UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR FET

20141245D - PAJUELO VILLANUEVA, MIGUEL ANGEL

20144554H - QUISPE SAVERO, DAVID
20144553A - SERRANO RAMOS, FERNANDO DIONISIO
20141370C - CHAVEZ SANCHEZ, ROMARIO EVARISTO
20142649A - ROJAS ROJAS, IVAN LUIS EDUARDO

LABORATORIO DE CIRCUITOS ANALOGICOS

Amplificador con transistor FET Laboratorio de Circuitos Analogicos

1. OBJETIVOS
Analizar la polarizacion de transistores Unipolares y familiarizarse con los cuidados al uti-
lizar estos dispositivos, trazar las rectas de carga, curva de transferencia y verificar la ganancia
de tension.

2. EQUIPOS Y MATERIALES
1. 1 Osciloscopio

2. 1 Multmetro

3. 1 Generador de ondas.

4. 1 Fuente DC

5. Resistencias : 1M , 33K , 10K , 5,6K , 3,3K , 1K (1/4W ).

6. Condensadores : 0,1uF, 10uF, 22uF (16V ).

7. 01 TransistorJFET : 2N 5485 o 2N 5486 y/o M P F 102 (canal N).

8. 01 Protoboard.

9. Conductores para conexiones.

3. INFORME PREVIO
1. Obtenga de los manuales, informacion sobre los dispositivos a utilizar y pre-
sente los datos mas importantes.

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Figura 1: Informacion de los dispositivos a utilizar

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2. Resuelva teoricamente el circuito propuesto, obteniendo la ganancia en pe-

quena senal, usando los parametros respectivos.
TRANSISTOR FET

Introduccion.
Los transistores mas conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados
as porque la conduccion tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
numero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuen-
tra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan
este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los
que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama
transistor de efecto campo.

Explicacion de la combinacion de portadores.

Puesto que hay una tension positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones
fluiran desde el surtidor al drenador (o viceversa segun la configuracion del mismo),
aunque hay que notar que tambien fluye una corriente despreciable entre el surtidor
(o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la union canal puerta, esta
polarizado inversamente.
En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos
fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los electrones del material N, fluyen
hacia el terminal positivo de la misma.
Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se
aumenta VDS aumenta una region con empobrecimiento de cargas libres

Figura 2: Transistor FET

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado,

as como el esquema de identificacion de los terminales. Tambien tendremos que
conocer una serie de valores maximos de tensiones, corrientes y potencias que no
debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parametro de la potencia
disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que
esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a
veces necesaria la instalacion de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores
crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos
dispositivos.

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Explicacion de sus elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) tpico esta formado por una barrita de material
p o n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de
material que forma con el canal una union p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones ohmicas llamadas respecti-
vamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), mas una conexion llamada puerta
(g-gate) en el collar.

Figura 3: Transistor FET

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Figura 4: Transistor FET .- canal N

Y canal P

Figura 5: Transistor FET .- canal P

undamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente
con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representacion
se muestran en la tabla.

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Figura 6: Tabla 1

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estan polarizadas en inversa de

tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacion de la union PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequena y la amplitud de la zona de deplexion
afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexion y depende
de la tension inversa (tension de puerta).
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):
ZONA OHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una
resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parametro que aporta el fa-
bricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos
valores de VGS.
ZONA DE SATURACION: En esta zona es donde el transistor amplifica y se
comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS
ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

Figura 7: Zonas de funcionamiento del FET

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se
trata de un dispositivo simetrico).
Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

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Figura 8: Zonas de funcionamiento del FET

4. PROCEDIMIENTOS
1. Arme el circuito de la figura 1.

Figura 9: Circuito 1

2. Teniendo cuidado de verificar la conexion del JFET, mida el punto de opera-

cion, tomando las tensiones de los terminales del transistor, respecto a tierra,
y las corrientes tomadas en forma indirecta (V/I). No tome entre terminales
del dispositivo, ni mida las resistencias internas con el multmetro, pues se
pueden exceder las corrientes permitidas en directa, conociendo que el Gate
trabaja en polarizado inversa. Cto.

Figura 10: Tabla 2

3. Con el Cto. original, aplique una senal senoidal de 20mVpico a una frecuencia
de 1KHz y determine la Ganancia de tension midiendo la salida.

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Figura 11: Circuito del problema 3

Midiendo con el osciloscopio

Figura 12: Medida con el osciloscopio

La salida Vo = 970mV pp
La ganancia de tension es Av = (970mV pp)/(40mV pp) = 24,25

4. Aumente el nivel de Vi hasta observar una distorsion en la senal de salida Vo.

La deformacion no debe llegar a recortes de la senal, sino hasta que aprecie
una alinealidad, deformando las ondulaciones positivas y negativas en distintas
proporcion.
V0max = 51,5mV

5. Manteniendo Vi constante, varie la frecuencia del generador llenando la tabla

adjunta.

Figura 13: Tabla 3

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6. Retire el condensador Cs = 22uF y determine la Ganancia de tension. Retirando

el condensador, queda la siguiente figura

Figura 14: Circuito sin condensador

Midiendo con el osciloscopio

Figura 15: Medida con el osciloscopio

V0 /Vi = Av = (84mVpp )/(40mVpp ) = 2,1

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