ELECTRONICA DE POTENCIAS
INFORME FASE 4 TRABAJO PRCTICO.
Presentado por: Arley Fernando Ziga Cod: 1083895741
Cristian Fabin Arias Ordoez Cod: 1143829574
Fabin Snchez Cern Cod: 12265941
German
Tutor:
Diego Fernando Nava.
UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A
DISTANCIA UNAD
ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS,
TECNOLOGA E INGENIERA
NOVIEMBRE 2017
INTRODUCCIN
El presente trabajo contiene la
evidencia del desarrollo de las de
las actividades requeridas para el
componente prctico del curso,
las cuales estn indicadas en la
gua de actividades y cuyo
objetivo es desarrollar
habilidades de identificaciones,
seleccin y utilizacin de
circuitos convertidores y
acondicionadores de seales;
basados en el uso de
Semiconductores de potencia.
Todo esto contextualizado en la
estrategia de aprendizaje basado
PROCEDIMIENTO
1. El estudiante debe inscribirse para
realizar las prcticas a travs del
aplicativo de oferta integrada de
laboratorios en campus virtual
en proyectos en la cual se
enmarca el curso y que garantiza
la asimilacin de los
conocimientos propuestos.
OBJETIVOS
Identificar y desarrollar los
circuitos de disparo requeridos
para semiconductores de
potencia. SCR, MOSFET e IGBT.
Desarrollar un anlisis
terico-prctico sobre el
comportamiento de estos
componentes bajo diferentes
voltajes y corrientes de disparo.
Realizar las actividades
prcticas propuestas para
contextualizar el desarrollo de los
componentes tericos del curso
de Electrnica de Potencia.
http://academia.unad.edu.co/laboratorio
s/programacion.
2. El intervalo de tiempo para
desarrollar la prctica es informado en el
momento que el estudiante se inscribe
por el Aplicativo Oferta Integrada de
Laboratorios - OIL.
3. Es necesario que el estudiante
verifique los componentes electrnicos
solicitados en los experimentos, en caso
tal que amerite la realizacin de clculos
previos por favor darle cumplimiento,
con el fin que puedan adquirir los
elementos antes de ir al centro a realizar
la prctica.
4. El producto esperado es la asistencia
participacin y un informe final en
formato IEEE que el estudiante debe
entregar a su tutor de prcticas.
5. El tutor de prcticas de laboratorio
asignado en el centro
orientara y evaluara el desempeo del
estudiante. El tutor deber reportar la
calificacin final en el aplicativo de oferta
integrada de laboratorios.
6. Los estudiantes que se les haga
imposible asistir a las prcticas (in-sito
presencial) deben informar al tutor de
prcticas asignado en su centro con
soportes de justa causa la razn por la
cual no podrn asistir, para que este
decida si le autoriza la realizacin de la
prctica de manera auto dirigida. 2. Ajuste V1 de modo tal que el VAK sea
aproximadamente 15 Voltios.

CUERPO DEL TRABAJO

V1=2v
PRACTICA No.1 CARACTERSTICAS DEL SCR
V2=3.3 v
RTA:
Ajustando V1 de modo que VAK sea
aproximadamente 15 v y en la prctica
da los siguientes resultados

Grafica que muestra los resultados en la

prctica de 0.14

1. Realice el montaje del circuito de la

figura.
RTA:

Grafica que muestra 0.3 MA tomados
desde el nodo hasta la resistencia
El circuito SCR est funcionando debido a
que circula corriente por el circuito
Al cerrar el gate no conduce corriente
por lo tanto el circuito scr no trabaja
V1= 2v
V2= 12v
Del potencimetro al gate la corriente
que circula es de 1.3 MA
1.3 MA tomados desde el nodo hasta la
resistencia.
Corriente que circula desde el nodo a la
resistencia 1.3Ma
Corriente que circula desde el nodo al
ctodo es 10.1 Ma
Por lo que podemos concluir que el
voltaje es la diferencia de potencial entre
dos puntos.
Despus de 10 Ma la corriente del
circuito empieza a trabajar y se
comporta como un diodo y si es menor a
10 no trabaja el scr
3. Lentamente vari el valor de V2 hasta
que el SCR conduzca. Qu sucede
con el valor del VAK y porque?
Lo que sucede es que la Corriente que
circula desde el nodo al ctodo es 10.1
Ma con V1: 2V Y v2 A 12V, Adems el
voltaje que circula desde el nodo al
ctodo es de 5v al cerrarse y al abrirse
da 0 v.
con V1: 2V Y v2 A 12V, podramos decir
que le SRC cuando inicia a trabajar
realiza un corto.
4. Asegrese que el SCR est en estado
de conduccin.
Se encuentra en estado de conduccin
debido a que alcanza el lumbral a 10
Ma en la fuente v1
5. Desconecte temporneamente el pin
puerta (GATE) y poco a poco reducir
la tensin V1 hasta que la corriente
del SCR repentinamente cae a cero.
Tenga en cuenta el valor de la
corriente anterior a cero este es el
 valor de la corriente de 1. Realice el montaje del circuito de la
mantenimiento IH. anterior figura.

Cuando se disminuye la tencin de v1 a

3.3 v el amperaje no es suficiente para
circular la corriente necesaria ya que da
1.3 Ma, por lo tanto se aproxima a 12v
v1 la corriente es de 10.1 Ma y el voltaje
en el potencimetro cerrado es de 1.3
Ma y abierto es 10.1 Ma.

Pregunta: Qu crees que va a pasar en

el circuito de la figura 1 si se dispara el
SCR, y luego se reduce la corriente de
puerta a cero de nuevo?

Cuando se dispara el SRC y se reduce la

corriente de la puerta de cero sucede
que se reduce la corriente de puerta a
cero no funciona el circuito SRC.

Pregunta: Qu observas ahora que

repentinamente usted aumenta y reduce
la corriente de puerta?
2. Ajuste VDS=10V variando V1,
En la prctica con proteus Cuando se mantenga R1 ligeramente mayor a
aumenta y reduce la corriente el scr
del valor total.
queda funcionando, el resultado en la
prctica con un pulsador al disminuir la
potencia y aumentar se apaga y
enciende el scr

PRACTICA No.2: CARACTERSTICAS DEL MOSFET

3. Cambie el valor de VGS variando el

valor de V2. (mantenga R2 en el valor
mnimo) y observe como cae el valor
de IDS cada 0.5V de variacin del
voltaje VGS, llevando VGS a 5V.
4. Repita los pasos anteriores para
diferentes valores con

VDS2 = 12V.
VDS3 = 15V

Llenar las tablas.

Caractersticas de drenaje

Ajustar el VG variando el valor de V2 a

VTH.

5. Variar VDS cambiando el valor de

V1 en variaciones de
0.5V y anote el valor de IDS. (hasta que
IDS sea constante)

6. Repetir los pasos anteriores para

diferentes valores de VGS2 = VTH
0.1V.
 Practica No.3: Caractersticas V-I Del
IGBT

G30N60A4

Figura No.3
1. Realice el montaje del circuito de la
figura.

Pregunta: Por qu los MOSFET no son

implementados en aplicaciones de
elevadas potencias?

Los transistores MOSFET son dispositivos

de gran utilidad y que presentan un bajo
consumo, sin embargo el terminal gate
es muy sensible, la capa de xido es muy
delgada y se puede perforar y por ende
daar con facilidad el dispositivo; se
deben manipular con mucho cuidado,
teniendo en cuenta que se pueden
destruir con facilidad si hay alta tensin
o hay electricidad esttica. Por esta
ltima razn, no son implementados en
circuitos de lata potencia.

Su funcionamiento est limitado por 2. Inicialmente mantenga V1 y V2 al

niveles de tensin, valor mnimo.
correspondientes a redes de baja tensin 3. Seleccione el valor de V1=VCE1=10V.
y menores Va;. 4. Lentamente vari V2 (VGE) y anote
por lo que son empleados en soluciones VGE e IC en cada
de baja y mediana 0.5V de cambio tenga en cuenta que el
potencia. VGE mximo debe
ser 8 voltios.
5. Seleccione el valor de V1=VCE1=10V
 La configuracin ms sencilla para
conseguirlo se puede materializar
utilizando una red desfasadora serie R-C,
a cuyos extremos se aplica una fraccin
de la tensin que ha de estar presente
en la carga. La propia naturaleza de la
red R-C introduce un desfase variable
entre 0 y 90 respecto de la tensin
aplicada, pudindose conseguir con una
adecuada relacin de valores resistencia-
capacidad un control pleno de la
= . = . = . corriente por la carga entre los 0 y
= . = . = . prcticamente los 180.
= . = . = .
= . = . = .
= . = . = .
6. Repita los pasos anteriores con
diferentes valores de VGE y
dibuje la grfica de VGE vs IC.

En el circuito de la figura 2 la red

Practica No.4: Control De Fase De
Media Onda
Cuando se pretende desarrollar un
control del ngulo de encendido del SCR
partiendo de la misma tensin que
alimenta a la carga, es preciso recurrir a
circuitos capaces de retardar la seal de
disparo durante un intervalo regulable
mientras transcurre todo el semiciclo de
conduccin del dispositivo.
desfasadora est formada por R1 + P1 y
C, que tiene aplicada la tensin presente
entre nodo y ctodo del SCR. La seal
de control, variable en fase y amplitud
por la accin de P1 se extrae en
extremos de C y se aplica entre puerta y
ctodo a travs de la resistencia
limitadora R2 y el diodo D1 que previene
la descarga de C durante los semiciclos
negativos.
En el anlisis del funcionamiento del
control debe tenerse presente que
cuando el valor de la reactancia que
presenta C es mucho mayor que el de la
resistencia serie asociada con ste R1 +
P1 (P1 al mnimo), el circuito se
comporta como capacitivo, la tensin que
se extrae del condensador es mxima y
se puede considerar en fase con la
tensin aplicada; la conduccin del SCR
se produce casi al inicio de cada
semiperiodo positivo.

4.1. Montar en el simulador el circuito de

Podemos evidenciar en la grfica anterior
la Figura 2. (Anexe imagen del circuito al
obtenida al simular el
informe).
circuito propuesto con un valor de P1
mnimo, para la cual se
obtiene la corriente y voltaje de
conduccin para el SCR.

4.3. Observar la tensin de salida para

diferentes valores del potencimetro P1.
Qu sucede cuando la resistencia
disminuye?

Para un 70% de P1(3.5k) se observa que

4.2. Realizar la simulacin anexe la
grfica que muestre al menos 4 ciclos de
la tensin entrada V1 y la de la tensin
en la carga RL Que ha notado?
an no se alcanza ni la
corriente de disparo no el voltaje
requerido para que el SCR se
encuentra en modo de conduccin.

4.4. Para qu valor de P1 la potencia

entregada a la carga es la
Podemos evidenciar en la grfica mitad de la potencia mxima?
obtenida al simular el circuito
propuesto, que al no obtener un voltaje
suficiente, y por ende
no alcanzar la corriente de disparo, para
que el SCR pueda
conducir, la seal es la misma que la que
se aplica a la entrada
del circuito. Esto con un valor de P1
mximo es decir 5K, es Siendo que la corriente mnima de
decir un periodo de 0.1667ms conduccin para el SCR es
de 32.5mA; se puede concluir, soportado
en la grfica, que la
mitad de la potencia se entrega a RL
cuando P1 vale el 64% de
valor real, es decir 3.2k.
4.5 Calcule los ngulos de disparo y
conduccin para al menos
6 valores distintos de P1 Registrar los
valores en una tabla.
Utilizar como referencia la Figura 3 y
emplear las siguientes
ecuaciones.
Figura No.6 Onda rectificada controlada
ngulo de conduccin t2 = 180 -
ngulo de disparo t1
se tendrn en cuenta los siguientes
datos:
Luego entonces, determinando mediante
el osciloscopio de
Proteus el tiempo de disparo para cada
uno de los valores
seleccionados tenemos que:
CONCLUSIONES.
Con esta prctica pudimos ver otra utilidad
importante de los SCR. Ya que se puede formar
una gran cantidad de circuitos para diversas
utilidades como la generacin de seales de
sinoidales, y sus ngulos de disparo, etc. Para
realizar estos circuitos siempre debe de quedar
muy claro que siempre se va a trabajar con
componentes electrnicos muy comerciales as
que no siempre se debe esperar los resultados
tericos.
3.Podemos apreciar en los diferentes
componentes que nos ayudan a disminuir o
aumentar las potencias de un motor como el
controlador de fase de media onda.
BIBLIOGRAFA
Introduccin a los sistemas electrnicos de potencia.
Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009).
Electrnica de potencia: convertidores, aplicaciones y
diseo (pp. 3-14). Recuperado de
ttp://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/re
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ction?ppg=22&docID=10565530&tm=1482450097688
Unidad 3: Ciumbuela, G. Guasch, L. (2004). Mquinas
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http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/r
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0165681&tm=1502339724954