Examen de Fsica Moderna

Maestra en Electrnica ITCG, 25 de mayo de 2017.

Nombre: Erika Berenice Lzaro Flores Matrcula: M16290021

Instrucciones, conteste ampliamente cada punto incluyendo ecuaciones y grficos.

1. Describa en que consiste el modelo atmico de Thompson.

Joseph John Thomson

1856 1940
Fsico ingls.
Recibi el Premio Nobel en 1906.
Considerado generalmente el descubridor del electrn.
Trabaj con la deflexin de los rayos catdicos en un
campo elctrico. Abri el campo de las partculas
subatmicas.

Caractersticas de Modelo
Introduce la idea de que el tomo puede dividirse en las llamadas partculas fundamentales:

Electrones, con carga elctrica negativa.

Protones, con carga elctrica positiva.
Neutrones, sin carga elctrica y con una masa mucho mayor que la de electrones y
protones.
Thomson considera al tomo como una gran esfera con carga elctrica positiva, en la cual
se distribuyen los electrones como pequeos granitos (de forma similar a las pepitas de una
sanda).

Las insuficiencias del modelo son las

siguientes:

El tomo no es macizo ni compacto como

supona Thomson, es prcticamente hueco y
el ncleo es muy pequeo comparado con el
tamao del tomo, segn demostr E.
Rutherford en sus experiencias.
1. Modelo atmico de Thomson
 2. Describa en que consiste el modelo atmico de Rutherford.

Ernest Rutherford

1871 1937.
Conocido tambin como Lord
Rutherford, fue un fsico y qumico
neozelands. Se dedic al estudio de
las partculas radiactivas y logr
clasificarlas en alfa, beta y gamma.
Premio Nobel de Qumica, Medalla
Copley.

Experimentos hechos en 1911.

Un haz de partculas alfa positivamente cargadas golpea y se dispersan de un objetivo delgado
del papel de aluminio. Las deflexiones grandes no podan explicarse por el modelo de
Thomson.

Modelo atmico
El Modelo Atmico de Rutherford (1911) postula que:

El tomo est formado por dos regiones: una corteza y un

ncleo
En la corteza del tomo se encuentran los electrones girando a
gran velocidad alrededor del ncleo
El ncleo es una regin pequea que se encuentra en el centro
del tomo que posee la carga positiva
El ncleo posee la prctica totalidad de la masa del tomo

2. Modelo atmico de
Rutherford

Experimento
Ernest Rutherford obtuvo las evidencias para este modelo a partir de un experimento en el
que bombarde con partculas alfa una fina lmina de oro. Segn el comportamiento que
experimentaban estos rayos en sus trayectorias al incidir sobre la lmina de oro obtuvo las
siguientes conclusiones:

La mayor parte de los rayos atravesaban la lmina lo que le llev a concluir que la
mayor parte del tomo est hueco
 Solo una pequea parte de las partculas sufra desviaciones, por lo que el ncleo
deba ser pequeo, del orden de unas 10.000 veces menor que el radio atmico.

3. Experimento de Rutherford

El Modelo de Rutherford anulaba el predecesor Modelo Atmico de Thomson ya que este

no consideraba la separacin del tomo entre ncleo y corteza.

Dificultades con el modelo

Los tomos emiten ciertas frecuencias caractersticas discretas de radiacin
electromagntica. El modelo de Rutherford es incapaz de explicar este fenmeno.
Los electrones de Rutherford estn experimentando una aceleracin centrpeta.
Debe radiar ondas electromagnticas de la misma frecuencia. El radio debe
disminuir constantemente a medida que se emite esta radiacin. El electrn debera
eventualmente espiral en el ncleo. No lo hace.
3. Describa en que consiste el modelo atmico de Bohr, haga nfasis en las mayores
contribuciones de este modelo y la explicacin de las series espectrales.

Niels Bohr

1871 1937.
Conocido tambin como Lord
Rutherford, fue un fsico y qumico
neozelands. Se dedic al estudio de
las partculas radiactivas y logr
clasificarlas en alfa, beta y gamma.
Premio Nobel de Qumica, Medalla
Copley.

1900, M. Planck, emisin de energa de manera discreta

(Radiacin de C.N.). La energa asociada a la radiacin
electromagntica viene en pequeas unidades invisibles
llamadas cuantos.

1905. A. Einstein. Efecto fotoelctrico. Luz

incidente, quantos de energa llamada fotones
(dualidad onda-partcula de la luz)

En 1913 Bohr proporcion una explicacin de los espectros atmicos que incluye
algunas caractersticas de la teora actualmente aceptada.
Su modelo incluye tanto ideas clsicas como no clsicas.
 Aplic las ideas de Planck de los niveles de energa cuantificados a los electrones
en rbita de Rutherford y las ideas de Einstein.
Este modelo ahora se considera obsoleto.
Ha sido reemplazado por una teora probabilstica cuntica-mecnica.
El modelo todava puede usarse para desarrollar ideas de cuantificacin de energa
y cuantizacin de momento angular aplicadas a sistemas de tamao atmico.

Modelo atmico de Bohr

Bohr 1913, en el tomo cada electrn circula en una rbita bien definida alrededor del
ncleo, de modo que al transitar de "afuera" hacia adentro, pierde energa hn tpica para
cada salto de nivel.
As, el modelo propuesto por Bohr se analiza a continuacin, en donde se establece la
existencia de niveles de energa fundamental (n=1, de menor energa) normalmente
ocupado por la carga e-, y excitados (n=2, 3, 4, 5, ), cuantizados, para el electrn del
tomo de Hidrgeno, por ej., que era el problema en ese tiempo.

Postulados
El electrn se mueve en orbitas circulares alrededor del ncleo (de igual carga),
bajo influencia de la atraccin de Coulomb.

Solo ciertas (no todas) orbitas electrnicas son estables. Aquellas en

las que el electrn no emite energa en forma de radiacin y como
energa total del tomo permanece constante, la mecnica clsica
puede describir el movimiento del electrn (solo se mueve electrn).
 La radiacin es emitida por un tomo cuando el electrn
salta de una rbita inicial ms energtica (Ei) a una
inferior (E f). El salto no puede tratarse clsicamente.
La frecuencia f del fotn emitido se relaciona con el
cambio de energa del tomo.

4. Modelo atmico de Bohr

4.1 Modelo atmico de Bohr relacionado

con las lneas espectrales

Estn permitidas solo aquellas orbitas para los que el momento angular orbital L
del electrn satisface:

Donde:

me: masa del electrn, v: velocidad, r: radio de la rbita.

Energa total del tomo.

De la segunda ley de Newton (aceleracin centrpeta)

 luego y

De la cuantizacin del momentun angular y de K se obtiene las orbitas permitidas:

Es decir, los radios estn cuantizados.

Radio de Bohr.

Para n=1.

Orbitas cuantizadas en el tomo de hidrogeno.

Energa tambin cuantizada (energas permitidas de tomo de Hidrogeno).

Energa negativa (sistema ligado)

E1=-13,62 eV (estado Base); E2=-3.4 eV (primer estado excitado).
 En una TRANSICION del estado i el estado f.

Semejante a la de Balmer (pero ms generalizado).

Transiciones de energa
La energa con la que sale un fotn despus de brincar de un nivel de energa a otro
depende de la diferencia de energa entre los dos niveles.

Explicacin de la emisin y absorcin de luz a travs del Modelo de Bohr

En 1913 Bohr public una explicacin terica para el espectro atmico del Hidrgeno.
En 1900 haba elaborado una teora sobre la discontinuidad de la energa (teora de los
cuantos), Bohr supuso que el tomo solo puede tener ciertos niveles de energa
definidos. Bohr establece s, que los electrones solo pueden girar en ciertas rbitas de
radios determinados. Estas orbitas son estacionarias, en ellas el electrn no emite
energa: la energa cintica del electrn equilibra exactamente la atraccin electrosttica
entre las cargas opuestas de ncleo y electrn. El electrn solo puede tomar as los
valores de energa correspondientes a esas orbitas. Los saltos de los electrones desde
niveles de mayor energa a otros de menor energa o viceversa suponen
respectivamente una emisin o una absorcin de energa electromagntica (fotones de
luz).
 5. Emisin y absorcin de la luz.
Modelo atmico de Bohr

Niveles de energa
Los nmeros cunticos se dan a la izquierda y las energas a la derecha.

El nivel ms alto, e = 0, representa el estado para el cual el electrn se

retira del tomo.

Aadir ms energa que esta cantidad ioniza el tomo.

Lneas espectrales

Niveles
excitados

Estado base o
fundamental
 Niveles
excitados

Estado base o
fundamental

Lneas UV

Las diferentes lneas que aparecieron en el espectro del hidrgeno se podan agrupan en
diferentes series cuya longitud de onda es ms parecida;
Serie Lyman: zona ultravioleta del espectro.
Serie Balmer: zona visible del espectro.
Serie Paschen zona infrarroja del espectro.
Serie Bracket: zona infrarroja del espectro.
Serie Pfund: zona infrarroja del espectro.
Espectro: Del latn spectrum (imagen), se puede definir el e en fsica como una sucesin
ordenada de radiaciones v electromagnticas.

Cada tomo tiene un conjunto especfico de niveles de energa, por lo tanto, un nico
conjunto de fotones de longitudes de onda con los cuales puede interactuar.
 Energa
de
Ionizacin
(eV)

10.4

5.1

24.6

13.6

4. Explique el efecto fotoelctrico y su relacin con los dispositivos optoelectrnicos.

El efecto fotoelctrico se produce cuando la luz incidente sobre ciertas superficies metlicas
provoca la emisin de electrones de esas superficies.
Los electrones emitidos son llamados fotoelectrones.
No son diferentes de otros electrones.
El nombre se da debido a su expulsin de un metal por la luz en el efecto
fotoelctrico.
 Los detalles del efecto fotoelctrico entraron en contradiccin directa con las
expectativas de la muy bien desarrollada fsica clsica.
La explicacin marc uno de los pasos ms importantes hacia la teora cuntica.

Aparato de efecto fotoelctrico

Cuando el tubo se mantiene en la oscuridad, el

ampermetro lee cero.
Cuando la placa E es iluminada por una luz que tiene
una longitud de onda apropiada, se detecta una corriente
por el ampermetro.
La corriente surge de los fotoelectrones emitidos desde
la placa negativa y recogidos en la placa positiva.

Los notables aspectos del efecto fotoelctrico cuando se

observ primeramente fueron:

Los electrones se emitan inmediatamente sin

retraso de tiempo!
El aumento de la intensidad de la luz aumentaba el
nmero de fotoelectrones, pero no su energa
cintica mxima!
La luz roja no causa eyeccin de electrones, no
importa cul sea la intensidad!
Una dbil luz violeta expulsa slo unos pocos
electrones, pero sus energas cinticas mximas,
son mayores que las de la luz intensa de mayor
longitud de onda
 Resultados de efecto fotoelctrico

El anlisis de datos del experimento fotoelctrico mostr que

la energa de los electrones emitidos, era proporcional a la
frecuencia de la luz de iluminacin. Esto demostraba que lo
que anulaba la salida de electrones, tena una energa
proporcional a la frecuencia de la luz. El hecho notable que la
energa de expulsin fuera independiente de la energa de
iluminacin total, mostraba que la interaccin debera ser igual
que la de una partcula que diera toda su energa al electrn!
Esto encaja bien con la hiptesis de Planck de que la luz en el
experimento de radiacin de cuerpo negro, solo poda existir
en paquetes discretos de energa.

A valores grandes de V, la corriente alcanza un valor

mximo. Todos los electrones emitidos en E se
recogen en C.
La corriente mxima aumenta a medida que aumenta
la intensidad de la luz incidente. Cuando V es
negativo, la corriente disminuye. Cuando V es igual
o ms negativo que Vs, la corriente es cero.
Los fenmenos ms comnmente observados con luz, se puede explicar cmo ondas. Pero
el efecto fotoelctrico sugiere una naturaleza corpuscular de la luz.
Relacin con los dispositivos optoelectrnicos
Sensores basados en las propiedades de diversos dispositivos electrnicos cuyo
comportamiento depende de la luz que se les aplica. Reciben la denominacin de sensores
optoelectrnicos y pueden ser sensibles a la luz ultravioleta, visible o infrarroja.

Los dispositivos optoelectrnicos pueden ser emisores de luz o sensibles a la luz.

Emisores de luz. Convierten el movimiento de cargas elctricas en energa luminosa. Los
ms utilizados son:
Diodo Luminiscente (Light Emitting Diode) (LED).
Diodo de infrarrojos (Infrarred Emitting Diode) (IRED).
Diodo lser (Light Amplification by Estimulated Emission of Radiation).
Sensibles a la luz. Convierten la energa luminosa en una carga, una corriente elctrica o
la variacin de un parmetro elctrico.
Los ms utilizados son:
Fotorresistencia.
Fotodiodo.
Fototransistor.
Fotosensor capacitivo.
Adems de uno o ms dispositivos optoelectrnicos, los sensores optoelectrnicos pueden
contener un conjunto de componentes pticos que actan sobre la luz.
 5. Explique la ecuacin de Schrdinger y su relacin con el principio de dualidad.

Erwin Schrdinger

1887 1961
Fsico austriaco. Mejor conocido como uno de los creadores de
la mecnica cuntica. Su enfoque demostr ser equivalente al
de Heisenberg. Tambin trabaj con: Mecnica esta dstica,
visin de color y relatividad general.

La ecuacin de onda de Schrdinger

Desarroll en 1925 la conocida ecuacin que lleva su nombre. Esta ecuacin es de gran
importancia en la mecnica cuntica, donde juega un papel central, de la misma manera
que la segunda ley de Newton (F= m*a) en la mecnica clsica.
Son muchos los conceptos previos implicados en la ecuacin de Schrdinger, empezando
por los modelos atmicos. Dalton, Thomson, Rutherford, Bohr, Sommerfeld todos ellos
contribuyeron al modelo atmico actual, ideado por Erwin Schrdinger, modelo conocido
como Ecuacin de onda.

Esta es una ecuacin matemtica que tiene en consideracin varios aspectos:

 La existencia de un ncleo atmico, donde se concentra la gran cantidad del
volumen del tomo.
Los niveles energticos donde se distribuyen los electrones segn su energa.
La dualidad onda-partcula.
La probabilidad de encontrar al electrn

Aunque con la mecnica cuntica queda claro que no se puede saber dnde se encuentra
un electrn (Heisenberg), s define la regin en la que puede encontrarse en un momento
dado. Cada solucin de la ecuacin de ondas de Schrdinger, , describe un posible estado
del electrn. El cuadrado de la funcin de onda, 2, define la distribucin de densidad
electrnica alrededor del ncleo. Este concepto de densidad electrnica da la probabilidad
de encontrar un electrn en una cierta regin del tomo, llamada orbital atmico, concepto
anlogo al de rbita en el modelo de Bohr.

Principio de dualidad
El principio de la dualidad descansa sobre el efecto fotoelctrico, el cual plantea que la luz
puede comportarse de dos maneras segn las circunstancias y el tema a estudiar son:
1. Luz como una onda. Esta es usada en la fsica clsica, sobre todo en ptica, donde
los lentes y espectros visibles requieres de su estudio a travs de las propiedades
de las ondas.
2. Luz como partcula. Usada sobre todo en fsica cuntica, segn los estudios de
Planck sobre la radiacin del cuerpo negro, la materia absorbe energa
electromagntica y luego la libera en forma de pequeos paquetes llamados
fotones, estos cuantos, de luz, tienen de igual manera una frecuencia, pero gracias
a stos, se pueden estudiar las propiedades del tomo.
 6. Explique el principio de incertidumbre
El fsico alemn Werner Karl Heisenberg desarroll en 1927 el
principio de incertidumbre ante la dificultad de expresar en lenguaje
matemtico la relacin entre la posicin del electrn y su momento lineal
(velocidad masa):
No se puede conocer simultneamente la posicin exacta del
electrn y el valor exacto de su momento (o lo que es lo mismo, de
su velocidad).

El principio de indeterminacin de Heisenberg explica que, si en un instante dado hay

una gran certeza para conocer el momento lineal de un electrn, habr una gran
incertidumbre en conocer su posicin; y viceversa.
Esta indeterminacin es inherente al proceso de medicin. Para medir la posicin del
electrn se emplea una radiacin luminosa para que, cuando choque con el electrn, este
la refleje y pueda as verse. Pero al chocar el fotn con el electrn la colisin misma produce
un cambio en la velocidad de este ltimo y, por tanto, en su momento.
Al no poder conocerse con exactitud la posicin y el momento de un electrn, surge el
concepto de probabilidad: a menor indeterminacin, el intervalo de error es menor y la
probabilidad es mayor. Hablar de una mayor probabilidad de encontrar al electrn en una
posicin es lo mismo que decir que la densidad electrnica es mayor en dicha posicin. Es
decir, la densidad electrnica es proporcional a la probabilidad de que el electrn se
encuentre en una posicin.

Desarrollo

El producto de las incertidumbres de estas dos mediciones tiene un mnimo. Igualmente,

existe un mnimo para el producto de las incertidumbres de la energa y el tiempo.

Los pasos importantes en el camino hacia la comprensin del principio de incertidumbre

son, la dualidad onda-partcula y la hiptesis de DeBroglie. A medida que se avanza hacia
abajo en tamao, hacia las dimensiones atmicas, ya no es vlido considerar la partcula
como una esfera slida, porque cuanto menor es la dimensin, ms se vuelve en forma de
onda. Ya no tiene sentido decir que se ha determinado con precisin la posicin y el
momento de una partcula. Cuando se dice que el electrn acta como una onda, entonces
la onda es la funcin de onda de la mecnica cuntica y por lo tanto, se relaciona con la
probabilidad de encontrar el electrn en cualquier punto del espacio. Una sinusoide perfecta
para la onda del electrn propaga esa probabilidad a lo largo de todo el espacio, y entonces,
la "posicin" del electrn es completamente incierta.
 Confinamiento de una partcula.

El principio de incertidumbre contiene implicaciones sobre la energa que se

requerira, para contener una partcula dentro de un volumen dado. Esta energa
necesaria para contener la partcula proviene de las fuerzas fundamentales. En
particular, la fuerza electromagntica proporciona la atraccin necesaria para
contener los electrones dentro del tomo, y la fuerza nuclear fuerte, proporciona la
atraccin necesaria para contener las partculas dentro del ncleo. Pero la constante
de Planck que aparece en el principio de incertidumbre determina el tamao del
confinamiento que puede ser producido por estas fuerzas. Otra forma de decirlo es,
que las intensidades de las fuerzas nucleares y electromagnticas, junto con la
limitacin incorporada en el valor de la constante de Planck, determinan las escalas
del tomo y el ncleo.
El siguiente clculo muy aproximado, sirve para dar el orden de la magnitud de las
energas necesarias para contener las partculas:

Si se examina este clculo en detalle, se dar

cuenta de que se realiz una aproximacin
bruta en la relacin p = h/x. Esto se hizo
para obtener una relacin cualitativa que
muestre el papel de la constante de Planck en
la relacin entre x e p, y por lo tanto el
papel de h en la determinacin de la energa
de confinamiento. La otra razn para hacerlo
era conseguir una energa de confinamiento
de electrones, prxima a la que se observa en
la naturaleza, para la comparacin con la
energa de confinamiento de un electrn en
el ncleo. Si se utiliza realmente el caso lmite
permitido por el principio de incertidumbre,
p = hbar/2x, la energa de confinamiento
que se obtiene para el electrn en el tomo
es slo 0,06 eV. Esto se debe a que este
enfoque slo confina el electrn en una
dimensin, dejndolo sin confinar en las
otras direcciones. Para un tomo ms realista
se tendra que encerrarlo tambin en las
otras direcciones. Se puede obtener una
mejor aproximacin desde el enfoque de una
partcula en una caja en 3-D, pero para
calcular con precisin la energa de
confinamiento, se requiere la ecuacin de
Schrdinger.
 Contexto de la funcin de onda.
 7. Explique la difusin y arrastre en semiconductores
Corrientes de un semiconductor
La corriente en un semiconductor es debida al desplazamiento de electrones a travs de la
banda de conduccin y al de los huecos por la banda de valencia. De los diferentes
fenmenos que dan lugar a corriente en un semiconductor, los ms importantes son, los de
arrastre y difusin.
Corriente de arrastre: El efecto de arrastre es anlogo al que se produce en los metales,
est motivado por el campo elctrico aplicado, debido al cual los electrones libres de la BC
(Banda de Conduccin) y los huecos en la BV (Banda de Valencia) se mueven en sentidos
opuestos, dando lugar a una corriente en el mismo sentido suma de ambos.
En ausencia de campo elctrico aplicado, no existe corriente de arrastre.

6. Corriente de arrastre

Corriente de difusin: El efecto de difusin se produce cuando la concentracin de

portadores no es uniforme a lo largo del semiconductor, o lo que es lo mismo, existe un
gradiente de concentracin de portadores con la distancia, producindose un
desplazamiento de portadores que trata de establecer el equilibrio (igualar la concentracin
en la totalidad del volumen). Este desplazamiento de portadores dara lugar a un transporte
neto de carga a travs de una superficie y por tanto a una corriente de difusin. La corriente
total en un semiconductor es el resultado de ambos efectos: desplazamiento por campo
elctrico o diferencia de potencial y difusin por gradiente de concentracin. En un
semiconductor en circuito abierto con gradiente de concentracin, se producir un corriente
de difusin que dara lugar a iones, concentracin de carga y consecuentemente un campo
elctrico que dara lugar a una corriente de arrastre, que en el equilibrio anulara la de
difusin, dando lugar a una corriente total nula, esto es, en el equilibrio la tendencia a la
difusin se compensa con la tendencia al arrastre.

Arrastre o deriva Jarrastre

El arrastre o deriva es, por definicin, el movimiento de una partcula cargada en respuesta
a un campo elctrico aplicado . La figura 7 muestra la fuerza resultante sobre los

portadores donde se observa a los h+ de carga q+ en la direccin de y a los e de carga q

- -
en sentido contrario. Debido a las coaliciones de la red cristalina (tomos de la red agitados
trmicamente) la aceleracin de los portadores se ve interrumpida.

7. Movimiento de portadores en una barra polarizada

El resultado se muestra en la figura 8 donde las cargas positivas se mueven en la direccin

del campo y las cargas negativas se moveran en sentido contrario, pero con periodos de
aceleracin y desaceleracin por choque.

8. Desplazamiento por arrastre de un hueco

El movimiento neto de cada tipo de portador puede ser descritos en trminos de una
velocidad de arrase o deriva (drift en ingls) v, es decir el movimiento de arrastre no es otra
cosa que todos los portadores de un mismo tipo movindose a velocidad constante y en el
mismo sentido (h+) o en sentido contrario (e-) al aplicado. Y lo podemos observar en la
figura 9.

9. Desplazamiento por arrastre en el mismo sentido

Deduccin de la expresin de la corriente de arrastre o deriva. Jarrastre

De la definicin de la ecuacin de corriente y la densidad de carga tenemos:

 Ec. 7.1

dQ= Pdv

Sustituimos en la ecuacin (7.1) de corriente.

Donde dv=dx, dy, dz corresponde a la velocidad de los portadores dentro de la red

cristalina.

I= Pv Vd

Donde J es la densidad de corriente de deriva.

Ec. 7.2

Trasladando este resultado al caso de los e- y los h+ tenemos:

Jn,arrastre=-q*n* Vn

Jp,arrastre=q*p* Vp

Se observa en la figura 10 que la velocidad de arrastre Vd es proporcional al campo elctrico

, a mayor campo elctrico mayor V y viceversa. Tambin para valores elevados la
d
velocidad de arrastre se hace comparable a la velocidad trmica y se satura al valor de
107 cm/seg.

10. Velocidad de arrastre en

funcin del campo elctrico
De acuerdo a la figura 10 donde la velocidad de los portadores en proporcional al campo
elctrico aplicado se expresa que:

Vd=
Ec. 7.3
Y se puede escribir que:

Vn=-
n

Vp=-
p

Siendo la movilidad o la facilidad de movimiento de los portadores de carga dentro del
material.
Trasladando las expresiones de Vd= en las de J = Pv V sustituyendo trminos obtenemos:
d d

Jp,arrastre= pq
p

Jn, arrastre= nq
n

La aplicacin de un campo elctrico conduce a corrientes de arrastre de e- y h+ en el

sentido del
Puesto que en un semiconductor existen en general los dos tipos de portadores, la corriente
total debido a la corriente de arrastre o deriva es JT,arrastre y est dada por la expresin:
JT,arrastre= Jp,arrastre+ Jn, arrastre

JT,arrastre= (pq + (nq

p n

JT,arrastre=q(p p )
+n n

La expresin anterior la podemos escribir como: JT,arrastre= Ec. 7.4

La expresin 7.4 es la conocida como Ley de Ohm y representa la proporcionalidad entre

la densidad de corriente y el aplicado.
A partir de la conductividad podemos deducir la resistividad que presenta un semiconductor:

Ec. 7.5

Observando las ecuaciones 7.4 y 7.5 resulta que total en un semiconductor equivale a la
suma de la de los gases de e- y h+, mientras que total equivale a la asociacin en
paralelo de dichos gases.
Para los semiconductores extrnsecos la concentracin de los portadores es mucho mayor
que la del otro mientras que la figura 10 sus movilidades son comparables, entonces la
conductividad total para un semiconductor extrnseco est dada por:

total Mayoritarios

Para un semiconductor extrnseco tipo n:

Para un semiconductor extrnseco tipo p:

Por el contrario, en un semiconductor intrnseco:

n=p=ni

Entonces la conductividad intrnseca: total=q* ni*(n+p )= i

Retomando el tema de
que es la movilidad y un parmetro fundamental, podemos
interpretarla como la mayor o la menor facilidad con que los electrones y los huecos
responden ante un campo aplicado.
Las unidades estndar de la movilidad
cm2/V*seg. La movilidad no es un parmetro
constante ms bien est en funcin de la temperatura y la concentracin total de impurezas.
En la figura 11 se observa la dependencia de con el dopaje.

11. Movilidad de los portadores en funcin de la concentracin de impurezas

Corriente por difusin Jdifusion

La difusin es fenmeno conocido en la ciencia de la cintica de gases como partculas
clsicas que tiene su origen en el movimiento aleatorio de agitacin trmica que las hace
recorrer todo el recinto que las encierra. Despus de un choque cada partcula tiene la
misma probabilidad de dirigirse en cualquier direccin, lo que hace que exista un flujo neto
de partculas de las regiones ms pobladas a las menos pobladas que tiende a
homogeneizar su concentracin. Es decir, la difusin se produce siempre que existan
variaciones espaciales (gradientes) de la concentracin de partculas libres y no tiene nada
que ver con el hecho de que estas partculas estn cargadas o no.

Deduccin de la expresin de la corriente por difusin Jdifusion

Aun en ausencia de un campo elctrico los portadores se mueven hacia regiones de
menor concentracin. Este movimiento establece una circulacin de corriente adicional al
proceso de desplazamiento. Esta corriente existir hasta que no se logre la uniformidad. La
figura 12 muestra como los portadores recorren una distancia dentro del semiconductor de
la mayor a menor concentracin.

12. Movimiento de portadores de mayor a menor concentracin

Cuanto mayor sea la no uniformidad en la concentracin de portadores, mayor ser la

corriente resultante:

Si cada portador tiene una carga q y el semiconductor tiene una seccin transversal A,
tenemos:

Ec. 7.6

Donde:
Dn= Constante de Difusin (cm 2/Seg.) para electrones. Dp para huecos.

Normalizando la ecuacin 7.5 respecto al rea transversal en trminos de electrones y

huecos:

Teniendo en cuenta que en un semiconductor existe en general e- y h+, obtenemos:

Jdifusion= Jn,difusin + Jp,difusin

Ec. 7.7

El coeficiente de difusin, D es una caracterstica del semiconductor, del portador y de la

temperatura, y al igual que
(movilidad) depende tambin de la concentracin de
2
impurezas. Sus unidades son cm /seg.
Adems, la relacin de corriente de arrastre o deriva y de la corriente de difusin no son
totalmente independientes de aqu surge la relacin conocida como Relacin de Einstein.
Que dice:

Ec. 7.8

Corrientes totales de electrones y huecos Jarrastre +Jdifusion

Resumiendo todo lo anteriormente expuesto y teniendo en cuenta que, en un
semiconductor, pueden darse ambos movimientos se puede expresar que la corriente total
en un semiconductor ser la suma de las cuatro componentes.

Ec. 7.9

De la ecuacin (7.8) se infiere que, aunque tengamos los mismos gradientes en las
concentraciones de e- y h+, el trmino correspondiente a la difusin no es generalmente
nulo ya que Dn > Dp por la relacin de Einstein. Adems, es de sealar que la ley de Ohm
slo se cumple en semiconductores dopados de forma homognea en los cuales n=p=0.
 8. Explique la longitud de difusin.
En el estado estacionario la derivada del tiempo es cero,

Donde hemos definido una cantidad importante llamada longitud de difusin,

Considere un semiconductor de tipo n con inyeccin en estado estacionario en un lado.

Las condiciones de los lmites son,

La solucin de pn(x) es,

La densidad de portadores minoritarios

disminuye con una longitud
caracterstica dada por Lp.

Si todos los portadores en exceso se extraen a W (el grosor de la muestra)-

Las condiciones de los lmites son,
La solucin de pn(x) es,

Para un W pequeo (x) se desintegra linealmente.

W >> Lp
Este es el caso, por ejemplo, de un p-n diodo largo
en el que los portadores se inyectan en el origen y el
exceso de densidad disminuye exponencialmente a
cero profundidad dentro del volumen del
semiconductor.

W << Lp
Este es el caso, por ejemplo, de un transistor bipolar
con una regin de base estrecha. En este caso, la
densidad del portador vara esencialmente
linealmente de un valor lmite a otro.

9. Explique detenidamente el funcionamiento de un fotodiodo.

Sensores sensibles a la luz: Fotodiodo

Diodo en el que se generan pares electrn-hueco cuando inciden sobre l fotones

que poseen una energa superior a la banda prohibida.
Si un fotodiodo iluminado se polariza inversamente, los electrones y los huecos
generados por los fotones se desplazan hacia la zona N y la P respectivamente. Si
se cierra el circuito externo se produce una corriente denominada fotocorriente. La
energa necesaria para que los electrones traspasen la banda prohibida depende
del tipo de semiconductor utilizado. Por ello los fotodiodos son sensibles a
radiaciones luminosas de diferente segn el material con el que estn construidos.
 13. Valores de la energa de la banda prohibida y de la longitud de onda de corte para
diferentes semiconductores
Espectro electromagntico relacionado con la sensibilidad de diferentes materiales
semiconductores.

Tipos de fotodiodos, estructura y caractersticas destacables

 Modelo y curvas caractersticas

Curvas caractersticas corriente-tensin de un fotodiodo

 Fundamentos de los circuitos bsicos de 13. Comparacin entre diferentes circuitos
acondicionamiento de medida de iluminacin con fotodiodos

Circuitos bsicos de acondicionamiento (convertidor corriente-tensin)

Tanto en un caso como en el otro, la fotocorriente es muy pequea (del orden del nA a A).
Esto obliga a que Rr tenga que ser elevada (desde centenas de K hasta centenas de M).
El AO debe tener una corriente de polarizacin prcticamente nula.
 10. Explique el funcionamiento de un fototransistor y optoacopladores.

Sensores sensibles a la luz: Fototransistor

Transistor bipolar en el que la corriente de base se produce mediante el fenmeno
fotoelctrico de generacin de pares electrn-hueco cuando incide un fotn con suficiente
energa en la zona de transicin colector-base.

Una vez que el hueco alcanza la zona N

Generacin de un par electrn-hueco al provoca la inyeccin de un elevado nmero
incidir un fotn con energa mayor que la de electrones para cancelarlo y todos menos
banda prohibida uno, alcanzan el colector

Mayor ganancia que el fotodiodo.

Depende ms de la temperatura y
tiene mayor tiempo de respuesta que
el fotodiodo.
Solo se utiliza como detector de nivel
de luz en sensores todo-nada (On-off)
o en optoacopladores (Optocouplers).
 Circuitos bsicos de acondicionamiento de fototransistores.

Aplicaciones del fotodiodo y fototransistores

Medida de la intensidad de luz (Fotmetros).

Deteccin de la luz procedente de una fuente: Combinacin de un emisor de luz
(en general un diodo luminiscente o un diodo de infrarrojos) con un elemento
sensible a la luz.
Detectores de objetos.
Optoacopladores (Optocouplers, Optoisolators).
Codificadores de posicin (Encoders).

Optoacopladores
Un opto acoplador tambin llamado opto aislador, es un componente electrnico que
transfiere una seal elctrica o voltaje de un circuito a otro, en tanto que mantiene el
aislamiento elctrico entre ambos. Cmo es posible esto? Por el acoplamiento ptico, un
opto acoplador es un dispositivo que por medio de la luz liga las seales elctricas de ambos
circuitos. Se conoce como opto aislador porque este es uno de sus propsitos
fundamentales, una caracterstica que lo diferencia de otros sistemas de acoplamiento
ptico es que tanto el emisor de luz como el detector de luz comparten un mismo paquete
(empaquetado comn).
Tpicamente consiste de un led infrarrojo, el cual est alineado con un detector de luz
semiconductor. Este detector puede ser un Foto diodo, Foto transistor, Foto darlington, foto
SCR, etctera.

Funciones

Algunos de los objetivos o funciones del opto acoplador son:

 Aislar un circuito elctrico de otro, sobre todo cuando tienen diferentes niveles de
voltaje.
Prevenir el acoplamiento de ruido elctrico o transitorios de voltaje.

Respuesta espectral del silicio

Dado que el Silicio tiene una respuesta a la luz (respuesta espectral) cuyo pico est en el
infrarrojo (entre 800 y 950 nanmetros), los dispositivos de Silicio son preferidos como los
fotodetectores en la conjuncin del opto acoplador con un LED infrarrojo como emisor
(figura 14). El acoplamiento del LED infrarrojo al chip de Silicio provee la mxima
transferencia de la seal elctrica deseada.
Los diferentes tipos de opto acopladores tienen caractersticas especficas que determinan
su compatibilidad para cada aplicacin nica. El tipo ms simple de opto acoplador es con
una seccin de salida de Foto diodo. A menudo la seccin de salida del opto acoplador se
conecta a un amplificador (o serie de amplificadores) para cambiar el nivel de voltaje de
entrada en un nivel apropiado de salida ms grande.

14. Curva espectral de respuesta del Silicio.

Construccin

La seccin de entrada de un opto acoplador es un

LED infrarrojo, est separado del diodo de salida
por una delgada y transparente capa de mylar
embebida en silicio transparente (un derivado del
silicio). El ensamble est sellado en un paquete
marcado para designar al pin # 1. el paquete ms
comnmente utilizado para los opto acopladores
es el DIP (Dual In line Package).

15. Seccin transversal y smbolo de un

optoacoplador
Principio de operacin
Cuando se aplica un voltaje de polarizacin directo en las terminales de entrada del led
(positivo al nodo) se establece una corriente de entrada, IIN, limitada por una resistencia
en serie Rs. La corriente produce una emisin de luz infrarroja alrededor de lo 900
nanmetros, la cual incide sobre el fotodiodo.

Tipos de optoacopladores