Laboratorio Electrnica 2

Aplicacin de fuentes de corriente (polarizacin y carga activa)

Juan Felipe Tachack cod.

Nicolas Rodriguez Daza cod. 20151005022

INTRODUCCIN.

La polarizacin en un BJT se realiza por medio de la aplicacin de voltaje para preparar al

transistor para que trabaje en su regin activa, un espejo de corriente es una forma de

obtener corriente constante, es decir una fuente de corriente, este espejo consta de dos

transistores idnticos y una resistencia para regular el circuito. En este laboratorio en este

laboratorio se calcular la resistencia de polarizacin y la resistencia de los espejos de

corriente para los datos especificados en el laboratorio (Icq=0.4 mA,VrcVreVce, transistor

CA3086) se montar los circuitos para comparar los datos terico y los datos

experimentales.

MARCO TEORICO.

La polarizacin consiste en pocas palabras en colocar una resistencias que logre que

nuestro transistor trabaje en su zona que uno desee. La polarizacin preferida para trabajar

en regin activa con transistor es la Universal compuesta de dos resistencias conectadas a

la base del transistor, una de ellas se conecta a la fuente Vcc(Rb1) y la otra a tierra(Rb2).

Un modelo simplificado consiste en reducir esas resistencias y hallar un equivalente

thevenin que facilite su trabajo, para ello se usan las siguientes ecuaciones.

VBB= Vth= V*Rb1/(Rb1+Rb2)

Rb=Rth=(Rb1*Rb2)/(Rb1+Rb2)
Los espejos de corriente son usados en circuitos integrados por que es una forma de crear

de fuentes de corrientes o cargas activas, aparte de que su fabricacin sea econmica este

modo de trabajo con transistores ocupa una cantidad reducida de espacio, otras ventajas

que ofrece el trabajo con espejos de corriente es estabilidad frente a cambios de

temperatura y voltaje, de igual manera ofrece un incremento en la ganancia de tensin.

Algunas caractersticas de estos espejos son:

Proporcionar una corriente constante y usarlo en circuitos integrados.

Se necesitan transistores de igual cada de tensin Vbe y con el mismo B (beta)

Las corrientes de emisor de los dos transistores son iguales.

Las bases de ambos transistores estn conectadas al mismo punto y circula una

corriente igual en ambas.

En la siguiente figura se muestra una configuracin bsica con espejo de corriente.

Una carga activa es un componente de un circuito que se comporta como una resistencia

no lineal estable contra la corriente. Tambin puede referirse a carga activa a un elemento

del circuito compuesto por dispositivos activos, como lo son los transistores. Usualmente

estas cargas se incluye en la salida de un espejo de corriente aunque usualmente es solo

una resistencia con corriente constante

Rc=Vrc/Ic

VrcVreVce

Ib=Ie/B
IcIe

R=V/I

La corriente de referencia Iref est dada por:

Iref = (VCC - VBE) / Rref

Donde:

Iref es la corriente de referencia.

Vcc es la tensin de alimentacin.

VBE es la tensin base-emisor que es aproximadamente 0.7v.

R es la resistencia de referencia.

Desarrollo.

Para el primer circuito se usa una alimentacin de 12 voltios (6v al colector y -6v al emisor)

como ya fue mencionado antes se tomara en consideracin que:

VrcVreVce , ICIE ,B=90

Conociendo esto se procede a calcular RC y RE

RCRE= 4v/0,4ma = 10K

Con estos valores se procede a calcular RB, del modelo DC

De la malla de entrada

IBRB+0.7+IERE-6V=0

4.44MICROAMPERIOSRB+0.7V+4V-6V=0

RB=1.3V/4.44 MICROAMPERIOS

RB=292.79 KOHMS

//Esto queda feito mientras se insertan las frmulas//

Despus de realizar los clculos se simula el circuito para comprobar los valores y se

procede a realizar las mediciones prcticas de Vrc, Vre, Vce e IC (observar tabla 1 y anexo

1)
 VRC(v) VCE(v) VRE(v) IC
Medido Calculado Medido Calculado Medido Calculado Medida calculada
3.6126 4.03 V 4.132 V 3.90 V 3.5251 4.07 V 403A
V 360.19A
Tabla 1.

Se procede tambin a calcular las ganancias debido a que en el cuarto punto se pide una
comparacin.

//Ya estan pero en un word aparte debido a que este word online no deja insertar formulas//

Para el siguiente montaje se usara un espejo de corriente ubicado en el emisor del

transistor, se proceder a calcular la resistencia del espejo de corriente y se tomaran las

medidas como en el paso anterior, teniendo en cuenta que: (tabla 2 , anexo 2)

Iref=Ic= 0,4ma, Vcc=12v, Vbe= 0,7v

Rref = (VCC - VBE) /Iref = Rref =28K

VRC(v) VCE(v) VRE(v) IC

Medido Calculado Medido Calculado Medido Calculado Medida calculada
3.62 4.13 3.94 4.03 4.2 3.84 432.6A 400A
Tabla 2
3)

VRC(v) VCE(v) VRE(v) IC

Medido Calculado Medido Calculado Medido Calculado Medida calculada
1.7 4 5.3 4 5.1 4 413.6A 400A
 4) La distribucin del voltaje en la malla de salida se ve tambin afectada por las
caractersticas de trabajo del transistor para que trabaje en su punto mas eficiente. Para
ello es recomendable observar las hojas de datos del transistor con el cual se este
trabajando para mirar las caractersticas que permiten su optimo trabajo

Conclusiones
En los datos del montaje uno se observa los siguientes errores respecto a los datos medidos y los
calculados: Vrc=10% , Vce=5%, Vre=13% e Ic= 10%

En los datos del montaje dos se observa los siguientes errores respecto a los datos medidos y los
calculados: Vrc=12% , Vce=2.2%, Vre=4% e Ic= 8%

En los datos del montaje tres los datos tienen mayor porcentaje de error en las medidas de voltaje
ya que los espejos de corriente nos fijan una corriente constante pero no nos aseguran que el voltaje
se mantenga estable Vrc=59% , Vce=30%, Vre=30% e Ic= 3%

Segn los porcentajes de error se observa una gran paridad de los datos obtenidos tericamente
con los datos obtenidos experimentalmente.

Simulaciones.(Anexo)
1.

2.