najpre stvaraju
parove elektron-upljina, koji slue kao okruenje sa kojim struja tunelovanja
razmenjuje energiju. Primljenu energiju elektronsko-upljinsko okruenje potom
postupno predaje fononima. Na skali dimenzija karakteristinoj za granularnu strukturu
izolatora sa Kuperovim parovima, kulonovska interakcija poprima logaritamsku
zavisnost od rastojanja meu naelektrisanjima [23,27,36-41].
Na ekstremno niskim temperaturama, niim od TSI, ova kulonovska interakcija ini
da okruenje nevezanih elektrona i upljina doivljava BKT (Berezinskii-Kosterlitz-
Thouless) fazni prelaz. Ovim se u energetskom spektru elektrona i upljina stvara
energetski procep koji spreava prenos energije Kuperovih parova na elektronsko-
upljinsko okruenje i na taj nain onemoguava proticanje struje tunelovanja
Kuperovih parova [42-46].
U superizolatorskoj fazi, temperaturska zavisnost elektrine otpornosti postaje
duploeksponencijalna:

E
R exp c exp c (2.32)
Ec 2 k BT

gde je c kolektivna kulonovska barijera data jednainom (2.30). Strujno-naponska

karakteristika za niske napone u superizolatorskom stanju takoe ima
duploeksponencijalan oblik:

( eV ) 2 E
I = I c exp c exp c (2.33)
Ec c 2 k BT

gde je Ic kritina struja Dozefsonovog spoja [19,20].

1
Mezoskopski sistemi su tipino dimenzija izmeu 100 i 1000 nm.

36
 a) b)

I [A]
V [mV] V [V]

Slika 2.22. Provodnosti u obinom izolatorskom i superizolatorskom stanju.

a) Diferencijalna provodnost dI/dV u zavisnosti od jednosmernog napona u
sluaju klasinog izolatorskog stanja (kriva na 70 mK) i u
superizolatorskom stanju (kriva na 20 mK), pri magnetnom polju
indukcije 0,9 T. b) Strujno-naponske karakteristike (u log-log razmeri) u
obinom izolatorskom (70 mK) i superizolatorskom stanju (20 mK) [14].

Na slici 2.22.a) prikazane su zavisnosti diferencijalne provodnosti od primenjenog

jednosmernog napona za titanijum nitrid u "obinom" izolatorskom stanju (kriva koja
odgovara temperaturi od 70 mK) i u superizolatorskom stanju (kriva na 20 mK).
Odgovarajue strujno-naponske karakteristike, dobijene integracijom krivih sa slike a),
date su na slici 2.22.b). U obinom izolatorskom stanju diferencijalna provodnost ima
konane vrednosti, dok je I-V karakteristika linearna sve do jednosmernog napona od
103 V, to ukazuje na prisustvo provoenja sa termiki aktiviranom otpornou.
Sniavanje temperature na 20 mK dovodi film TiN u superizolatorsko stanje, u kom su
diferencijalna provodnost i struja jenake nuli pri dovoljno malim naponima. Pri
odreenoj pranoj vrednosti napona, diferencijalna provodnost skokovito postaje za
etiri reda veliine vea. Strujno-naponske karakteristike na 20 mK i 70 mK se
poklapaju za napone vee od pranog, dok se pri naponima niim od ovog razilaze, to
ukazuje da se za titanijum nitrid, pri magnetnom polju indukcije B = 0,9 T, prelaz iz
stanja sa termiki aktiviranom otpornou u superizolatorsko deava izmeu ove dve
temperature [14,21,47-50].
Osim pri naponu veem od odreene prane vrednosti, superizolatorsko stanje
moe da se razrui i pri dovoljno velikom magnetnom polju. Krive na slici 2.23. su

37
strujno-naponske karakteristike za titanijum nitrid na temperaturi T = 20 mK, pri
promeni magnetne indukcije od 1,35 T do 2,65 T. Mogue je uoiti da se kritina
vrednost magnetnog polja za titanijum dioksid nalazi izmeu 2,05 T i 2,15 T. Za
magnetne indukcije vee od ove strujno-naponske karakteristike imaju oblik koji
svedoi o postojanju termiki aktivirane otpornosti.

I [A]

V [V]

Slika 2.23. Strujno-naponske karakteristike (u log-log razmeri) za TiN na

temperaturi od 20 mK, pri promeni magnetne indukcije od 1,35 T do 2,65 T [14].

a) b)

Slika 2.24. Fazni dijagrami oblasti u kojima se odravaju a) superprovodno

i b) superizolatorsko stanje.

38
 Dualnost superprovodnog i superizolatorskog stanja prikazana je faznim
dijagramima na slici 2.24, u prostorima koordinata (B,T,I) i (B,T,V), respektivno. Oba
kolektivna stanja zauzimaju oblasti niskih vrednosti odgovarajuih fizikih veliina. U
oba sluaja se kao fizike veliine koje odreuju odrivost posmatranog stanja
pojavljuju magnetno polje i temperatura, dok je trea relevantna veliina u sluaju
superprovodnika struja, a za superizolatore napon. Temperaturska zavisnost kritinog
polja superizolatora BSI analogna je zavisnosti drugog kritinog polja superprovodnika
Bc2 od temperature, s obzirom da je TSI ~ /kB ~ Tc.
Analogije izmeu superprovodnog i superizolatorskog stanja mogu se uoiti i kada
se razmatraju Dulovi gubici. Snaga Dulovih gubitaka P = IV je nula u oba ova stanja.
Dok je odsustvo Dulovih gubitaka u superprovodniku posledica bezdisipativnog
proticanja struje i odsustva pada napona, kod superizolatora ovih gubitaka nema pri
naponima V < VT zahvaljujui odsustvu struje [14,51].

39
3. UTICAJ ZRAENJA NA FILMOVE IZOLATORSKIH
MATERIJALA

Analiza dejstva zraenja na osobine izolatora temelji se na poznavanju fizikih

osnova interakcije zraenja sa materijalom u vrstom stanju i moguih radijacionih
oteenja u vrstim izolatorima.

3.1. Interakcije zraenja sa atomima i molekulima

Interakcije zraenja sa atomom mogu da se razvrstaju u tri grupe: interakcije na

elektronima, neelastine interakcije sa jezgrom i elastina rasejanja na jezgru.
Interakcije na elektronima (u elektronskom omotau atoma ili valentnoj zoni
vrstog materijala) su uvek neelastine, jer se u takvim sudarima deo energije troi na
promenu vezanosti ili stanja elektrona. Rasejanja na atomskim elektronima koja se
tretiraju kao elastina (Thomson-ovo i Rayleigh-evo) predstavljaju aproksimacije
stvarnih interakcija ili vae samo pod specifinim uslovima.
Thomson-ovo rasejanje je elastino rasejanje fotona male energije na slobodnom
elektronu, opisano zakonima klasine mehanike i elektromagnetike. Mikroskopski
presek za ovo rasejanje dobija se kao klasini limit Klein-Nishina formule za Compton-
ovo rasejanje. Rayleigh-evo koherentno rasejanje je elastino rasejanje fotona male
energije na elektronima vezanim u atomu, pri emu elektroni ne dobijaju dovoljno
energije za naputanje atoma ili prelaz na vii energetski nivo, ve se elektronski
omota vibraciono pobuuje kao jedinstven sistem. Pod tim uslovima, talasni aspekt
procesa postaje dominantan. Foton se kao elektromagnetni talas rasejava na svim
elektronima u omotau, ali tako da se izmeu talasa rasejanih na pojedinim elektronima
javlja interferencija, zbog ega se ovo rasejanje i naziva koherentnim. Krajnji ishod je
da se foton rasejava pod malim uglom u odnosu na upadni pravac, a atomu predaje
zanemarljivo mali deo svoje energije, zbog ega se moe uzeti da je energija fotona
ostala ista. U domenu energija jonizujueg elektromegnetnog zraenja, Rayleigh-evo i
Thomson-ovo rasejanje fotona imaju male preseke u poreenju sa drugim tipovima
interakcije [52].

40
 Neelastini sudari sa elektronskim omotaem izolovanog atoma ili molekula,
odnosno sa elektronima u valentnoj zoni kristala, dovode do eksitacije (pobuivanja
elektrona u omotau u vie energetsko stanje, odnosno unutarzonskog prelaza) ili
jonizacije (odvajanja elektrona od atoma ili molekula, odnosno prelaska iz valentne u
provodnu zonu kristala).
U sredinama koje imaju molekularni sastav, eksitacija moe da dovede do
disocijacije (raskidanja) hemijskih veza, jer su energije potrebne za disocijaciju veza po
pravilu nie od energija jonizacije molekula. Rezultat disocijacije hemijskih veza moe
da bude obrazovanje radikala - hemijski reaktivnih molekularnih fragmenata sa
neuparenim elektronima.
Za gasovite sredine definie se srednja energija koja se utroi u gasu po jednom
stvorenom jonskom paru. Ona se oznaava sa W i nalazi kao kolinik poetne kinetike
energije estice (za koju se smatra da se u celosti troi u gasu) i srednjeg broja
osloboenih naelektrisanih estica jednog znaka (jona ili elektrona): W =E/N. Zbog
postojanja drugih mehanizama, pored jonizacije, putem kojih zraenje gubi energiju u
gasu, kao to su pobuivanje elektrona na vii energetski nivo ili vibraciono
pobuivanje molekula, W je vea od energije veze elektrona u atomu/molekulu gasa.
Prema definiciji, N ukljuuje i jone koje stvori zakono zraenje, kao i jone koje stvore
druga sekundarna zraenja emitovana od strane primarnih i sekundarnih naelektrisanih
estica. Sma primarna naelektrisana estice se ne ubraja u N.
W gotovo da ne zavisi od energije upadne estice ukoliko je njena brzina vea od
brzine perifernog elektrona u atomskom omotau. Za beta estice, koje su brze, naeno
je da za energije iznad nekoliko keV-a W ostaje priblino konstantna. Kod alfa estica,
koje su sporije, konstantnost W pojavljuje se tek na energijama iznad nekoliko MeV-a.
Na niim energijama beta i alfa estica W raste, jer relativna verovatnoa jonizacije
opada u odnosu na ostale procese. Na dovoljno visokim energijama zraenja, energija
jonizacije ima priblino istu vrednost za sve vrste zraenja. Tako, na primer, alfa i beta
estice energije 4 MeV imaju priblino isto W.
Atom u ijem omotau je neki elektron pobuen, ili iz kog je elektron izbaen
jonizacijom, spontano se vraa ka energetski najstabilnijem stanju, to predstavlja
proces deeksitacije (relaksacije). Ako je eksitiran periferni elektron, on sm se vraa
nazad i pri tome emituje razliku energije u vidu niskoenergetskog fotona. Ako je

41
eksitacijom ili jonizacijom upranjeno mesto u unutranjosti omotaa, ono moe da se
popuni elektronom iz susedne ili neke bliske ljuske, pri emu se emituje karakteristini
X-zrak, a upranjeno mesto seli ka periferiji. X-zrak moe da preda svoju energiju
nekom od elektrona sa viih nivoa i da ga izbaci iz atoma sa kinetikom energijom
jednakoj razlici energije X-zraka i energije veze nivoa. Ovakvi elektroni nazivaju se
Auger-ovi (Oeovi) [53].
Prolazom kroz poluprovodnik ili dielektrik, jonizujue zraenje dovoljne energije
moe da stvara parove elektron-upljina (e- parove), kao i da raskida hemijske veze
izmeu atoma. Srednja energija potrebna za nastanak para e- u poluprovodniku iznosi
~ 3 eV, a u dielektriku ~ 20 eV, i analogna je energiji W izolovanih atoma u gasu. Ova
energija je 2-3 puta vea od irine energetskog procepa Eg, jer se prenos energije
zraenja na materijal odvija i drugim mehanizmima, kao to su unutarzonsko
pobuivanje elektrona, vibraciono pobuivanje kristalne reetke (rasejanja na fononima)
i rasejanja na jezgrima. Energetski procep silicijuma je Eg = 1,1 eV, dok je srednja
energija za nastanak e- para 3,6 eV. Za silicijum-dioksid (SiO2), energetski procep je
Eg = 9 eV, dok je srednja energija za nastanak e- para 18 eV.
Neelastine interakcije sa elektronima koje doivljavaju gama zraci su fotoefekat i
Compton-ovo rasejanje.
Fotoelektrini efekat predstavlja apsorpciju fotona, koji svu svoju energiju
predaje elektronu, izbacujui ga iz elektronskog omotaa atoma ili molekula sa
kinetikom energijom:

Eke = h Ev (3.1)

gde je h energija fotona, a Ev energija veze elektrona u ljusci iz koje je izbaen.

Fotoelektrini efekat dominira na niskim energijama zraka (do nekoliko stotina
keV-a). Za tipine energije zraenja (~ MeV) najverovatnije je izbacivanje elektrona
iz K ljuske. Upranjeno mesto nastalo izbacivanjem fotoelektrona iz omotaa ubrzo se
popunjava pregrupisavanjem elektrona sa viih ljuski, pri emu se enerija veze emituje
u vidu karakteristinog X zraenja ili Auger-ovih elektrona [52-54].
Razmatranje fotoelektrinog efekta na nivou oslobaanja elektrona iz atoma ili
molekula od znaaja je pre svega za gasovite i tene sredine, ukljuujui vodene

42
rastvore supstanci, u kojima se atomi i molekuli nalaze kao relativno nezavisni entiteti.
Kada je energija upadnog fotona nia od energije veze elektrona, rezultat interakcije
fotona sa elektronom u omotau moe da bude pobuivanje elektrona na vii energetski
nivo. Kada je energija fotona vea od Ev, fotojonizacija i fotoeksitacija se odvijaju u
kompeticiji, svaka sa odreenom verovatnoom zavisnom od energije fotona.
U neprovodnim kristalima (poluprovodnicima i dielektricima), elektron koji
apsorbuje foton dovoljne energije prelazi iz valentne u provodnu zonu, ime nastaje par
elektron-upljina. Razlika energije apsorbovanog fotona i irine energetskog procepa
pojavljuje se u vidu kinetiih energija elektrona i upljine u materijalu.
U metalima (provodnicima), fotoapsorpcija moe da se odvija putem untarzonskog
pobuivanja elektrona u polupopunjenoj provodnoj zoni. Zahvaljujui visokoj
koncentraciji kvazislobodnih elektkrona u metalima, kod ovih materijala fotoapsorpcija
moe da dovede i do iskakanja elektrona iz materijala, to se naziva povrinkim
fotoelektrinim efektom i opisuje energetskom relacijom:

h Eke + Wi (3.2)

gde je Wi izlazni rad materijala, koji kod metala uglavnom potie od elektrostatikog
privlaenja izmeu elektrona koji naputa materijal i naelektrisanja koje taj elektron
indukuje pri povrini. Iz jednaine (3.2) sledi da je kinetika enerija elektrona koji
naputa materijal Eke h Wi, jer elektron deo energije koju stekne apsorpcijom
fotona troi u sudarima prolazei kroz materijal. Unutarzonska eksitacija i povrinki
fotoelektrini efekat kao vidovi apsorpcije fotona dominantni su u niskoenergetskog
oblasti (~ eV), koja odgovara vidljivoj i ultraljubiastoj svetlosti.
Compton-ov efekat je rasejanje gama fotona na elektronu. Rezultat Compton-ovog
rasejanja je pojava uzmaklog elektrona, koji sa rasejanim zrakom deli njegovu
prvobitnu energiju (h = h' + Eke). Pri tome se energija veze elektrona u atomu
(odnosno irina energetskog procepa, u sluaju kristala) zanemaruje u odnosu na
energiju upadnog fotona, to znai da se elektron pre sudara tretira kao slobodan i
mirujui. Izraz za kinetiku energiju elektrona nakon rasejanja je:

(1 cos )
Eke = h h ' = h (3.3)
1 + (1 cos )

43
gde je = h/m0c2, a ugao pod kojim se foton raseje u odnosu na upadni pravac.
Maksimalna kinetika energija koju elektron moe da stekne odgovara eonom
rasejanju, kada se foton rasejava unatrag, odnosno pod uglom od = 180:

2
Eke, max = h (3.4)
1 + 2

Diferencijalni presek za Compton-ovo rasejanje dobija se u okviru kvantne

elektrodinamike i poznat je kao Klein-Nishina formula:

d r02 1 2 2 (1 cos )2
= 1 + cos + (3.5)
d 2 [1 + (1 cos )]2 1 + (1 cos )

gde je r0 = e2/(40m0c2) = 2,817 1013 cm klasini radijus elektrona.2

U neprovodnim kristalima, efekat Compton-ovog rasejanja je, kao i u sluaju
apsorpcije fotona, nastanak para elektron-upljina.
Atomski broj sredine Z ima bitan uticaj na relativne verovatnoe odvijanja
fotonskih interakcija. Verovatnoa deavanja (mikroskopski presek) za fotoefekat
ispoljava izrazitu zavisnost od atomskog broja i priblino je srazmerna Z4,5, dok je
mikroskopski presek za Compton-ov efekat srazmeran Z.
Proizvodnja para elektron-pozitron predstavlja neelastinu interakciju fotona sa
jezgrom. Ovaj proces odvija se u elektrinom polju jezgra (ree elektrona), pri emu
foton nestaje. Minimalna energija koju mora da ima foton da bi proizvodnja para bila
mogua jednaka je zbiru energija mirovanja elektrona i pozitrona 2m0c2 = 1,02 MeV.
Zbir kinetikih energija elektrona i pozitrona dat je jednainom:

Eke + Eke+ = h 2m0c2 (3.6)

Pozitron koji nastane proizvodnjom para ili + raspadom jezgra ubrzo se anihilira
(ponitava) sa nekim od vezanih elektrona u materijalu, pri emu nestankom pozitrona i
vezanog elektrona nastaju dva anihilaciona fotona. Anihilacija se najee deava

2
Klasnini radijus elektrona nalazi se kao poluprenik elektrona zamiljenog u vidu sfere unutar
koje je ukupno naelektrisanje e homogeno raspodeljeno po zapremini, uz pretpostavku da je
energija mirovanja elektrona m0c2 jednaka (srazmerna) elektrostatikoj energiji takve sfere.

44
nakon to pozitron u sudarima i/ili emisijom zakonog zraenja izgubi najvei deo
kinetike energije (slika 3.1). Usporeni pozitron privlai elektron i sa njim formira
pozitronijum, sistem slian vodonikovom atomu u kom elektron i pozitron orbitiraju
oko zajednikog centra mase. Pozitronijum opstaje kratko, oko 1010 s, pre nego to
se elektron i pozitron ponite.

Slika 3.1. Prikaz tipine istorije pozitrona, od nastanka u + raspadu, preko gubitka
energije u sudarima i/ili zakonim zraenjem, do anihilacije sa elektronom.
je neutrino koji se takoe emituje pri + raspadu.

Uz zanemarivanje kinetikih energija pozitrona i vezanog elektrona u poreenju sa

njihovim energijama mirovanja3, u skladu sa zakonom odranja energije svaki od dva
anihilaciona fotona ima energiju m0c2 = 511 keV. S obzirom da je ukupan impuls
pozitrona i elektrona u pozitronijumu jednak nuli, u skladu sa zakonom odranja
impulsa anihilacioni fotoni se razilaze du istog pravca, a u suprotnim smerovima. S
obzirom da kinetike energije pozitrona i elektrona nisu zaista jednaki nuli, energije
anihilacionih fotona odstupaju od 511 keV za najvie 10 eV. U retkom sluaju
anihilacije brzog pozitrona na vezanom elektronu, anihilacioni fotoni emituju se
"unapred" u odnosu na smer pozitrona, sa ukupnom energijom jednakom zbiru 2m0c2 i
kinetike energije pozitrona u trenutku anihilacije [53,54].
Naelektrisane estice podlone dejstvu nuklearnih sila (alfa estice, protoni,
deuteroni...) nose pozitivno naelektrisanje i jezgro (takoe pozitivno) ih odbija,

3
Pozitron je antiestica elektrona, te stoga imaju iste energije mirovanja m0c2 = 511 keV.

45
spreavajui ih da dospeju unutar dometa nuklearnih sila. Zbog toga su nuklearne
reakcije izazvane ovim esticama veoma retke - mikroskopski preseci za njihovo
odvijanje su oko tri reda veliine manji od preseka za neutronske nuklearne reakcije.
Pri dovoljno visokim energijama, protoni i alfa estice mogu dovesti do nuklearnih
reakcija, iji se tok opisuje modelom sloenog jezgra. Kao proizvod ovih nuklearnih
reakcija mogu se javiti neutroni i/ili gama fotoni.
U sluaju da je emisija neutrona energetski mogua, ona predstavlja najverovatniji
ishod nuklearnih reakcija izazvanih protonima i alfa esticama, to se objanjava
postojanjem kulonovske barijere koja spreava emisiju naelektrisanih estica iz
sloenog jezgra. Pri energijama protona ili alfa estica veim od 10 MeV, sloeno
jezgro moe da emituje vie od jedne estice. Primeri ovakvih reakcija su (p,2n) i
(,2n).
Mikroskopski preseci reakcija (d,n) i (d,p) izazvanih deuteronima (jezgrima
deuterijuma 2H) su znatno vei od preseka za sline reakcije izazvane drugim
naelektrisanim esticama i samerljivi su sa presecima neutronskih reakcija.
Najee fotonuklearne reakcije, izazvane gama fotonima, su (,n), (,p) i (,).
One su sve endoergine (imaju negativnu Q-vrednost) i mogue su kada je energija
fotona vea od energije separacije odgovarajue izlazne estice.
Neutroni, zahvaljujui odsustvu naelektrisanja, ne oseaju odbojnu silu jezgra i u
stanju su da izazovu nuklearne reakcije i pri veoma niskim energijama. Dominantan tip
neutronske nuklearne reakcije zavisi od energije upadnih neutrona, koja moe biti u
opsegu od nekoliko eV do vie desetina MeV.
Najvaniji tipovi neutronskih reakcija su neelastino rasejanje (n,n'), radijativna
apsopcija (n,), transmutacioni procesi sa emisijom naelektrisane estice (n,) i (n,p),
reakcije sa proizvodnjom neutrona (n,2n) i (n,np), i fisija. Mikroskopski preseci za
veinu ovih reakcija imaju rezonantne pikove koji odgovaraju pobuenim nivoima
novonastalog jezgra [55].
Elastino rasejanje naelektrisane estice na takastom nepokretnom jezgru naziva
se Rutherford-ovim rasejanjem. Do Rutherford-ovog izraza za diferencijalni presek
(d/d):

46
 2 2
d ( ) 1 Z1 Z2 e 1
= (3.7)
d 4 80 E sin 4
2

dolazi se kako klasinim, tako i kvantnomehanikim razmatranjem, uz zanemarivanje

efekata spina i tretiranjem jezgra kao nepokretnog takastog centra rasejanja.
Pri relativistikim brzinama naelektrisane estice, Rutherford-ov presek se
modifikuje uzimanjem efekata spina u obzir, to dovodi do Mott-ovog diferencijalnog
preseka:

d d
= 1 2 sin 2 (3.8)
d Mott d Rutherford 2

Eksperimentalno dobijene vrednosti preseka za rasejanje elektrona na jezgrima su

nie od teorijskih koje predviaju izraz za Mott-ov presek. Razlog ovome je prostorna
raspodela naelektrisanja u jezgru, koju je mogue opisati pomou nuklearnog form
faktora F(q2).
Uzimajui u obzir odstupanje raspodele naelektrisanja atomskog jezgra od takaste,
diferencijalni presek za elastino rasejanje naelektrisane estice na jezgru dobija se u
obliku:

d d 2
= F ( q2 ) (3.9)
d d Mott

Nuklearni form faktor se definie kao Fourier-ova transformacija zapreminske

gustine naelektrisanja jezgra :

1 r rr r
F ( q2 ) = i q r /h
( r ) e dr (3.10)
Ze V

r
pri emu se integracija vri po ukupnoj zapremini jezgra V, dok q prestavlja promenu
impulsa projektila.

47
 Za nerelativistiko razmatranje elastinog sudara sa jezgrom, koje je primenjivo na
teke naelektrisane estice i neutrone, dobija se da je energija E koju projektil mase mp
i kinetike energije Ekp predaje jezgru mase M:

4 mp M
E = 2
cos2 Ekp (3.11)
(m p + M )

gde je ugao pod kojim jezgro uzmakne u odnosu na upadni pravac projektila u
laboratorijskom sistemu. Maksimalan prenos energije deava se pri eonom sudaru,
kada je = 0, odnosno cos2 = 1.
Za elektrone su relativistiki efekti izraeniji, jer su zbog male mase mogue velike
brzine, odnosno vrednosti odnosa = v/c vee od 0,9. Aproksimativni relativistiki
izraz za energiju koju elektron predaje jezgru pri elastinom rasejanju, uz pretpostavku
da vai M >> me, je:

2 Eke ( Eke + 2 me c 2 )
E = 2
cos2 (3.12)
Mc

gde je M masa jezgra, Eke kinetika energija upadnog elektrona, me njegova masa
mirovanja, ugao pod kojim jezgro uzmakne u odnosu na upadni pravac elektrona u
laboratorijskom sistemu. I ovde je, kao za teke estice, prenos energije najvei pri
eonom sudaru ( = 0) [55,56].

3.2. Gubitak energije zraenja pri prolasku kroz materijal

U teke naelektrisane estice ubrajaju se mioni, pioni, proton, alfa estica, deuteron
i triton, dok su lake naelektrisane estice elektroni i pozitroni. Razmatranja gubitka
energije tekih naelektrisanih estica i izrazi koji iz njih slede primenljivi su i na teke
jone (jone litijuma i teih elemenata).4 Gubitak energije tekih i lakih naelektrisanih

4
Prolazak visokoenergetskih tekih jona kroz materijal, pored gubitka energije u sudarima sa
elektronima, prate i neki dodatni efekti, kao to je izmetanje atoma reetke.

48
estica pri prolasku kroz materijal odvija se na donekle razliite naine i tretira se
zasebno [52,57].
Sudari tekih naelektrisanih estica sa elektronima u atomu imaju velik
mikroskopski presek ( = 1017 - 1016 cm2). Verovatnoa jonizacije najvea je za slabo
vezane periferne elektrone i opada prema unutranjim slojevima elektronskog omotaa.
Deo energije koji se prenese pri svakom pojedinanom rasejanju teke naelektrisane
estice je mali u odnosu na ukupnu kinetiku energiju estice. For 90% of all collisions
the energy losses are less than 100 eV. Meutim, u vrstom materijalu prosene gustine,
broj sudara koje estica doivi po jedinici preenog puta je toliko velik da je zbirni
gubitak energije znaajan ak i u relativno tankim slojevima materijala.
Zbog velikog broja sudara sa elektronima du putanje teke naelektrisane estice,
prenos energije u pojedinanim sudarima je mali, pa se prenos energije sa zraenja na
materijal opisuje srednjim gubitkom energije dE po jedinici preenog puta estice dx.
Ova veliina naziva se zaustavna mo i izraava kao:

dE
S = (3.13)
dx

Zaustavna mo koja opisuje gubitak energije tekih naelektrisanih estica putem

sudara sa elektronima naziva se sudarna zaustavna mo (eng. collision stopping power)
ili elektronska zaustavna mo. Izraz za sudarnu zaustavnu mo za teku naelektrisanu
esticu naelektrisanja Z1e i brzine v u materijalu iji je atomski broj Z2 , gustina i
molarna masa Mm poznat je kao Bethe-Bloch-ova formula. Semiklasinim
nerelativistikim izvoenjem ova formula dobija se u obliku:

2
4 Z12 Z 2 e2 NA 2 m0 v 2
Sc = ln (3.14)
m0 v 2 4 0 Mm I

gde je m0 masa (mirovanja) elektrona, NA Avogadrov broj i I srednja energija eksitacije.

Formalnim uvrtavanjem relativistikih veliina u ovako izvedenu relaciju, izraz (3.14)
moe da se transformie u:

49
 m0 c 2 N A Z2 2 m0 c 2 2
Sc = 4 Z12 r02 ln (3.15)
2 Mm I

gde je r0 = e2/(40m0c2) klasini radijus elektrona, c brzina svetlosti u vakuumu, = v/c

odnos brzine teke naelektrisane estice i brzine svetlosti. Prelaskom sa brzine
naelektrisane estice na njenu kinetiku energiju dobija se5:

2
N A Z2 ( Ek + m0 c 2 )2 2 m0 c 2 Ek ( Ek + 2 m0 c 2 )
Sc = 2 Z12 r02 m0 c 2 ln (3.16)
Mm Ek ( Ek + 2 m0 c 2 ) I ( Ek + m0 c 2 )2

Kada se izvoenje sprovede metodama relativistike kvantne mehanike, sudarna

zaustavna mo za teke naelektrisane estice se dobija kao:

m0 c 2 N A Z 2 2 m0 c 2 2 Emax
Sc = 2 Z12 r02 ln 2 2
(3.17)
2 M m I 2 (1 2 )

gde je Emax maksimalna energija koja moe da se prenese sa estice na elektron u

jednom sudaru. Maksimalan prenos energije odgovara eonom sudaru sa elektronom i
za naelektrisanu esticu mase M iznosi:

2 m0 c 2 2 2
Emax = 2
(3.18)
m0
m
1 + 2 + 0
M M

gde je = (1 2)1/2. Kako za teke naelektrisane estice vai M >> m0, izraz (3.18)
svodi se na:

2 2 2 2 m0 c 2 2
Emax = 2 m0 c = (3.19)
1 2

5
Vai da je 2 = Ek(Ek + 2m0c2) / (Ek + m0c2)2.

50
 Kada se (3.19) uvrsti u (3.17) konano se dobija:

m0 c 2 N A Z 2 2 m0 c 2 2
Sc = 4 Z12 r02 ln 2
(3.20)
2 M m I (1 2 )

Za << 1 izraz (3.20) se svodi na nerelativistiki izraz (3.15).

Srednja energija eksitacije I predstavlja teinsku srednju vrednost svih moguih
energija pobuivanja elektrona u atomskom ili molekulskom sistemu, pri emu je teina
svakog prelaza elektrona na vii nivo jednaka verovatnoi da se dogodi. Egzaktan
teorijski izraz za srednju energiju eksitacije I je veoma sloen, zbog ega se u praksi
koriste empirijski izrazi:

19 eV, Z2 = 1 ( vodonik )

I 11,2 + 11,7 Z2 [ eV], 2 Z2 13 (3.21)
52,8 + 8,71 Z [ eV], Z > 13
2 2

Sc MeV cm
2

Slika 3.2. Energetske zavisnosti masene sudarne (elektronske) zaustavne moi za

nekoliko vrsta tekih naelektrisanih estica.

Na slici 3.2. prikazane su energetske zavisnosti masene sudarne (elektronske)

zaustavne moi (Sc/) za nekoliko vrsta tekih naelektrisanih estica. Krive na ovoj slici,

51
dobijene na osnovu formule (3.20), ne zalaze u oblast najniih energija. Pri veoma
niskim brzinama estice ( < 0,1) javlja se niz veoma sloenih pojava, koje ine Bethe-
Bloch-ovu formulu neprimenjivom. Najvaniji meu ovim efektima je tenja
naelektrisane estice da za sebe vezuje elektrone, to smanjuje njeno efektivno
naelektrisanje (slika 3.3), a time i zaustavnu mo. Osim to ne uzima u obzir smanjenje
efektivnog naelektrisanja, formula (3.20) na niskim energijama daje negativne vrednosti
zaustavne moi, jer lan ln(2m0c222/I) postaje negativan [52,56].

Slika 3.3. Zavisnost efektivnog naelektrisanja alfa estica i protona od brzine.

Energetska zavisnost sudarne zaustavne moi za protone u vodi data je grafikom na

slici 3.4.a), dobijenim eksperimentalno za opseg energija do oko 2,5 MeV. Donja kriva
na ovom grafiku odgovara desetostrukoj vrednosti zaustavne moi protona kada se u
obzir uzmu samo sudari sa elektronima iz K ljuski atoma kiseonika zastupljenih u
molekulima vode. Odnos dveju krivih odgovara ve spomenutoj injenici da je
verovatnoa jonizacije najvea je za periferne elektrone, a sve manja kako se ide ka
unutranjim ljuskama. Uoava se da na energijama niim od oko 0,1 MeV zaustavna
mo (ukupna za sve elektrone) opada.
Na slici 3.4.b) zavisnost Sc od energije za protone u vodi data je sa energetskom
osom u logaritamskoj razmeri, tako da je opadanje zaustavne moi sa smanjenjem
energije protona ispod 0,1 MeV uoljivije.

52
 a)

Sc [104 MeV/m]

b)
Sc [MeV/cm]

Energija protona [MeV]

Slika 3.4. Energetska zavisnost sudarne (elektronske) zaustavne moi za protone u vodi.
Donja kriva na slici a) odgovara desetostrukoj vrednosti zaustavne moi za protone
kada se u obzir uzmu samo sudari sa elektronima iz K ljuski atoma kiseonika.
Na slici b) energetska osa je u logaritamskoj razmeri.

53
 Da bi formula za Sc postigla bolje slaganje sa eksperimentalnim rezultatima, uvode
se korekcioni faktori, u vidu dodatnih sabiraka unutar uglaste zagrade u izrazu (3.20).
Dve najznaajnije korekcije uzimaju u obzir efekat gustine i uticaj rasporeda elektrona
po ljuskama.
Efekat gustine javlja se usled polarizacije atoma sredine koju izaziva elektrino
polje teke naelektrisane estice. Zbog ove polarizacije, elektroni na veem rastojanju
od putanje estice bie zaklonjeni od punog dejstva elektrinog polja, to znai da e u
manjoj meri doprinositi gubitku energije u odnosu na predvianje formule (3.20).
Efekat gustine izraeniji je za naelektrisane estice veih energija. Pored toga, ovaj
efekat zavisi i od gustine materijala, odakle i potie njegov naziv, jer je indukovana
polarizacija vea u vrstim materijalima, nego u razreenim sredinama kao to su
gasovi. Vrednost odgovarajueg korekcionog faktora odreuje se empirijski za razliite
opsege vrednosti proizvoda .
Bethe-Bloch-ova formula u osnovnom obliku izvedena je pod pretpostavkom da
elektron miruje u odnosu na upadnu naelektrisanu esticu. Ova pretpostavka nije
odriva kada je brzina upadne estice istog reda veliine ili manja od orbitalne brzine
elektrona vezanih za atom. U tom sluaju znaajni su efekti koji zavise od rasporeda
elektrona po ljuskama u atomu. Izraz za odgovarajui korekcioni faktor zavisi od I i , a
najee se odreuje empirijski.
Pored korekcija za efekat gustine i raspored elektrona po ljuskama, u Bethe-Bloch-
ovu formulu mogue je uvesti jo niz korekcionih faktora, ali njihov zbirni uticaj na
vrednost zaustavne moi je manji od 1%.
Ukupna zaustavna mo za lake naelektrisane estice (elektrone i pozitrone) sastoji
se od dve komponente - sudarne i radijacione:

dE dE
S = Sc + Sr = + (3.22)
dx c dx r

Izraz za sudarnu zaustavnu mo se modifikuje u odnosu na teke naelektrisane

estice iz dva razloga. Pretpostavka da upadna estica ne skree pri rasejavanju nije
odriva zbog male mase elektrona i pozitrona. Elektron i pozitron u sudaru sa
elektronom iz omotaa mogu da izgube vei deo energije nego teka naelektrisana

54
estica. Potrebno je uzeti u obzir i da se sudar odvija izmeu dve identine estice, zbog
ega nakon sudara nije mogue razlikovati elektron koji je prvobitno bio upadni od
elektrona iz omotaa. Izraz za Sc se izvodi tako to se elektron sa manjom energijom
nakon sudara smatra pogoenom esticom, dok se elektron koji nakon sudara ima veu
energiju smatra upadnom esticom.
Sudarna (elektronska) zaustavna mo za elektrone i pozitrone ima oblik:

N A Z 1 m0 c 2 + 2
Sc = 4 r02 m0 c 2 ln + F
( ) (3.23)
M m 2 2I

gde je = Ek/m0c2 kinetika energija upadne lake estice izraena kao umnoak energije
mirovanja elektrona (pozitrona), Z atomski broj materijala, dok ostale veliine imaju
isto znaenje kao u izrazima (3.14) i (3.15). Faktor F() razlikuje se za elektrone i
pozitrone:

1 2 2
F ( ) = 1 + (2 + 1) ln 2 (3.24)
2 8

+ 2 14 10 4
F ( ) = ln 2 23 + + + (3.25)
24 + 2 ( + 2)2 ( + 2)3

Kao i u sluaju tekih estica, izrazu (3.23) mogue je dodati korekcione faktore u
vidu sabiraka unutar uglaste zagrade.
Izraz (3.23) opisuje srednji gubitak energije elektrona ili pozitrona po jedinici
preenog puta. Predstavu gubitka energije lakih naelektrisanih estica mogue je
dopuniti zasebnim tretiranjem "tvrdih" sudara, kod kojih je prenos energije sa upadnog
elektrona na elektron u atomu > 255 keV, dok se sudarnom zaustavnom moi opisuju
samo "meki" sudari. Uz zanemarivanje energije veze elektrona u atomskom omotau,
tvrdi sudar upadnog elektrona sa elektronom u atomu modelira se Mller-ovim
rasejanjem, a tvrdi sudar pozitrona sa atomskim elektronom opisuje se Bhabba-inim
rasejanjem. Diferencijalni preseci za Mller-ovo i Bhabba-ino rasejanje izvode se u
okviru teorije kvantne elektrodinamike [55].

55
 Intenzitet zakonog zraenja (eng. bremsstrahlung) naglo opada ukoliko estica
ima veu masu. Zakono zraenje je oko milion puta slabije za alfa estice nego za
elektrone. Zbog toga se uzima u obzir samo kod elektrona.
U sluaju tankog apsorbenta, gubitak energije elektrona na zakono zraenje
srazmeran je Z2, gde je Z atomski broj elementa od kog je materijal sainjen. U sluaju
debelih meta, verovatnoa emisije zakonog zraenja u sudaru sa jednim atomom ~ Z2,
broj takvih sudara ~ 1/Z, pa je ukupna izraena energija ~ Z. Za beta estice odreene
energije, gubici na zakono zraenje su stoga znatno izraeniji u materijalima visokog
Z, kao to je olovo, nego u materijalima niskog Z, kao to je voda.
Za razliku od sudarne zaustavne moi, ne postoji jedinstvena analitiki izvedena
formula za radijacionu zaustavnu mo Sr, pa se vrednosti Sr odreuju numerikim
propraunima. Radijaciona zaustavna mo raste priblino linearno sa porastom energije
elektrona, dok sudarna zaustavna mo za elektrone ima samo logaritamski porast sa
energijom (jednaina (3.23)). Zato na visokom energijama beta estica zakono zraenje
predstavlja dominantan mehanizam gubitka energije. Za odnos radijacione i sudarne
zaustavne moi elektrona vai priblian izraz:

Sr ZE
(3.26)
Sc 800

gde je Z atomski broj materijala, dok je E = m0c2 + Ek ukupna energija elektrona

izraena u MeV-ima.
Veliina koja na najoptiji nain opisuje interakciju zraenja sa sredinom, nezavisno
od vrste zraenja, materijala kroz koji zraenje prolazi i tipa interakcije, jeste
mikroskopski presek. Mikroskopski presek moe da se opie kao verovatnoa da jedna
upadna estica ili foton doivi interakciju na jednoj estici mete, padajui na jedininu
povrinu. Jedinica mikroskopskog preseka je barn (1 b = 1028 m2). S obzirom da se
mikroskopski presek odnosi na interakciju upadne estice i estice mete nezavisno od
tipa i karaktera njihovog meusobnog dejstva, nije mogue poistovetiti sa
geometrijskim poprenim presekom estice mete, osim u specijalnim sluajevima.

56
 A

dx

Slika 3.5. Uz tumaenje mikroskopskog preseka.

Ako se posmatra sloj materijala beskonano male debljine dx i povrine A na koji

pada snop estica ili fotona, kao na slici 3.5, deo od ukupnog broja estica (tj. relativni
deo fluensa d/) koji doivljava interakciju unutar ovog sloja moe da se izrazi kao
odnos ukupne efektivne povrine za odvijanje interakcije dA i povrine A:

d dA ( N Adx )
= = = N dx (3.27)
A A

gde se mikroskopski presek pojavljuje kao efektivni popreni presek jedne estice
mete za odvijanje interakcije, dok je N koncentracija estica mete (broj estica mete po
cm3). Iz izraza (3.27) mikroskopski presek je mogue izraziti na dva naina:

d d
= ( Ndx )
= (3.28)
Ndx

od kojih prvi doputa da se tumai kao verovatnoa interkacije po upadnoj estici

podeljena brojem meta po jednici povrine, a drugi kao verovatnoa interkacije po
estici mete podeljena brojem upadnih estica po jedinici povrine. Obe predstave o

57
mikroskopskom preseku su jednako validne, s tim to prvo tumaenje stavlja akcenat na
estice/fotone iz upadnog snopa, dok je u drugom akcenat na esticama materijalne
sredine kroz koju snop prolazi [52,55].
Potpun opis procesa interakcije zahteva poznavanje raspodele vrednosti
mikroskopskog preseka po energiji upadne estice i po prostornom uglu u koji se
upadna estica rasejava, tj. poznavanje diferencijalnih preseka d/dE i d/d. Sve
koeficijente interakcije definisane u ovom odeljku mogue je izraziti preko
mikroskopskih preseka ili diferencijalnih mikroskopskih preseka.
Za direktno jonizujue zraenje koeficijenti interakcije su masena zaustavna mo i
linearni prenos energije, dok se kao veliine srodne ovim pojavljuju specifina
jonizacija i domet u aproksimaciji kontinualnog usporavanja.
Masena zaustavna mo izraava se kao:

S 1 dE
= (3.29)
dx

gde je gustina materijala. Jedinica za masenu zaustavnu mo je MeV cm2/g. Masena

zaustavna mo ne zavisi od agregatnog stanja materijala kroz koji zraenje prolazi, a
takoe omoguava jednostavnu interpolaciju vrednosti iz raspoloivih tabela vrednosti
S/ na ostale elemente:

Z

S M m 2 S
(3.30)
2 Z 1

M m 1

Ako naelektrisane estice prolaze kroz materijal sastavljen od vie vrsta atoma u
vidu smee ili jedinjenja, zaustavna mo se prema Bragg-ovom adicionom pravilu:

S S
wi (3.31)
i i

58
gde je wi teinski udeo i-tog elementa u smei ili jedinjenju. Procenjuje se da zbog
vezivanja atoma u molekule greka ovakvog odreivanja zaustavne moi moe da
iznosi najvie 2%.
Efekti ozraivanja zavise od prostorne raspodele energije deponovane du putanje
naelektrisane estice. Linearni prenos energije (eng. LET - Linear Energy Transfer) u
taki putanje naelektrisane estice predstavlja srednju energiju koju estica izgubi u
sudarima sa elektronima na jedininom preenom putu:

dE
L = (3.32)
dx

pri emu se u obzir uzimaju samo sudari koji proizvode sekundarne elektrone kinetike
energije nie od . Jedinica za L je J/m, ali se u praksi ee koristi keV/m.
Sekundarni elektroni energija veih od nekoliko stotina eV, takozvani delta zraci, imaju
duge vlastite putanje i svoju energiju deponuju daleko od primarne putanje. Definicija
LET ukazuje da ova veliina odraava energiju koja se deponuje uz primarnu putanju.
Bez ogranienja na energiju predatu elektronima ( ), dobija se takozvani
neogranien linearni prenos energije L, koji je jednak elektronskoj (sudarnoj)
zaustavnoj moi (L = Sc).
Na slici 3.6. je data ematska predstava prostorne raspodele jonizacija
(predstavljenih takicama) du putanja dve razliite vrste jonizujuih estica, unutar iste
makroskopske zapremine. Na slici a) predstavljene su putanje estica niskog LET, to
znai i male specifine jonizacije, dok je na slici b) data putanja jedne primarne estice
visokog LET. Apsorbovana doza unutar posmatrane makroskopske zapremine
(spoljanji krug na slici 3.6) je u oba sluaja ista. Upadljiva razlika raspodele jonizacija,
a time i raspodele energije deponovane unutar makroskopske zapremine, odraava se u
bitno razliitim efektima na nivou biolokih struktura malih dimenzija (numerisani
kruii na slici 3.6).

59
Slika 3.6. Raspodela jonizacija du putanja estica. a) estice niskog LET. b) estica
visokog LET. Apsorbovana doza unutar posmatrane makroskopske zapremine je u oba
sluaja ista.

Iako se LET definie samo za naelektrisane estice, ova veliina esto se

primenjuje i na indirektno jonizujue zraenje, u kom sluaju se odnosi na sekundarno
naelektrisano zraenje. Vrednosti LET za razne vrste direktno i indirektno jonizujueg
zraenja date su u tabeli 3.1.

Tabela 3.1. Vrednosti LET za razne vrste direktno i indirektno jonizujueg zraenja.

LET
Zraenje
[keV/m]
X zraci
Gama zraci 0,2 - 3
Elektroni
Protoni 15 - 27
Neutroni 20 - 80
Alfa estice, 60 - 200
Fisioni fragmenti

Specifina jonizacija predstavlja srednji broj jonskih parova (parova jon-elektron ili
elektron-upljina, u zavisnosti od agregatnog stanja materijala) koje stvori jonizujua
estica po jedinici preenog puta. Kvantitativno, specifina jonizacija je jednaka
koliniku Sc/W, gde je Sc sudarna zaustavna mo, dok je W u gasovitim sredinama
srednja energija koja se utroi po jednom stvorenom paru jon-elektron, a u vrstim

60
sredinama srednja energija za obrazovanje para elektron-upljina. S obzirom da je
energija W konstantna u irokom intervalu energija upadnog zraenja, specifina
jonizacija je srazmerna linearnom prenosu energije.
Specifina jonizacija i LET rastu du putanje primarne estice. Usporavanjem
estice i pribliavanjem kraju putanje, interakcije sa esticama sredine postaju brojnije i
energija predata u njima vea. Ova pojava daje karakteristian pik na graficima
zavisnosti specifine jonizacije alfa estica i protona od dubine prodiranja u medijum.
Kriva za jednu alfa esticu u vazduhu data je na slici 3.7. Na ovom grafiku abscisa
oznaava rezidualni domet, sa vrednou nula na kraju putanje.

Slika 3.7. Zavisnost specifine jonizacije jedne alfa estice od dubine prodiranja u
vazduhu.

Slika 3.8. Bragg-ova kriva zavisnosti srednje specifine jonizacije ili zaustavne moi
monoenergetskog snopa tekih naelektrisanih estica od dubine prodiranja.

61
 Na slici 3.8. prikazana je Bragg-ova kriva zavisnosti srednje specifine jonizacije
monoenergetskog snopa tekih naelektrisanih estica od dubine prodiranja. Bragg-ova
kriva esto se daje i kao zavisnost zaustavne moi od dubine prodiranja, jer je specifina
jonizacija srazmerna zaustavnoj moi u irokom intervalu energija upadnog zraenja.
Gubitak energije tekih naelektrisanih estica po jedinici preenog puta raste pri kraju
njihove putanje. Pred samo zaustavljanje, kada su ve izgubile najvei deo svoje
energije, one poinju da zahvataju elektrone, usled ega zaustavna mo i specifina
jonizacija naglo opadaju. Na slici 3.9. prikazane su Bragg-ove krive za alfa estice koje
emituju radionuklidi 210Po i 214Po u vazduhu.
[jonskih parova / cm]
Specifina jonizacija

Dubina prodiranja u vazduhu [cm]

Slika 3.9. Bragg-ove krive za alfa estice koje emituju radionuklidi

210
Po i 214Po u vazduhu.

Dubinu u materijalu do koje dospevaju naelektrisane estice mogue je opisati na

vie naina.
Duina traga estice predstavlja ukupnu duinu putanje koju estica pree od
ulaska u materijal do termalizacije unutar tog materijala, nezavisno od pravca. Ona se
dobija kao suma rastojanja izmeu svake dve interakcije (sudara) koje estica doivi do
"zaustavljanja" (termalizacije). estica se smatra termalizovanom kada stupi u termiku
ravnoteu sa drugim esticama sredine u kojoj se nalazi, nakon ega je njeno kretanje
odreeno zakonima difuzije (masene i toplotne), sve do eventualnog vezivanja dejstvom
kulonovskih sila.
Dubina prodiranja predstavlja normalnu projekciju traga (putanje) jedne estice na
pravac upadnog snopa.

62
 Pravi domet se definie kao srednja duina traga za itav snop estica.
Projektovani ili srednji domet (Rsr) je srednja dubina prodiranja za monoenergetski
snop identinih estica. Srednji domet odreuje se sa transmisione krive, predstavljene
na slici 3.10, kao dubina na kojoj polovina upadnih estica biva zaustavljena. Na
transmisionoj krivoj, koja izraava procenat upadnih naelektrisanih estica dospelih do
odreene dubine materijala, mogue je predstaviti jo i ekstrapolirani domet (Rext) (u
preseku tangente na strimi deo krive i ose dubine prodiranja), kao i maksimalan domet
(Rmax) (dubina do koje su sve upadne estice zaustavljene). Ekstrapolirani domet nekad
se odreuje i sa Bragg-ove krive, u preseku produetka zavrnog dela krive, na kom
specifina jonizacija naglo opada, i ose dubine prodiranja.

100

50

Slika 3.10. Transmisiona kriva.

Pretpostavka da naelektrisana estica du putanje postupno gubi energiju putem

velikog broja rasejanja poznata je kao aproksimacija kontinualnog usporavanja (eng.
CSDA - Continuous Slowing Down Approximation). U ovoj aproksimaciji domet se
izraunava kao:

0 E0
dE dE
RCSDA = = (3.33)

E0
dE 0 S

dx

gde je E0 poetna energija estica u monoenergetskom upadnom snopu, dok je

S = dE/dx zaustavna mo. S obzirom da je zaustavna mo definisana kao srednji

63
gubitak energije po jedinici preenog puta estice, domet u aproksimaciji kontinualnog
usporavanja je takoe veliina usrednjena po velikom broju estica i zanemaruje
fluktuacije u dubini prodiranja [53,57].
Zbog skretanja (viestrukog rasejavanja pri elastinim sudarima sa jezgrom, a u
sluaju upadnih elektrona i sa atomskim elektronima), koje je u osnovi stohastike
prirode, dve naelektrisane estice istog tipa i iste duine traga nee imati istu dubinu
prodiranja. Dubina prodiranja bie uvek manja od prave duine traga. Pored toga,
stohastiki karakter gubitaka energije pri svakom sudaru proizvodi fluktuacije u duini
traga estica monoenergetskog snopa, poznate kao rasturanje (eng. straggling). Ovaj
efekat se dodaje efektu skretanja i time poveava razlike u dubini prodiranja
pojedinanih estica. Konaan ishod je pojava fluktuacija dubine prodiranja. Raspodela
dubina prodiranja za monoenergetski snop estica predstavljena je zvonastom
isprekidanom krivom, priblino gausovskog oblika, na slici 3.10.
Fluktuacije dubine prodiranja izraenije su za lake nego za teke naelektrisane
estice. Upadni elektron u sudaru sa elektronom u materijalu moe da izgubi vei deo
energije nego alfa estica, to dovodi do veih razlika u duinama traga elektrona iste
poetne energije, odnosno do izraenijeg rasturanja. Smanjenju projektovanog dometa
elektrona u odnosu na pravi domet ipak znatno vie doprinosi viestruko rasejavanje,
nego rasturanje. Pri Rutherford-ovom rasejavanju na jezgrima atoma, estice sa veim
naelektrisanjem skreu pod veim uglovima. S obzirom da alfa estica ima dva puta
vee naelektrisanje od elektrona, a da elektroni du svojih putanja doivljavaju rasejanja
pod veim uglovima, mogue je zakljuiti da viestruko skretanje elektrona, kao i
njihovo rasturanje, potie od sudara sa elektronima atoma u materijalu, a ne sa jezgrima.
Doprinos efekata rasturanja i skretanja varijacijama u dubini prodiranja
monoenergetskih elektrona ilustrovan je slikom 3.11. Na ovoj slici kriva a) predstavlja
transmisionu krivu elektrona. Kriva b) bi bila transmisiona kriva u sluaju da postoji
samo efekat rasturanja, a kriva c) u sluaju da su fluktuacije odreene iskljuivo
stohastikim karakterom skretanja elektrona du putanje. Oigledno je da su fluktuacije
dubine prodiranja elektrona odreene prevashodno sluajnim karakterom skretanja pri
viestrukim rasejanjima.
Sa slike 3.11 se takoe vidi da transmisiona kriva za elektrone (kriva a) opada sa
znatno blaim nagibom, u irem opsegu dubina, u poreenju sa transmisionom krivom

64
za teke naelektrisane estice, koja ima irok plato sa vrednou od 100%, a onda opada
strmo, kao na slici 3.10.

100
b)
Transmisija [%]

c)

a)
50

Dubina prodiranja
Slika 3.11. Transmisiona kriva za elektrone: a) uraunati efekti rasturanja i skretanja
pri viestrukom rasejavanju, b) uraunat samo efekat rasturanja, c) uraunat samo
doprinos skretanja.

Uticaj stohastinosti rasejavanja naelektrisanih estica mogue je razmatrati ne

samo sa stanovita dubine prodiranja, ve i u odnosu na gubitak energije. Nakon
prolaska monoenergetskog snopa estica kroz materijal odreene debljnine one nemaju
sve istu energiju, ve se javlja raspodela estica po energijama. Ova pojava zove se
energetsko rasturanje (eng. energy straggling). Posmatrano klasino, energetsko
rasturanje se objanjava postojanjem opsega moguih udarnih parametara pri svakom
sudaru (rasejanju), kao i razliitim brojem rasejanja koja razne estice doive prolazei
kroz materijal. Sa kvantno-mehanikog stanovita, ak i jednom jedinom rasejanju pod
odreenim uglom odgovara itav opseg moguih gubitaka energije.
Gubitak energije naelektrisane estice E nakon prolaska kroz materijal odreene
debljine je, dakle, sluajna veliina, ija funkcija gustine verovatnoe ima zvonast
asimetrian oblik prikazan na slici 3.12.a). Teorijski oblik ove funkcije izveo je najpre
Landau (tzv. Landauova raspodela), a potom usavrio Vavilov (tzv. raspodela
Vavilova). S obzirom da je raspodela E asimetrina, srednji gubitak energije Esr
(matematiko oekivanje sluajne veliine E) i najverovatniji gubitak energije Env
(koji odgovara maksimumu raspodele) se razlikuju, pri emu najverovatniji gubitak

65
energije iznosi oko 2/3 srednjeg gubitka. Srednji gubitak energije Esr dobija se kada se
debljina materijala pomnoi vrednou zaustavne moi tog materijala za posmatrane
estice na energiji upadnog snopa. Raspodela energija estica u snopu nakon prolaska
kroz materijal predstavljena je grafikom na slici 3.12.b), na kojoj je oznaena i poetna
energija E0 monohromatskog snopa pre ulaska u materijal [52,53-56].

a)

fE

0 Env Esr E

b)
Env

E0 E

Slika 3.12. a) Funkcija gustine verovatnoe gubitka energije naelektrisane estice E

nakon prolaska kroz materijal odreene debljine. b) Raspodela energija estica u snopu
nakon prolaska kroz materijal. E0 je energija monohromatskog snopa
pre ulaska u materijal.

66
 Za indirektno jonizujue zraenje koeficijenti interakcije su linearni koefcijent
atenuacije, maseni koeficijent atenuacije, maseni koeficijent prenosa energije i maseni
koeficijent apsorpcije energije, a kao srodna veliina uvodi se faktor nagomilavanja.
Linearni koefcijent atenuacije se definie kao srednji relativni deo fotona
uklonjenih iz snopa po jedinici dubine materijala:

1 dN
= (3.34)
dx N

pri emu se smatra da je snop uzak i da je pravac snopa normalan na posmatrani sloj
debljine dx.
Promena broja fotona u snopu koji pod pravim uglom nailazi na tanki sloj
materijala srazmerna je broju fotona koji stiu do ovog sloja N i debljini sloja dx:

dN = N dx (3.35)

gde se linearni koeficijent atenuacije pojavljuje kao konstanta proporcionalnosti i

tumai kao verovatnoa po jedinici dubine materijala dx da foton bude uklonjen iz
snopa. Negativni predznak na desnoj strani jednaine oznaava da se broj fotona u
snopu smanjuje, odnosno da je dN < 0.
Totalni linearni koeficijent atenuacije predstavlja verovatnou da estica doivi
bilo koju interakciju po jedinici dubine i jednak je zbiru parcijalnih koeficijenata
atenuacije pojedinih interakcija.
Reciprona vrednost linearnog koeficijenta atenuacije 1/ predstavlja srednju
duinu slobodnog puta estice, odnosno srednji put koji estica pree izmeu dve
uzastopne interakcije.
Linearni koeficijent atenuacije moe da se izrazi kao proizvod koncentracije estica
mete N [#/cm3], na kojima fotoni mogu da doive neku od interakcija koje ih uklanjaju
iz snopa, i totalnog mikroskopskog preseka za interakciju upadnih fotona na esticama
mete: = N .

67
 Reenje jednaine daje eksponencijalni zakon opadanja broja fotona koji ostaju u
snopu nakon prolaska kroz materijal ukupne debljine x:

N = N0 ex (3.36)

gde je N0 poetni broj estica u upadnom snopu. Ova jednaina zanemaruje mogunost
da do detektora ili mete sa zadnje strane materijala dospeju estice rasejane iz snopa
koje potom doive dodatna rasejanja. Ona ne uzima u obzir ni sekundarne estice
proizvedene u interakcijama rasejanja koje mogu da pogode detektor.
Za neutrone, linearni koeficijent atenuacije poistoveuje se sa makroskopskim
presekom za interakciju, koji se oznaava sa = N . Intenzitet uskog snopa neutrona
takoe opada po eksponencijalnom zakonu sa dubinom unutar materijala.
Linearni koeficijent atenuacije zavisi od gustine sredine, pa je pogodnija veliina
maseni koeficijent atenuacije, koji je nezavisan od gustine sredine i ima dimenziju
cm2/g:

1 dN
= (3.37)
N dx

Pri raunu sa masenim koeficijentom, debljina materijala se izraava u jedinicama

g/cm2. Maseni koeficijent slabljenja je definisan kao relativni deo fotona uklonjenih iz
snopa u sloju materijala debljine 1 g/cm2.
Totalni maseni koeficijent atenuacije moe da se izrazi kao:

NA
=
M j j
(3.38)

gde je j mikroskopski presek za interakciju tipa j, NA Avogadrov broj, a M molarna

masa materijala apsorbera.
Na slici 3.13. dati su grafici energetske zavisnost masenog koeficijenta atenuacije u
vodi i olovu. Totalni / predstavljen je punom linijom, dok isprekidane linije
odgovaraju parcijalnim doprinosima etiri tipa interakcije fotona: koherentnog

68
(Rayleigh-evog) rasejanja, nekoherentnog (Compton-ovog) rasejanja, fotoelektrine
apsorpcije i proizvodnje para. Uoljivo je da na niskim energijama fotona dominira
fotoefekat, koji se deava u kompeticiji sa koherentnim rasejanjem. U oblasti srednjih
energija najvea je verovatnoa odvijanja Compton-ovog rasejanja. Kriva koja odgovara
proizvodnji para polazi od energije praga (1,02 MeV) i ovaj tip interakcije dominira na
visokom energijama [52,55].

a) b)

koherentno M ivica
nekoherentno
fotoefekat L ivica
proizvod. para
totalni
K ivica

Slika 3.13. Energetska zavisnost masenog koeficijenta atenuacije u a) vodi i b) olovu.

Puna linija odgovara totalnom /, a isprekidane parcijanim doprinosima
koherentnog (Rayleigh-evog) rasejanja, nekoherentnog (Compton-ovog) rasejanja,
fotoelektrine apsorpcije i proizvodnje para. Grafici su u log-log razmeri [55].

Mikroskopski preseci za fotoefekat, Compton-ovo rasejanje i proizvodnju para

zavise od energije fotona i atomskog broja materijala kao ,e ~ Z4,5/E3, ,'e ~ Z/E i
,ee+ ~ Z2 lnE, respektivno. S obzirom da je olovo materijal visokog atomskog broja
(Z = 82), fotoefekat ima veliku verovatnou deavanja u olovu sve do MeV-skih
energija. U materijalima sastavljenim od lakih elemenata, kao to su vazduh, voda i
tkivo, granica dominacije fotoefekta je nia od tipinih energija gama zraka (videti
tabelu 2.2), tako da u ovim materijalima osnovnu ulogu ima Compton-ov efekat. Sa

69
grafika 3.13.a) vidi se da je u vodi Compton-ovo rasejanje ubedljivo najverovatniji
proces u opsegu energija od 200 keV do 3 MeV. U oblasti visokoenergetskih gama
zraka, proizvodnja para je znatno izraenija (verovatnija) u tekim nego u lakim
materijalima.
U energetskoj zavisnosti mikroskopskog preseka za olovo uoavaju se pikovi koji
odgovaraju izbacivanju fotoelektrona sa pojedinih ljuski. Ovi pikovi nazivaju se
apsorpcionim ivicama (K ivica, L ivica...) i pojavljuju se na energijama veze elektrona u
ljuskama. L i M ivica imaju podstrukture koje odgovaraju podnivoima ljuski, odnosno
stanjima elektrona odreenim ukupnim ugaonim kvantnim brojem elektrona j. Tri
manja pika koje obuhvata L ivica, na primer, odgovaraju stanjima elektrona 2s1/2, 2p1/2 i
2p3/2. Unutranje elektronske ljuske lee energetski nie u tekim nego u lakim
materijalima, to znai da su energije veze eletrona u ljuskama vee. Apsorpcione ivice
za lake materijale nalaze se na energijama manjim od 1 keV, to je donja granica
energetske skale na slici 3.13, pa se ne uoavaju na grafiku 3.13.a).
Totalni maseni koeficijent prenosa energije je dat izrazom:

tr 1 dRtr
= (3.39)
dx R

gde je dRtr srednja vrednost dela energije zraenja R upadnih estica (neutrona ili
fotona) koji se pretvori u kinetiku energiju sekundarnih naelektrisanih estica u sloju
materijala debljine dx.
Maseni koeficijent prenosa energije moe da se izrazi i na sledei nain:

tr N A

=
M j
f j j (3.40)

gde je fj koeficijent koji izraava deo energije upadne estice koji se pretvori u kinetiku
energiju naelektrisanih estica u interakciji tipa j.
Maseni koeficijent apsorpcije energije definisan je izrazom:

en tr
= (1 g ) (3.41)

70
u kojoj g izraava deo kinetike energije sekundarnih naelektrisanih estica koji se u
potonjim radijativnim procesima konvertuje u zakono, anihilaciono ili fluorescentno
zraenje. en/ se po vrednosti malo razlikuje od tr/ za materijale malog Z i niske
energije fotona, jer tada emisija zakonog zraenja nije znaajna [56].

3.3. Interakcija zraenja sa izolatorskim materijalima

Meuzonska eksitacija u vrstom telu je proces analogan jonizaciji pojedinanih

atoma. Elektron pobuen u provodnu zonu uestvuje u elektrinom i toplotnom
provoenju materijala. Takav elektron se, meutim, ne kree sasvim slobodno, ve je
podvrgnut uticaju periodinog elektrinog potencijala kristalne reetke, zbog ega se
naziva kvazislobodnim. Prelaskom iz valentne u provodnu zonu, elektron za sobom
ostavlja upranjeno mesto, koje moe biti popunjeno drugim vezanim elektronom iz
valentne zone. Na taj nain dolazi do premetanja upranjenog mesta iz jednog atoma u
drugi, koje se predstavlja kao kretanje fiktivnog pozitivnog naelektrisanja nazvanog
upljina. Prema ovoj predstavi, nosioce naelektrisanja u kristalnim materijalima ine
elektroni i upljine. Sa aspekta karakteristika relevantnih za transport nosilaca, upljine
se od kvazislobodnih elektrona razlikuju pozitivnim znakom naelektrisanja, veom
efektivnom masom i manjom pokretljivou. Elektroni prebaeni iz valentne u
provodnu zonu, koji nakon ovog prelaza poseduju viak energije, u stanju su da stvaraju
sekundarne parove elektron-upljina (e- parove), ili da pobude fononske oscilacije
reetke [54-56].
Kod izolatora je irina energetske zone Eg > 3,5 eV. Energija koju je potrebno
uloiti u dielektrini materijal da bi se elektroni pobudili u provodnu zonu znatno je
vea nego kod besprimesnih poluprovodnika, ali je mehanizam pobuivanja elektrona iz
valentne u provodnu zonu isti. Ako se kod izolatora pojavi izraena elektrina
provodljivost, kae se da nastupa dielektrini proboj.
Prolaskom kroz izolator, jonizujue zraenje dovoljne energije moe da stvara e-
parove, kao i da raskida hemijske veze izmeu atoma. Srednja energija potrebna za
nastanak para e- u izolatoru je ~ 20 eV, i analogna je energiji jonizacije kod izolovanih
atoma. Ova energija je 2-3 puta vea od irine energetskog procepa Eg, jer se prenos

71
energije zraenja na materijal odvija i drugim mehanizmima, kao to su unutarzonsko
pobuivanje elektrona u kristalnim materijalima na temperaturama iznad apsolutne nule,
vibraciono pobuivanje kristalne reetke i rasejanja na jezgrima.

Tabela 3.2. Energije praga za izmetanje u izolatoskim materijalima.

Izolator SiO2 TiN Dijamant

Izmeteni atom Si O Ti N C

Ed [eV] 25 28 23 28 50

Elastina rasejanja upadnog zraenja na jezgrima dovode do izbacivanja atoma iz

njihovih poloaja u kristalnoj reetki. Do izmetanja atoma dolazi kada je energija koju
upadna estica (projektil) preda jezgru u elastinom sudaru vea od energije praga za
izmetanje Ed. U tabeli 3.2. date su vrednosti energije praga za izmetanje u nekoliko
izolatorskih materijala. Sile kojim okolni atomi u reetki deluju na atom na kom se
elastino rasejava upadna estica ne utiu na proces predaje energije ovom atomu.
Uticaj kristalne reetke ispoljava se tokom izmetanja atoma i sadran je u vrednosti
energije praga. Energija praga zavisi od tipa kristalne reetke i vrste atoma u njoj. Ako
je energija upadne estice neznatno vea od energije praga za izmetanje, broj
izmetenih atoma zavisi i od poloaja upadnog pravca estice u odnosu na glavnu osu
simetrije kristalne reetke [54-56].

3.4. Radijaciona oteenja u vrstim izolatorima

Izbacivanjem atoma iz njihovih poloaja u kristalnoj reetki pod dejstvom zraenja

nastaju oteenja izmetanjem. Upranjeno mesto u kristalnoj reetki, nastalo
izmetanjem atoma, naziva se vakancija. Kada izmeteni atom zauzme mesto u prostoru
izmeu vorova reetke (tzv. intersticijski poloaj), vakancija i intersticijski atom
zajedno predstavljaju Frenkeljev par.
Na osnovu izraza (3.11), pretpostavljajui maksimalan prenos energije projektila na
jezgro i uzimajui da je energija praga za izmetanje atoma Ed 25 eV, dolazi se do

72
zakljuka da je esticama kao to su protoni i neutroni (mase 1 a.j.m.6) potrebna
kinetika enerija od 185 eV da bi proizveli Frenkeljev par. Na slian nain, na osnovu
izraza (3.12), dobija se da je elektronima za proizvodnju Frenkeljevog para potrebna
kinetika energija od Eke 255 keV.
Srednja energija primarno izbaenog atoma za sluaj tekih naelektrisanih estica
(protona i alfa estica) znatno je manja od srednje energije atoma izmetenog
neutronom. Za Rutherford-ovo rasejanje srednja energija predata primarno izbaenom
atomu iznosi priblino:

Ed Emax Emax
ER ln (3.42)
Emax Ed Ed

gde je Emax maksimalan prenos energije sa estice na jezgro odreen iz relacije (3.11)
pri eonom sudaru.
Kinetika energija primarno izbaenog atoma, koja je jednaka razlici energije
predate atomu u elastinom sudaru i energije praga za izmetanje (E Ed), moe biti
dovoljno velika da atom pre nego to zauzme intersticijski poloaj izazove izmetanje
itavog niza drugih jezgara, koja dalje i sama mogu da izmetaju jezgra, stvarajui tako
kaskadu izmetenih atoma. Polazei od primarno izbaenog atoma, novi izmeteni
atomi se pojavljuju razgranato kroz materijal, formirajui stablo izmetanja. Du svojih
putanja uzmakli atomi gube energiju na dva naina - jonizacijom i izmetanjem drugih
jezgara. Oko 50% kinetike energije uzmaklog atoma utroi se na jonizaciju
(neelastina rasejanja na elektronskim omotaima). Nejonizujue interakcije izmetanja
dominiraju pri kraju putanje uzmaklog atoma, kada on troi poslednjih 5-10% svoje
kinetike energije. Tako se na krajevima grana stabla izmetanja obrazuju regije sa
visokom koncentracijom Frenkeljevih defekata, koje se nazivaju zavrni klasteri.
Kaskada koja potie od jednog primarno izbaenog atoma najee sadri 2-3 zavrna
klastera, podune dimenzije 50 (slika 3.14). itavo stablo izmetanja sa zavrnim
klasterima formira se u roku od 1 ns.
Defekti koji nastaju du putanja izmetenih atoma, kao i klasteri defekata na
krajevima ovih putanja, ine osnov radijacionih oteenja unutar izolatora. Jonizacioni

6
a.j.m. - atomska jedinica mase (1 a.j.m. = 1,66054 10-27 kg)

73
gubici energije, s druge strane, ne dovode do izmena kristalne reetke i znaajni su u
filmovima u kojima nosioci naelektrisanja nastali jonizacijom mogu da budu trajno
zarobljeni ili da doprinesu formiranju centara zahvata.

Slika 3.14. Stablo izmetanja sa zavrnim klasterima.

Prosean broj izmetenih atoma silicijuma koje proizvede proton energije 1 MeV je
4,8 (ukljuujui primarno izbaen atom i atome u kaskadi), jer je energija predata
primarno izbaenom atomu u sluaju naelektrisanih estica mala. Nasuprot tome, s
obzirom da elastino rasejanje 1 MeV-skog neutrona na jezgru silicijuma predstavlja
direktan sudar, slian sudaru kugli, bez uticaja kulonovske sile, prosena energija koju u
tom sluaju dobija primarno izbaen atom Si je oko 70 keV. U kaskadi koju proizvodi
primarno izbaen atom ove energije pojavljuje se oko 1500 dodatno izbaenih atoma.
Vrednost energije praga za formiranje zavrnih klastera u silicijumu je 5 keV, pa
je na osnovu izraza (3.11) i (3.12) neutronima potrebna energija od Ekn 35 keV, a
elektronima Eke 8 MeV da bi proizveli bar jedan klaster. Gama fotoni energija
1,17 MeV i 1,33 MeV koje emituje radionuklid 60Co proizvode sekundarne elektrone u
silicijumu prevashodno putem Compton-ovih rasejanja. Na osnovu izraza (3.4),
maksimalna kinetika energija koju pri tome mogu da steknu elektroni je

74
Eke,.max 1 MeV, to je nedovoljno za obrazovanje klastera. Posledica ozraivanja
60
silicijuma gama zraenjem izvora Co mogu biti samo Frenkeljevi parovi. Zavrni
klasteri su osnovni uzrok razlika izmeu radijacionih oteenja izazvanih tekim
esticama i onih koja proizvode fotoni i lake naelektrisane estice [54-56].
Izmeu 60% i 90% obrazovanih Frenkeljevih parova se rekombinuje, ne
doprinosei nastajanju zapremiskih oteenja u kristalu. Intersticijski atom se lako kree
kroz kristalnu reetku, sa tendencijom da istisne supstitucijski atom neistoa i ponovo
zauzme mesto u reetki. Neke vakancije vezuju se meu sobom u vidu kompleksa koji
se naziva divakancija (V2) ako se vezuju dve, ili multivakancija u sluaju povezivanja
veeg broja vakancija. Pojedini eksperimenti pruili su dokaze i o dimerizaciji
intersticijskih atoma u diintersticijske komplekse. Preostale vakancije i intersticijski
atomi, koji ne doive rekombinaciju ili dimerizaciju, difunduju kroz kristal i formiraju
stabilne komplekse sa defektima i neistoama koje su uvek u izvesnoj meri prisutne u
kristalu silicijuma (najee atomi kiseonika, ugljenika, fosfora i bora). Slika 3.15. daje
ematsku 2D predstavu kristalne reetke sa osnovnim tipovima takastih nesavrenosti i
njihovih kompleksa.

Intersticijski atom

Kompleks
vakancija + supstitucujski atom

Slika 3.15. Dvodimenzionalna predstava kristalne reetke

sa takastim nesavrenostima i njihovim kompleksima.

Elektron energije nie od nekoliko keV u stanju je da izmesti samo dva-tri atoma.
Verovatnoa nastajanja V2 kompleksa (ili viih vakancijskih kompleksa V3, V4...) je u
tom sluaju mala i veinu defekata ine kompleksi tipa vakancija-atom neistoe.
Velika gustina vakancija u klasterima dovodi do pojave velikog broja divakancija u

75
njima. Divakancije najee nastaju spajanjem prostorno bliskih vakancija, to znai da
e pre nastati od vakancija iz istog, nego iz razliitih klastera. Uestalost vezivanja
vakancija u divakancije je oko 100 puta vea u sluaju ozraivanja tekim esticama
nego pri ozraivanju gama zracima. Elektrine osobine divakancija, multivakancija i
stabilnih kompleksa koje vakancije i intersticijski atomi silicijuma grade sa atomima
neistoa, presudno utiu na promenu makroskopskih osobina izolatora.
Zapreminska oteenja u izolatoru mogu nastati i kao rezultat nuklearnih reakcija.
Teke naelektrisane estice koje se emituju u nekim od ovih reakcija mogu i same da
proizvode zapreminska oteenja, ili da predstavljaju atome neistoa. Ipak, pojava
sekundarnih naelektrisanih estica i atoma neistoa u nuklearnim reakcijama ima
zanemarljiv uticaj na karakteristike izolatorskih materijala, u poreenju sa oteenjima
izmetanjem.
Poreenje zapreminskih radijacionih oteenja proizvedenih razliitim vrstama
zraenja, razliitih energija i mehanizama interakcije sa vrstim dielektricima, zasniva
se na hipotezi nejonizujueg gubitka energije (eng. NIEL - Non Ionizing Energy Loss).
Osnovna pretpostavka ove hipoteze je da su promene u materijalu usled oteenja
izmetanjem linearno srazmerne ukupnoj energiji predatoj u elastinim sudarima sa
izmetanjem atoma, nezavisno od prostorne raspodele proizvedenih defekata, i
nezavisno od razliitih procesa otputanja (eng. annealing) koji se odvijaju po nastanku
oteenja.
Pri svakoj interakciji upadnog zraenja koja dovodi do pojave oteenja sa
izmetanjem atoma, primarno izbaen atom uzmie sa odreenom energijom ER. Deo
ove energije uzmaka koji se potom utroi na dalja izmetanja zavisi od same enerije
uzmaka i moe se odrediti pomou Lindhart-ove funkcije podele P(ER). Korienjem
funkcije podele, nejonizujui gubitak energije je mogue iskazati u vidu funkcije
oteenja D(E), koja predstavlja presek za oteenja izmetanjem:

ER max

D ( E ) = i ( E ) fi ( E , ER ) P (ER ) dER (3.43)

i 0

gde se sumiranje vri po svim moguim interakcijama upadne estice ili kvanta zraenja
energije E sa atomima u kristalnoj reetki, koje dovode do njihovog izmetanja. i je

76
mikroskopski presek za odvijanje i-te vrste interakcije, dok funkcija fi(E,ER) predstavlja
verovatnou nastanka primarno izbaenog atoma energije ER u interakciji i-te vrste sa
upadnom esticom energije E. Integracija se obavlja po svim moguim energijama
uzmaka ER, pri emu je ispod energije praga za izmetanje Ed funkcija podele jednaka
nuli: P(ER < Ed) = 0. Presek za oteenja izmetanjem mogue je dovesti u vezu sa
nejonizujuim gubitkom energije (NIEL-om):

A dE
D( E ) = (E) (3.44)
N A dx nejonizujue

gde je A molarna masa materijala, gustina materijala, NA Avogadrov broj.

Preseci za oteenja izmetanjem prikazani su na slici 3.16. za neutrone, protone,
pione, elektrone i fotone, u opsegu energija od ~ meV do ~ 10 GeV. Zavisnosti D(E) na
ovom grafiku normirane su na vrednost preseka za oteenja izmetanjem 1 MeV-skih
neutrona, koja iznosi D(En = 1 MeV) = 95 MeV mb.
Na slici 3.16. uoava se porast D(E) za neutrone energija niih od 185 eV, to
predstavlja energiju potrebnu neutronu da bi proizveo Frenkeljev par. Ovaj porast je
posledica radijativne apsopcije neutrona (n,), pri kojoj je energija uzmaka jezgra ( 1
keV) znatno vea od energije praga za izmetanje. Zavisnost D(E) u oblasti MeV-skih
energija neutrona odreena je u najveoj meri mikroskopskim presekom za odvijanje
neutronskih nuklearnih reakcija.
Dominantan doprinos vrednosti D(E) za protone daju kulonovska rasejanja na
jezgrima silicijuma, zbog ega je na niskim energijama D(E) znatno vee za protone
nego za neutrone. U opsegu energija niih od 10 MeV presek za protone je nekoliko
redova veliine vei od preseka ostalih vrsta estica.
U oblasti GeV-skih energija, funkcije oteenja protona i neutrona tee istoj
vrednosti. Ovde kulonovski doprinos postaje zanemarljiv, dok se preseci za nuklearne
reakcije protona i neutrona skoro ne razlikuju. U zavisnoti D(E) piona izraena je delta
rezonanca na energiji od par stotina MeV-a. Na viim energijama, funkcija oteenja
piona ima vrednost 2/3 vrednosti za protone, to odraava odnos broja kvarkova od
kojih su ove estice sazdane [54-56].

77
 D(E) / (95 MeV mb)

E [MeV]

Slika 3.16. Preseci za oteenja usled izmetanja za neutrone, protone, pione, elektrone
i fotone normirani na vrednost preseka 1 MeV-skih neutrona [55].

Pomou preseka za oteenja izmetanjem D(E) definie se faktor tvrdoe k, koji

predstavlja jedinstven parametar za poreenje sposobnosti zraenja razliitih tipova i
energetskih spektara da proizvedu oteenja izmetanjem. Faktor tvrdoe se za
odreenu vrstu zraenja definie kao odnos oteenja proizvedenog tim zraenjem i
oteenja koje bi proizveli 1 MeV-ski neutroni istog fluensa:

Emax

( E ) D ( E ) dE
Emin
k= Emax
(3.45)
D ( En = 1 MeV ) ( E ) dE
Emin

gde je (E) diferencijalni energetski spektar fluensa upadnog zraenja, a Emin i Emax
granice ovog spektra. Ukupni ekvivalentni fluens 1 MeV-skih neutrona n ekv nalazi se
iz:

Emax
n ekv = k = k ( E ) dE (3.46)
Emin

78
4. NUMERIKA SIMULACIJA TRANSPORTA ZRAENJA KROZ
SUPERIZOLATORSKE FILMOVE

Za numeriku simulaciju dejstva zraenja na filmove superizolatora koriena je

Monte Carlo metoda. Ona se temelji na stohastikoj prirodi procesa interakcije zraenja
sa strukturnim jedinicama materijalne sredine kroz koju zraenje prolazi. Stohastike
pojave koje karakteriu transport zraenja kroz sredinu opisuju se zakonima
verovatnoe. U realnim fizikim eksperimentima nesigurnost merenja se ocenjuje i
rauna kada se eksperiment zavri. Numerika simulacija tog istog fizikog procesa
metodama Monte Carlo moe se izvesti sa unapred zadatom nesigurnou, praenjem
odgovarajueg broja estica primarnog zraenja, kao i sekundarnih estica nastalih u
materijalu.

4.1. Monte Carlo metoda simulacije prolaska zraenja kroz materijal

Metode Monte Carlo postale su dostupne 1949. godine kada su von Neumann i
Ulam objavili monografiju Monte Carlo Methods. Do tada njihov razvoj bio je u slubi
projekta Manhattan. Metode su bile usmerene na probleme prolaza neutrona, a kasnije i
fotona, kroz sloene geometrije konstrukcija nuklearnih naprava. Ubrzo zatim,
zapoinje primena ovih metoda i u drugim oblastima deterministike i statistike
prirode.
Simulacija prolaza estica kroz materijal zasniva se na stohastikoj prirodi sudarnih
procesa. Izmeu dva uzastopna sudara estica prelazi sluajan put koji je odreen
totalnim makroskopskim presekom. Pri svakom sudaru estica gubi energiju, a gubitak
energije se odreuje iz odgovarajue raspodele. Posle sudara estica menja smer u
odnosu na smer pre sudara, a ugao skretanja je sluajna veliina koja se bira iz
odgovarajue raspodele. Na svom putu estica gubi energiju do neke granine energije
pri kojoj se smatra da je apsorbovana, ili sa nekom energijom naputa aktuelni prostor.
Svi sudari na putu estice pripadaju njenoj istoriji. Ponavljanjem velikog broja istorija
dobija se prostorna i energetska raspodela estica u posmatranom prostoru.
Apsorbovana energija u datoj zapremini materijala menja osobine supstance, a nastale

79
promene utiu na prolaz estica narednih istorija, jer se menjaju temperatura i gustina
supstance, a ako se deavaju i nuklearne reakcije, menja se i izotopski sastav [58,59].
Metode Monte Carlo zasnivaju se na numerikoj simulaciji sluajnih veliina na
osnovu poznatih raspodela. Sluajna veliina X opisuje se funkcijom raspodele F(x) i
funkcijom gustine raspodele f(x). Za neprekidnu sluajnu promenljivu vai:

P( X x) = F ( x) =

f ( t ) dt (4.1)

P ( X [ a , b ]) = F ( b ) F ( a ) = f ( x ) dx (4.2)
a

gde je P(X x) verovatnoa da sluajna promenljiva X uzme vrednost manju ili jednaku
nekoj vrednosti x. Funkcija F(x) je monotono neopadajua, dok za funkciju gustine vai
f(x) 0, a takoe:

f ( x ) dx = 1 (4.3)

Za diskretnu sluajnu promenljivu, koja moe da uzima vrednosti iz skupa

{x1, x2, x3 ...} sa verovatnoama P(X = xk), k = 1, 2, 3 ..., funkcija gustine verovatnoe se
definie kao:

f ( x ) = P ( X = xk ) ( x xk ) (4.4)
k

gde je (x) Dirakova delta funkcija sa osobinom:

( x a ) g ( x ) dx = g ( a )

(4.5)

80
 Postupak dobijanja sluajne veliine iz njene funkcije raspodele ili funkcije gustine
verovatnoe naziva se uzorkovanje vrednosti sluajne promenljive. Najee korieni
postupci uzorkovanja su metoda inverzije funkcije raspodele, metoda odbacivanja i
metoda kompozicije.
Metoda inverzije funkcije raspodele temelji se na teoremi po kojoj sluajna
promenljiva X koju je mogue izraziti kao X = F1(), gde je uniformna sluajna
promenljiva na intervalu izmeu 0 i 1 ( ~ Unif(0,1)), ima raspodelu sa funkcijom
raspodele F(x). Uzorkovanje vrednosti sluajne promenljive metodom inverzije funkcije
raspodele je praktino samo kada je poznat analitiki oblik inverzne funkcije. Vrednosti
promenljive X dobijaju se uvravanjem vrednosti promenljive , dobijenih pomou
generatora sluajnih brojeva, u funkciju F1(). Kada funkcija raspodele nije
invertibilna, primenjuje se von Neumann-ov metod odbacivanja [60-63].

4.2. Generatori sluajnih brojeva

Teorija verovatnoe i matematika statistika dokazuju da se vrednosti sluajne

veliine iz bilo koje raspodele mogu dobiti pomou uniformne raspodele. Uniformna
raspodela na intervalu (0,1) ima srednju vrednost (matematiko oekivanje) 1/2 i
standardno odstupanje 1/12. Vrednosti sluajne veliine sa raspodelom Unif(0,1)
dobijane su raznim tehnikama: od upotrebe belog uma, preko signala detektora
nuklearnog zraenja, do numerikih metoda. Numerike metode dokazale su svoju
superiornost i ve due vreme one dominiraju, a posebno od vremena kad su
proizvoai raunara u matematike biblioteke ukljuili funkciju za generisanje
pseudosluajnog broja, koji ima gotovo idealnu uniformnu raspodelu.
Programeri i inenjeri su uveli sluajnost u raunare u formi generatora
pseudosluajnih brojeva. Kao to samo ime kae, pseudosluajni brojevi nisu u
potpunosti sluajni. Oni se raunaju iz matematikih formula ili se jednostavno uzimaju
sa neke liste ve unapred sastavljenih brojeva. Razvoj teorije pseudosluajnih brojeva i
algoritama za njihovo ostvarivanje je dosegao visok nivo, tako da ti brojevi izgledaju
kao da su stvarno sluajni.

81
 Pri transformaciji neke raspodele pomou uniformne raspodele pojavljuje se
potreba da se rauna logaritam sluajnog broja iz intervala (0,1). Kada se desi da je
sluajan broj blizak nuli, logaritam tog broja moe biti izvan opsega realnih brojeva
datog raunara, pa kao posledica toga raunar prijavljuje aritmetiku greku.
Proizvoai raunara nisu standardizovali generatore pseudosluajnih brojeva te se tako
pojavljuju generatori sa brojevima iz intervala (0,1), [0,1), (0,1] ili [0,1].
Svi generatori pseudosluajnih brojeva se baziraju na rekurzivnim aritmetikim i/ili
logikim formulama. Prilikom izraunavanja sledeeg elementa niza sluajnih brojeva
koristit se sa samo jedan ili vie ve izraunatih lanova niza, a operacije nad njima
mogu biti matematike, ili ako se gledaju zapisi brojeva pomou bitova, logike. Svaki
takav generator zahtjeva neku poetnu vrednost, kao i jo nekoliko parametara koji
slue kao koeficijenti ili konstante.
Algoritam koji se uglavnom primenjuje u raunarskom (numerikom) generisanju
pseudosluajnih brojeva je linearni kongruentni metod:

N k = aN k 1 + b (mod c ) (4.6)

gde se N0 zadaje kao tzv. seme (eng. seed), dok su a, b, i c poznati veliki brojevi.
Svaki generator pseudosluajnih brojeva, nakon to se napravi, treba detaljno
ispitati. Ispituju se period ponavljanja niza generiranih brojeva, uniformnost raspodele
brojeva unutar intervala, dok za potrebe simulacija treba znati i kako su raspodeljene n-
torke dobijene od n uzastopnih brojeva iz nekog generatora (test serija). Ako je mogue
pronai postojei generator za koji se pouzdano zna da ispunjava zahteve neke
simulacije, a uz to je ve korien i testiran, bolje je primeniti taj algoritam nego
samostalno programirati novi generator, jer je za takav nov generator potrebno puno
testiranja da bi se utvrdila njegova primjenjivost.
Postoji nekoliko poeljnih svojstava koja se oekuju od generisanog niza
pseudosluajnih brojeva su. Sluajni brojevi u nizu treba da su uniformno raspodeljeni
na intervalu (0,1), tj. verovatnoa pojave broja treba da je podjednaka za sve brojeve
izmeu 0 i 1. To treba da vai kako za ceo generisan niz, tako i za bilo koji podniz ovog
niza. Meu podnizovima generisanih brojeva ne bi smelo da bude korelacije, to znai
da nijedan podniz u nizu ne sme da zavisi od nekog drugog podniza. Period generatora

82
mora da bude to je mogue vei. Generisanje pseudosluajnih brojeva se vri
deterministikim putem, pri emu generator prolazi kroz niz stanja. Iako je broj stanja
prilino velik (ako je generator dobro konstruisan) i dalje je re o konanom broju
stanja. To za posledicu ima da e se generator u jednom trenutku nai u stanju u kom je
ve bio (ako se generie dovoljno mnogo sluajnih brojeva), pa dolazi do ciklinog
ponavljanja nekog ve generisanog podniza. U uobiajenim generatorima period se
kree od 231 do 264.
Dodatno se od generatora oekuje mogunost reprodukovanja niza, prenosivost i
velika brzina rada uz minimalne memorijske zahteve. Mogunost reprodukovanja niza
je vana zbog detekcije i ispravljanja greaka uzrokovanih od strane generatora (lo
generator sluajnih brojeva esto moe da prouzrokuje neispravan rad programa). Od
prenosivog generatora se oekuje da pokazuje ista svojstva u razliitim uslovima rada
(razliiti raunari, operacioni sistemi, ili programski jezici). Vano je da uz iste poetne
uslove generator daje isti niz brojeva. Brz rad je zahtev koji je vaan u simulacijama
transporta estica, gde se generie veliki broj sluajnih brojeva. U toku simulacije
prolaza estica potrebno je generisati vie desetina miliona sluajnih brojeva, a da se ne
ponovi isti broj. Savremeni raunari imaju dovoljno veliku periodu da bez ponavljanja
generiu potreban broj sluajnih brojeva. Da bi se smanjio broj aritmetikih operacija, u
sluajevima kada je potrebno raunati (1), koristi se osobina uniformne raspodele po
kojoj raspodela ostaje uniformna zamenom razlike 1 samim brojem [60-63].

4.3. Rezultati numerikih simulacija dejstva zraenja na superizolatorske filmove

Monte Carlo simulacije prolaska jonskih snopova kroz filmove materijala u

superizolatoskom stanju sprovedene su u TRIM modulu programskog paketa SRIM
[58]. Ovaj program omoguava proraun gubitka energije upadnog zraenja putem
jonizacije, fononskog pobuivanja reetke i izmetanja atoma materijala. Svaki od ova
tri vida interakcije sa materijalom dovodi do specifinih promena njegovih fizikih
osobina, koje mogu da budu prolazne ili trajne.
Pri proraunu oteenja izmetanjem, SRIM simulira kaskade izmetenih atoma
razlikujui etiri tipa dogaaja: sudar sa izmetanjem, proizvodnju vakancije, sudar sa

83
zamenom atoma i pojavu intersticijalnih atoma. Broj nastalih vakancija jednak je razlici
broja sudara sa izmetanjme atoma reetke i broja sudara u kojima mesto izbaenog
atoma reetke zauzima jon koji proizvodi sudar. Zamena atoma reetke upadnim jonom
dogaa se kada jonu koji proizvodi sudar nakon sudara ne preostane dovoljno energije
da nastavi kretanje. On tada zauzima upranjeno mesto u voru reetke i postaje
supstitucijski atom. Sudari sa zamenom atoma mogu da smanje broj nastalih vakancija i
do 30%. Broj intersticijskih atoma jednak je razlici broja nastalih vakancija i broja
izmetenih atoma koji napuste film izuavanog materijala.
injenica da SRIM pretpostavlja da se materijal pre izlaganja zraenju nalazi na
tremperaturi apsolutne nule ini ovaj program pogodnim za razmatranje radijacionih
efekata u superizolatorskom stanju, koje postoji samo pri ekstremno niskim
temperaturama. Analiza raskidanja Kuperovih parova u superizolatorskim ostrvima pri
prolasku zraenja vrena je zamenom energije jonizacije atoma materijala vrednou
koja odgovara energiji disocijacije para.
Jonski snopovi u simulacijama izabirani su tako da odgovaraju poljima zraenja u
kojima se elektronske komponente esto nalaze. Za materijale u svemirskim letelicama i
satelitima najznaajniji su snopovi jona vodonika, helijuma i olova, dok se u
tehnolokim postupcima implantacije jona sa ciljem dopiranja najee koriste fosfor,
bor i arsen. SRIM ograniava proraun na monoenergetske snopove, ali je pri
ponovljenim simulacijama energija svake vrste jona varirana kroz opseg vrednosti
zastupljen u praski.
Na slikama 4.1 - 4.19. jedinica uz x osu, koja odgovara dubini unutar filma, je
angstrem (1 = 0,1 nm).

84
a) b)

c) d)

Slika 4.1. Raspodela izmetenih atoma titanijuma i azota u filmu TiN

debljine 5 nm ozraenom snopom od a) 104 jona bora energije 10 keV,
b) 104 jona fosfora energije 50 keV, c) 103 jona arsena energije 50 keV,
d) 103 jona gvoa energije 100 keV. Jedinica uz x osu, koja odgovara
dubini unutar filma, je angstrem (1 = 0,1 nm).

85
a) b)

c) d)

Slika 4.2. Jonizacioni gubici upadnih jona i izmetenih atoma Ti i N

u filmu TiN debljine 5 nm ozraenom snopom od a) 104 jona bora energije
10 keV, b) 104 jona fosfora energije 50 keV, c) 103 jona arsena energije
50 keV, d) 103 jona gvoa energije 100 keV. Jedinica uz x osu, koja
odgovara dubini unutar filma, je angstrem (1 = 0,1 nm).

86
a) b)

c) d)

Slika 4.3. Fononski gubici energije upadnih jona i izmetenih atoma Ti i N

u filmu TiN debljine 5 nm ozraenom snopom od a) 104 jona bora energije
10 keV, b) 104 jona fosfora energije 50 keV, c) 103 jona arsena energije
50 keV, d) 103 jona gvoa energije 100 keV. Jedinica uz x osu, koja
odgovara dubini unutar filma, je angstrem (1 = 0,1 nm).

87
 Slika 4.4. Tragovi estica za upadni snop od 100 jona gvoa energije 10
keV u filmu TiN debljine 20 nm. Tamniji tragovi odgovaraju jonima Fe, dok
su svetliji tragovi putanje izmetenih jona Ti i N.

Slika 4.5. Tragovi estica za upadni snop od 104 protona energije 10 keV u
filmu TiN debljine 5 nm. Tamniji tragovi odgovaraju protonima, dok su
svetliji tragovi putanje izmetenih jona Ti i N.

88
 a)

b)

c)

Slika 4.6. Rezultati za upadni snop od 104 protona energije 10 keV u filmu TiN debljine 5 nm:
a) Raspodela izmetenih atoma titanijuma i azota, b) Fononski gubici energije upadnih jona i
izmetenih atoma Ti i N, c) Raspodela vakancija nastalih izmetanjem atoma Ti i N.

89
a)

b)

c)

90
 d)

e)

Slika 4.7. Rezultati za upadni snop od 104 alfa estica energije 10 keV u filmu TiN debljine
5 nm: a) Tragovi estica (tamniji odgovaraju alfa esticama, a svetliji izmetenim jonima
Ti i N), b) Raspodela izmetenih atoma Ti i N, c) Jonizacioni gubici energije upadnih jona
i izmetenih atoma Ti i N, d) Fononski gubici energije upadnih jona i izmetenih atoma
Ti i N, e) Raspodela vakancija nastalih izmetanjem atoma Ti i N.

91
 a)

b)

c)

Slika 4.8. Rezultati za upadni snop od 104 jona bora energije 10 keV u filmu TiN
debljine 5 nm: a) Raspodela izmetenih atoma titanijuma i azota, b) Fononski gubici
energije upadnih jona i izmetenih atoma Ti i N, c) Raspodela vakancija nastalih
izmetanjem atoma Ti i N.

92
a) b)

c) d)

Slika 4.9. Rezultati za upadni snop od 104 jona bora energije 5 keV u filmu TiN debljine
10 nm: a) Raspodela izmetenih atoma Ti i N, b) Jonizacioni gubici energije upadnih
jona i izmetenih atoma Ti i N, c) Fononski gubici energije upadnih jona i izmetenih
atoma Ti i N, d) Raspodela vakancija nastalih izmetanjem atoma Ti i N.

93
a)

b)

c)

94
 d)

Slika 4.10. Rezultati za upadni snop od 104 jona fosfora energije 10 keV u filmu TiN
debljine 5 nm: a) Raspodela izmetenih atoma Ti i N, b) Jonizacioni gubici energije
upadnih jona i izmetenih atoma Ti i N, c) Fononski gubici energije upadnih jona i
izmetenih atoma Ti i N, d) Raspodela vakancija nastalih izmetanjem atoma Ti i N.

Slika 4.11. Tragovi estica za upadni snop od 10 jona fosfora energije 5 keV u filmu
TiN debljine 20 nm. Tamniji tragovi odgovaraju protonima, dok su svetliji tragovi
putanje izmetenih jona Ti i N.

95
a)

b)

c)

96
 d)

Slika 4.12. Rezultati za upadni snop od 104 jona fosfora energije 5 keV u filmu TiN
debljine 20 nm: a) Raspodela izmetenih atoma Ti i N, b) Jonizacioni gubici energije
upadnih jona i izmetenih atoma Ti i N, c) Fononski gubici energije upadnih jona i
izmetenih atoma Ti i N, d) Raspodela vakancija nastalih izmetanjem atoma Ti i N.

97
a)

b)

c)

98
 d)

Slika 4.13. Rezultati za upadni snop od 104 jona arsena energije 20 keV u filmu TiN
debljine 10 nm: a) Raspodela izmetenih atoma Ti i N, b) Jonizacioni gubici energije
upadnih jona i izmetenih atoma Ti i N, c) Fononski gubici energije upadnih jona i
izmetenih atoma Ti i N, d) Raspodela vakancija nastalih izmetanjem atoma Ti i N.

99
a)

b)

c)

100
 d)

Slika 4.14. Rezultati za upadni snop od 104 jona gvoa energije 10 keV u filmu TiN
debljine 5 nm: a) Raspodela izmetenih atoma Ti i N, b) Jonizacioni gubici energije
upadnih jona i izmetenih atoma Ti i N, c) Fononski gubici energije upadnih jona i
izmetenih atoma Ti i N, d) Raspodela vakancija nastalih izmetanjem atoma Ti i N.

101
a)

b)

c)

102
 d)

Slika 4.15. Rezultati za upadni snop od 104 jona gvoa energije 5 keV u filmu TiN
debljine 10 nm: a) Raspodela izmetenih atoma Ti i N, b) Jonizacioni gubici energije
upadnih jona i izmetenih atoma Ti i N, c) Fononski gubici energije upadnih jona i
izmetenih atoma Ti i N, d) Raspodela vakancija nastalih izmetanjem atoma Ti i N.

103
a)

b)

c)

104
 d)

Slika 4.16. Rezultati za upadni snop od 104 jona gvoa energije 5 keV u filmu TiN
debljine 20 nm: a) Raspodela izmetenih atoma Ti i N, b) Jonizacioni gubici energije
upadnih jona i izmetenih atoma Ti i N, c) Fononski gubici energije upadnih jona i
izmetenih atoma Ti i N, d) Raspodela vakancija nastalih izmetanjem atoma Ti i N.

105
 a)

b)

c)

Slika 4.17. Rezultati za upadni snop od 104 jona olova energije 20 keV u filmu TiN
debljine 5 nm: a) Raspodela izmetenih atoma titanijuma i azota, b) Jonizacioni gubici
energije upadnih jona i izmetenih atoma Ti i N, c) Fononski gubici energije upadnih
jona i izmetenih atoma Ti i N.

106
a)

b)

c)

107
 d)

Slika 4.18. Rezultati za upadni snop od 104 jona olova energije 20 keV u filmu TiN
debljine 10 nm: a) Raspodela izmetenih atoma Ti i N, b) Jonizacioni gubici energije
upadnih jona i izmetenih atoma Ti i N, c) Fononski gubici energije upadnih jona i
izmetenih atoma Ti i N, d) Raspodela vakancija nastalih izmetanjem atoma Ti i N.

108
a)

b)

c)

109
 d)

Slika 4.19. Rezultati za upadni snop od 104 jona olova energije 20 keV u filmu TiN
debljine 20 nm: a) Raspodela izmetenih atoma Ti i N, b) Jonizacioni gubici energije
upadnih jona i izmetenih atoma Ti i N, c) Fononski gubici energije upadnih jona i
izmetenih atoma Ti i N, d) Raspodela vakancija nastalih izmetanjem atoma Ti i N.

110
5. ANALIZA EFEKATA ZRAENJA U SUPERIZOLATORIMA

Rezultati dejstva zraenja na filmove materijala koji mogu da se nau u

superizolatorskom stanju pruaju mogunost da se na osnovu fizikog modela ovog
stanja izvedu zakljuci o radijacionim efektima u superizolatorima i predloe metode
radijacionog ovravanja ovih materijala.

5.1. Diskusija rezultata numerikih simulacija

Zahvaljujui maloj debljini (~ 10 nm), superizolatorski filmovi su neosetljivi na

jone energija veih od 1 MeV. Nejonizujui gubici visokoenergeskih jona (fonoske
pobude i oteenja izmetanjem) su mali i ne naruavaju superizolatorsko stanje.
Simulacije transporta zraenja, meutim, pokazuju da se za odreene vrste i energije
jona u ozraenim filmovima javlja veliki broj izmetenih atoma. Broj izmetenih atoma
je direktno proporcionalan fluensu upadnog zraenja, odnosno broju jona iji se
prolazak prati u Monte Carlo simulaciji. Jonizacioni gubici upadnih i izmetenih jona
odgovaraju raskidanju Kuperovih parova u superprovodnim ostrvima. Rezultati
simulacija takoe ukazuju da se deo energije zraenja pretvara u energiju fononskih
pobuda reetke [31].
Zraenje moe da utie na osobine superizolatora na vie naina. Prostorno
naelektrisanje koje stvaraju izmeteni joni koji zauzimaju intersticijalne (meuvorne)
poloaje utie na enegiju naelektrisavanja Ec Dosefsonovih spojeva, koji postoje
izmeu superprovodnih ostrva u granularnoj strukturi superizolatora. Promena energije
naelektrisavanja za sobom povlai promenu kolektivne kulonovske barijere c prema
jednakosti (2.30).
Iz rezultata simulacija za filmove titanijum nitrida uoava se da je, u gotovo svim
sluajevima, izmetanje atoma titanijuma znatno izraenije od izmetanja atoma azota.
Intersticijalni atomi Ti predstavljaju pozitivno zapreminsko naelektrisanje i svojim
prisustvom smanjuju energiju naelektrisavanja. Stabilnost superizolatorskog stanja
kritino zavisi od vrednosti Ec. Ovo stanje moe da psotoji samo pod uslovom da je Ec >
kBT. Ukoliko su radijaciona oteenja dovoljno velika da je ovaj uslov naruen, film

111
moe da pree u stanje sa termikim pobuivnjem nosilaca naelektrisanja, ime strujno-
naponska karakterisitika menja karakter od duplo-eksponencijalnog u obinan
eksponencijalni.
Jonizacioni gubici proraunati na osnovu simulacija odnose se na generisanje
parova eletktron-upljina u normalnoj fazi materijala, ali ukazuju na mogunost znatnog
raskidanja Kuperovih parova, kada se energija jonizacije, odnosno nastajanja para
elektron-upljina, zameni energijom disocijacije Kuperovog para. Upadni i izmeteni
joni mogu da dovedu do disocijacije dovoljnog broja Kuperovih parova da bude naruen
osnovni uslov superizolatorskog ponaanja - globalna fazna koherencija parova u
itavom uzorku.
Fononsko pobuivanje materijala prolaskom zraenja poveava efektivnu
temperaturu fonoskog okruenja. Pobueni fononski modovi, koji su pri niskim
temperaturama neophodnim za postojanje superizolatorskog stanja potisnuti, dejstvom
zraenja se ponovo uspostavljaju. Ove fonoske eksitacije posreduju u procesima
razmene energije koji prate tunelovanje Kuperovih parova izmeu ostrva, to dovodi do
pojave struje tunelovanja i naruenja superizolatorskog stanja [31].

Slika 5.1. HRTEM mikrograf poprenog preseka strukture koja je koriena

u [14] za izuavanje superizolatorske faze TiN filma.

Raskidanje Kuperovih parova je na graficima iz poglavlja 4 olieno u jonizacionim

gubicima. Efekti disocijacije Kuperovih parova i izmetanja atoma materijala postaju
izraeniji sa poveanjem debljine superizolatorskog filma. Ukupnom raskidanju

112
Kuperovih parova doprinose vie uzmakli atomi (joni) materijala, nego sami upadni
joni. Izmeteni atomi takoe dominantno doprinose fonoskom pobuivnju reetke
Za razliku od efekata proizvedenih izmetanjem atoma reetke, koji mogu da
dovedu do stabilnih oteenja reetke i trajnog razruenja superizolatorkog stanja,
disocijacija Kuperovih parova i fononsko pobuivanje su prolazni efekti, za koje se
oekuje da utiu na osobine filmova samo tokom ozraivanja.
Prvi materijal u kom je superizolatorska faza eksperimentalno ustanovljena je
titanijum nitrid, izraen u vidu filma nanometarske debljine na podlozi od SiO2. Sloj
silicijum dioksida formiran je na supstratu od Si termikom oksidacijom, dok je sloj
TiN dobijen hemijskom depozicijom iz parne faze (eng. Chemical Vapor-phase
Deposition, CVD). Na slici 5.1. prikazan je mikrograf poprenog preseka dobijene
strukture, snimljen transmisionim elektronskim mikroskopom visoke rezolucije
(HRTEM).

Slika 5.2. Raspodela izmetenih atoma In i O u filmu InO debljine 20 nm za

upadni snop od 500 jona bora energije 10 keV.

U cilju poreenja sa radijacionim efektima u superizolatrorima, na slikama 5.2. i

5.3. dati su rezultati simulacija prolaska jona bora i gvoa kroz film InO u stanju
izolatora sa Kuperovim parovima.

113
 Slika 5.3. Jonizacioni gubici energije upadnih jona i izmetenih atoma In i O u
filmu InO debljine 20 nm za upadni snop od 500 jona gvoa energije 50 keV.

i [ 1010 A]

Ec = 0,095 meV

Ec = 0,1 meV

Ec = 0,105 meV

v [ 104 V]

Slika 5.4. Strujno-naponske karakterisitike za film InO u stanju izolatora sa

Kuperovim parovima, koje odgovaraju promeni enegije naelektrisavanja Ec
od 5%, prouzrokovanoj dejstvom zraenja.

Za razliku od superizolatorske faze, kod koje je struja ima duploeksponencijalnu

zavisnost od parametara filma na koje zraenje ima uticaj, te stoga ostaje na nultoj
vrednosti, kod izolatora sa Kuperovim parovima mogue je predvideti promenu struje
usled promene enegije naelektrisavanja Ec Dosefsonovih spojeva. Ovaj efekat

114
predstavljen je strujno-naponskim karakterisitikama za film InO na slici 5.3, koje
odgovaraju promeni enegije naelektrisavanja od 5%, prouzrokovanoj dejstvom zraenja.

5.2. Metode radijacionog ovravanja superizolatora

Podloga na kojoj je izraen film superizolatorskog materijala, kao i slojevi koji bi

bili deponovani preko njega, mogu da imaju uticaj na radijacionu otpornost
superizolatora pri njegovom izlaganju multidirekcionom polju zraenja. Ukoliko se, kao
na slici 5.1, radi o strukturi SiO2/Si, od znaaja su efekti zraenja vezani za meupovr
ova dva sloja. Elektroni koje zraenje generie u slojevima koji lee ispod
superizolatorskog filma mogu tunelovanjem da dospeju u superizolator i narue uslove
za odravanje ovog stanja. Naelektrisanje zarobljeno u oksidu moe da perturbuje
elektrino polje u nanometarski debelom filmu superizolatora i na taj nain utie na
olektivno stanje elektrona likalizovanih u superprovodnim ostrvima [64-68].
Radijaciona oteenja u oksidnom sloju obuhvataju tri fenomena: pojavu
naelektrisanja zarobljenog u oksidu, poveanje broja zamki na meupovri i porast broja
zamki u unutranjosti oksida. Ukupno zarobljeno naelektrisanje u ozraenom oksidu je
najee pozitivno. Povrinske zamke mogu slobodno da razmenjuju naelektrisanje sa
silicijumskim supstratom, zbog ega znak njihovog naelektrisanja zavisi od
primenjenog napona. Sa poveanjem ukupne apsorbovane doze, koliina nelektrisanja
zarobljenog u oksidu kao i broj povrinskih zamki rastu [69].
Da bi se zapremina silicijuma uinila otpornijom na pojavu oteenja izmetanjem
jezgara, primenjuje se jedna od sledeih mera: dopiranje silicijuma galijumom (Ga)
umesto bora (B), uvoenje nedopirajuih neistoa u silicijum, kao to su C i O, ime se
smanjuje verovatnoa nastajanja V2 kompleksa, dopiranje silicijuma kalajem (Sn), koji
sa vakancijama formira stabilan kompleks Sn-V, rad poluprovodnikih ureaja na
niskim temperaturama, na kojima su vakancije i intersticijalni atomi nepokretni, ili
periodino visokotemperaturno otputanje. Radijaciono ovravanje modifikovanjem
procesa izrade kla u integrisanoj tehnologiji ukljuuje: kontrolu nivoa i profila
dopiranosti oksida, sa ciljem stabilizacije napona praga i smanjenja struje curenja,
razvijanje visokokvalitetnih tankih oksida, niskotemperatursku proizvodnju (koja

115
omoguava bolju kontrolu karakteristika tankih slojeva i smanjenje broja oteenja u
ovim slojevima nastalih tokom procesa izrade, od ije koncentracije zavisi radijacioni
odziv komponenti), kao i itav niz moguih tehnika otputanja, kojima se postie manja
disperzija vrednosti kljunih parametara filmova [70-74].
Tehnike radijacionog ovravanja SiO2 koje se zasnivaju na dopiranju za cilj
imaju poveavanje verovatnoe zahvatanja elektrona (korienjem materijala kojima je
svojstveno zahvatanje elektrona, ili dopiranjem SiO2 atomima Al, Cr, B i N koji se
ponaaju kao centri elektronskog zahvata), sa idejom da zahvaeni elektroni
predstavljaju protivteu pozitivnom naelektrisanju zarobljenih upljina. Drugi cilj je
pospeivanje rekombinacije elektrona i upljina tokom njihove migracije kroz oksid
(implantacijom atoma koji se ponaaju kao rekombinacioni centri u SiO2) [75-81].
Tehnike dopiranja oksida su, meutim, poslednjih godina mahom naputene.
Kompenzovanje naelektrisanja zarobljenog u oksidu ili na meupovri Si/SiO2
naelektrisanjem suprotnog znaka je teko izvodljivo, zbog razliitih i veoma izraenih
zavisnosti od uslova pod kojima se odigrava ozraivanje, kao i zbog razliitih
vremenskih konstanti koje karakteriu procese nastajanja i otputanja ovih dveju vrsta
naelektrisanja u oksidu. Pored toga, ustanovljeno je da je radiaciono ovravanje koje
se postie dopiranjem oksida u veoj meri posledica oteenja koja implantirani atomi
stvaraju u strukturi oksida, nego samih atoma primesa. Ovo unoenje oteenja u oksid
gejta ima niz drugih negativnih uticaja na osobine smog oksida i superizolatorskog
filma izraenog na oksidu [81-85].
Umesto dopiranjem, zahvatanje elektrona kao kompenzacionog naelektrisanja
moe se ostvariti nanoenjem dodatnog sloja nekog oksida sa visokom koncentracijom
elektronskih zamki preko filma SiO2 dobjenog termikim rastom. U tu svrhu koristi se
dodatni sloj fosfosilikatnog stakla (P2O5) ili silicijum-nitrida (Si2N4), debljine oko
40 nm, naneen preko tankog silicijum-dioksida, debljine oko 2,5 nm. Ureaji sa
ovakvim dvostrukim slojevima oksida zahtevaju poseban reim rada, sa povremenim
otklanjanjem promene napona praga, koje se sprovodi dovoenjem visokog napona, pri
emu injektovani elektroni bivaju zarobljeni u dodatnom sloju oksida [86,87].
Pogodnim izborom materijala za slojeve kojima je okruen superizolatorski film
mogue je postii njegovo radijaciono ovravanje. Kao to rezultati simulacija iz
poglavlja 4 sugeriu, osetljivost superizolatora na uticaj zraenja takoe se smanjuje sa

116
smanjivanjem debljine filma. Tehnike izrade radijaciono vrstih superizolatorskih
slojeva treba traiti u jednom od ova dva smera.

117
6. ZAKLJUAK I PRAVCI DALJEG ISTRAIVANJA

Superprizolatorsko stanje je po prvi put eksperimentalno uoeno pre svega

nekoliko godina. Iako je po nekim osobinama slina superprovodnoj, superizolatorsku
fazu karakterie itav niz pojava koje je ine jedinstvenom, kako po fundamentalnim
fizikim osobinama, tako i u pogledu elektrinog i magnetnog ponaanja. Za
elektrotehnike primene, najznaajnija je osobina beskonane elektrine otpornosti.
Superizolatorsko stanje mogue je shvatiti kao dualno superprovodnom, pri emu oba
opstaju samo do odreenih kritinih vrednosti ista tri parametra: temperature,
primenjenog napona i jaine magnetnog polja.
Potencijalno veoma znaajna primena superizolatora je za izolaciju kablova,
pogotovo superprovodnih kablova ija konstrukcija svakako podrazumeva hlaenje do
niskih temperatura, na kojima se odravaju i superprovodno i superizolatorsko stanje.
Komercijalizacija ovakvih kablova zahtevala bi da se, paralelno sa razvojem
visokotemperaturskih superprovodnika pogodnih mehanikih karakterisitika, nau i
visokotemperaturski superizolatorski materijali, koji mogu da se rashlauju jevtinim
tenim azotom. Problemi dielektrinih gubitaka u komunikacionim kablovima, koji se
koriste za povezivanje radio transmitera sa antenama, razvoenje signala kablovske
televizije, ili u mreama raunara, mogli bi da se ree zamenom standardnih izolatora
superizolatorima. Procenjuje se da bi izolovanjem galvanskih elemenata
superizolatorskim materijalom gubici usled struja curenja mogli da se svedu na
zanemarljiv nivo. U eri mobilnih ureaja sa baterijskim napajanjem, dugotrajnost
baterija je od izuzetnog znaaja. Jedna od moguih primena superizolatorskih materijala
je za izolaciju baterija, kako bi se smanjile struje curenja kada su neoptereene.
Navedene mogunosti primene superizolatora ine ovu klasu materijala izuzetno
znaajnom sa stanovita elektroinenjerske prakse.
U tehnologiji izrade integrisanih kola izolatorski materijali imaju mnogobrojne
uloge: od dielektrika gejta u MOS tehnologiji, preko vertikalne separacije susednih
elemenata, izolacije poluprovodnikih i provodnih slojeva u planarnim kolima, do
pasivizacije celokupnih kola. Minijaturizacija i sve vea gustina pakovanja u
savremenim komponentama nalau da se traga za alternativnim izolatorskim

118
materijalima, koji bi zamenili tradicionalne izolatore iji nedostaci postaju sve vei
problem sa svakom novom generacijom integrisanih komponenti.
Brojne primene elektronskih kola i elektrinih komponenti podrazumevaju njihov
rad u uslovima izloenosti jonizujuem zraenju. Pored zraenja koje prati ljudske
prakse, naa ivotna sredina neprestano je izloena kosmikom zraenju - primarnom,
koje dospeva do nae planete sa Sunca ili iz daljih delova galaksije, i sekundarnom, koje
nastaje u interakcijama primarnog zraenja sa atmosferom. Stoga je prouavanje dejstva
zraenja na elektronske komponente i materijale koji ih sainjavaju nezaobilazni aspekt
analize pouzdanosti rada ovih komponenti, ak i kada se koriste u uslovima bez
prisustva vetakih izvora zraenja. Analiza uticaja zraenja na savremene materijale
znaajna je i zbog uvida u ponaanje ovih materijala tokom standardnih tehnolokih
procesa izrade integrisanih elektronskih komponenti, koji esto ukljuuju izlaganje
jonskim snopovima u cilju implantacije primesa i profilisanja oblasti eljenih elektrinih
karakterstika.
U disertaciji je analizirano dejstvo izlaganja jonizujuem zraenju na karakteristike
superizolatorske faze, primenom Monte Carlo simulacije transporta zraenja kroz
superizolatorske filmove. Jedinstvene fizike osobine superizolatorskog stanja
obuhvaene su modelom 2D niza Dozefsonovih spojeva za opis strukture materijala.
Simulacije su sprovedene za razliite debljine filmova, kao i za snopove zraenja
razliitih geometrija i kvaliteta.
U proceni radijacione otpornosti, Monte Carlo metode simulacije prolaska zraenja
kroz materijal i deponovanja energije polja zraenja imaju velik znaaj. Numerikom
simulacijom, uz precizno definisanje problema sa stanovita karakteristika polja
zraenja i posmatrane materijalne sredine, mogue je izvriti predikciju odziva tankih
filmova superizolatora na izloenost jonizujuem zraenju.
Superizolatorski filmovi nanometarskih debljina su generalno imuni na prolaz
visokoenergetskog jonizujueg zraenja. I pored toga, numerike simulacije prolaza
zraenja kroz filmove pokazuju da se za odreene energetske opsege, flunse i vrste
zraenja mogu oekivati znatni efekti ak i pri ovako malim debljinama materijala.
Teorijski je mogue predvideti nekoliko naina na koje radijacioni efekti utiu na
osobine superizolatorskih filmova. Prostorno naelektrisanje koje obrazuju joni izmeteni
prolaskom zraenja moe da utie na energiju naelektrisavanja Dozefsonovih spojeva,

119
a time i na kolektivnu kulonovsku barijeru niza. Stabilnost superizolatorskog stanja
zavisi od vrednosti energije naelektrisavanja. U sluaju da se u ozraenom
superizolatoru ova energija postane manja od energije termike pobude, dolazi do
naruavanja uslova za opstanak superizolatorske faze i tanak film prelazi u stanje
termiki aktivirane otpornosti sa eksponencijalnom zavisnou od 1/T.
Zraenje moe da dovede i do znaajnog raskidanja Kuperovih parova u
superprovodnim ostrvima superizolatorske faze. Disocijacija veeg broja Kuperovih
parova moe da razrui faznu koherenciju koja se u superizolatorkom stanju uspostavlja
u celom uzorku materijala i tako otkloni osnovni uslov za postojanje ovog stanja.
Fononske pobude reetke materijala su na niskim temperaturama superizolatorske faze
suzbijene, ali se kroz interakcije zraenja sa jonima reetke ponovo pojavljuju. Na taj
nain se obnavljaju procesi razmene energije koji omoguavaju tunelovanje Kuperovih
parova, dolazi do uspostavljanja struje tunelovanja i superizolatorko stanje nestaje. Za
razliku od efekata proizvedenih izmetanjem atoma reetke, koji mogu da dovedu do
stabilnih oteenja reetke i trajnog razruenja superizolatorkog stanja, disocijacija
Kuperovih parova i fononsko pobuivanje su prolazni efekti, za koje se oekuje da utiu
na osobine filmova samo tokom ozraivanja.
U poreenju sa izolatorima koji se danas koriste u tehnologiji izrade planarnih kola,
kao dielektrici (SiO2, ONO strukture, high-k dielektrici), za izolaciju komponenti u
mikroelektronici i pasivizaciju mikroelektronskih kola, superizolatorski materijali
ispoljavaju vii stepen radijacione otpornosti. S obzirom da bi se primenom
superizolatorskih slojeva reio problem struja curenja, koji u skorijim generacijama
elektronskih komponenti predstavlja ograniavajui faktor dalje minijaturizacije,
filmovi superizolatora bi mogli da nau iroku primenu. Kao i u sluaju
superprovodnika, najpre je potrebno postii odravanje superizolatorske faze na viim
temperaturama, kako bi se izbegao zahtev za hlaenjem do temperatura bliskih
apsolutnoj nuli. Detaljnije razumevanje fizikih karakterisitika ovog stanja, ukljuujui
efefekte njihovog izlaganja zraenju, moe da doprinese postizanju ovog cilja.
Dalje istraivanje radijacionih efekata u superizolatorima moglo bi da bude
usmereno na razmatranje karakteristika sloenijih struktura u kojima bi se nali filmovi
superizolatora, kao i ka razvijanju tehnika i tehnologija radijacionog ovravanja

120
superizolatorskih filmova, sa ciljem da se omogui njihova primena u uslovima
izloenosti zraenju koje bi inae naruilo osobine ove faze, ili je sasvim ukinulo.

121
LITERATURA

[1] N. W. Ashcroft, N. D. Mermin, Solid State Physics, Holt, Rinehart & Winston,
New York, 1976.
[2] P. Osmokrovi, Elektrotahniki materijali, Akademska misao, Beograd, 2003.
[3] M. Tinkham, Introduction to Superconductivity, 2nd edn, Ch. 6 (McGraw-Hill,
New York, 1996).
[4] J. Bardeen, L. N. Cooper, J. R. Schrieffer, "Theory of Superconductivity", Phys.
Rev. 108, 1175-1204 (1957).
[5] P.W. Anderson, "Theory of dirty superconductors", J. Phys.Chem. Solids 11, 26-
30 (1959).
[6] A. A. Abrikosov, L. P. Gorkov, "On the theory of superconducting alloys .1. The
electrodynamics of alloys at absolute zero", Sov. Phys. JETP 8, 1090 (1958).
[7] A. Kapitulnik, G. Kotliar, "Anderson Localization and the Theory of Dirty
Superconductors", Phys. Rev. Lett. 54, 473-476 (1985).
[8] M. Ma, P.A.Lee, "Localized superconductors", Phys.Rev.B 32, 5658-5667 (1985).
[9] G. Kotliar, A. Kapitulnik, "Anderson localization and the theory of dirty
superconductors. II", Phys. Rev. B 33, 3146-3157 (1986).
[10] D. B. Haviland, Y. Liu, A. M. Goldman, "Onset of superconductivity in the two-
dimensional limit", Phys. Rev.Lett. 62, 21802183 (1989).
[11] A. F. Hebard, M. A. Paalanen, "Magnetic-field-tuned superconductor-insulator
transition in two-dimensional films", Phys. Rev. Lett. 65, 927930 (1990).
[12] D. Kowal, Z. Ovadyahu, "Disorder induced granularity in an amorphous
superconductor", Solid State Commun. 90, 783786 (1994).
[13] G. Sambandamurthy, L.W. Engel, A. Johansson, D. Shahar, Superconductivity-
Related Insulating Behavior, Phys. Rev. Lett. 92 (2004) 107005.
[14] V. M. Vinokur, T. I. Baturina, M. V. Fistul, A. Yu. Mironov, M. R. Baklanov, C.
Strunk, Superinsulator and quantum synchronization, Nature 452 (2008) 613-615.
[15] A. V. Lopatin, V. M. Vinokur, "Hopping transport in granular superconductors",
Phys. Rev. B 75, 092201 (2007).
[16] J. E. Mooij et al., "Unbinding of charge-anticharge pairs in two-dimensional
arrays of small tunnel junctions", Phys. Rev. Lett. 65, 645-649 (1990).
[17] R. Fazio, G. Schon, "Charge and vortex dynamics in arrays of tunnel junctions",
Phys. Rev. Lett. 43, 5307-5320 (1991).
[18] T. I. Baturina, A. Yu. Mironov, V. M. Vinokur, M. R. Baklanov, C. Strunk,
"Hyperactivated Resistance in TiN Films on the Insulating Side of the Disorder-
Driven Superconductor-Insulator Transition", JETP Letters 88 (2008) 752-757.

122
[19] N. M. Chtchelkatchev, V. M. Vinokur, T. I. Baturina, "Hierarchical Energy
Relaxation in Mesoscopic Tunnel Junctions: Effect of a Nonequilibrium
Environment on Low-Temperature Transport", Phys. Rev. Lett. 100 (2009)
247003.
[20] M.V. Fistul, V.M. Vinokur, T.I. Baturina, "Collective Cooper-pair transport in the
insulating state of Josephson junction arrays", Phys.Rev.Lett. 100 (2008) 086805.
[21] M.D. Stewart Jr., Aijun Yin, J.M. Xu, J.M. Valles Jr., "Superconducting Pair
Correlations in an Amorphous Insulating Nanohoneycomb Film", Science 318
(2007) 1273-1275.
[22] T.I. Baturina, A.Yu. Mironov, V.M. Vinokur, M.R. Baklanov, C.Strunk,
"Localized Superconductivity in the Quantum-Critical Region of the Disorder-
Driven Superconductor-Insulator Transition in TiN Thin Films", Phys. Rev. Lett.
99 (2007) 257003.
[23] G. Sambandamurthy, L.W. Engel, A. Johansson, E. Peled, D. Shahar,
"Experimental Evidence for a Collective Insulating State in Two-Dimensional
Superconductors", Phys. Rev. Lett. 94 (2005) 017003.
[24] E. Bielejec, J. Ruan, Wenhao Wu, "Hard Correlation Gap Observed in Quench-
Condensed Ultrathin Beryllium", Phys. Rev. Lett. 87 (2001) 036801.
[25] Y. Dubi, Y. Meir, Y. Avishai, Nature of the superconductor-insulator transition in
disordered superconductors, Nature 449 (2007) 876-880.
[26] Y. Dubi, Y.Meir, Y. Avishai, "Theory of the magnetoresistance of disordered
superconducting films", Phys. Rev. B 73 (2006) 054509.
[27] M. V. Feigelman, L.B. Ioffe, V.E. Kravtsov, E.A. Yuzbashyan, "Eigenfunction
Fractality and Pseudogap State near the Superconductor-Insulator Transition",
Phys. Rev. Lett. 98 (2007) 027001.
[28] B. Sacepe, C. Chapelier, T.I. Baturina, V.M. Vinokur, M.R. Baklanov, M.
Sanquer, "Disorder-induced inhomogeneities of the superconducting state close to
the superconductor-insulator transition", Phys. Rev. Lett. 101 (2008) 157006.
[29] Y. Imry, M. Strongin, C.C. Homes, "An inhomogeneous Josephson phase in thin-
film and high-Tc superconductors", Physica C 468 (2008) 288-293.
[30] E.M. Jackson, B.D. Weaver, G.P. Summers, P. Shapiro, E.A. Burke, "Radiation-
Induced Tc Reduction and Pair Breaking in High-Tc Superconductors", Phys. Rev.
Lett. 74 (1995) 3033-3036.
[31] M. Vujisi, D. Matijaevi, E. Dolianin, P. Osmokrovi, "Simulated Radiation
Effects in the Superinsulating Phase of Titanium Nitride Films", Nuclear
Technology and Radiation Protection, 26, (2011), pp. 254-260.
[32] I. S. Beloborodov, Ya. V. Fominov, A. V. Lopatin, V. M. Vinokur, "Insulating
state of granular superconductors in a strong-coupling regime", Phys. Rev. B 74,
014502 (2006).
[33] D. V. Averin, K. K. Likharev in Mesoscopic Phenomena in Solids (editors B. L.
Altshuler et al.) 173-271 (Elsevier, Amsterdam, 1991).

123
[34] A. Altland, L. I. Glazman, A. Kamenev, J. S. Meyer, "Inelastic electron transport
in granular arrays", Ann. Phys. 321, 2566-2603 (2006).
[35] S. Qin, J. Kim, Q. Niu, C. K. Shih, "Superconductivity at the Two-Dimensional
Limit", Science 324, 1314-1317 (2009).
[36] S. V. Lotkhov, S. A. Bogoslovsky, A. B. Zorin, J. Niemeyer, "Cooper pair
cotunneling in single charge transistors with dissipative electromagnetic
environment", Phys. Rev. Lett. 91, 197002 (2003).
[37] K. B. Efetov, A. Tschersich, "Coulomb effects in granular materials at not very
low temperatures", Phys. Rev. B 67, 174205 (2003).
[38] A. M. Goldman, N. Markovic, "Superconductor-insulator transitions in the two-
dimensional limit", Phys.Today. 51, 39 (1998).
[39] A. Bezryadin, C.N.Lau, M. Tinkham, "Quantum suppression of superconductivity
in ultrathin nanowires", Nature 404, 971-974 (2000).
[40] M.A. Steiner, G.Boebinger, A.Kapitulnik, "Possible Field-Tuned Superconductor-
Insulator Transition in High-Tc Superconductors: Implications for Pairing at High
Magnetic Fields", Phys. Rev. Lett. 94, 107008 (2005).
[41] L. Sanchez-Palencia, M. Lewenstein, "Disordered quantum gases under control",
Nature Physics 6, 87-95 (2010).
[42] D. M. Basko, I. L. Aleiner, B. L.Altshuler, "Metal-insulator transition in a weakly
interacting many-electron system with localized single-particle states", Ann. Phys.
321, 1126-1205 (2006).
[43] V. Oganesyan, D. A. Huse, "Localization of interacting fermions at high
temperature", Phys. Rev. B 75, 155111 (2007).
[44] M. Steiner, A. Kapitulnik, "Superconductivity in the insulating phase above the
field-tuned superconductor-insulator transition in disordered indium oxide films",
Physica C 422, 1626 (2005).
[45] R. Crane et al., "Survival of superconducting correlations across the two-
dimensional superconductor-insulator transition: A finite-frequency study", Phys.
Rev. B 75, 184530 (2007).
[46] N. Hadacek, M. Sanquer, J.-C. Villegier, "Double reentrant superconductor-
insulator transition in thin TiN films", Phys. Rev. B 69, 024505 (2004).
[47] M.P.A. Fisher, "Quantum phase transitions in disordered two-dimensional
superconductors", Phys. Rev. Lett. 65, 923926 (1990).
[48] H. Q. Nguyen et al., "Observation of Giant Positive Magnetoresistance in a
Cooper Pair Insulator", Phys. Rev. Lett. 103, 157001 (2009).
[49] I. Giaever, "Energy Gap in Superconductors Measured by Electron Tunneling",
Phys. Rev. Lett. 5, 147148 (1960).
[50] B. Sacepe et al., "Pseudogap in a thin film of a conventional superconductor",
Nat. Commun. 1, 140 (2010).
[51] L. B. Ioffe, M. Mezard, "Disorder-Driven Quantum Phase Transitions in Super-
conductors and Magnets", Phys. Rev. Lett. 105, 037001 (2010).

124
[52] G. F. Knoll, Radiation Detection and Measurement, 3rd Edition, John Wiley &
Sons Inc., U.S.A., Third edition, 2000.
[53] M. Mlaenovi, Prolaz zraenja kroz materiju, Izdavako-informativni centar
studenata, Beograd, 1975.
[54] V. S. Vavilov, N. A. Ukhin, Radiation Effects in Semiconductors and
Semiconductor Devices, Consultants Bureau, New York, 1977.
[55] A. G. Holmes-Siedle, L. Adams, Handbook Of Radiation Effects, Second Edition,
Oxford University Press, 2002.
[56] G. C. Messenger, M. S. Ash, The Effects of Radiation on Electronic Systems, Van
Nostrand Reinhold, New York, 1992.
[57] J. Lindhard, V. Nielsen, M. Scharff, P. V. Thomsen, "Integral equations governing
radiation effects (Notes on atomic collisions, III)", Mat. Fys. Medd. Dan. Vid.
Selsk., 33, pp. 1-42, 1963.
[58] J.F. Ziegler, J.P. Biersack, M.D. Ziegler, SRIM (The Stopping and Range of Ions
in Matter), Online: http://www.srim.org
[59] R. A. Weller, M. H. Mendenhall, D. M. Fleetwood, "A screened Coulomb
scattering module for displacement damage computations in Geant4", IEEE
Trans. Nucl. Sci., 51, pp. 3669-3678, 2004.
[60] S. Agnostelli et al., "Geant4 - A simulation toolkit", Nucl. Instrum.Methods Phys.
Res. A, A506, pp. 250-303, 2003.
[61] J. Allison et al., "Geant4 developments and applications", IEEE Trans.Nucl. Sci.,
53, pp. 270-278, 2006.
[62] A. F. Bielajew, F. Salvat, "Improved electron transport mechanics in the
PENELOPE Monte-Carlo model", Nucl. Instrum. Methods Phys.Res. B, B173, pp.
332-343, 2001.
[63] J. A. Halbleib, R. P. Kensek, G. D. Valdez, "ITS - The integrated TIGER series of
electron-photon transport codes - Version 3.0", IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, pp.
1025-1030, 1992.
[64] J.L. Barth, C.S. Dyer, E.G. Stassinopoulos, "Space, Atmospheric, and Terrestrial
Radiation Environments", IEEE Trans. Nucl. Sci. 50 (2003) 466-482.
[65] M.A. Xapsos, J.L. Barth, E.G. Stassinopoulos, S.R. Messenger, R.J. Walters, G.P.
Summers, E.A. Burke, "Characterizing Solar Proton Energy Spectra for Radiation
Effects Applications", IEEE Trans. Nucl. Sci. 47 (2000) 2218-2223.
[66] J.H. Warner, S.R. Messenger, R.J. Walters, G.P. Summers, "Displacement
damage correlation of proton and silicon ion radiation in GaAs", IEEE Trans.
Nucl. Sci., 52 (2005), 6, pp. 2678-2682
[67] A.A.E. Stevens, W.M.M. Kessels, M.C.M. van de Sanden, H.C.W. Beijerinck,
"Amorphous silicon layer characteristics during 70-2000 eV Ar+-ion
bombardment of Si(100)", Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum,
Surfaces, and Films, 24, (2006), 5, 1933-1940.

125
[68] M. Vujisic, K. Stankovic, N. Marjanovic, P. Osmokrovic, "Simulated Effects of
Proton and Ion Beam Irradiation on Titanium Dioxide Memristors", IEEE Trans.
Nucl. Sci., 57 (2010) 1798-1804.
[69] J. R. Schwank, "Radiation effects in SOI technologies", IEEE Trans. Nucl. Sci.,
50 (2003) 1023-1028.
[70] R. L. Pease, "Total ionizing dose effects in bipolar devices and circuits", IEEE
Trans. Nucl. Sci., 50 (2003) 1029-1034.
[71] P. Osmokrovi, I. Krivokapi, D. Matijaevi, N. Kartalovi, "Stability of the Gas
Filled Surge Arresters Characteristics Under Service Conditions", IEEE
Transactions on Power Delivery, 11 (1996), 260-266.
[72] J.-G. Loquet, J.-P. David, S. Duzellier, D. Falguere, T. Nuns, "Simulation of
heavy-ion-induced failure modes in nMOS cells of ICs", IEEE Trans. Nucl. Sci.,
vol. 48, p. 2278, 2001.
[73] G. M. Swift, D. J. Padgett, A. H. Johnston, "A new class of single hard errors",
IEEE Trans. Nucl. Sci., 41, p. 2043, 1994.
[74] A. Scarpa, A. Paccagnella, F. Montera, G. Ghibaudo, G. Pananakakis, G. Ghidini,
P. G. Fuochi, "Ionizing radiation induced leakage current on ultra-thin gate
oxides", IEEE Trans. Nucl. Sci., 44, p. 1818, 1997.
[75] T. R. Oldham, "Recombination along the tracks of heavy charged particles in SiO2
films", J. Appl. Phys., 57, p. 2695, 1985.
[76] L. Osanger, "Initial recombination of ions", Phys. Rev., 54, p. 554, 1938.
[77] A. Candelori, M. Ceschia, A. Paccagnella, J. Wyss, D. Bisello, G. Ghidini, "Thin
oxide degradation after high-energy ion irradiation", IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 5,
pp. 1735-1743, 2001.
[78] A. Cester, S. Cimino, E. Miranda, A. Candelori, G. Ghidini, A. Paccagnella,
"Statistical model for radiation induced wear-out of ultrathin gate oxides after
exposure to heavy ion irradiation", IEEE Trans.Nucl. Sci., 50, pp. 2167-2175,
2003.
[79] J. Barak, A. Akkerman, "Straggling and extreme cases in the energy deposition by
ions in submicron silicon volumes", IEEE Trans. Nucl.Sci., 52, pp. 2175-2181,
2005.
[80] P. E. Dodd et al., "Impact of heavy ion energy and nuclear interactions on single-
event upset and latchup in integrated circuits", IEEE Trans.Nucl. Sci., 54, pp.
2303-2311, 2007.
[81] R. A.Weller, R. A. Reed, K. M.Warren, M. H. Mendenhall, B. D. Sierawski, R. D.
Schrimpf, L. W. Massengill, "General framework for single event effects rate
prediction in microelectronics", IEEE Trans.Nucl. Sci., 56, pp. 3098-3108, 2009.
[82] M. Turowski, A. Raman, R. D. Schrimpf, "Nonuniform total-doseinduced charge
distribution in shallow-trench isolation oxides", IEEE Trans. Nucl. Sci., 51, pp.
3166-3171, 2004.
[83] J. F. Ziegler, "Terrestrial cosmic rays", IBM J. Res. Develop., 40, pp. 19-40, 1996.

126
[84] R. A. Weller, A. L. Sternberg, L. W. Massengill, R. D. Schrimpf, D. M.
Fleetwood, "Evaluating average and atypical response in radiation effects
simulations", IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, pp. 2265-2271, 2003.
[85] R. A. Reed, R. A. Weller, R. D. Schrimpf, M. H. Mendenhall, K. M. Warren, L.
W. Massengill, "Implications of nuclear reactions for single-event effects test
methods and analysis", IEEE Trans. Nucl. Sci., 53, pp. 3356-3362, 2006.
[86] D. M. Fleetwood, H. A. Eisen, "Total-dose radiation hardness assurance", IEEE
Trans. Nucl. Sci., 50, pp. 552-564, 2003.
[87] J. R. Srour, C. J. Marshall, P. W. Marshall, "Review of displacement damage
effects in silicon devices", IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, pp. 653-670, 2003.

127
BIOGRAFIJA AUTORA

Duan S. Matijaevi roen je 1964. godine u Beogradu, gde je zavrio osnovnu

kolu i gimnaziju (matematiko-tehniki smer). Elektrotehniki fakultet Univerziteta u
Beogradu upisao je 1982. godine, nakon ega je proveo godinu dana na odsluenju
vojnog roka. Diplomirao je 1990. godine, na Smeru za telekomunikacije Odseka za
elektroniku Elektrotehnikog fakulteta u Beogradu, sa diplomskim radom iz oblasti
tehnologije elektrotehnikih materijala (naslov: "Termoluminiscentni dozimetri").
Nakon zavrenog fakulteta se zaposlio i pohaao postdiplomske studije na Odseku za
tehnologiju elektrotehnikih materijala Elektrotehnikog fakulteta u Beogradu.
Magistarski rad pod naslovom "Uticaj radioaktivnosti i elektrodnih efekata na
poveanje verovatnoe proboja plemenitih gasova pri malim vrednostima pd" odbranio
je 1999. godine na Katedri za tehnologiju elektrotehnikih materijala (mentor: prof. dr
Predrag Osmokrovi). Trenutno je zaposlen u kompaniji Telenor Srbija.

128
 1.

-a . ______________________

_______________________________

,


,

/
.

, _21.5.2012.______

_________________________
 2.

___ . __________________________

_________________________________________________________

____________________________________________________

___ ___________________

_ , . . ______

/ ________________________________________

/
.

, ,
.

, .

, _21.5.2012.__________

_________________________
 3.

/
.

(Creative Commons) /.

1.

2. -

3.

4.

5.

6.

( ,
).

, _21.5.2012.___________

____________________
1. - ,
, ,
, .
.

2. . ,
, ,
.
.

3. - . ,
, ,
,
.
. ,
.

4. - .
, , ,

.
.

5. . ,
, , ,

. .

6. - . ,
, ,

.
. ,
.