UNIVERSIDAD NACIONAL

MAYOR DE SAN MARCOS

Facultad de Ingeniera Electrnica

Dispositivos Electrnicos
Transitor de Efecto de Campo de Unin (JFET)

Presentado Por

Gutirrez lvarez, Renzo

Huamani, Jhonn
Palomino Romero, Jos

Ciudad universitaria, 19 de noviembre de 2013

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Tabla de contenido
Introduccin .......................................................................................................................... 4
Transitor ................................................................................................................................ 5
Funcionamiento del transistor como interruptor ......................................................... 5
Funcionamiento del transistor como amplificador ...................................................... 5
Transistor de efecto de campo (FET) ............................................................................... 6
Terminales ........................................................................................................................ 7
Caractersticas ................................................................................................................. 7
Ventajas............................................................................................................................. 7
Desventajas ...................................................................................................................... 7
Transistor de efecto de campo de unin (JFET) ............................................................ 8
Estructura fsica de los JFET ......................................................................................... 8
Fabricacin ....................................................................................................................... 9
Formas de polarizacin................................................................................................. 10
Polarizacin fija o de compuerta ............................................................................. 10
Autopolarizacin......................................................................................................... 10
Polarizacin por divisor de tensin ......................................................................... 10
Polarizacin por fuente de corriente ....................................................................... 11
Tipos ................................................................................................................................ 12
PJFET .......................................................................................................................... 12
NJFET .......................................................................................................................... 13
Principio de funcionamiento ......................................................................................... 14
Influencia de VDS ........................................................................................................ 14
Hiptesis del canal largo............................................................................................... 16
Influencia de VGS. ..................................................................................................... 18
Ecuacin de transferencia del JFET ........................................................................... 19
Transconductancia de un JFET................................................................................... 19
Curvas caractersticas................................................................................................... 20
Zonas o regiones de trabajo ........................................................................................ 21
Regin de corte o de no conduccin ...................................................................... 21
Regin hmica o de saturacin .................................................................................... 21
Regin de saturacin .................................................................................................... 22
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Regin de ruptura ......................................................................................................... 23

REGIONES DE AGOTAMIENTO ................................................................................ 27

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CURVAS DEL DREN DEL JFET................................................................................. 27

DISRUPCIN ................................................................................................................. 28
Aplicaciones .................................................................................................................... 29
EL JFET como Conmutador......................................................................................... 29
En un circuito en paralelo ........................................................................................ 29
En un circuito en serie................................................................................................... 30
El JFET como amplificador .......................................................................................... 31
Parmetros caractersticos del JFET ......................................................................... 32
Efectos a tener en cuenta en los JFET ...................................................................... 33
Afectacin con la temperatura ................................................................................. 33
Capacidades parasitas ............................................................................................. 34
Mtodo para el anlisis de circuitos con JFET ......................................................... 36
Bibliografa .......................................................................................................................... 37

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Dispositivos Electrnicos: Transistor JFET

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Introduccin
Antes de 1947 todo equipo electrnico utilizaba
vlvulas al vaco que predominaban en la industria.
El transistor, inventado en 1947, es el componente
electrnico estrella, pues inici una autntica
revolucin en la electrnica que ha superado cualquier
previsin inicial. Con el transistor vino la
miniaturizacin de los componentes y se lleg al
descubrimiento de los circuitos integrados, en los que
se colocan, en pocos milmetros cuadrados, miles de
transistores. Estos circuitos constituyen el origen de
los microprocesadores y, por lo tanto, de los
ordenadores actuales.
Por otra parte, la sustitucin en los montajes electrnicos de las clsicas y
antiguas vlvulas de vaco por los transistores, reduce al mximo las prdidas de
calor de los equipos.
Hay dos tipos bsicos de transistor:
Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)
El transistor BJT o bipolar se denomina as porque en su funcionamiento
intervienen corrientes de huecos o de carga positiva, y de electrones o de carga
negativa. En este tipo de transistor, las uniones PN se polarizan en sentido directo
o inverso.
Transistor unipolar o de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor)
El transistor FET o unipolar as porque en su funcionamiento interviene un solo
tipo de cargas, electrones o huecos. En este tipo de transistor, las uniones PN se
polarizan siempre en inverso. El funcionamiento de estos transistores es
significativamente diferente a los BJT.
Los transistores unipolares se dividen en dos grupos, los transistores de unin de
efecto de campo, JFET o FET, que a su vez se dividen en transistores de canal N
y transistores de canal P, y los transistores metal-xido-semiconductor de efecto
de campo o MOSFET. Dentro de este grupo se distinguen dos subgrupos,
MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de empobrecimiento, que se dividen al
igual que los FET en canal N y canal P

El siguiente trabajo est vinculado al transistor de efecto de campo de unin

(JFET) que lo abarcara de sus caractersticas, hasta sus aplicaciones, as como
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de una pequea experiencia.

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Transitor

El transistor es un dispositivo que ha originado una

gran transformacin en el campo de la electrnica y
en todos los contextos de la vida humana.
Los transistores son dispositivos electrnicos
integrados por tres cristales semiconductores, con
tres terminales, una terminal es la de la base, otra es
la del emisor, y una ltima es el colector; estas tres
terminales se simbolizan con las letras maysculas:
E, B y C, respectivamente.

Funcionamiento del transistor como interruptor

Para que el transistor funcione como un interruptor o switch, se deben cumplir
ciertas situaciones de operacin, las ms importantes son las de corte y
saturacin. En situacin de corte, la corriente de colector simbolizada Ic debe
tener un valor mnimo y la tensin entre el colector y el emisor debe tener un valor
mximo. El transistor en situacin de saturacin tambin debe cumplir ciertas
caractersticas como son una corriente de colector, simbolizada Ic con un valor
mximo, y una tensin entre el colector y el emisor mnimo o de cero volts.

Funcionamiento del transistor como amplificador

La amplificacin de una seal de corriente alterna en la entrada del circuito
depender del tipo de funcionamiento del amplificador, que puede ser de corriente
o de voltaje. Para ello, el transistor se puede utilizar como dos diodos, uno
formado por la base y el emisor que se polariza en forma directa; y otro formado
por la base y el colector que se polariza en forma inversa, con ello tendremos una
tensin de 0.7 V entre base y emisor si es de silicio, y de 0.4 V si es de germanio.
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Transistor de efecto de campo (FET)

Las primeras propuestas de este tipo de transistores datan de los aos 1920 (casi
20 aos antes que los transistores bipolares). Sin embargo su desarrollo no fue
posible hasta 1953 (el primer transistor unipolar fue presentado y analizado por W.
Shockley en 1952, y en 1953 Dacey y Ross construyeron el primer prototipo),
porque no se contaba ni con los materiales semiconductores ni con las tcnicas
apropiadas. Hubo que esperar al desarrollo de otros dispositivos, tales como los
transistores bipolares, para poder desarrollar los transistores unipolares.

Un tipo de transistor perteneciente al grupo de los unipolares, es el denominado

transistor de efecto de campo (Field Effect Transistor). Dicho transistor, es
particularmente adecuado para ser utilizado en circuitos integrados debido a su
reducido tamao.
El trmino efecto de campo se debe, a que el control de la corriente a travs de
dicho transistor, se ejerce mediante un campo elctrico exterior, por lo que el
control de los mismos es por tensin. 2013-II

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Terminales
Fuente o surtidor (Source): Terminal por donde entran los portadores provenientes
de la fuente externa de polarizacin.
Drenador (Drain): Terminal por donde salen los portadores procedentes de la
fuente y que atraviesan el canal.
Puerta (Gate): Terminal constituido por regiones altamente impurificadas (zona de
dopado) a ambos lados del canal y que controla la cantidad de portadores que
atraviesan dicho canal.

Caractersticas
- Dispositivo unipolar: un nico tipo de portadores de carga
- Ocupa menos espacio en un circuito integrado, lo que supone una gran
ventaja para aplicaciones de microelectrnica
- Tienen una gran impedancia de entrada (del orden de M)
- Hasta cierto punto son inmunes a la radiacin.
- Es menos ruidoso.
- Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

Ventajas
- Son dispositivos sensibles a la tensin con alta independencia.
- Los FET generan un nivel de ruido menor.
- Los FET son ms estables con la temperatura.
- Los FET son ms fciles de fabricar.
- Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin
para valores pequeos de tensin drenaje a fuente.
- La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el
tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de
almacenamiento.
- Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.
Desventajas
- Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacitancia de entrada.
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- Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.

- Los FET se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica.

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Transistor de efecto de campo de unin (JFET)

Ya en 1925, se haba visualizado el JFET y para mediados de los aos 30 se

patent la teora de funcionamiento del dispositivo. Sin embargo, la tecnologa del
momento no permiti producir los cristales dopados con la precisin requerida y
por ello hasta mediados de los aos 60 que se cont con el primer JFET prctico.

Estructura fsica de los JFET

La estructura fsica de un JFET (transistor de efecto campo de unin) consiste en
un canal de semiconductor tipo n o p dependiendo del tipo de JFET, con contactos
hmicos (no rectificadores) en cada extremo, llamados FUENTE y DRENADOR. A
los lados del canal existen dos regiones de material semiconductor de diferente
tipo al canal, conectados entre s, formando el terminal de PUERTA.

En el caso del JFET de canal N, la unin puerta canal, se encuentra polarizada

en inversa, por lo que prcticamente no entra ninguna corriente a travs del
terminal de la puerta.

En el caso del JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la de canal n;

siendo por tanto necesaria su polarizacin de puerta tambin inversa respecto al
de canal n.

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Fabricacin

Un FET de canal n se fabrica por el proceso de elaboracin de un bipolar. La capa

epitaxial que constitua el colector del BJT ahora se convierte en el canal n del
JFET. Como se ve en la figura 4.3 las islas aisladas se difunden en la capa
epitaxial n para separar los dispositivos individuales. La regin de puerta p+ es
implantada difundida en el canal n y se crece una tenue capa de oxido. Luego
se recubre toda la oblea con SiO2. El enmascarado y corrosin definen las
superficies de contacto para los terminales. Las regiones n+ se implantan debajo
de las regiones de los contactos de drenaje y de fuente para tener unos buenos
contactos hmicos. Seguidamente se recubre el todo con una capa de aluminio y
con una ltima mascara se perfilan las interconexiones deseadas. El proceso se
completa eliminando por corrosin el aluminio en exceso.

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Formas de polarizacin

Polarizacin fija o de compuerta

Autopolarizacin
Con esta disposicin de resistencias se consigue polarizar el JFET de una
manera sencilla, econmica y sin complicaciones en su obtencin de
valores.

Se basa en que la puerta est conectada a masa a travs de una

resistencia, siendo por tanto Vg=0v. En la fuente existe un potencial Vs
debido a la circulacin de corriente a travs de Rs.
Por tanto, Vgs = Vg-Vs = -Id Rs.
Si Id aumenta, Vgs se hace ms negativa, aumentando la resistencia y
reduciendo la Id. As pues, se puede decir que Rs realimenta
negativamente la polarizacin del transistor.

Polarizacin por divisor de tensin

Para mejorar la dispersin de caractersticas de los JFET, se puede utilizar

la polarizacin por divisin de tensin, tambin llamada de cuatro
resistencias o polarizacin de fuente.
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Pasos:
El divisor de tensin se sustituye por la tensin Thevenin y en serie su
resistencia Rth.
As:
Vs = Id Rs = Vth Vgs
Id = (Vth Vgs) / Rs
Si Vgs se pudiera despreciar frente a Vth, la Id tomara un valor constante
(Id=Vth / Rs), aunque se modifique la caracterstica de transferencia del
JFET. Sin embargo, tiene un problema de diseo, y es que para una misma
Id, dos transistores pueden tener diferente Vgs.
Este circuito es ms estable que el de autopolarizacin, pero no llega a ser
tan estable como en los BJT.

Polarizacin por fuente de corriente

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Tipos
PJFET

Drenador= Es el terminal por al que salen los portadores (huecos) del

Dispositivo.
Fuente=Es el terminal por el que entran los portadores.
Puerta= Es el terminal mediante el que se controla la corriente de
portadores a travs del canal

Funcionamiento
Para el funcionamiento ms habitual, los transistores de canal p se
polarizan aplicando una tensin negativa entre drenador y fuente
(VDS) y una tensin positiva entre puerta y fuente (VGS). De esta
forma, la corriente circular en el sentido de la fuente hacia el
drenador.

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NJFET

Drenador= Es el terminal por al que salen los portadores (electrones) del

Dispositivo.
Fuente=Es el terminal por el que entran los portadores.
Puerta= Es el terminal mediante el que se controla la corriente de
portadores a travs del canal

Funcionamiento
Para el funcionamiento ms habitual, los transistores de canal n se
polarizan aplicando una tensin positiva entre drenador y fuente
(VDS) y una tensin negativa entre puerta y fuente (VGS). De esta
forma, la corriente circular en el sentido de drenador a fuente.

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Principio de funcionamiento
Influencia de VDS
Para estudiar la influencia VDS aplicada entre los extremos del canal se va
a considerar que inicialmente la tensin VGS = 0 y posteriormente
aumentando el valor de VDS.

Al establecer una tensin VGS = 0 los terminales de fuente y puerta estn

al mismo potencial, por tanto la zona de deplexin del lado de la fuente ser
semejante a la que tenamos en condiciones de no polarizacin. En el
instante en que apliquemos una tensin VDS, los electrones se vern
atrados hacia el lado del drenador, establecindose una corriente ID. Bajo
estas condiciones las corrientes ID e IS sern iguales y se vern
nicamente limitadas por la resistencia elctrica que presenta el canal entre
el drenador y la fuente. Es importante notar que ambas uniones p-n se
encuentran polarizadas en inversa, con lo cual la corriente a su travs ser
prcticamente nula.

Cuando se aplica una tensin VDS (por ejemplo 2 V) esta se distribuir a lo

largo del canal, distribucin, que en un principio y para tensiones pequeas,
podemos suponer uniforme. De esta forma, si nos fijamos en la polarizacin
inversa de las uniones p-n, podemos observar como stas estn ms
inversamente polarizadas de la zona del drenador que de la zona de la
fuente. Si recordamos que la anchura de la zona de carga de espacio en
una unin p-n polarizada en inversa es tanto mayor cuanto mayor sea dicha
polarizacin inversa, tendremos que la anchura de estas zonas deplexin
son tanto mayores cuanto ms cerca del drenador nos encontremos, o lo
que es lo mismo, la anchura efectiva del canal ser menor en la parte del
drenador que en la parte de la fuente.

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Para valores pequeos de la tensin VDS aplicada, el estrechamiento del

canal no ser importante, por lo que el dispositivo se comporta, en esencia,
como una resistencia de forma que la relacin entre la tensin aplicada y la
corriente que circula por el dispositivo ser lineal tal y como establece la
Ley de Ohm. Sin embargo, a medida que aumentamos la tensin aplicada,
el estrechamiento del canal se va haciendo ms importante, lo que lleva
consigo un aumento de la resistencia y por tanto un menor incremento en la
corriente ante un mismo incremento de la tensin aplicada.

Si se contina aumentando la tensin VDS, el canal se estrecha cada vez

ms, especialmente cerca de la zona del drenador, hasta que ambas zonas
de deplexin de tocan. La tensin VDS para la cual se produce el
estrangulamiento del canal se denomina VDSsat.

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Para tensiones VDS aplicadas superiores a este valor, la pendiente de la

curva
(ID - VDS) se satura, hacindose aproximadamente cero, mantenindose la
corriente ID prcticamente constante a un valor denominado IDSS
(Corriente drenador - fuente de saturacin) que es la mxima corriente que
podemos tener para un determinado JFET (caracterstico para cada JFET).

Hiptesis del canal largo

En un principio, se puede pensar que si el canal se cierra por
completo la corriente que circula por el mismo debera ser nula. Si ID
fuera nula, no habra corriente en el canal en ningn punto, y el
potencial a lo largo de ste sera el mismo que con VDS = 0, es
decir, cero en todo lugar. Si en el canal el potencial es cero en todos
sus puntos, las uniones p-n estaran con polarizacin nula, y a su vez
el canal tendra que estar abierto por completo desde la fuente hasta
el drenador, con lo que se contradice de forma clara la suposicin
inicial de un canal cerrado. En otras palabras, debe fluir una corriente
en el JFET para inducir y mantener la condicin de estrangulamiento.
Quizs la dificultad conceptual se encuentra a menudo con respecto
a que la condicin de estrangulamiento proviene de la necesidad de
que fluya una corriente elevada por una zona de vaciamiento. Sin
embargo, en los dispositivos de estado slido no son inusuales los
flujos de corriente elevados por zonas de vaciamiento (recordar un
transistor BJT donde la unin de colector, en la zona activa, est
polarizada en inversa y sin embargo a su travs circulan corrientes
elevadas).
Otra cuestin que precisa una explicacin es la saturacin de la
corriente de drenador para tensiones de drenador superiores a
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VDSsat. Una vez alcanzado el punto de estrangulamiento, si se

incrementa la tensin por encima de VDSsat, la porcin de
estrangulamiento se ensancha una extensin L desde un punto

Dispositivos Electrnicos: Transistor JFET

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dentro de la zona de canal vaco. En la seccin L la tensin del lado

por el drenador es VDS, mientras que por el lado de la fuente es
VDSsat. Es decir, la tensin aplicada por encima de VDSsat, que
vale VDS - VDSsat, cae a lo largo de la seccin vaca del canal. Si
ahora suponemos que L << L (suposicin denominada hiptesis de
canal largo), que suele ser el caso ms habitual, la regin que va de
la fuente al estrangulamiento en el dispositivo resulta prcticamente
idntica en forma y con los mismos potenciales en los extremos (cero
y VDSsat) que los que tena al principio de la saturacin. Si a lo largo
de una seccin conductora, no vara ni su forma ni la tensin
aplicada, la corriente que la atraviesa tambin debe permanecer
invariante. Esto explica la relativa constancia de la corriente ID para
tensiones superiores a la de estrangulamiento o de saturacin.
Evidentemente, si L es comparable a L (hiptesis de canal corto), la
misma cada de tensin VDSsat aparecer sobre una seccin de
canal menor (L - L), con lo que la corriente ID aumentar de forma
perceptible al aumentar la tensin VDS por encima de VDSsat.

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Influencia de VGS.
Una vez establecida la variacin de la corriente ID por el dispositivo en funcin de
la tensin VDS cuando VGS = 0, para completar el anlisis, se tiene que estudiar
el comportamiento del JFET para tensiones VGS aplicadas menores que cero (por
ser JFET de canal n). El funcionamiento del JFET para valores de VGS < 0 es muy
similar al que tiene con VGS = 0, con alguna pequea modificacin.

Si se supone, en primer lugar VDS = 0, para valores de VGS < 0, las uniones p-n
estn polarizadas inversamente. Una polarizacin inversa de dichas uniones
incrementa el ancho de la zona de deplexin disminuyendo la anchura efectiva del
canal n. Por tanto la resistencia del canal aumenta, de manera que en la zona de
comportamiento hmico, es decir, para valores pequeos de la tensin VDS
aplicada donde la relacin ID - VDS es lineal, la pendiente ser tanto menor
cuanto ms negativa sea VGS.

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Dispositivos Electrnicos: Transistor JFET

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Por ltimo, para tensiones VGS suficientemente negativas, podra llegar a cerrarse
por completo el canal, aun cuando VDS = 0. Esto sucede cuando la tensin VGS
alcanza o disminuye por debajo del valor VGSoff. Hecho este por el cual el
fabricante suele denotar este parmetro como VGSoff, (este es un valor de tensin
caracterstico de cada JFET) ya que indica el valor de tensin por debajo del cual
(recordar que estamos hablando de valores negativos de tensin) el canal est
completamente vaciado no habiendo posibilidad de circulacin de corriente por
mucho que se aumente la corriente VDS (Salvo que dicha tensin sea lo
suficientemente elevada para perforar las uniones p-n polarizadas en inversa.
Este hecho se analizar ms adelante al analizar la zona de ruptura de la curva
caracterstica del JFET).

Ecuacin de transferencia del JFET

La ecuacin que describe el comportamiento o desempeo del JFET fue
propuesto por W. Shockley, en 1952. De ah el nombre que rige la ecuacin de
este tipo de transistores; la llamada "ECUACIN DE SHOCKLEY".

Esta expresin dice lo siguiente:

2
V
ID IDSS 1 GS
VP

Donde:

ID = Corriente de Drenaje

IDSS = Corriente de Drenaje de Saturacin

VGS = Voltaje Puerta-Fuente

VP = Voltaje de ruptura

Transconductancia de un JFET
Un parmetro tambin importante del JFET es la llamada transconductancia o
conductancia mutua (gm), que nos muestra una medida de la amplificacin posible
del JFET.
Este parmetro es similar a la ganancia de corriente (hfe) para un BJT; el valor de
gm, es una medida del cambio en la corriente de drenaje para un cambio en la
tensin compuerta-fuente.
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Es usual encontrar el parmetro gm en las hojas de datos expresado como yfs.

Dicho parmetro representa la tangente a la curva en un punto determinado y,
como tal curva, en cada uno de sus puntos ofrecer una tangente distinta o
pendiente diferente, lo que implica que gm no es constante.

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Curvas caractersticas
Si juntamos ahora en una misma grfica el efecto que sobre el funcionamiento del
dispositivo tienen ambas tensiones (VDS y VGS). Al representar la corriente de
drenador en funcin de ambas tensiones, aparecen las denominadas curvas
caractersticas del transistor JFET.

Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los
transistores JFET.
En primer lugar, en la representacin de ID frente a VGS, para una VDS dada, se
aprecia claramente el paso de la regin de corte a la de saturacin.

En la caracterstica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre la

regin lineal y de saturacin. En la regin lineal, para una determinada VGS, la
corriente crece proporcionalmente a la tensin VDS. Sin embargo, este crecimiento
se atena hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturacin, en
donde ID slo depende de VGS.

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Dispositivos Electrnicos: Transistor JFET

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Zonas o regiones de trabajo

Estn definidas por las curvas caractersticas.

Regin de corte o de no conduccin

Se corresponde con el eje horizontal de la grfica.
En esta zona la corriente ID = 0 con independencia del valor VDS. Esto se
da para valores de VGS <= VGSoff, donde el canal est completamente
cerrado.

Regin hmica o de saturacin

Se da para valores de VDS inferiores al de saturacin, es decir, cuando
VDS <=VGS - VGSoff. Para estos valores de tensin el canal se va
estrechando de la parte del drenador, principalmente, hasta llegar al
estrangulamiento completo para VDSsat.
En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una
resistencia variable controlada por la tensin de puerta, sobre todo para
valores pequeos de VDS, ya que a medida que nos aproximamos al valor
de VDSsat, y para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad debido
al estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.
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Regin de saturacin
Esta zona se da para valores VDS > VDSsat. Ahora la corriente ID
permanece invariante frente a los cambios de VDS (suponiendo la hiptesis
de canal largo) y slo depende de la tensin VGS aplicada. En esta zona el
transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensin de puerta VGS.
La relacin entre la tensin VGS aplicada y la corriente ID que circula por el
canal en esta zona viene dada por la siguiente ecuacin:

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Voltaje de estrangulamiento, Vp

La estrangulacin o estriccin es entonces una regin de Id

constante, emitida cuando el voltaje inverso compuerta-dren hace
que las regiones de agotamiento se encuentren. El valor del voltaje
responsable de que esto ocurra se denomina voltaje de
estrangulamiento o de restriccin, Vp. Cada JFET tiene cierto Vp del
mismo modo en que cada transistor bipolar tiene cierta B. Para el
FET, el valor de Vp es 6V. El punto exacto en el cual ocurre la
estrangulacin es difcil de determinar a partir de las curvas, debido a
que la transicin de la regin hmica a la de estrangulamiento es
gradual.

El valor de la corriente de dren que fluye en la regin de

estrangulamiento cuando Vgs = O se designa con el smbolo
especial ldss. A partir de las curvas puede verse que el valor de ldss
es de 9.2 mA, y es la corriente mxima que fluir durante la
operacin normal.

Cada JFET posee un valor especfico de ldss. Pero este

varia ampliamente de un JFET a otro, como sucede con B para lo
transistores bipolares.

Regin de ruptura
En un transistor JFET tenemos dos uniones p-n polarizadas en inversa,
tanto ms cuanto menor sea el valor de VGS. Tal y como vimos al abordar
el estudio de la unin p-n en el tema 2 cuando una unin p-n la polarizamos
en inversa, la zona de carga de espacio aumenta. Sin embargo, esta
tensin inversa no se puede aumentar indefinidamente, ya que si se supera
un determinado valor (tensin de ruptura, caracterstico de cada unin y que
suele ser proporcionado por el fabricante en sus hojas de caractersticas) la
unin se perfora, producindose la ruptura del dispositivo.

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Dispositivos Electrnicos: Transistor JFET

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En nuestro caso las uniones p-n estn sometidas a una mayor polarizacin inversa
del lado del drenador. Por tanto, el JFET entrar en ruptura cuando en la zona del
drenador se supere la tensin de ruptura de la unin, es decir, cuando VDG =>Vr.
Teniendo en cuenta que VDS = VGS + VDG la ruptura se dar para:
Por ello a medida que VGS se hace ms negativo, la tensin VDS para la que se
produce la ruptura ser menor, lo que origina que en la zona de ruptura se crucen
las lneas.

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REGIONES DE AGOTAMIENTO
La polarizacin inversa de las uniones compuerta-canal produce regiones de
agotamiento o rarefaccin (capas de transicin) en las uniones. Esta son reas en
las que casi no hay portadores de carga.

Estas regiones de agotamiento (desiertas) penetran en el canal y reducen el

tamao de la parte de conduccin del canal, la presencia de estas regiones de
agotamiento incrementa la resistencia del canal hacindolo ms angosto.

Las regiones de agotamiento son cuneiformes (en forma de cua), ms largas en

el extremo del dren y ms angostas del lado de la fuente. Esto obedece a que la
polarizacin inversa de la compuerta al canal es mayor en el lado del dren, ya que
este tiene polarizacin positiva, la polarizacin inversa en el extremo del dren de la
unin P-N es igual a la suma absoluta de los dos voltajes de polarizacin.

Por ejemplo, s Vds= 20 y Vgs= -5 V, entonces esta polarizacin Inversa es de

25v. La profundidad de penetracin de las regiones de agotamiento depende de
esta polarizacin inversa y varia cuando cambia ya sea Vgs o Vds de este modo,
la resistencia de canal - por lo tanto la corriente de canal- son funciones de Vgs y
Vds.

CURVAS DEL DREN DEL JFET

La operacin del JFET puede explicarse ms fcilmente s se estudia un conjunto

tpico de curvas del dren, como en las figuras abajo, se Aprecia que la corriente de
dren. Id, varia con Vds. para un valor dado del voltaje compuerta-fuente, Vgs.

Observe que Vgs es ya sea 0 V o negativo de manera que la unin de compuerta

nunca conduce. Cada curva de corriente de dren corresponde a un valor diferente
de Vgs. Esto implica que el JFET es un dispositivo controlado por voltaje, mientras
que el transistor bipolar es un dispositivo controlado por corriente.

Vqs=O

Primeramente consideremos el caso respecto a la fuente. Es decir, la compuerta

esta en corto respecto a la fuente. Esto corresponde a la curva superior en la
figura, a medida que Vds aumenta desde 0V, lacorriente de dren Id, aumenta casi
linealmente hasta Vds = 6V. Esta regin de operacin se denomina regin hmica
puesto que la resistencia del canal permanece aproximadamente constante.
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DISRUPCIN

Observando la curva Vgs=0 puede verse que la unin compuerta-dren entra en

disrupcin inversa cuando Vds alcanza 35V. Esto hace que Id aumente
drsticamente y es una regin que normalmente se evita.

Si la polarizacin de compuerta es de 1V y negativa respecto a la fuente

(Vgs= -1 V) el comportamiento del FET es esencialmente el mismo, excepto que la
corriente de dren comienza a nivelarse en un valor ms bajo de Vdd, por
inspeccin de la curva. Vgs= -1 se observa que Id comienza a estabilizarse en
Vds=5V y finalmente se nivela en 6.3mA. En otras palabras, la regin de
estrangulamiento principia en Vds = 5V en vez de en Vds=6V, como paso en el
caso de Vgs = 0 debido a que con la polarizacin inversa de V en la compuerta,
solo se requiere un voltaje de dren de 5V antes de que se alcance la polarizacin
inversa de compuerta a dren (Vf = 6V) que es necesaria para el estrangulamiento.
La curva Vgs= -1V est abajo de la Vgs= 0V porque la polarizacin inversa de 1 V
compuerta-fuente hace que las regiones de canal y reduciendo la corriente de
dren.

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Aplicaciones

APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador (buffer) Impedancia de entrada Uso general, equipo de medida,
alta y de salida baja receptores
Amplificador de RF Bajo ruido Sintonizadores de FM, equipo
para comunicaciones
Mezclador Baja distorsin de Receptores de FM y TV, equipos
intermodulacin para comunicaciones
Amplificador con CAG Facilidad para controlar Receptores, generadores de
ganancia seales
Amplificador cascodo Baja capacidad de Instrumentos de medicin,
entrada equipos de prueba
Troceador Ausencia de deriva Amplificadores de cc, sistemas
de control de direccin
Resistor variable por voltaje Se controla por voltaje Amplificadores operacionales,
rganos electrnicos, controlas
de tono
Amplificador de baja frecuencia Capacidad pequea de Audfonos para sordera,
acoplamiento transductores inductivos
Oscilador Mnima variacin de Generadores de frecuencia
frecuencia patrn, receptores
Circuito MOS digital Pequeo tamao Integracin en gran escala,
computadores, memorias

EL JFET como Conmutador

Los FET pueden trabajar como un interruptor, en este caso en vez de trabajar
entre corte y saturacin, se trabaja entre corte y zona hmica.

En el caso del JFET, la tensin Vgs se restringe a dos valores: 0 v o una tensin
negativa mayor o igual a Vgs (off), sin exceder la tensin de ruptura.

En un circuito en paralelo
En el caso de trabajar como interruptor paralelo, el JFET precisa una Ven
menor de 100 mV. Adems, Rd debe ser mucho mayor que Rds.
Cuando Vgs es cero, acta en la zona hmica como interruptor cerrado. En
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este caso, Vsal es mucho menor que Ven debido al divisor de tensin.
Cuando es ms negativa que Vgs (off), el JFET est en corte, por lo que
Vsal es igual a Ven.

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En un circuito en serie
En el caso de trabajar como interruptor serie, si la Vgs es cero, el interruptor
estar cerrado y el JFET equivale a una resistencia de valor Rds. En este
caso la salida es prcticamente igual a la entrada.
Si la Vgs es igual o ms negativa que Vgs (off), el JFET est abierto y Vsal
es 0V.

El JFET se utiliza ms como interruptor serie porque su razn conexin

desconexiones mucho ms alta.

La razn conexin desconexiones la relacin entre la seal de salida a nivel alto,

y la seal de salida a nivel bajo.

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El JFET como amplificador

Al igual que los BJT, cuando el JFET se emplea como amplificador, se puede
disponer en cualquiera de las tres configuraciones determinadas por la forma de
conectarlo, esto es: fuente o surtidor comn (S.C.), drenador comn (D.C.) y
puerta comn (G.C.).

Sus caractersticas son similares, teniendo en cuenta las peculiaridades que los
hacen distintos a las ofrecidas en disposiciones anlogas por los transistores
bipolares. Se puede relacionar de la siguiente forma:

Fuente comn con Emisor comn.

Drenador comn con Colector comn.

Puerta comn con Base comn.

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Parmetros caractersticos del JFET

Los fabricantes, suelen ofrecer las siguientes especificaciones y caractersticas de
un JFET en su hoja de datos:

Idmx: Mxima corriente permitida de drenador.

IGmx: Mxima corriente permitida de compuerta.
VDSmx: Mxima tensin permitida drenador-surtidor.
VGSOmx: Mxima tensin permitida compuerta-surtidor con drenador
abierto.
VDGOmx: Mxima tensin permitida drenador-puerta con surtidor abierto.
IDSS: Corriente de drenador con la G en c.c. con el S y para una VDS
determinada.
V (P) GS: Tensin de estrangulamiento G y S para una VDS y ID dadas con
el canal cortado.
Ptot: Potencia total mxima disipable a una temperatura dada.
gm o yfs: transconductancia o transadmitancia.

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Efectos a tener en cuenta en los JFET

Afectacin con la temperatura

Al igual que otros semiconductores, el JFET se ve afectado por la

temperatura, aunque algo menos que los BJT, por lo tanto, se debe conocer
estas variaciones para evitar que afecten al punto de funcionamiento de
nuestros diseos. Los dos principales efectos producidos por la temperatura
en los JFET son:
Un incremento de temperatura provoca una disminucin de la zona
de agotamiento, lo que provoca un aumento de la anchura del canal.
Es decir, aumenta la corriente de drenador.
Por lo tanto la corriente ID aumente por un incremento de la
temperatura, o dicho de otra manera, que VGS (OFF) aumente con la
temperatura. Tpicamente, VGS (OFF) tiene un coeficiente de
temperatura de +2.2mV/C
Una disminucin de la temperatura provoca una reduccin de la
movilidad de los portadores mayoritarios.
Por lo tanto la corriente del drenador se reduce por una disminucin
de la temperatura.

Al producirse estos dos efectos de forma simultnea, significa que existir

un punto de operacin en el que se cancelarn y las curvas del JFET no
variarn con la temperatura. Esto ocurre para una tensin de puerta V GS
para la cual la corriente del drenador no depende de la temperatura. Este
fenmeno se observa tanto en las curvas de drenador como en la curva de
transconductancia y es dependiente del modelo de JFET utilizado.

La grafica anterior muestra en lnea continua las curvas del drenador a 25C y en
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lnea discontinua a 45C

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Otro parmetro que se ve afectado por la temperatura es la generacin de

portadores minoritarios en la zona de agotamiento. Estos portadores son los
responsables de la corriente de prdidas de puerta, IGSS. Esta corriente es
equivalente a la corriente de puerta estando cortocircuitados drenador y
fuente. Al igual que en cualquier otra unin p-n inversamente polarizada, la
corriente de conduccin en inversa se duplica cada 10C.

Capacidades parasitas

El transistor de efecto de campo se ve afectado por efectos capacitivos

entre sus tres terminales, al igual que sucede en el BJT en menor cuanta.
Para el JFET tendremos unas capacidades asociadas con las uniones
inversamente polarizadas y que, en funcin de sus terminales, se
denominan Cdg y Cgs .Por ltimo, existe una capacidad asociada al canal,
Cds, que se debe generalmente a la fabricacin del componente sobre la
oblea.

Los fabricantes suelen medir tres capacidades diferentes a las que

acabamos de definir, que son, la capacidad de entrada con la salida en
cortocircuito para corriente alterna, Ciss o capacidad de entrada; la
capacidad de salida con la entrada en corto para corriente alterna, Coss o
capacidad de salida y por ltimo, la capacidad inversa de transferencia o
Crss .Los valores tpicos de estas capacidades suelen estar entre 1pF y 8pF
medidas a 1MHz.

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Se puede deducir fcilmente la relacin entre las capacidades existentes

entre terminales y las capacidades ofrecidas por los fabricantes. Estas
relaciones son:
Cdg = Crss
Cgs = Ciss - Cdg = Ciss - Crss
Cds = Coss - Cdg = Coss - Crss

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Mtodo para el anlisis de circuitos con JFET

Pasos a seguir para determinar la regin de funcionamiento de transistores JFET:

corte
saturacin (activa)
hmica
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Bibliografa

- TEMA 7-TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO- Dpto. Tecnologa Electrnica

- http://www.taringa.net/posts/apuntes-y-monografias/2735701/Transistores-todo-
lo-que-se-puede-saber.html
- http://www.ojocientifico.com/4175/la-historia-de-los-transistores
- http://www.exa.unicen.edu.ar/catedras/edigital/teorias/c08_fet.pdf
- http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-
7-teoria.pdf
- http://cursos.eie.ucr.ac.cr/claroline/backends/download.php?url=L0FwdW50ZXNf
ZGVfQ2xhc2UvMi0yX0ZFVC5wZGY%3D&cidReset=true&cidReq=IE313
- http://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2008/04/transistores.pdfhttp
://www.edutecne.utn.edu.ar/microelectronica/04-Fabricacion%20del%20FET.pdf
- http://www.alipso.com/monografias/transistores_efecto_de_campo/
- http://www.edu.xunta.es/centros/cpiasrevoltas/?q=system/files/transistores.pdf
- http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/el%20transistor.pdf
- http://ocw.bib.upct.es/pluginfile.php/7888/mod_resource/content/1/Capitulo_6_-
_Transistores_FET.pdf
- http://www.uv.es/%3Desanchis/cef/pdf/Temas/A_T3.pdf
- http://www.cartagena99.com/recursos/electronica/apuntes/Transistores_Unipolar
es.pdf
- http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_ELECTRONICA/PolFET01H.pdf

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