Index

Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC.
Biblioteca universitaria, 2009

Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
COMPONENTES ELECTRONICOS
TOMO 11I
EJERCICIOS RESUELTOS Y PROPUESTOS
DE
- TRANSISTORES BIPOLARES
- TRANSISTORES UNIPOLARES
~ Edicin corregida y aumentada
Autor:
Jos Miguel LOPEZ HIGUERA
Ingeniero de Telecomunicacin
por la U.P.M.
Ingeniero Tcnico de Teleco-
municacin por la U.LA.
Profesor Titular de Universida-
des Laborales.
Profesor Titular de E.U. en la
E.U.I.T.T. de la Universidad
Politcnica de Madrid.
COMPONENTES ELECTRONICOS TOMO III
Autor: Jos Miguel Lpez Higuera

Madrid, 1.988
Edita el Departamento de Publicaciones de la Escuela Universitaria
de Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin de Madrid.
Crta. Valencia, Km. 7 - 28031- MADRID.
Mquina ofset marca Toko Westy nI! 1800 AWD.
NI! Depsito Legal: M-74611.988
I.S.B.N.84-86892-02-3
311 edicin corregida y aumentada.
Prohibida la reproduccin total o parcial sin autorizacin escrita del autor.

PROLOGO
El presente trabajo pretende ser una humilde aportacin a la literatura

tcnica, en el campo de los Componentes Electrnicos, y una referencia ms, a
la que los estudiantes que cursen estudios de Formacin Profesional o Ingenie-
ra, puedan dirigirse para llegar a un ms completo entendimiento y asimilacin
de los correspondientes contenidos.
De todos es conocido que los componentes electrnicos, son las partes o
piezas que forman parte de los circuitos electrnicos. De ello se deduce la
importancia que tiene la correcta SELECCION y UTILIZACION de los mismos,
ya que de su ptimo funcionamiento depender el del circuito que dar lugar al
equipo, y siguiendo la jerarqua, el del sistema que se puede formar al agrupar
equipos. Entenderemos pues, que es inprescindible el adecuado conocimiento de
cada uno de los de los componentes, as como de la correcta interpretacin de
sus caractersticas tcnicas ms importantes.
Los ejercicios resueltos que se presentan, proceden en su mayora de los
propuestos por el autor en los exmenes de la asignatura, que desde el ao
1977 viene impartiendo ininterrumpidamente en la E.UJ.T.T. del C.E.!. de Alcal
de Henares; de los pensados expresamente para el presente tomo y de los
cedidos generosamente por el profesor de Electrnica Bsica D. Ricardo GAR-
CIA LOPEZ, compaero ejemplar de la citada Escuela y a quien expreso mi
gratitud. Los ejercicios estn resueltos explicando ampliamente el proceso
seguido, con el objetivo de que para el alumno resulte fcil de seguir y com-
prender, reducindo de esta forma, el esfuerzo empleado para el aprendizaje.
En el presente tomo se presentan un total de 44 ejercicios resueltos y 8
propuestos, ilustrados con 155 figuras, los cuales se distribuyen en tres captu-
los. El primero est dedicado a transistores bipolares. En l se presentan y
resuelven ejercicios en torno a su Fsica Electrnica, a sus zonas de trabajo, a
su comportamiento en circuitos simples con otros componentes y con la tempe-
ratura, a sus circuitos equivalentes y se finaliza con selecciones del transistor
ptimo.
En el segundo, se presentan ejerCICIOS, tanto de F.E.T. como de M.O.S.Too
Se resuelven ejercicios sobre sus estructuras, sus regiones de trabajo, sus
circuitos equivalentes, su comportamiento con la temperatura y sobre circuitos
simples con otros componentes.
En el tercero, se proponen ejercicios sin resolver de transistores.
Por ltimo, el autor desea expresar su agradecimiento a todos aquellos
que directa o indirectamente han contribuido a que la presente obra sea reali-
dad. En especial a Jess Urea y a Felipe Espinosa por sus sugerencias, as
como a Jos A. Snchez, por la mecanografa de los manuscritos y a Camila
Losada por el procesado de los textos de esta 3 edicin.
Jos Miguel LOPEZ HIGUERA.

DEDICATORIA:
A mis padres, Gabriel y Maria.
INDICE
Pginas
Captulo I TRANSISTORES BIPOLARES 7 a 123
Fsica Electrnica 7 a 27
Concentraciones
Parmetros
Corrientes
Parmetros y zonas de trabajo 28 a 41
El transistor en circuitos simples 42 a 54
El transistor en circuitos con

otros componentes bsicos 55 a 77
Influencia de la temperatura en
parmetros y corrientes 78 a 84
Modelos o circuitos equivalentes bsicos 85 a 93
Eleccin del transistor ptimo 94 a 96
Polarizacin, estabilidad y amplificacin 97 a 123
Captulo 11 TRANSISTORES UNIPOLARES 124 a 198
. TRANSISTORES F.E.T. 125 a 151
El F.E.T. Ysus zonas de trabajo 125 a 131
Estructura del F.E.T. 134 a 138
El F.E.T. Yla temperatura 138 a 140
El F.E.T. en circuitos simples con

otros componentes 140 a 151
Pginas
. TRANSISTORES M.O.S.T. 152 a 198
Estructuras
152 a 160
De acumulacin
De deplexin 160 a 164
Su circuito equivalente 164 a 167
Circuitos con otros componentes y

curvas caractersticas 167 a 177
Inversor C.M.O.S.T. 177 a 181
De conjunto (polarizacin y amplificacin) 182 a 198
Captulo III EJERCICIOS PROPUESTOS 198 a 210
. APENDICE 219 a 215
. BIBLIOGRAFIA 216
7
CAPITULO I
- Transistores Bipolares
FISICA ELECfRONICA
. Concentraciones
. Parmetros
. Corrientes
1.- Al polarizar las dos uniones PN indicadas en la figura 1.1,
IT,
---+
T,
fig.l.l
stas presentan el diagrama linealizado de concentracin de portadores, indica-

dos en la citada figura. A la vista de dicho diagrama, responda razonadamente:
a) Cmo estn polarizadas las uniones T 2 - T 1 YT 3 - T 2 ?
b) Calcular la corriente In que circular por el terminal T 1 .
Datos:
b = 1 micra, a = 10- 3 cm, ~(O) = 1001 ~o
Pn(O) = 2000Pno' Pn(b) = O,
D p = D n = 10 cm 2js, S = A = Jj16cm 2
8
Solucin
a.- A la vista de las distribuciones de portadores mostradas en la fig. 1.1,

observamos que en la unin TI - T 2 las concentraciones en x = O se encuen-
tran por encima de la de equilibrio, mientras que en la T 2 - T 3' (x = b), por
debajo. Estos datos nos indican que la unin TI - T 2 est polarizada en di-
recto, y la T 2 - T 3 en inverso.
b.- La corriente In, la podemos calcular segn la expresin:
In = I~(O) + 1<4(0) (1)
Sabemos que:
(2)
dx
dPn(x)
e (3)
dx
A la vista de las distribuciones de la fig. 1.1 podemos escribir:
d"J,(x)
dx Ix = O
Y
dPn(x)
(Pn(o) - Pn(b)) / b
Ix = O
dx
Que al sustituir en las expresiones (2) y (3) Y stas en la (1) y calcular

nos queda:
In = 1 {lA + 1 mA
Esto es:
IT 1 = 1,001 mA
-0000000-
9
2.- Se han conectado dos pilas, un resistor y un transistor bipolar tal y

como se indica en el circuito de la figura 2.1
r-----. r--------,
I B R Al
ITAmb.
13~K r-~I~~~-{==}-:;'T---'
I
I I
I
I I
I I
IL.... T ..JI
I I Vc = 4 0 V.
I I
L __ _-.J
VS = O, 4 V.
fig.2.1
El resistor R es una pastilla de silicio de rea transversal 0,01 cm 2 y

longitud 1,12 cm. La pastilla est dopada con una concentracin de 101 6 cm- 3
tomos donadores y se dispone de las grficas de la figura 2.2.
....
'0000 .000
100
--
6000 .: 600 N....=lO 14 c m ' )
r 4000 '~ 400
~=101'
r--- -.......
::---
>
<, No=10 '4cm- J > ro- t--
~ 2000 "'E 200 r-- t- N,.,=10" r--- ;;:-
a,
~NI~ -..... N A =10 11
--;=::
~
~
1000 ~ 100
o O
600
RO-lO"
600 ~ 60
.
~
~
o
400
NO:::' 10 11 , r-- o O
-
o N.... z 10'9
o
a
::;
t-~
r-- t--. o
O
200
5
%
~0"01.. 1-- o
%
.00 1O
-'0 so 100 150 200 -.0 50 100 150 200
TEMPERATURA c ci TEMPERATURA (! e)
'0"
V V
J / ./
/
V /
V
2 10' 6
V
'"-;
R
o
V o
a.
-
/
V -
o;- 10 11 ID' s
V V
E
u
- r -
e
10 .0 4 /
V
.0
! -
10 13
- -
"10 690 750 810 870

10
Las corrientes de emisor y colector del transistor siguen las ecuaciones:
lE = - lEO ( e VBdVI - 1 ) - 36/ 41. le (Amp.)
(Amp.)
En los que: VI = KT/q
Del transistor se conocen, adems, las siguientes especificaciones:
E.1: Ganancia esttica de corriente f3 F = 40
E.2: Corriente inversa de saturacin del emisor con el colector en circuito

abierto: 0,9 nanoamperios.
Se pide:
a) Resistencia del resistor R a una temperatura de 87 "C,
b) Los parmetros del transistor a R, a F e leo.
c) Tensin V BA en bornas de la resistencia R a la temperatura de 87 "C,
Solucin
a.- La resistencia del resistor R se puede calcular por la expresin:
R(T) = p(T). (L/S)
Como tanto L como S son conocidos, si determinamos p(T) tendremos el

valor de la resistencia R.
Sabemos que:
11
De las grficas ni = f(T) de la fig 2.2, deducimos que a la concentracin

intrnseca a 87 "C vale aproximadamente 1012 cm- 3 , Como la concentracin
de tomos donantes es de N D = 1016 , podemos afirmar que:
Resultando, aproximadamente:
De lo que deducimos que ~o > > Pno' por lo que se puede escribir:
p(T) = 1/ (No' q , .m)
Vamos a la grfica J-ln(T)I Y con no 1016 cm -3 y T 87 -c, deter-

N
minamos que: o
2/V.S
J-l n "" 700 cm
Con todos estos datos, ya podemos determinar el valor de R, resultando:
R (87 "C) = lOO Ohmios
b.- Sabemos que las expresiones de Ebers-Moll se pueden escribir:
Al identificarlas con las dadas en el enunciado, deducimos:
Como sabemos que la expresin del parmetro f3 F es:

12
Por lo que:
Introduciendo el valor de f3 F = 40 Ycalculando, resulta:
De la especificacin E.2 se desprende que:
lEO = 0,9 nA
Aplicando el teorema de Reciprocidad:
Calculando:
c.- A la vista del circuito de la fig. 2.1 se deduce que la unin BC se

encuentra inversamente polarizada. Supongamos que se cumple que D(Bd = -L
En este supuesto, la corriente que circular por el colector ser:
y como
Y, adems, a 87 -c el factor VI vale:
VI = KT / q = 0,03096
13
Sustituyendo y calculando resulta:
IC = 2,5 mA
Por lo que:
Calculando resulta
VBA = -250 mV
Obtenido este resultado, hemos de comprobar que el supuesto es cierto:
Sustituyendo los valores obtenidos anteriormente.
V BC = 0,4 - 40 + 0,25 = - 39,35 V
Resultado que confirma, holgadamente, el supuesto.
-0000000-
3.- Un transistor bipolar se ha polarizado segn se indica en la figura 3.l.

Debido a la polarizacin, el transistor presenta un diagrama de portadores
minoritarios tal y como se presenta en la figura 3.2.
Fig.3.1
14
r PORTADORES I cm'
I
I I
I I
lE I I le
---+ I 1......-
0--1 ~-o
E I I---------J e
I
I
I
w, x
B
Fig.3.2
Las rectas en trazo continuo fmo son tangentes a las curvas de distri-
bucin de minoritarios en los puntos de las uniones.
En base En emisor En colector
Peo = 104 cm- 3
KT/q = 0,026 V
2/s
Wz = 18 Jm D pe '" 13 cm
n 1 = 4,6 . 1014 cm- 3
Tiempo efectivo de vida media de los

electrones en base:
T'nb = Tnb = 0,5 JS
15
En las condiciones del enunciado, determine:
a) Tipo de transistor
b) El mdulo de la corriente Ilpe(O) I debida a los huecos en el emisor en

el punto de la unin.
c) El mdulo de la corriente Il..e(O) I debido a los electrones en el emi-
sor, y calculada en la unin.
d) Valor de la corriente ( con signo) en el emisor. lE'
e) La corriente que entra por el colector. le-
f) La corriente que entra por la base. lB'
g) La tensin de polarizacin. V i-
h) El parmetro a F
i) La corriente lES
j) La longitud de difusin de los huecos en el emisor Lpe'
k) La corriente, en mdulo, de recombinacin de electrones en la base

(utilizando el modelo de control de lo carga), en el supuesto de que la curva
de minoritarios fuese una lnea recta y que pasase por los mismos puntos de
las uniones que los expresados en la figura 3.2.
Solucin
a.- Segn el enunciado, las distribuciones de portadores de la figura 3.2,

son de minoritarios, por lo que el emisor ser tipo N, la base del tipo P y el
colector N. Se trata, pues, de un transistor:
NPN
b.- La corriente de huecos en el emisor, Ipe la podemos calcular como

corriente de difusin, a travs de la expresin:
dx
16
y que en x=O se puede escribir:
Pe(O) - Peo
Sustituyendo los valores:
Ipe(O) = -13 .1,6.10 -19.10- 2 . [(e 2 0 - 1)/36 .10- 4].104
Calculando:
Ipe(O) = -28,03 JlA
Luego:
c.- Como suponemos que en la zona de transicin de lo unin base-emisor

existe un total vaciamiento de portadores, la corriente ~e (o) se puede calcular:
As que:
Que, en la unin x = O, se puede escribir:
Sustituyendo valores y calculando, resulta:
Luego:
I~e(O) I = 15,09 mA
17
d.- Sabemos que la corriente en el emisor lE se puede escribir:
lE = -15,11 roA
Resultado que nos dice que la corriente del emisor sale por el citado
terminal.
e.- La corriente por el colector se puede expresar:
Situando el punto x = Oen la unin base-colector.
Calculemos cada una de las componentes:
Por ser cero el gradiente de concentracin en x = O.
Sustituyendo valores:
ly,e(O) = 35 . 1,6 . 10- 19 . 10- 2 . ( -(4,6 .1014 - 106)/19 .10- 4 )
Calculando:
ly,e(O) = -13,55 roA

Por lo que:
le = + 13,55 roA
Cuyo signo indica que es una corriente que entra por el colector.
18
f.- La corriente de la base la calcularemos de la relacin:
Sustituyendo y calculando:
lB = 1,56 mA
La cual entra por la base.
g.- Por la ley de la Unin, la concentracin de huecos minoritarios en

x = Ovale:
Pe(O) = Peo . e
v 1 IV I
, en que VI = KT/q
De donde deducimos:
Sustituyendo valores y calculando:
V 1 = 0,52 V .
h.- Las ecuaciones de Ebers-Moll, particularizadas para el transistor NPN,

conectado segn se indica en la figura 3.1, sern:
Dividiendo la segunda por la primera nos queda:

19
Sustituyendo los valores obtenidos anteriormente:
QF = -(13,55/-15,11)
Calculando:
QF = 0,896
i.- El parmetro lES lo POdemos calcular de la relacin:
lES = 3i,14 pA
j.- La distribucin de minoritarios en el emisor se puede escribir:
_ , () x/Lp e
Pne(x) - P nO. e + Pno
Cuyo gradiente en x = Ovaldr:
X<O
....------t------r-O
fig.3.3
20
Si prolongamos la recta tangente a Pn(x) en x = O,nos quedar la fig.3.3,

de la cual deducimos que la distancia desde x = Oal punto en que corta a la
concentracin en equilibrio es, precisamente, Lp e ' As pues , el dato pedido se
deduce directamente de la figura 3.1.
k.- Segn el enunciado, la distribucin de minoritarios ser el de la
fig.3.4.
fig.3.4
Por el modelo del Control de la Carga, la corriente de recombinacin de

electrones en la base se puede escribir:
(1)
En que Onb es el exceso de carga, debida a los minoritarios en la base y

que vale:
Q"" ~ q. '" J{.<X) dx

cuya integral representa el rea entre la curva nb(x) Y nbo' Por ello se
puede escribir:
Onb = q. S,.
2
21
Sustituyendo en (1) y calculando, resulta:
I r nb = 1,47 mA
-0000000-
4.- Se sabe que, en un transistor bipolar, se denomina eficiencia del
emisor ("Y ) al cociente entre la corriente de portadores inyectados por el
emisor en la base y la corriente total del emisor. As mismo, se conoce como
factor de transporte QT al cociente entre la corriente de portadores mayorita-
rios inyectada por el emisor en la base y que llega al colector, y la inyectada
en base.
Las distribuciones de portadores minoritarios en el transistor son las
expresadas en la figura 4.1.
E e
fig.4.1
Se pide:
a) Tipo de transistor
b) Calcule literalmente:
b.1.- La eficiencia del emisor ( "Y).
b.2.- La corriente de recombinacin en base (Irb) y el factor de

transporte.
22
e) Sabiendo que el parmetro QF de un transistor se define por el pro-

ducto QF = QT 't , conteste al interrogante: Qu condiciones deber reunir
un transistor que presente un alto valor del parmetro f3 F ?
Solucin
a.- Como los portadores minoritarios de base son huecos y los del emisor
son electrones, podemos afirmar que se trata de un transistor
PNP
b.l.- Segn el enunciado, los portadores inyectados por el emisor en la

base son huecos y se dar lugar a la corriente Ipe' La otra corriente de emisor
es debida a los electrones extrados de la base que se difundan en el emisor y
que podemos escribir ~e' La corriente total de emisor se puede calcular como
corrientes de difusin en la unin de base emisor, esto es:
Por lo que:
-y=-----
Ipe(O) + ~e(O)
Pasemos, pues, al clculo de las corrientes.
dne(x)
~ed(O) = q. S . Dnb - - Ix = O
dx
23
Las derivadas son las pendientes de las curvas en x = O, por lo que:
- q . S . D pb' [-( Pb(O) - Pbo) / Wb ]
ne(O) - neo
I.teiO) = q . S . D ne .
Lne
Efectuando el cociente y simplificando obtenemos:
1
-y=
1+
D pb . pbo . Lne
b.2.- A la vista de que el perfil de minoritarios en base est idealizado,

podemos escribir:
Ipc(O)
QT = -- =
Ipe(O)
r q . S.p,(x) dx
Integrando:
Por lo que:
1
W2
b
1+
24
Como: Lpb = J Tpb' D pb ,nos queda:
c.- Sabiendo que:
Sustituimos los resultados obtenidos anteriormente, y nos quedar:
1 1
1+ 1+
y como el parmetro fiF de define:
Deducimos que para conseguir altos valores de fiF habremos de obtener G:F
prximos a 1, por lo que podemos contestar:
. neo < < Pbo ( emisor mucho ms dopado que la base)
( anchura de la base mucho ms pequea que las

longitudes de difusin de los electrones en emisor
y de los huecos en base. )
-0000000-
25
5.- Se ha fabricado un transistor bipolar, del cual se conocen los siguien-

tes datos:
Concentracin de portadores minoritarios:
Coeficientes de difusin:
D pb = 25 cm 2js',
Tiempos de vida media:
Areas transversales:
Anchura de la base:
Determine:
a) Tipo del transistor.
b) Sus parmetros a R, a F
c) Sus parmetros lES' les
d) Corriente que circular por el colector, si se polariza en inverso con

una tensin de 2 V de la unin C - B Y por base se inyecta una corriente de
-1 J.lA
26
Solucin
a.- Los minoritarios en el emisor son los electrones, en base los huecos y
en el colector son los electrones. Se trata, pues, de un transistor:
PNP
b.- Efectuando el estudio de la estructura PNP en cuestin, se deduce
que:
1
1+
y
1
1+
Sabiendo, adems, que las longitudes de difusin de los minoritarios en el

emisor y el colector se pueden calcular a travs de las relaciones:
QR = 0,97
c.- Se puede deducir que las corrientes lES e les tienen por expresiones:
D pb . q . Se . Pbo Dne . q . neo' Se

lES = -
Wb ~e
e
D nc . q . Sc . nC o D pb . q . Sb . Pbo
les = -
~c Wb
27
lES = -0,40 nA
les = -0,411 nA
d.- Sabiendo que la corriente de colector en funcin de la de emisor se
puede escribir:
y que:
Podemos deducir que:
En la que:
QF
fJ F = -- = 99
1- QF
y como la unin colector base se encuentra polarizada en inverso, y,

suponiendo que la temperatura ambiente es de 300 0K, se puede escribir:
le = -99 jjA
28
PARAMETROSYZONASDETRABAJO
6.- Calcular, a partir de las ecuaciones de Ebers y MoIl, la tensin VEB

necesaria para situar al transistor en la zona de corte (lE = O) Y la unin C-B
en inversa y de valor elevado en los casos siguientes:
a) Para un PNP cuya a F = 0,9
b) Para un NPN cuya flF = 19
Solucin
La corriente de emisor se puede escribir:
a.- Para un PNP
les < O
b.- Para un NPN
les> O
Por el enunciado, los trminos D(CB) D(BC) valen -1 y la corriente

lE = O, luego:
= - aF
D(EB) = -aR les/lES
D(BE) = -a F en que: a F = flF j (fl F + 1)
As que para el PNP:
V EB = (KTjq) . Lo ( 1- a F )
29
V EB = -0,06 V
Para el NPN:
VBE = (KT/q). Ln (1- f3 F / (f3 F + 1
V BE = -0,0778 V
-0000000-
7.- Un transistor tiene una lE = 2 mA, Yuna le =

Calcular VEB YVe B Ydecir en qu zona de trabajo est.
Datos: Ileo I = 2 p.A; crF = 0,98;
Solucin
Como en el enunciado no se especifica el tipo de transistor, podemos

considerar dos casos:
a) Que el transistor sea PNP
b) Que sea NPN
a.- Sabemos que:
(1)
(2)
En las que leo e lEO son negativas.

30
Por enunciado Ic = O. De (1) y (2) podemos deducir:
VEB = 0,026 Ln ( 1 - 2.10- 3/(-1,6.10- 6 ) )
y
VCB = 0,026 Ln (1- 0,98.2.10- 3/(-2.10- 6) )
Calculando:
VEB = 180 mV
VCB = 179mV
Como las dos uniones se encuentran en directo, podemos decir que el

transistor se encuentra en la regin de saturacin.
b.- Siguiendo el mismo camino que en "a" y, considerando que en el NPN

lEO e Ico son ambas positivas, podemos deducir:
VBE = 0,026 Ln ( 1- 2.10- 3/1,6.10- 6 )

y
VBC = 0,026 Ln ( 1- 0,98 .2.10- 3/2.10- 6 )

31
A la vista de estas expresiones, vemos que, si lE > lEO y QF lE > leo,

tendramos que calcular el logaritmo de un nmero negativo y, sto, sabemos
que no es posible. De ello se deduce que el caso del enunciado no se puede dar
en un NPN.
-0000000-
8.- En un transistor NPN de parmetros:
QF = 0,98; QR = 0,5; leo = 20 p.A;
calcular las corrientes lE' lB' le> cuando V BE = 0,12 V Y V Be -1 V, a

0K
T = 300
Solucin
Las ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor NPN se pueden escribir:
le = QF les D(BE) - les D(BC)
A 300 K elfactor KT jq = 0,026 V, parlo que D(BC) = -1
Del teorema de la Reciprocidad podemos deducir:
Por lo que, sustituyendo valores y calculando, nos resulta:
lE = -2,019 mA
le = 2,003 mA
32
y recordando que:
Calculando:
-0000000-
9.- Un transistor PNP trabaja con uniones E-B y B-C polarizadas con
tensiones V BE Y V BC positivas y elevadas. Hallar las corrientes lE' lB' le,
sabiendo;
Ilcol = + 5 J.LA; llEOI = + 3,57 J.LA; QF = 0,98
Solucin
Las ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor PNP se pueden escribir:
lE = -lES D(EB) = QR les D(CB)
le = +QF lES D(EB) -les D(CB)
Como las uniones estn polarizadas en Inverso, y con valores elevados, se

cumplir:
(1)
(2)
Utilizando el teorema de la Reciprocidad, obtenemos:

33
y, por definicin:
les = leo /.( 1 - a R a F)
lES = lEO / ( 1 - aR a0
Como el transistor es PNP, los parmetros
les, lES' leo e lEO' Son negativos,
as que, sustituyendo, resulta:
les = -15,87 Jl-A
Sustituyendo, finalmente, en (1) y (2), Ycalculando, obtenemos:
le = -4,766 Jl-A
La corriente de base la calcularemos por:
Calculando:
Comentario
A la vista de los signos de las corrientes, podemos afirmar que las co-
rrientes de emisor y colector son salientes y la de base, entrante.
-0000000-
34
10.- Qu valor debe tener VeB en un transistor PNP, donde
QF = 0,9; QR = 0,7; Ileol = 0,1 mA
a la temperatura de 300 0K, para que la corriente de colector sea nula? Indi-
car las polarizaciones de las dos uniones.
Solucin
Podemos escribir:
Como le = 0, no quedan:
(1)
(2)
Recordando que los leo e leo son negativas, y que esta ltima se puede
escribir:
Podemos sustituir en (1) y (2) los valores correspondientes, y resulta:
V EB = 126,47 mV
VeB = 117,']jI, mV
Considerando que el transistor es PNP y a la vista de los resultados,

podemos decir que ambas uniones se encuentran directamente polarizadas, por
lo que el componente se encuentra en la zona de saturacin.
-0000000-
35
11.- En el montaje de la fig. 11.1 se efectan a la temperatura de 300 K

las siguientes medidas:
"a" en posicin 2, "b" abierto, lE = -4,382 roA;
"b" cerrado: le = 20,867 roA e lE = -21,076 roA
Calcular:
at,
b) La V EB necesaria nara situar al
transistor en zona de corte (lE = O),
con V eB grande e inversa.
fig. 11.1
Yo.,v
Solucin
a.- Del enunciado se deducen los circuitos de las figuras 11.2, 11.3;
IE=-4.382mA
....-
4--
le =20,86 mA
fig.11.2 fig.11.3
De la figura 11.2 se desprende que:
(1)
Despejando y sustituyendo:
lEO = 4,382 . 10-3 / D(0,2)
Calculando:
36
De la figura 11.3 se deduce:
(2)
e
(3)
De (2) se despeja:
lES = -r, / D(BE)
lES = 9,62 p.A
Dividiendo (3) entre (2), deducimos:
Recordando que por definicin:
Despejando crR, nos queda:

37
Sustituyendo los correspondientes valores y calculando, resulta:
Con los parmetros ya calculados, y aplicando el teorema de Reciprocidad,

se puede deducir:
Sustituyendo valores.y calculando, resulta:
les = 11,89 J.LA
e
leo = 2,475 J.LA
b.- Podemos escribir:
lE = - lES D(BE) + a R les D(BC)
Con D(BC) = -1 e lE = 0, podemos deducir:
VBE = (KT /q) . Ln ( 1- a R les/lEs)
Sustituyendo valores y calculando, deducimos que:
V BE = -0,119 V
-0000000-
38
12.- En un transistor se hacen las medidas indicadas en las figuras.
/IC/ = 1000/37 ;A
fig. 12.1 fig.12.2 fig.12.3
Calcular los valores de:
Solucin
De las figuras se desprende que las tensiones V l' V 2' V 3 polarizan en

inverso las correspondientes uniones. Suponiendo que las citadas son lo sufi-
cientemente grandes para considerar que los correspondientes trminos expo-
nenciales (D(V valgan -1, podemos deducir:
De la figura 12.1;
12.2; le = les = -1000/37 ;A
12.3; lE = lES = -7000/37.9 ;A
Sabemos que el teorema de Reciprocidad y que ( por definicin ) lEO se

pueden escribir:
e
39
De las que se puede deducir que:
Sustituyendo valores y calculando, obtenemos:
leo = -10 JJA
-0000000-
13.- A un trasistor NPN, a una temperatura tal que VT 0,015, se le han

realizado las medidas indicadas en las figuras 13.1 y 13.2.
Posteriormente, el componente citado se conecta segn se indica en el

circuito de la figura 13.3, de forma tal que VBE = 0,15 V.
15
20= Ve
lE =-1,3 mA
IB=O,025mA
fig.13.1 fig.13.2 fig. 13.3

40
Calcule:
a) La corriente de colector le
b) La tensin VeB
Solucin
a.- A la vista del circuito de la fig. 13.3, podemos suponer, en principio,
que D(BC) = -1, con lo que se puede escribir:
(1)
Luego, hemos de calcular f3 F , lB e leo. Veamos:
Observando el circuito de la figura 13.1 podemos formular:
Sabemos que:
Luego:
f3 F = 51
Viendo el circuito de la figura 13.2, podemos deducir:
le = leo = 8j.lA
41
Siguiendo la correspondiente malla del circuito de la fig, 13.3, se puede

escribir:
Luego:
Sustituyendo y calculando resulta:
Introduciendo los valores obtenidos en (1) y calculando, resulta:
IC = 2,966 mA
b.- Del circuito de la figura 13.3 se desprende que:
De donde:
V CB = 20 - 0,15 - 1,5 . 2,966
Calculando: V CB = + 15,401 V
Este resultado nos confirma el supuesto planteado en el apartado a.
-0000000-
42
EL TRANSISTOR EN CIRCUITOS SIMPLES
14.- Para el transistor de 1". figura 14.1, f3 = 49;
Ilcol = 5 jjA; VEB = 0,4 V; T = 300 K
- 20 v.
500 K 4K
fig. 14.1
Calcular en el circuito citado Ic YVCE
Solucin
El circuito de la figura 14.1 se puede dibujar segn se indica en la figura

14.2.
Re
Re
fig.14.2
43
Suponiendo que D(CB) = -1, se puede escribir:
(1)
y observando el circuito, se deduce:
(2)
Operando con (1) y (2) se obtiene:
VEB - Ve + leo (f3 F + 1). (RB + Re)
R B + Re (f3 F + 1)
le = - 1.552 mA
De la malla de salida se desprende:
(3)
Determinando lB por (1) resulta:
lB = -26,57 jJA
Sustituyendo en (3) y calculando, deducimos que:
VeE = -13,68 V
-0000000-
44
15.- A un transistor se le efectan, a la temperatura de 300 K las

medidas indicadas en las figuras 15.1 y 15.2.
Calcular:
A continuacin, se monta dicho transistor segn el circuito de la figura
15.3.
- l_JIE= -0,016mA
le =0,02mA
20V.
20 V.
1
le =0,216 mA
fig.15.1 fig.15.2
9V.= Ve
6V. = Va
fig. 15.3
Hallar 16 VCE Y VBE con el interruptor I abierto y VCE e Ic con

el interruptor cerrado, considerando en este caso VBE = + 0,125 V
45
Solucin
Observando la figura 15.2, se deduce que:
le = les = 0,02 roA

e
De donde:
De la figura 15.1 se desprende que:
y que:
(1)
En la que:
(2)
e
(3)
Introduciendo (2) Y(3) en (1) y despejando QF obtenemos:
(4)
46
0F = 0,98
y
f3 F = 49
Aplicando Reciprocidad, deducimos:
(5)
(6)
Introduciendo valores en (3), (5) y (6), Ycalculando, resulta:
leo = 4,32 .A
lES = 16,32 .A
lEO = 3,52 .A
b.- Considerando dos casos:
b.l.- Con el interruptor I abierto
b.2.- Con el interruptor I cerrado
b.l.- En este caso, el circuito a considerar ser el de la figura 15.4
VC=9
fig. 15.4
47
En este caso se cumplir:
D(BC) = -1,
Por lo que:
Introduciendo valores y calculando:
I C = 0,216 roA
De la malla de salida se desprende que:
V CE = 8,136 V
Para calcular V BE' podemos escribir
De donde se puede deducir:
Calculando resulta:
VBE = 67,22 mV
48
b.2.- En este caso, el circuito puede quedar (fig. 15.5)
le
ir- L......-......
B
E
Ve
fig. 15.5
Del citado, se puede deducir:
Sustituyendo y calculando, resulta:
lB = 35,606 .LA
Suponiendo que D(BC) = -1, se puede escribir:
Sustituyendo y calculando, obtenemos:
le = 1,96 mA
De la malla de salida, se deduce:

49
V CE = 1,16 V
Comprobemos el supuesto:
VCB = VCE - VBE = 1,16 - 0,125 = 1,035 V
Como resulta que VCB > > KT/ q = 0,026, el supuesto es correcto.
-0000000-
16.- Sabiendo que QF = 0,98 e Ilcol = 10 J1.A, calcular en el circuito de

la figura 16.1 las corrientes y tensiones del transistor. Tmese VEB = 0,6 V.
Re
200K
20V= Ve
fig. 16.1
Solucin
De la malla de base se puede deducir:
(1)
50
Suponiendo que D(BC) = -1, podemos escribir:
(2)
En la que:
Operando con (1) y (2) deducimos:
en la que leo < O
lB = -43,5 pA
Introduciendo este resultado en (2), y calculando:
le = -2,626 mA
La corriente lE la obtendremos por la relacin:
Calculando:
lE = 2,669 mA
Pasemos a continuacin a calcular las tensiones y a comprobar la veraci-

dad del supuesto utilizado.
De la malla de salida se puede deducir:
y del transistor:
51
VEC = 9,32 V
VCB = - 9,924 V
Con este ltimo resultado, queda comprobada la certeza de! supuesto.
-0000000-
17.- En la figura 17.1 e! transistor trabaja con VCE -4 V Y las curvas

de salida se dan en la figura 17.2.
Sabiendo que Ilcol = 2,1 J.LA, llEOI = 1,5 J.LA, T = 300 K

Calcular:
a) Las corrientes lE' lB' Ic
b) Los valores de,8, QF Y QR
e) El valor de VEB y zona en que est funcionando el transistor.
-Ic(mA)
5 IS=-SOpA
VCC=12V.
4 1s= - 40pA
J IS=-JOpA
2 IS=-20JJA
1 IS=-10JJA
2 4 6
fig.17.1 fig.17.2
52
Solucin
a.- El circuito de salida de la figura 17.1 se puede dibujar segn el de la

figura 17.3.
4---
le
1
Tv cc
fig. 17.3
Del citado se desprende que:
le = -2 mA
Con el valor calculado de le, Y con el dato conocido de VCE' vamos a la

grfica de la fig. 17.2 Y procedemos segn se indica en la fig. 17.4, Y determi-
namos la corriente de base.
lB = -20 J1.A
-le
2 .... - :;..;:.--_.,.--- 18 =- 2 o ~ A
+
-VeE
fig.17.4
53
La corriente por el emisor la determinamos por la relacin:
lE = 2,02 mA
b.- Sabemos que la corriente de colector se puede escribir en funcin de

la de base, por la ecuacin:
(1)
Como la umon emisor-base se encuentra polarizada en directo ( suponga-

mos que en ella caen 0,6 V ), podemos aproximar:
Tensin suficiente para que el trmino D(CB) -1. As que, despejando de

(1) f3 F , obtenemos:
f3 F = (le - leo) / ( lB + leo)
Considerando que el transistor es un PNP, sustituimos valores:
f3 F = [ -2 . 10- 3 - ( -2,1 . 10- 5 )l![ -20 . 10- 5 + ( -2,1 . 10- 5 ) ]
Calculando:
f3 F = 90,59
QF lo calculamos por la relacin:

54
QF = 0,989
Aplicando el teorema de Reciprocidad, podemos deducir :iR:
c.- Segn Ebers-Moll, la corriente de emisor para un PNP se puede es-

cribir:
De la cual se deduce:
VEB = 156 mV
Luego, como la unin E-B est polarizada en directo, y la e-B en inverso,

podemos decir que el transistor se encuentra trabajando en zona activa.
-0000000-
55
EL TRANSISTOR EN CIRCUITOS CON OTROS COMPONENTES
18.- Se han conectado: un transistor bipolar, 5 resistores, dos condensado-

res y dar bateras, tal y como se muestra en la fig. 18.1. Del transistor se
conocen las curvas caractersticas de entrada y de salida, sobre las que se han
trazado las correspondientes rectas de carga estticas del circuito.
e e
T
2R
E
c(mA)
20
-
~~....-- JO ~
...-
fig 18.1 ......-
16
/ L.- 20
-..-
I B =(~A) [\~ L- ...... ...- ...-
50
r--. 12 r> i> v

l\.
- ...- .2:.. 1-
l-
- 1/
40 ........
t----....: \. 10 l-
o "--
-- -- k
r-..........
............ 8
..- ..- K
...- ..--
-- r\ ...- 5=IB(~)
..... 11
--; r--....... ...-
20 ............ ..... .......... ./" '\
N
10
1'-00.....
~ ..... 1
-- r-..........
.............,....,J ..........
4
11
f7
.-
1\.
\.
-
o J r-i,
o f'\
0,2 0,4 6 8
Se pide:
a) Tipo de transistor utilizado. Razone la contestacin.
b) Valor de las resistencias R y de la pila V2

56
c) Valor de la resistencia R B
d) Calcule la ganancia esttica de corriente hF E y la tensin VCE ' para

los casos en que las rectas de carga, sobre las caractersticas de entrada, sean
las indicadas con los nmeros 1 y 4. Razone los clculos.
Solucin
a.- De las grficas deducimos que las tensiones VCE' VBE Y las corrien-
tes lB e I c son positivas, por lo que las caractersticas de entrada y salida
pertenecen a un transistor:
NPN
b.- En esttica, el circuito de salida de la fig. 18.1 se puede reducir a la

figura 18.2
2R
fig.18.2
De la citada, se puede deducir la ecuacin de la recta de carga:
Cuyos cortes con los ejes sern:
Para t, = O; VCE = Vz
Para VCE = O; Ic = Vz/3R

57
Como en la grfica de salida nos dan trazada la recta de carga, no tene-

mos ms que identificar los citados cortes con los ejes, y resultar:
V 2 = 10 V
R = 10/ (16 . 3) = 208,3 ohmios
c.- El circuito de entrada de la figura 18.1 se puede dibujar segn la
figura 18.3.
-
1-
lB
0 B
r' ----jc=}---o E
Re
fig. 18.3
La ecuacin del citado ser:
Para trazar la recta de carga de entrada, buscamos los cortes con los
ejes. As:
Para lB = O; Vi = VBE
Para VBE = O; lB = V dRB
Al observar la caracterstica de entrada, vemos que todas las rectas de

carga son paralelas, de lo que se deduce que la R B constante, por lo que,
centrndonos en una de ellas, (por ejemplo en la 1 ), e identificando los
valores de los cortes, obtenemos:
Vi = 0,75 V,
y
RB = V l/lB = 0,75/20 = 37,5 KO
58
d.- Recordamos que la ganancia esttica de corriente en emisor comn

hFE vale:
(1)
Luego, de las condiciones del enunciado, y a travs de las grficas,

tenemos que determinar el punto de funcionamiento P ( lcola ). Para ello,
le
fig 18.4 fig 18.5
nos vamos a la caracterstica de entrada, y determinamos el punto P en el

corte de la recta N con la curva.(fig. 18.4). As deducimos la corriente lap.
Nos vamos a las curvas de salida y buscamos la caracterstica de salida que
corresponde al valor de corriente de base lap.(fig. 18.5). Del corte de la curva
mencionada con la recta de carga, deducimos la corriente de colector Icp que
corresponde al punto de funcionamiento.
A continuacin utilizamos la expresin (1), y resultar:
Para N = 1; hFE1 = 6,1~ mA 15 J1.A = 1230
y
Para N = 4: hFE4 = 14 mA 130 J1.A = 466
-0000000-
59
19.- Se tiene el circuito de la figura 19.1
V2 = O,2 V.
fig.19.1
Las caractersticas de los diodos son las de la figura 19.2
Vz =6,2 V.
VRM = SOY. V, = 0,6
fig.19.2
Las ecuaciones de Ebers-Moll del transistor T son:
(Amp)
Calcular la corriente 1
Solucin
A la vista del circuito de la figura 19.1, y de las caractersticas de los

diodos de la fig. 19.2 deducimos que la corriente a travs de D 2 y D 3 es cero,
por serlo la corriente inversa de saturacin del diodo D 2 Por ello podemos
dibujar el circuito de la figura 19.3.
60
o,
v, R
~---------L---oE
fig. 19.3
Del cual se deduce que la tensin VBE vale:
VBE = 7 - 0,6 - 6,2 = 0,2 V
Por otro lado, podemos calcular la tensin entre la base y el colector:
Que, sustituyendo valores, nos queda:
Con estos resultados obtenidos, las ecuaciones de Ebers-Moll nos queda-

rn:
lE = -10- 6 (eO,2/0,02 - 1)
e
le = -9. 10- 7 ( e0,2/0,02 - 1)
61
Y, como se ha de cumplir que:
lE + le + lB = O, en que lB = I,
nos queda:
Que, sustituyendo valores y calculando, nos queda:
1= 2,20mA
-0000000-
20.- Se tienen 4 transistores bipolares idnticos conectados segn se

indica en el circuito de la figura 20.1.
11 =1mA.
4--
R 1 =10 K
la
---.
- le
T2
T]
T1
Va = 20V.
R2
flE
Ve =20V.
fig.20.1
62
Las ecuaciones de Ebers-Moll, vlidas para cada uno de los transistores,

son:
le = 0,9 lES (e VBdO,026 - 1) - 10- 5 (e V e/O,026 - 1) (A)
Se pide:
a) Los parmetros 0R' 0F' les, lES de los transistores.
b) Las corrientes lE' le e lB' del transistor T r-
e) La resistencia R z
d) La tensin V BE del T 4
e) La tensin V BE del T 3
f) La tensin VeE del T 1
Solucin
a.- Literalmente, las ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor NPN se

pueden escribir:
lE = -lES D(BE) + 0R les D(BC)
le = 0F lES D(BE) - les D(BC)
Identificndolas con las dadas en el enunciado, se puede deducir:
0R les = 7 . 10- 6 de la que:

63
Aplicando el teorema de Reciprocidad:
Deducimos:
lES = 7.10- 6 /0,9 = (7/9) . 10- 5 A
y
b.- Para poder calcular las corrientes en el T l' hemos de conocer las
tensiones en las uniones. ( YBE YBC ).
El circuito de entrada del T 1 se puede dibujar segn la fig. 20.2.
fig 20.2
Del citado se deduce:
YBE = -10 Y
64
A la vista de este resultado, deducimos que el trmino exponencial D(BE)

vale:
D(BE) = -1
Para determinar la tensin VBC' podemos reducir el circuito de la figura

20.1 al de la fig. 20.3.
le
..--
e
B
TI
f
Ve =20V.
fig.20.3
Observando las polarizaciones, vemos que la corriente entrar por el

colector del T 1. Por otro lado, como las uniones BE del T 3 Y T 4 quedan pola-
rizadas en directo, supongamos que "cae" en cada una de ellas 0,6 V. Ante este
supuesto, la tensin VBC valdr aproximadamente:
Al sustituir valores y calcular, resulta:
V BC = -28,8 V
Resultado que nos dice que el trmino exponencial D(BC) valdr:
D(BC) = -1
65
Con las deducciones anteriores, las ecuaciones de Ebers-Moll se reducen

a:
e
le = 3J.lA
Recordando que:
Deducimos que la corriente de base lB vale:
lB = -3,7 J.lA
A la vista de los signos, podemos decir que, tanto la le como la lE' son
corrientes entrantes, mientras que la lB es saliente
c.- Con los resultados obtenidos y observando la figura 20.1, podemos

dibujar la figura 20.4.
<>--------<> B
10
-----'--------<> E
fig.20.4
66
De esta figura se deduce que:
y
R z = VEB /IRZ
R z = 10037 ohmios
d.- Como el T 4 tiene el colector y la base cortocicuitados, su ecuacin

de Ebers-Moll para la lE ser:
I = -lES D(BE)
De donde deducimos:
V BE = 8,48 mV
e.- Como el colector de T 3 se encuentra en circuito abierto, la corriente

del mencionado terminal ser cero. As podemos escribir:
o= Cl:F lES D(BE) - les D(BC)
Operando, deducimos:
67
VBE = 18,56 mV
f.- La tensin VCE' la podemos determinar de la ecuacin:
VCE = 19,97 V
-0000000-
21.- En el circuito de la figura 21.1, el microampermetro es ideal

(Re =O) v "'''''ca +90 nanoamperios.
le T1
Re IDEAL
lB
1K
+
1nF
2 V. =V,
fig. 21.1
Las ecuaciones de Ebers-Moll del transistor T 1 son:

68
Calcule, en las condiciones del circuito de la figura, la tensin entre el

colector y la base del T i-
Solucin
Como entre el emisor y la base tenemos colocado un microampermetro,

cuya resistencia interna, es cero, toda la corriente del emisor pasar por el
mencionado aparato y, por lo tanto, podemos quitar todos los componentes
conectados entre el emisor y la base.
Por otro lado, refirindonos al circuito entre la base y el colector, vemos

que el diodo zener presenta un codo inverso a una tensin de 8 V y, como la
tensin de la pila es de 2 V, se encuentra polarizado en inverso, pero no en su
codo. Como suponemos que su 15 = 0, a travs de l no circular corriente,
como tampoco lo har a travs del condensador, por ser ideal y encontrarnos
en rgimen estacionario:
Con lo comentado anteriormente, el circuito de la figura 21.1, quedar

reducido al de la figura 21.2
M B
Re=O
VI 2 V.
fig.21.2
De este ltimo, vemos que la unin C-B est polarizada en inverso.
Supongamos, en principio, que esta polarizacin es suficientemente grande

para poder afirmar que:
D(BC) = -1
Como VBE = 0, podemos escribir:
le = 9/8.10- 7 (1)
69
Luego la tensin entre el colector y la base se podr escribir:
Este resultado nos confirma que D(BC) -1, por lo que el supuesto
realizado es correcto.
-0000000-
22.- Se tiene un transistor bipolar formando parte de un circuito como el

de la figura 22.1
01
e, DIODOS: D, =02
----+-
+ 15 = 3,9)JA
V1 T = 300 0K
RS = 100K Re =IOOK
VS S = 10 V. Vee = 10 V.
fig.22.1
Sobre el circuito se realizan las siguientes operaciones y medidas:
1.- Se cierra el interruptor Cl' se abren el C z y el C 3 , y se obtiene que

la corriente de emisor es de 10 microamperios y la de colector es de -9,1
microamperios.
2.- Se cierran los interruptores Cz y C 3 ' se abre el C l y se mide que la

corriente de colector es de 13 microamperios.
70
Determinar:
a) Los parmetros QR y QF del transistor.
b) Las corrientes de saturacin Ico YlEO del transistor.
e) Con los interruptores C 1 y C2 abiertos, y el C 3 cerrado:
Calcular;
c1.- Las corrientes 11 e 12 , tal y como estn indicadas en la figura 22.1.
c2.- Las tensiones V 1 en cada diodo, y la V CE' as como la V BE en el

transistor, teniendo en cuenta lo especificado en el apartado c.
Solucin
a.- Efectuando la operacin "1", nos queda el circuito de la figura 22.2.
Re
i
fig.22.2
A la vista de ste, deducimos que la unin colector-base est cortocicuitada, y
la de emisor-base en inverso, y de valor:
Lo cual hace que:
D(BE) = -1
De lo anterior se deduce que:
y que:
71
De donde se deduce:
QF = 0,91
Al realizar lo indicado en la operacin "2", nos resultar el circuito de la

fig.22.3.
fig.22.3
De l se deduce que los diodos D 1 y D 2 se encuentran polarizados en

directo, por lo que:
Sustituyendo valores y suponiendo que en cada diodo "caiga" aproximada-

mente 0,6 V, obtendremos:
VCB = 7,1 V
Tensin lo suficientemente grande para que:
D(BC) = -1
Como la unin base-emisor est en cortocircuito, la corriente que circula

por el colector ser:
Aplicando el teorema de Reciprocidad, obtenemos:

72
b.- Sabemos que, conocidos los parmetros o. y las corrientes inversas de

saturacin lES e les, podemos calcular los parmetros lEO e leo a travs de
sus expresiones:
lEO = 3,63 J.'A
leo = 4,719 J.'A
c.- Segn lo indicado en este apartado, podemos dibujar el circuito de la

figura 22.4
Ra
Vea
fig.22.4
73
cl.- SuponKamos que ambas uniones se encuentran polarizadas y con

valores de tensin suficientemente grandes para que se cumpla:
D(BE) = -1 Y D(BC) = -1
En este supuesto, las corrientes de colector y de emisor valdrn:
Con estos valores, comprobemos si el supuesto es correcto:
VBE = -V BB - R B lB = -10 + 0,48 = -9,52 V

y
Resultados que confirman ampliamente el supuesto.

Para concluir, afirmaremos que:
c2.- La tensin VBE ser la calculada en el apartado anterior, es decir:
V BE = -9,52 V
74
Como sabemos la corriente que circula por los diodos, podemos calcular la
tensin que "cae" en cada uno. As:
IC = Is D(V 1~
V1 = (KT/q). Ln (Icfls + 1)
V1 = 18mV
Finalmente, la tensin VCE la calcularemos:
Calculando:
V CE = 9,592 V
-0000000-
23.- Se han conectado diversos componentes electrnicos tal y como se

muestra en el circuito de la fig. 23.1
DATOS
R1 = 14,58 .n.
e = l}JF(IDEAL)
Va = 12 v.
fig.23.1
75
Los transistores son idnticos y se sabe que, cuando se deja el colector

en circuito abierto, y se polariza en inverso la unin base-emisor, la corriente
que circula por el emisor es de 10,1 ;.A. Cuando se polariza en inverso la unin
colector-base, y se deja en circuito abierto el emisor, la corriente de colector
es de 12 ;.A. Por otro lado, cortocicuitando el colector y la base, se ha obte-
nido que la corriente de base es de lB = 10 ;.A, Y la del colector es de
le = 1 mA.
El diodo zener es de 8 voltios y la carga que adquiere el condensador, en
rgimen estacionario, es de Q = 2,792 ;.C, sabiendo que la temperatura ambiente
es de 300 0K.
Se pide:
a) Las ganancias estticas de corriente G:F y G:R .
b) La tensin V 1
e) El valor de R 3
d) La corrirnte I z
Solucin
a.- Del enunciado deducimos:
lEO = 10,1 ;.A
leo = 12 ;.A
Como sabemos que:
Despejamos (XF:
G: F = (3F / (3F + 1 ) = lOO / 101 = 0,99
Por el teorema de Reciprocidad, tenemos:

76
De donde:
b.- La tensin en el colector del T 1 valdr:
VCl = Va - V b = 12 - 9 = 3V
Como la umon base-emisor est cortocicuitada, supongamos en principio
que la unin colector-base est en inverso y con una tensin suficientemente
grande.
En este supuesto, la corriente que circular por el colector ser:
I C = Ics = Ico 1 ( 1 - QF QR) = 68,57 I-'A
y sta, a su vez, circular por R l , por lo que podremos escribir:
Como VCB = VCl - Vi 3 - 0,001 > > 0,026 , la suposicin es correcta, y

el resultado de V1 es vlido.
c.- Como conocemos la capacidad del condensador e y su carga, podemos

calcular su tensin en bornas.
Vc = Q 1C = 2,792/1 = 2,972 V
VBE = ( Va - Vb ) - Ve = 3 - 2,792 = 0,208 V
y podemos escribir:
Supongamos que la umon base-colector est polarizada en inverso (se

deduce prcticamente a la vista del circuito) y nos quedar:
77
lE = -172 mA
Como por el condensador ideal no se fuga corriente, podemos escribir:
R3 Ve / r, = 2,792/172 16,23 ohmios
= =
d.- Por la ecuaciones de Ebers-Moll podemos calcular le:
le = 0F lES D(BE) - les D(Be) = 170,31 mA
A la vista del circuito dado, podemos dibujar la figura 23.2.
Vp
J) le
fig.23.2
De ella, suponiendo el zener en el codo, deducimos:
I z = 4,36 mA
Resultado que nos confirma que todas las suposiciones anteriores son
veraces.
78
INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA
EN PARAMETROS CORRIENTES
24.- Estudie el comportamiento con la temperatura de los diferentes

parmetros que intervienen en las ecuaciones de Ebers-Moll de un transistor
NPN de Si.
Solucin
Las ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor bipolar NPN, son:
lE = -lES D(BE) + QR les D(BC) (1)
le = + QF lES D(BE) - les D(BC) (2)
En las que:
D nb . q . Sb . nbo D p e . q . P eo Se
lES = + (3)
Wb Lp e
Dnb . q . Sb . nbo Dp c . q . Sc . P co
les = + (4)
Wb Lp c
1
QF = - - - - - - - - - (5)
1+
79
1
(6)
1+
D(V) = e q V / KT _1
Adems, sabemos que:
(7) K 1 = cte
(8) K 2 = cte
(9) K3 = cte
(10) K4 = cte
y que las concentraciones de minoritarios, en el margen de temperatura

de normal funcionamiento, se puede escribir:
(11)
(12)
Combinando convenientemente las 12 expresiones, podemos obtener la

relacin de los diferentes parmetros trminos con la temperatura en el
margen de funcionamiento ms usual.
a.- Dependencia de las corrientes IEs.-JL1cs.- A la vista de sus expresio-

nes, podemos decir que son corrientes inversas de saturacin, Por esta razn,
su dependencia con la temperatura se obtuvo en el ejercicio 47 del captulo
anterior, as podremos escribir:
(13)
e
1ES(T) - 1 (T) (T2 /T)3

2 - ES 1 1 .
e-(EGO/K) (l/T 2 - liT 1) (14)
80
Lo mismo podramos decir para la les'
b.- Dependencia de las ganancias ClR---Y.-QF'- Introduciendo las expresiones

10,9,8,7 convenientemente en la 5 y la 6, y operando, nos queda:
(15) con K5 = cte
(16) con K6 = cte
K6 > K5
Teniendo en cuenta que los tminos K5 . TO' 65 Y K6 TO' 65 son, en

general, mucho ms pequeos que la unidad, vemos que ClF y ClR decrecern le-
vemente con el aumento de la temperatura. Esto se puede apreciar numrica-
mente con el siguiente ejemplo:
Tomando K5 = 4,95 . 10- 4, nos resulta;
ClF (300 K) = 0,98
ClF ( 350 K) = 0,978
ClF ( 400 K) = 0,976
c.- Dependencia del trmino D(V): Podemos considerar dos casos:
al Con polarizacin inversa

b I Con polarizacin directa
al En este supuesto, se puede considerar que en la mayora de los casos

es independiente de la temperatura, y tomar el valor de-1.
bl Con polarizacin directa, la dependencia de D(V) es funcin del valor

de la tensin de polarizacin. Este estudio se realiz en el apartado "b" del
ejercicio 47, del captulo anterior.
81
En general, diremos que decrece con T, y este decrecimiento es tanto

mayor cuanto mayor sea la polarizacin. As, por ejemplo, para V = 0,5, re-
sulta:
D( 250 K) = 1010
D( 300 K) = 2,5 . 108
D( 350 K) = 1,57 . 107
-0000000-
25.- Un transistor bipolar de Si presenta, a 300 0K, los siguientes par-

metros:
lES = 1 nA; les = 1125 nA
El componente se conecta segn se indica en los circuitos 25.1, 25.2 Y

25.3.
Re=l.n.
Ve -= zc
2V. Ve
fig.25.1 fig.25.2 fig.25.3
Calcule la corriente que circular por el emisor en los tres circuitos y a

las temperaturas de 300 K Y350 0K.
82
Solucin
Consideremos tres casos, en funcin del circuito:
a.- A la vista del circuito de la figura 25.1, podemos decir que:
Que, a T 1 = 300 01(, valdr:
Conocida la lES a 300 01(, podemos calcularla a 350 01(, mediante la

expresin deducida en el ejercicio anterior:
Calculando, resulta:
b.- Observando el circuito de la fig. 25.2, deducimos que:
En que:
Por lo que hemos de calcular eJR. A 300 K podemos escribir:

83
Utilizando las expresiones (15) y (16) del ejercicio anterior, calculemos los
valores de las constantes K5 y K6 .
Despejando y calculando, resulta:
K 5 = 2,478 . 10- 4
K 6 = 3.346 . 10- 3
Ya estamos en condiciones de calcular el producto ~ crF a 300 y 350 0K.

As resulta:
a R a F ( 350 K) = 0,869 . 0,9889 = 0,8593
Utilizando los resultados obtenidos de la lES en el apartado anterior y

operando, nos resulta:
lEO ( 300 K) = 0,1288 nA
lEO ( 350 K) = 0,1632 J.lA
c.- A la vista del circuito de la figura 25.3, podemos suponer que la unin
B-C colector se encuentra inversamente polarizado, por lo que el trmino
D(BC) = -1.
84
As, podemos escribir:
IE = - IES (.eq VBE / KT - 1 ) - QR Ies (1)
Calculemos la corriente les a la temperatura de 350 0K, segn la expre-

sin:
les (350 K) = 1,125 .(350/300)3 e13863 (1/350 - 1/300) (nA)
Calculando resulta:
les (350 K) = 1,315 J-lA
Como el resto de parmetros que intervienen en (1), ya los hemos calcu-

lado a 300 y 350 0K, sustituirnos sus valores en la citada y, calculando, resulta:
lE ( 300 K) = -224,81 mA
lE (350 K) = -16,71 A
Utilizando estos resultados, comprobamos que el supuesto de que D(V) = -1

es correcto.
-0000000-
85
MODELOS O CIRCUITOS EQUIVALENTES BASICOS
26.- Conociendo literalmente las ecuaciones de Ebers-Moll, opere con ellas

y obtenga el modelo id~alizado de dos diodos. Particularice ste para las regio-
nes activa de corte, y la de saturacin. Suponga que el transistor es un NPN
Solucin
Sabemos que, para un transistor NPN, las corrientes inversas de satura-

cin son todas positivas, y se puede escribir:
le = + QF lES D(BE) - les D(BC)
Que podemos llamar por analoga con la expresin de la corriente de un

diodo:
v
1
O~---~--1N----O
---.
e 15
IR = les D(BC) 1= Is D(V)
Con lo que las ecuaciones de Ebers-Moll quedarn:
y la corriente de base valdr:

86
Luego, recordando que el transistor tiene tres terminales, e interpretando

estas ecuaciones, podemos dibujar el modelo indicado en la figura 26.1
IF IR
....- --.
E
lES les e
-----.
lE
lB
- - Ic
O<R IR ocF IF
fig.26.1
Veamos cmo queda el modelo en las diferentes zonas de funcionamiento:
a.- En la zona activa, la unin emisor-base se encuentra polarizada en

directo, y la colector-base en inverso. As que:
IF = +lES D(BE);
Con lo que el modelo quedara:
E Ics e
..--
Ic
()(R IcS
fig.26.2
87
b.- En la regin de corte, ambas uniones se encuentran en inverso. Su-

pongamos que el valor sea suficientemente grande para que los trminos expo-
nenciales valgan -1. En este supuesto:
IR= -les
Con lo que el modelo quedar:
r----; - 1------, r----1 . - r------,
les
E e
L..-.-----i _ }-_ _---'
O<R les
fig.26.3
c.-En la regin de saturacin ambas uniones se encuentran en directo, y

el circuito equivalente ser el de la figura 26.1.
Comentarios:
1- En la regin activa ( en un NPN), las corrientes de colector y de base

son entrantes, y la emisor, saliente.
2- En el corte y ( en un NPN), las corrientes de colector y emisor, son

entrantes, y la de base, saliente.
3- En la zona de saturacin, las corrientes de emisor y de colector son

salientes, y la de base, entrante.
-0000000-
88
27.- Un circuito equivalente de un transistor bipolar en baja frecuencia,

puede ser el de la figura 27.1
hie _ ic e
hoe
fig. 27.1
Obtenga el significado fsico de cada uno de los parmetros.
Solucin
El modelo presentado viene en funcin de los parmetros "h" en emisor

comn. Veamos cmo podemos calcular los citados.
Cortocicuitando la salida (V ce = O) nos queda la figura 27.2.

ib
--+ _ ic e
b
hfeib
e e
fig.27.2
De l se desprende que:
(1)
(2)
89
De (1) se desprende que "hre" representa la GANANCIA de corriente en

directo (f) y en emisor comn (e) cuando la salida se encuentra en cortocir-
cuito.
Dejando en circuito abierto la base, y atacando la salida con un genera-

dor de tensin, obtenemos el circuito de la fig. 27.3
b e
hre Vce hoe
fig.27.3
A la vista de la cual, se deduce:
(3)
(4)
De (3) se puede interpretar que "hre" es la GANANCIA de tensin en

inverso (subndice "r") y en emisor comn (subndice "e") cuando la entrada se
encuentra en circuito abierto.
De (4) se deduce que "ho e " representa la admitancia de salida (o) y en

emisor comn (e) cuando la entrada se encuentra en circuito abierto.
-0000000-
90
28.- El modelo hbrido en p de Giacoletto de un transistor es el de la

figura 28.1. Defina cada uno de los elementos que lo integran.
1I
11
b rbb b' r b'c

e
r b'e === cb'e
+ gm. Vb'c rce
~
e
fig.28.1
Solucin
El punto b' representa la base interna del dispositivo, no siendo accesible.
rbb'.- Es la resistencia lateral de base, la existente entre el terminal

externo de base y el punto "ficticio" de la citada.
rb'e.- Es la resistencia de difusin entre la base ficticia y el emisor. Con

ella se refleja la corriente de recombinacin en base, como conse-
cuencia del exceso de minoritarios en ella.
Cb'e.- Es la capacidad equivalente entre la base y el emisor. Si la umon

se encuentra polarizada en directo, representa su capacidad de
difusin.
Cb'c.- Es la capacidad entre colector y base. Cuando esta umon se en-

cuentre inversamente polarizada, representa su capacidad de transi-
cin.
rb'c.- Es la resistencia equivalente entre el colector y la base. En ella se

tienen en cuenta los efectos de modulacin de la anchura de base
(efecto Early).
91
rce.- Representa la resistencia equivalente entre el colector y el emisor y

que, asmismo, tiene presente el efecto Early.
&ill.- Transconductancia en directo con la salida cortocicuitada. Fsica-

mente, nos indica que los electrones que inyectamos en base y que
llegan al colector, dependen de la tensin entre la base y el emisor.
-0000000-
29.- Uno de los modelos de transistores ms utilizado en alta frecuencia

es el hbrido de los parmetros "Y", que se dibuja en la figura 29.1.
ib _ ic e
b ---.
Yie
fig.29.1
Determine el significado fsico de los diversos parmetros.
Solucin
El modelo presentado se encuentra en la configuracin de emisor comn,

por lo que tomaremos como entrada la base y como salida el colector.
Cortocicuitando la salida y atacando la entrada con un generador de

tensin, tendremos el circuito de la figura 29.2.
92
b ib e ic
Yie
e
fig.29.2
De l se deduce que:
para (1)
para (2)
De (1) se desprende que 'v.:

representa la admitancia (y) de entrada (1)
yen emisor comn (e) con la salida en cortocicuito.
De (2) deducimos que "Yfe" se puede interpretar como una transadmitancia

en directo (f) y en emisor comn (e) con la salida en corto.
Si cortocicuitamos la entrada y atacamos por la salida con un generador

de tensin, se puede obtener el circuito de la figura 29.3.
ib ic
b --+ e .--
Yoe
fig.29.3
93
De este ltimo se desprende que:
(3)
(4)
De (3) se puede interpretar que "Yre" representa la transadmitancia (y) en
inverso (r), en emisor comn (e) con la entrada en corto.
De (4) se deduce que "Yoe" es la admitancia de salida (o) en emisor

comn (e) con la entrada cortocicuitada.
-0000000-
94
ELECCION DEL TRANSISTOR OPTIMO
30.- Uno de los cuatro transistores cuyas concentraciones de minoritarios

se indican a continuacin, debe ser empleado como amplificador. Indicar el ms
adecuado, razonando la respuesta.
Transistor A
Transistor B
Pea = 105 cm- 3
w s s t,
Transistor e
Pea = 108 cm- 3 Pea = 106 cm- 3
w e e t,
Transistor D
Solucin
El "A" Y el "B" tienen la W > > ~, por lo que no ofrecern efecto tran-
sistor, ya que los mayoritarios que se inyecten desde el emisor a la base, se
recombinarn en sta, y no alcanzarn el colector.
95
Tanto el "C" como el "D" cumplen la condicin de que la anchura de base

sea mucho ms pequea que la longitud de difusin de minoritarios en ella.
Observemos los dopados: El "C" tiene menos dopado el emisor que el "D", 10
cual representa una ventaja para ste ltimo. Sin embargo, el "C" tiene la base
ms dopada que el "D", 10 que es una nueva ventaja en favor del "D". Uniendo
estas dos comparaciones, deducimos que el parmetro Q.F es superior en el "D"
que en el "C" y, por tanto, tambin 10 ser el f3 F Si tenemos en cuenta ade-
ms que las concentraciones de minoritarios en los colectores son muy pareci-
das, podemos afirmar que el transistor ms apropiado es el "D", Y es del tipo
PNP.
-0000000-
31.- Para ser utilizado en un circuito electrnico (figura 31.1) es necesa-

rio seleccionar un transistor bipolar que cumpla las siguientes especificaciones:
-----. C
B
CIRCUITO 1
ELECTRONICO 1"'"
12
-----. E
fig.31.1
12 < O
E 2 .- IVcal = 30 V
E 4 .- Temperatura ambiente = 25 "C
E s.- Estar polarizado en activa.

96
Se dispone de los transistores indicados en la tabla 31.1
VALORES MAXIMOS
TRANSISTOR TIPO VCEO(V) VCBO(V) Pt(W) hFE fT(MHZ)
BC174 NPN 64 70 0,3 250
BC414 NPN 45 0,24 850 300
BC556 PNP 65 0,5 250 150
BD 135 NPN 45 45 6,5
BD242 PNP 45 40 3
tabla 31.1
Seleccione el transistor idneo.
Solucin
Como 11 > O e 12 < O, (sale por el emisor), estando polarizado en zona

activa, deducimos que el transistor ha de ser NPN.
La potencia que ha de poder disipar es de:
P D "" VCB . Ic = 30 . 0,2 = 6 W
A la vista de este dato, y de las caractersticas de los componentes

disponibles, NPN, vemos que slo el BD 135 cumple la potencia seguida. Vemos,
adems que cumple las especificaciones respecto de las tensiones en las unio-
nes, por lo que podemos afirmar que el ms idneo para la mencionada aplica-
cin ser:
BD 135
-0000000-
97
32.- El transistor 2 N 4289, presenta la grfica de la figura 32.1.
P t ot
(mW)
220
I
I
I
I
I
100 - - - - -1- - - - -
I
J
I
I
I
I
0-+------1------+------....3'--_ _- .
40 100 T (.!oC) o
fig.32.1
Calcule:
a) Temperatura mxime de la unin.
b) Resistencia trmica entre la unin y el ambiente.
e) Potencia que puede disipar a una temperatura de 120 oc.
d) Temperatura de la unin, si la disipacin en el colector es de 140 mW.
Solucin
a.- La ecuacin de la recta de deswataje, se puede escribir:
220 - 100
= m = = -2 (mwOc)
T a - Tao 40 - 100
de donde:
(1)
98
La temperatura mxima de la unin ( T a T j mx ), se producir para el

punto en el que la Potencia a disipar sea cero.
As pues:
b.- Podemos escribir:
(2)
Despejando y tomando datos de la curva de deswataje:
Qja = 500 C/W
c.- Aplicando la ecuacin (1) del apartado a, tenemos:
P( 120 OC) = -2.120 + 300 = 60 mW
d.- Aplicando la ley de Ohm Trmica (2) y sustituyendo valores, tenemos:
Luego, suponiendo que la temperatura ambiente fuese de 25 "C, tendra-

mos:
-0000000-
99
33.- Se tiene un transistor bipolar conectado tal y como se indica en la

figura 33.1.
IVBB= 3V.
-r- "7
fig.33.1
Se sabe que el transistor es de Ge, que la 8 ja = 200 C/W, y que la

leo = 1 jJA a 20 oc.
Se pide:
a) La corriente de colector en el punto en que se produzca el escape

trmico.
b) Calcular la temperatura ambiente a la que se produce el escape.
nota: para su resolucin suponga QF --> 1
Solucin
a.- La condicin para que no se produzca escape trmico, sabemos que se

puede poner:
1
~--=-- (1)
Por lo que hemos de calcular la potencia total (P T) que se disipa en el

transistor. Esta se puede escribir:
100
Siendo
IPeal = Il e, Vea I
IPaEI = IIE, VaEI
Por lo tanto, calcularemos le e lE' A la vista del circuito y datos,
podemos afirmar que ambas uniones del transistor se encuentran polarizadas en
inverso, por lo que:
(2)
(3)
Que se puede escribir:
Como ct F ... 1, podemos aproximar a:
Por lo que:
Por lo que podemos dibujar el circuito de la figura 33.2

101
Re
Vee
fig.33.2
De donde:
QUf>. sustituyendo v.do-e., nos da:
Por lo tanto, podernos escribir que:
PT = (VBB + "ce) leo
As l'0demos operar:
Sabiendo que para el Ge:

102
y sustituyendo en (1), nos queda:
(VBB + VCC ) Ic o To 0,07. eO,07(T - T O ) ::5 l/O ja
(VBB + VCC ) 0,07 Ic o T ::5 l/O ja
De donde podemos despejar la corriente (l c o T) a partir de la cual se

produce el escape.
IcOT ~ 3} 10 mA
b.- Conocida la corriente (lcOT) a la que se produce el escape, podemos

calcular la temperatura de la unin T = T j a la que se produce el mismo,
siendo la temperatura ambiente T o = 20 oc. Esto es:
T _ I 0,07 ( T j - T o)
~OTj - COTo e
De donde:
T j = 134,8 -c
103
Conocida la temperatura en la uruon a la que se produce el escape,

podemos calcular la temperatura ambiente (T a) que tambin puede producir el
mismo, atravs de la Ley de Ohm Trmica.
De donde:
T a = 134,8- 200. ((3 + 20).10- 6 )
Calculando:
-0000000-
34.- Se sabe que las ecuaciones de un transistor bipolar son:
Se pide:
a) A qu configuracin corresponden? Obtenga un circuito equivalente.
b) Si a la salida se conecta una carga de 1 K, Qu ganancia en tensin

ofrecer el componente activo en cuestin?
104
c) Obtenga las ecuaciones en emisor comn y con parmetros ADMITAN-

CIA
d) Lo misc,o, pero en parmetros IMPbDANCIA.
e) Obtenga los parmetros "h" en L
Solucin
a.- A la vista de las notaciones de las tensiones y de las variables depen-

dientes e independientes, podemos afirmar que las ecuaciones son las lubridas
en Oh" y en la configuracin de emisor comn. De las mismas se desprende r 1
circuito equivalente de la figura 34.1.
b
- le
e
+ hfe ib
hrevee l/h o e
IV v ee
1O- 4.V e e + 100. ib 1M
e e
flg.34.1
b.- S; a la salida (e-e) se le conecta UP" carga R L 1 K, nos quedara el

rirculto de la figura 34.2.
lb
hie 105
b
o c.::J-
Iv" v] 1
R L =h II:"\L
oe
fig.34.2
Del mismo, se desprende que:
Combinndolas, nos queda:
Sustituyendo valores nos queda y calculando, obtenemos:
G = -101
Lo que nos quiere decir que la amplitud Q en la entrada (vb e ) va a

resultar ampliada 101 veces en la salida (ve e ) , y la fase que introduce el paso
es de 11" radianes ( 180).
106
Vce
(v. )
fig.34.3
c.- Las ecuaciones en emisor comn y en parmetros "Y" se escriben:
(Cl)
(C.2)
Ecuaciones a las que tenemos que llegar, partiendo de los datos del
enunciado.
(C3)
(CA)
De la C.3, obtenemos lb y lo introducimos en CA. Reordenando, escribi-

mos:
(CS)
Identificndola con C2, deducimos:

107
De la C.3 se obtiene:
(C.6)
Identificndola con C.l, deducimos:
Yfe = 0,1 (Ohmj': Yoe = 0,9.10- 6 (Ohm)"!
d.- En este caso, las ecuaciones de partida son las mismas (C.3, CA) y las
de llegada:
(D.l)
(D.2)
De CA obtenemos:
(D.3)
Que identificndola con la D.2 resulta:
D.31a llevamos a C.3 y, reordenando, resulta:
(DA)
108
Que, identificndola con D.1, nos queda:
Introduciendo valores y calculando, resulta:
Zi~ = -lOO M Zoe = 1M
Zie = -9 K ; Zre = 0,1 K
e.- Las ecuaciones de los parmetros "h" en base comn son:
(E.1)
(E.2)
Las ecuaciones de partida o "madres" son los C.3 y CA, Y sabemos, ade-
ms, que:
(E.3)
(EA)
De E.3 despejamos ie ; lo introducimos en CA; de la resultante deducimos

ib , que la introducimos en C.3. Reordenamos y nos queda.
(E.5)
de EA despejamos ve e ; lo introducimos en E.5 y, considerando que

(h r e - h i e h o e / (1 + h i e )) < < 1, nos queda:
(E.6)
109
Identificando con E.1, obtenemos:
De E.3 Y EA despejamos ih y vee' que las introducimos convenientemente

en CA. Reordenando y considerando que (h oe h i e) < < 1, y que (h r e hoe) < < 1,
obtenemos:
(E.7)
Identificndola con E.2, deducimos que:
sustituyendo valores y calculando, obtenemos:
h ih = 9,9 (Ohmios);
hfb = 0,99; hoh = 9,9. 10- 9 (Ohmios)"!
-0000000-
35.- Suponga que conoce los parmetros del transistor que hay dentro de
la caja negra de la figura 35.1.
!- cr
11 12
v: ?.
fig.35.1
110
Se conectan dos transistores iguales como se indica en la fig. 35.2.
r--------------------------~
TR 1 TR 2
: I I --------
I-----------<:r----1-------I ! : I
I T R EQUIVALENTE I
L .J
fig.35.2
Determine los parmetros del "transistor equivalente" que resulta de

realizar la asociacin mencionada. Para ello utilize el tipo de parmetros que
considere ms conveniente.
Solucin
Con el circuito equivalente con parmetros "Z" nos quedan los elementos
en serie; parece en primera instancia que nos puede simplificar clculos. As
pues, podemos dibujar el circuito de la figura 35.3.
e,
L _ ___________ J
fig.35.3
Las ecuaciones en "Z" del cuadrpolo total resultante sern:
Determinaremos los parmetros aplicando las definiciones de los mismos al

circuito de la figura 35.3, y calculando segn quede el mismo.
111
As tendremos:
para ie 2 = O
para ie 2 = O
Del circuito de entrada del "1" podemos deducir:
(1)
De la malla central, deducimos que:
(2)
Que, al introducirla en (1) y despejar, resulta:
(3)
Del circuito de salida del "2" se deduce que:
(4)
De la malla central se desprende que:
(6)
De la misma forma, atacamos el circuito de salida con un generador de

tensin ve e 2 y:
para ib 1 = O
para ib 1 = O
De la malla de salida, tendremos:
(7)
112
De la central:
(8)
Introduciendo en (7) y despejando, obtenemos:
(9)
De la malla de entrada, se deduce que:
(10)
Pero ie l = -ib 2 , por le que, introducindola en (10) y calculando:
(11)
-0000000-
36.- Un transistor se 107A se conecta en un circuito como el de la figura

36.1.
~--------------,
I vcc I
I I
: : To = 25 C
I I
I Re C2 I
: Cl ~
o--~I--I I I
I I I
I I I
:
I C3
1: I
vs(t)DRL
I
I I I
I I I
I
fig.36.1
113
Se sabe que: Vcc = 18 V; RE = 0,2 K, VCE = 8 V, Ic = 10 mA, Y

que las capacidades son de valor muy elevado ( C .... <Xl) Y que la impedancia de
entrada debe ser mayor de 5 K.
Con estos datos, calcule literalmente:
a) La ganancia en tensin del circuito, en el supuesto de que el interrup-

tor I se encuentre abierto, y que hoe = h re = O.
b) Lo mismo que en el apartado anterior, pero con el interruptor I cerra-
do.
e) Calcule las impedancias de entrada y salida.
d) Determine los valores numricos de R 1, R z Y Re> as como de las

ganancias en tensin e inpedancias de entrada y salida, en los supuestos de los
apartadoa a y b.
e) Determine los factores de estabilidad SICO' SVBE' SI3' del circuito, y la

variacin de la corriente de colector, si la temperatura vara desde 25 OC a 55
oc.
Solucin
a.- Para calcular la ganancia en tensin del amplificador, colocaremos en

la entrada un generador de tensin ve' Y veremos la tensin que resulta a la
salida vs' Ycalcularemos:
(1)
Para efectuar el estudio en "seal", hemos de hacer las siguientes consi-

deraciones:
1- Los generadores no dependientes dentro del recuadro de la figura 36.1

se anulan. (puesto que slo deseamos ver el efecto sobre la salida del genera-
dor de "ataque" ve)'
2- Al ser la capacidad de los condensadores elevada, stos se sustituyen

por cortos para la "seal variable".
3- El transistor se sustituye por su circuito equivalente. En nuestro caso,

y porque dice el enunciado que hoe h r e = 0, utilizaremos el hbrido con
parmetros "h"y en emisor comn.
114
Teniendo en cuenta estas tres consideraciones, el circuito de la figura

36.1, y para la seal, se puede dibujar:
r - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - --,
I i lb ic i I
1e_ -.hie e __S 1
e
Re v
vl Re
1 '
1
L .:.. .J1
fig.36.2
En que:
Teniendo en cuenta que por RE circula la corriente:
El efecto de la RE se puede "reflejar" en el circuito de entrada, y apa-

rece la fig. 36.3.
1" ---:----------------------..,
le -
1 lb
-+ hie _ I
I I
I I
I I
Ve I
I Re
(h fe + 1) R E t hfei b Re Vs
I
I I
I I
I I
I I
ZeL _ _ _ _ __ _ ~ J Zs
fig.36.3
115
A la vista de ste ultimo, deducimos que:
y que:
Combinndolas y despejndo, nos resulta:
(2)
b.- Si el interruptor 1 se cierra, entonces el condensador queda en para-

lelo con RE' y lo cortocicutar en seal, por lo que la ganancia ser la expre-
sada en (2), pero con RE = O. Esto es:
(3)
c.- La impedancia de entrada Ze la mediremos colocando un generador de

tensin en la entrada, viendo la corriente que penetra ie , Y calculando su
cociente. Es decir:
A la vista del circuito de la figura 36.3, la Ze valdr (con 1 abierto):
(4)
Con el interruptor 1 cerrado, ser:
(5)
116
La impedancia de salida (Zs) la calcularemos colocando en la salida SlO

R L ) un generador de tensin, (vs), midiendo la corriente (is), y calculando:
Como en la entrada no tenemos generador alguno, la ib 0, por lo que la
impedancia de salida ser;
(6)
Vlido tanto para el interruptor I cerrado, como abierto.
d.- Determinemos en primer lugar los valores de los parmetros h i e Y h f e

en el punto de funcionamiento le = 10 mA Y vee = 8 V, a la vista de las curvas
de los citados parmetros fig. 36.4 Y36.5.
le= 2mA
1,1 ....-------::;"ii ''r'---

1,02 ~--~Iir------:::; ---
1
0,5
2 10 5 8 Ve E (V l
le (mAl
fig.36.4 fig.36.5
Como sabemos que:
(7)
(8)
117
h f e ( 10 mA, 8 V) = h f e ( 2 mA, 5 V) . 1,02. ],1
h i e ( 10 mA, 8 V) = h i e ( 2 mA, 5 V) .0,5 . 1,1
De los datos del transistor, deducimos que:
h f e ( 2 mA, 5 V) = 222
h i e ( 2 mA, 5 V} = 2,7 K
Por lo que, calculando, resulta que:
hi e = 1,48 K
Por otro lado, la ganancia esttica de corriente la determinaremos de la

curva de la figura 36.6
h FE nor.
1,2
lc(mA)
fig.36.6
118
Siendo:
h f e ( 2 mA, 5 V) = 180
Luego:
hfe( 10 mA, 8 V) = 180 . 1,2 = 216
Ya estamos en disposicin de calcular las resistencias.
Podemos escribir:
Por lo que:
Re = 7,99 K"" 8K
Vlido tanto para I cerrado, como abierto.
Obsrvese que, como hFE es "grande", podamos haber aproximado consi-

derando que la lB era despreciable ante 1,y por lo tanto habra resultado:
Para calcular R 1 y R z, calcularemos primero la tensin VBE' Esto lo

deducimos de la caracterstica de entrada, ya que disponemos de ella. (fig.
36.7).
119
IB(mA)
O,o4 6 I-----t_"
0,68
VBE (V)
fig.36.7
As pues:
V BE = 0,68 V
En caso de no disponer de la grfica, y ante la falta de ms datos,
hubiramos tomado la aproximacin:
Para calcular R 1 y R z determinaremos la tensin que debemos tener en la

base; esto es:
y tendremos adems en cuenta el dato de que la impedancia de entrada

sea superior a 5 K. Como esta ltima es diferente si est el interruptor ce-
rrado que si est abierto,( expresiones 5 y 4 ), hemos de considerarlas por
separado:
Con 1 cerrado. Este caso es imposible, puesto que h i e < < ze' por lo que:
De lo que se desprende que el nico caso posible es con 1 abierto.

120
Podemos escribir:
V B = 0,68 + 2 == 2,68 V
Luego:
(9)
Que forma sistema con la (4) ..Eliminando R B, resulta:
V cc / V B
1 1
R 1 = 37,19 K
Tomamos el valor normalizado de 39'K.
De (9) deducimos:
Calculando:
R z = 6,8 K
121
Introduciendo valores en (2), (3), (4), (5), Y considerando que en este

caso R L = ro y R'L = Re, podemos formar la tabla 1.
TABLA I
I abierto I cerrado
Gv -38,7 -1345,9
Ze 5,2 K 1,17 K
Zs 8K 8K
e.- Para calcular los factores de estabilidad, hemos de encontrar una

relacin de la forma:
De forma que:
(10)
En la que:
bIcib V BE = SVBE
Del circuito de la figura 36.1, se deduce que:
f3 ( V BB - VBE ) + (f3 + 1 ) (RB + RE ) leo

(11)
R B + RE (f3 + 1 )
En la que:
122
Derivando convenientemente, y teniendo en cuenta que Ico -+ 0, se dedu-

ce:
( V BB - V BE ) ( RE + R B)
(12)
( R B + RE (,8 + 1))2
As mismo:
( 1 + f3 ) (RE + R B )
SICO = (13)
y
f3
SvBE = - ------ (14)
Se = 29,48 jjA
SICO = 26,84
SvBE = -4,46 mA/V
Para calcular Lil c, hemos de calcular adems /::"13, Lilco, /::,. VBE' a travs
de las relaciones:
/::"f3 = f3 ro . K 1 (T - T o); K 1 = 1/75 para Si
De las hojas de caractersticas, deducimos que:
leo 25 -c = 10 nA
123
Por lo que, sustituyendo valores y calculando, podemos configurar la

siguiente tabla 11.
TABLA 11
x s, fJ. x Sx fJ.x
f3 29,48 .LA 89,27 2,63 mA
leo 26.84 656,8mA 1,76 .LA
VBE -4,46mA/V -0,075 V 0,3345 mA
fJ. re = L Sx . fJ. x = 2,96 mA
Conclusiones
A la vista de los resultados literales obtenidos en los apartados a, b, e ,

y de los clculos numricos reflejados en la tabla 1, as como del clculo de la
estabilidad realizado en e, podemos concluir:
1- Para que la ganancia del paso sea elevada, interesa que la resistencia
de emisor est cortocicuitada en "seal", y que la resistencia Re sea lo ms
elevada posible.
2- Para que la impedancia de entrada del paso sea elevada, interesar que
la RB y la RE sean lo mayores posibles. Para que la impedancia de salida sea
baja, nos interesar que Re sea pequea.
3- Para que la estabilidad del paso sea buena, deber cumplirse que RE
sea elevada, y que R Bbaja.
4- A la vista de la tabla 11, el factor de estabilidad ms desfavorable en

este circuito y con este transistor, resulta ser el Sa, por lo que interesar
minimizarlo.
5- De todo lo anterior se desprende que, a la hora de realizar el diseo

del "paso amplificador", se han de considerar todos los factores mencionados y,
dependiendo de los requisitos (ESPECIFICACIONES) que tenga que cumplir,
TOMAR DECISIONES DE COMPROMISO.
125
CAPITULO II
- Transistores Unipolares
TRANSISTORES DE EFECfO DE CAMPO F.E.T.
1.- Un transistor de efecto de campo se conecta tal y como se indica en
la figura 1.1.
o
- 1
s
2
V1
fig. 1.1
Con el interruptor en la posicion "1", se vara V 2 desde cero voltios , y

observamos que, a partir de V2 = 4,5 V, la intensidad I se hace constante y
toma el valor de 15 mA. A continuacin, el conmutador se pasa a la posicin 2,
y se pide:
a) La intensidad 1, cuando V 2 = 2 V Y VI = 0,2 V
b) La intensidad 1, cuando V 2 = 5 V Y VI = 5 V
e) La intensidad 1, cuando V 2 = 12 V Y VI = 3 V
d) La intensidad 1, cuando V 2 = -2 V Y VI = 3V
126
Solucin
A la vista del circuito, deducimos que se trata de un F.E.T. de canal N.

Como sabemos, se cumple que:
y que:
loSS = IOSAT IV - O
GS -
Teniendo en cuenta lo anterior, del enunciado se desprende que:
Vp = -4,5 V
loSS = 15 mA
Seguidamente, pasemos a considerar los casos solicitados:
a.- En este supuesto, se cumple que:
Vos = 2 V
VGS = -0,2 V
y que:

Por lo que el dispositivo se encuentra en zona lineal, y la corriente

I = lo se calcular por la expresin (1)
lo = loss . (2V os/Vp) . (V GS/Vp - Vos/2Vp - 1) (1)

lo = 15.2,2/(-4,5). [(-0,2)/(-4,5) - 2/(-2 .4,5) - 1] (mA)

127
Calculando:
lo = 9,7mA
b.- En este caso, tenemos que:
Vos = 5V
V GS = -5 V
Con estos datos, veamos en qu zona se encuentra. Como se cumple que:
El transistor se encuentra en la zona de "corte", y su corriente valdr:
c.- En este caso, nos dicen que:
Vos = 12 V
V GS = -3V
Por lo que:
(3)
Es decir:
12~ -3-(-4,5) = 1,5
Comprobacin que nos permite afirmar qur el componente se encuentra en

saturacin, y que la corriente que circular valdr:
lo = IosS< 1- VGs/Vp)2 (4)

Introduciendo valores:
lo = 15 ( 1 - (-31 -4,5))2 (mA)

128
Calculando resulta:
ID = 1,66 roA
d.- Ahora tenemos que:
VDS = -2 V
V GS = -3
VDS < VGS - Vp
Y, adems VGS > Vp
Por lo que nos encontramos en zona hmica, y la corriente valdr:
ID = I Dss' 2VDS/V p ' (VGs/Vp - VDs/2V p -1)
Introduciendo valores:
ID = 15.2(-3)/(-4,5) .[(-3)/(-4,5) - (-2)/2(-4,5) -1] (roA)
Calculando resulta:
ID = -7,4 roA
-0000000-
2.- Un F.E.T. se ha introducido en el circuito de la figura 2.1.

129
V1
fig.2.1
Situado el interruptor en la posicin "1", se vara V2 desde cero voltios,

y se observa que, a partir de 4,5 V, la corriente que circula por la malla de
salida se estabiliza, y toma el valor de -15 mA. Se conmuta el interruptor a la
posicin "2", y se pide:
a) 1, cuando V 2 = 2 V Y V 1 = 0,2 V
b) 1, cuando V 2 = 5 V Y V 1 = 5 V
e) 1, cuando V 2 = 12 V Y V 1 = 3 V
d) 1, cuando V = -2 V Y V 1 = 3 V
e) Obtenga conclusiones comparando los resultados obtenidos con los del

problema anterior.
Solucin
A la vista del circuito de la figura 2.1, deducimos que el F.E.T. es de

canal P. Adems, sabemos que:
y que:
IDSS = IDSA! IVGS -- O

130
Por lo que, del enunciado, deducimos:
Vp = 4,5 V
I oSS = -1.') mA
Pasemos a realizar los clculos pedidos.
a.- En este supuesto, se cumple que:
V GS = 0,2 V
Vos = -2 V
Con estos datos, veamos en qu zona se encuentra polarizado el dispositi-

vo. Como no se cumple la relacin:
Ya que:
-2> 0,2 - 4,5
Y, adems:
Diremos que se encuentra polarizado en zona lineal, por lo que se cum-

plir la expresin:
lo = loss (2Vos/Vp) (VGS/Vp - Vos/2Vp - 1 ) (1)
lo = -15.2 (-2)/4,5 [0,2/4,5 - (-2)/(2.4,5) -1] (mA)

131
Calculando resulta:
ID = -9,77 iDA
b.- En este caso, del enunciado se desprende que:
VDS = -5V
Como resulta que;
(2)
El transistor se encontrar en zona de corte, y la corriente valdr:
ID = O
c.- Deducimos del enunciado y de la figura 2.1 que:
V GS = 3 V
VDS = -12 V
Como se cumple que:
(3)
Y, adems:
V GS < V p
Nos encontramos en la zona de saturacin, por lo que se cumplir la
expresin:
(4)
132
ID = -15 ( 1 - 3/4,5)2 (mA)
Calculando resulta:
ID = -1,66 mA
d.- Del enunciado y de la figura 2.1, deducimos:
V GS = 3V
Vos = 2V
Como se cumple que:
El dispositivo se encuentra en zona hmica, y la corriente por el drenador

valdr:
ID = Ioss' 2Vos/Vp (VGs/V p - Vos/2Vp -1)
ID = 7,4mA
e.- Observando las resoluciones de los ejercicios uno y dos, podemos

extraer la conclusin de que se puede utilizar un slo tipo de ecuaciones para
ambos tipos de transistores. Resumiremos los citados y las condiciones de su
validez en la tabla 2.1.
133
I TABLA 2.1
Z
O
N CANAL CONDICIONES CORRIENTE (ID)
A
C N VGs < Vp
O (V p < O)
R
T IVGsl > IVpl O
E P VGS > v.
(V p > O)
VGS > Vp
O
N IVGsl < IVpl
H
VDS ::5 VGS - Vp
M
I 2VDS VGS VDS
ID = IDSS - ( - - - -l )
C
Vp Vp 2Vp
A
VGS < V p
p 1VDS 1::5 /VGS - Vpl
VDS ~ VGS - Vp
S
VGS > Vp
A
N IVGsl < IVpl
T
VDS ~ VGS - Vp
U
R
ID = IDSS (1 - VGS/Vp)2
A
C VGS < Vp
I P IVDSI ~ IVGS - Vpl
O VDS ::5 VGS - Vp
N
-0000000-
3.- Se ha construido un F.E.T. de canal P (sobre Si), cuya forma geom-

trica se indica en la figura 3.1.
134
G n+
s
fig.3.1
El canal'se ha dopado con una concentracin de aceptores de 1016 cm- 3 ,
siendo los parmetros a = 1,2615J.lm, h = a, L = 2 h.
La constante dielctrica relativa del Si vale 12, y la movilidad de los

huecos 450 cm2/V s.
Calcule:
a) La tensin pinch-off (V p)
b) "Anchura efectiva" (ae) del canal, con ID = O
e) Corriente que circular por el F.E.T. Sl suponemos que el transistor se

polariza con una VGS = 1/5 Vp , y que la VDS 2 V no influye en la "anchura
efectiva" del canal
d) En el supuesto del aparato anterior, calcule la relacin que existe

entre la resistencia para VGS = O ( RDON(O) ), la RDON (para una VGS cual-
quiera, en zona lineal).
Solucin
135
a.- Suponiendo que In = O, Y sabiendo que la urnon n+p aparecida entre

puerta y canal se encuentra polarizada inversamente, podemos dibujar la fig.
3.2.
n+ G
a
fig.3.2
Siendo la unin n+p, se deduce que la anchura de la zona bipolar valdr
aproximadamente:
L = L p = (a - ae) / 2
Que vale:
2
L = [ - - (Vo + VGS )F/2 (O)
qNA
Suponiendo que:
Nos queda:
L = 2/q NA) VGS )1/2 (1)
Como se defme la tensin pinch-off (V p) como aquella que "estrangula" el

canal (ae = O), nos queda:
a/2 = 2/q NA). Vp )1/2

De donde:
(2)
136
b.- De (1) se deduce que:
(a - ae) = [( e . 2 / q . NA) . VGS ] 1/2
De donde:
ae = a - 2 [(2/q NA) VGS p12 (3)
Sustituyendo valores, y teniendo en cuenta que VGS = Vp / 3 = 1 V,
Calculamos que:
ae = 0,532 p.m
c.- En este supuesto, el F.E.T. se comportar como una resistencia hmi-

ca, cuya forma geomtrica ser la de la figura 3.3
d
11 Vos
.:-.
-
~
/ ID
.--
5 e O
fig.3.3
De la figura se desprende que la intensidad ID vale:
137
(4)
Siendo Ro
L
Ro = p
h. ae
y la resistividad p valdr:
1
p= - - - -
NAq~p
La anchura ae sigue la relacin (3) que, al combinarla con la (2), se

puede escribir:
Por lo que, sustituyendo en (4), nos queda:
NA . q . ~p . h . a
ID = [1- (VGS/V p )1/ 2] . VDS (5)
L
Sustituyendo valores en (5) y calculando, nos resulta:
ID = 5,02 ~A
d.- De la relacin (5) se desprende que, para una VGS = O, tenemos:
L
RDON(O) = (VOS/ID) IV -O
GS - q . NA . ~p . h . a
Por lo que, para una VGS cualquiera (dentro de la zona lineal), podemos
deducir que:
138
RDON (O)
RDON =
-0000000-
4.- Estudie el comportamiento elctrico de los transistores F.E.T. con la
temperatura, analizando la corriente lo.
Solucin
Sabemos que la corriente por el drenador depende de la zona de polariza-

cin. AS, para la zona hmica, se puede escribir:
2V GS
(-- (1)
Vp
y para la de saturacin;
(2)
De (1) Y de (2), vemos que la dependencia de la lo con la temperatura

vendr dada por la de los parmetros Vp e Ioss'
Dependencia de Ios s con la temperatura.- Para valores de dopados que

cumplan N, ni depende proporcionalmente de la movilidad (vase la expresin
(5) del ejercicio 3), cuya dependencia con la temperatura se puede escribir:
para los electrones
para los huecos
En que ~ y ~ son dos constantes que dependen del tipo de portador,

del sustrato de base y de la concentracin de dopado.
139
Los exponentes e y d, dependen del tipo de portador y del sustrato base.

As, se cumple que, aproximadamente:
Ge Si As Ga
e 1,66 2,5 1
d 2,33 2,7 2,1
Por lo que se puede decir que IDss ex: (l/Te) y que IDss ex: ( l/T d ) en
los FET's de canales N y P respectivamente.
Dependencia de la Vp con la temperatura.- En una union P-N inversa-

mente polarizada (puerta-canal en un FET),la tensin que acta sobre la zona
de transicin se puede escribir:
Como cabemos, en un FET, cuando VGS = V p' se produce el estrangula-

miento del canal; tomando entonces V o ' el valor de Vpi' que se puede consi-
derar CONSTANTE. Con estos razonamientos previos, podemos expresar:
d Vp i d V o d Vp
=--+--=0
dT dT dT
De donde:
El ltimo miembro, en una unin P-N, toma el valor aproximado de

-2 mV OC, por lo que:
dV p / dT = 2 mV OC
140
Las dependencias de los dos parmetros con la temperatura, se pueden

resumir dibujando las funciones de transferencia para dos temperaturas diferen-
tes.(figura 4.1).
1101
1055Tl
I055T2
fig.4.1
De lo estudiado se deduce que, al contrario de lo que ocurre en los
diodos de unin P-N y en los transistores bipolares, en los FET's el C.T.I. es
negativo, por lo que, aumentos de temperatura producirn disminuciones de
intensidad.
-0000000-
5.- Un transistor F.E.T. se conecta segn se indica en la figura 5.1.
VOO= 2V.
fig.5.1
Del transistor se conocen los siguientes parmetros:
I DSS = 20 mA;
141
Teniendo en cuenta lo descrito, se pide:
a) La tensin VD si se sabe que VG = -12 V
b) Valor que deber tomar VG para que la tensin VD = VDD
Solucin
A la vista de la figura 5.1, deducimos que el componente activo es un
F.E.T. de canal N.
a.- Del circuito de la fig. 5.1, se desprende que:
(1)
y que:
(2)
En la que se ha supuesto que IG = O, por considerar que R GS = co
A partir de este punto, hemos de descubrir en qu zona se encuentra el

FET polarizado. Para ello, comenzaremos siempre por la que presente MENOR
dificultad en su anlisis. En caso de que no se encuentre en ella, pasaremos a
la siguiente en facilidad, etc.
Zona de corte: En este supuesto se deber cumplir que:
ID = O (3)
y que
(4)
De (2) deducimos que:

142
Que no cumple la condicin (4), por lo que el dispositivo no est en

corte.
Zona de saturacin: En este supuesto se deber cumplir que:
(5)
y que:
(6)
Despejando ID de (2), introducindolo en (6), y operando, se llega a:
Resolvindola, resulta:
(7)
Introduciendo valores y calculando, obtenemos:
V GS = -3,06 V
De las dos soluciones tomamos la primera, puesto que la segunda es un

valor que corresponde al corte, y estos clculos son realizados para saturacin.
Conocida VGS' calcularemos a continuacin ID y Vos, utilizando las

expresiones (2) y (1), dando respectivamente como resultados:
ID = 0,3 mA
los = 28,3 V
143
Resultados que confirman el cumplimiento de la condicin dada en (5), por

lo que podemos afirmar que el F.E.T. se encuentra en zona de saturacin.
Conocida ID, la tensin VD valdr:
(8)
VD = 19,3 V
b.- Para que VD ,;, Voo' se tendr que cumplir que ID = 0, es decir, que
el FET se encuentre en el corte, para lo cual se tendr que cumplir la expre-
sin (4). Por ello, y a la vista del circuito de la fig. 5.1, podemos escribir:
(9)
De donde:
VG = -13,5 V
-0000000-
6.-Se tienen dos diodos idnticos, Di = D z, Y un FET (cuyas caracters-

ticas se adjuntan) conectados con cuatro resistores y dos generadores de
tensin, tal y como se indica en la figura 6.1.
144
R,=666,6.n
V2= 10 V
v, =1V. o, RJ=590 ..n
fig.6.1
'ol(mA)
1------ ..
Io(mA)
1------ .
-
f--. --- f----- - - c--
-- -
......- typ
I
o /1
o 0.2 0.4 0,6 o.e -4 -2
Determinar:
a) La corriente I oss
b) La tensin pinch-off (V p)
e) La tensin en bornas del diodo D 1
d) La corriente que circula por el drenador.
e) La tensin de drenador surtidor ( o fuente ) Vos

145
Solucin
a.- La corriente Ioss se puede definir:
Ioss = lo IVGS -- O
Por ello, nos vamos a la caracterstica de transferencia y obtenemos la
corriente que circula por el drenador cuando VGS = O. As resulta:
Io SS = 4mA
b.- Sabemos que la tensin pinch-off se puede definir:
Por esta razn, de la grfica d transferencia obtenemos que:
c.- Como por la puerta del F.E.T. no hay corriente, el circuito de entrada
se puede reducir al de la figura 6.2.
V1
1
fig.6.2
Para calcular VOl' escribiremos la recta de carga, la trazaremos sobre la

caracterstica del diodo y el punto de cruce.
De ambas curvas, nos dar el punto de funcionamiento. As obtendremos

la figura 6.3,
146
fig.6.3
de la que se desprende que:
VDl = 0,65 V
d.- Para calcular la corriente que circula por el drenador, podemos dibujar
la figura 6.4.
VOl =O.65V.
fig.6.4
De ella se deduce que:

147
VG~ VOl
ID = - --+
R3 R3
Ecuacin perteneciente a una recta, de las variables ID, VGS. Trazndola
sobre la caracterstica de transferencia, nos resulta la figura 6.5.
ID
-2
fig.6.5
ID = 2mA
e.- Calculada la corriente del drenador (en el apartado anterior), para

obtener la tensin drenador-surtidor podemos escribir:
(1)
La tensin V02 la calculamos dirigindonos a la caracterstica del diodo,

y por el punto I = ID = 2 mA, trazamos una horizontal. Por el punto de corte
trazamos una vertical y el cruce con la ordenada nos dar la tensin buscada,
es decir:
V0 2 = 0,675 V
148
Introduciendo datos en (1) y calculando, nos resulta:
VDS = 5,07 V
-0000000-
7.- Un F.E.T. de canal P se conecta segn se indica en el circuito de la
figura 7.1.
Dz
VD ='5 V
Vs =5 V.
fig.7.1
De los componentes se conocen los siguientes datos:
Del F.E.T.:
IDSS = -10 mA
Del zener:
Vz = 5V I S = 10 .tA
Resistores:
R1 = 1M Rz = 100 K
149
En las condiciones del enunciado, determine:
Corriente que circula por el drenador, regin de funcionamiento y la

tensin VDS.
Solucin
Como I G = O YVGS < VP' el transistor no se encuentra en el corte.
A la vista del circuito y de los datos, por el zener, que est polarizado
en inverso, pueden ocurrir dos casos:
a- Que no est polarizado en el codo zener.
b- Que 10 est.
a.- En este supuesto, la corriente de drenador valdr:
Por 10 que la tensin VDS sera:
Como se cumple que:
(O)
El dispositivo debiera estar en saturacin, con 10 que:
(1)
150
lo = _10-2 ( 1 - 5/6)2 = -277,7 A
Como esta corriente es superior a la inversa de saturacin del zener,

deducimos que el citado se encuentra polarizado en el codo (a), debiendo ser la
corriente por el drenador:
lo = -277,7 A
Circulando esta corriente, la tensin entre drenador y surtidor valdr:
Vos = 22,5 V
Tensin que no es posible, a la vista de los valores de las pilas. De lo

anterior, podemos deducir que el dispositivo deber estar polarizado en zona
hmica. Por ello se deber cumplir:
2Vos V GS
-( (2)
Vp Vp
y que:
Combinndolas obtenemos:
151
Sustituyendo valores y calculando, se reduce a:
V DS 2 .2,7.10- 7 + VDS' 5,56 . 10- 4 + 5. 10- 5 = O
Despejando y calculando, resulta:
-92,6 mV, con el (+)
.p<" con el (-)
De las dos soluciones, tomamos la primera ( -92,6 mV), por ser la que
corresponde a la zona hmica, esto es:
Calculando la corriente segn (2), nos queda:
ID = -49 J.'A
-0000000-
152
TRANSISTORES METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (M.O.S.T.)
8.- Un MOST de acumulacin de canal n se construye segn se indica en

la figura 8.1.
s G o
p
fig.8.1
Los parmetros indicados en la figura valen:
W = 100..m tox = 0,1 ..m
L = 10 ..m
fox = 4 ..n = 450 cm 2 / V s
Calcule:
a) La corriente I Dss
b) La corriente del drenador, la gm y la gd, cuando se polariza con una

tensin VDS = 1 Vy una VGS = 5,54 V.
e) La corriente ID' la gm y la gd, cuando VDS = 5 V YVGS = 4 V.
153
Solucin
La corriente que circula por transistor MOST de canal n depende de la

regin en la que se encuentre polarizado.
a.1. En zona lineal.
Condiciones:
Corriente:
(1)
(1')
y Cox es la capacidad MOST por unidad de rea:
Cox = eo s ox / tox
a.2. En zona de saturacin:
Condiciones:
Corriente:
lo = (W J.m Cox / 2L ) ( VGS - VT )2 (2)
(2')
154
a.3. En zona de corte:
Condicin:
V GS < V T
Corriente:
a.- Con las premisas anteriores, y definiendo la IDss como:
IDSS = ID IV --V (3)

D - T
Aplicando (3) a (2), nos queda:
(4)
I DSS = 1 mA
b.- Dadas las polarizaciones, comprobemos en qu zonas de funcionamiento

nos encontramos. Para ello, comprobemos si se cumple la relacin:
1 < 5,54 - 3,54
Por lo que nos encontramos en zona hmica, y podemos aplicar la ecua-

cion (1) que, puesta en funcin de IDss' nos queda de la misma que en la
F.E.T., esto es:
2V DS VGS VDS
ID = I DSS -- ( - - 1 - --) (5)
VT VT 2VT
155
ID = 237,9 J.lA
Por otro lado, la transconductancia se defme como:
d ID MD
gm=-I - ""
d V VDS - cte !J.V IVDS = cte
GS GS (6)
Derivando la ecuacin (5) nos queda:
(7)
gm = (10- 3 /2) (ohmios)"!
Finalmente, la conductancia del canal, gd, se defme como:
d ID
gd=-I _
d V VGS - cte
DS
Derivando la ecuacin (5) respecto de VDS' nos queda:
(8)
gd = 158,45.10- 6 (ohmios)"!
c.- Veamos cul es la zona de trabajo. Para ello, comprobemos si est en

saturacin:
5~4-2V y 4>2["if
156
Por lo que aplicaremos la ecuacin (2), que se puede escribir:
(9)
ID = 16,48 J1.A
En este caso, la transconductancia valdr:
dIo
gm=--
d VGS Vos = cte
2 Ioss
gm =- (10)
gm = 128,3.10- 6 (ohmios)"!
Por ltimo, la conductancia del canal valdr:
gd=~1
d Vos V = cte
GS
Calculando resulta:
gd = O
Comentario;
Comparando los resultados de las transconductancias y conductancias de

los apartados b y e, deducimos que las citadas son ( como era lgico pensar),
mayores en las zonas lineales que en la saturada.
-0000000-
157
9.- Un MOST de acumulacin, de canal p, se construye segn se indica en

la figura 9.1.
5 G o
fig.9.1
De la mencionada estructura, se conocen los siguientes parmetros:
W = 200 J.'m; L = 10 J.'m; tox = 0,1 J.'m
Vr = -2 j;;v; eox = 4; J.'n = 225 cm 2 j V s
Calcule:
a) La corriente IDSS
b) La corriente del drenador, cuando se polariza con una tensin de
VDS = -1 V yla VGS = -5,54 V
c) La corriente ID' cuando VDS = -5 V Y VGS = -4 V
Solucin
La corriente que circula por un MOST de canal p, depende de la zona en

que se polarize. As podemos decir:
158
1. En zona lineal u hmica:
Condiciones:
Corriente:
w ~pCoX
ID = - [ ( V GS - V T ) VDS - VDS
2
12 ] (1)
L
En que Cox = O OX 1 tox F 1m 2
2. En zona de saturacin:
Condiciones:
Corriente:
w ~pCox
ID = - ( V GS - V T )2 (2)
2L
3. En zona de corte:
Condicin:
Corriente:
ID = O
a.- Recordando que la Ioss se defme como:

159
Aplicando sta a la ecuacin (2), nos queda:
,-w J.lpCOX
I DSS = - - - - VI 2 (4)
2L
IDSS = -1 mA
b.- Comprobemos en qu zona se encuentra polarizado, comprobando si se

cumple la desigualdad:
-1 -5,54 - 2 ; = -2
Como no se cumple, y VGS < VI' nos encontramos en una zona hmica.
La ecuacin (1) se puede escribir en funcin de la (4), de la siguiente forma:
(5)
ID = -237,9 J.lA
c.- Veamos la zona de funcionamiento, comprobando SI se cumple la

desigualdad:
160
Sustituyendo:
-5 -s -4 + 2 ; = -0,455
Como se cumple, nos encontramos en la regin de saturacin. En funcin

de (4), podemos escribir la (2) de la siguiente forma:
(6)
sustituyendo valores y calculando, obtenemos:
In = -16,48 J.lA
-0000000-
10.- Un MOST de deplexin, de canal n, presenta los siguientes parme-

tros:
W = 200 J.lm eox = 3
L = 10 J.lm tox = O,l1!m
El mencionado componente se conecta tal y como se muestra en el cir-

cuito de la figura 10.1.
- ID
Vo= 5V.
fig.10.1
Calcule la corriente que circula por el drenador.

161
Solucin
La corriente que circula por el drenador, ser funcin de la zona de

funcionamiento, Por ello, veamos en qu zona se encuentra el componente,
comprobando si se cumple la desigualdad:
5~0-(-1)=1
Como se cumple, diremos que el dispositivo se encuentra en saturacin.

As pues, podemos escribir:
(1)
En la que:
W ln Cox
2 (2)
los s = VI
2L
y la capacidad MOST por unidad de rea vale:
Cox = eox O / tox F/m2 (3)
Sustituyendo (3) en (2), y esta ltima en (1), e introduciendo valores,

( VG = O), resulta:
lo = I oss = 1 mA
-0000000-
162
11.- Un MOST de deplexin, de canal p, presenta los siguientes parme-

tras:
W = 1S0 ..m
L = S..m e ox = 4 (relativa)
tox = 0,1 ..m ..n = 600 cm 2/V s
Calcule la corriente por el drenador en los siguientes casos:
a)ConVos=-SV
b) Con Vos = -s V yVGS = -SV
e) Con Vos = -S V yV GS=+1V
d) Con Vos = -1 V y V GS = -1 V
e) Con Vos = -S V
Solucin
En cada caso, hemos de averiguar la zona en que se encuentra. Para ello,

comprobemos primero si VGS < VT' Si esto se cumple, investigaremos si se
encuentra en saturacin ( Vos :5 VGS - VT ). Si sto no se cumple, se encon-
trar en zona hmica.
a.- Vemos que VGS < V T y que Vos VGS - VT' por lo que la corriente -
por drenador valdr:
En la que:
IoSS = - (W . ..p. OX. e o , V T2 ) / 2L tox

163
I DSS = -1 mA
Como VGS = O, se cumplir que:
b.- Vemos que VGS < VI y que VDS ~VGS - VI' por 10 que la corriente
la calcularemos segn (1).
ID = -14,59 mA
Como VGS < O, el dispositivo se encuentra funcionando en acumulacin.
c.- Vemos que VGS < VI y que VDS -s VGS - VI' por 10 que la ID la
calcularemos con la expresin (1).
ID = -189,9 jjA
En este caso, como VGS > O, el componente se encuentra funcionando en

deplexin.
d.- Se cumple que VGS < VI y VDS ~ VGS - VI' por lo que nos encon-
tramos en zona lineal. En sta, se cumplir:
2VDS VGS
( - -1-
VI VI
164
Sustituyendo valores y calculando, resulta que:
ID = -1,12 mA
e.- Como VGS > V T' el dispositivo se encuentra en corte, por lo que:
-0000000-
12.- Un transistor MOST presenta los siguientes parmetros:
W = 100 J.Lm; L = 6J.Lm;
tox = 0,2 J.Lm; V T=-2V;
J.Ln = 500 cm 2 j V s; eox = 3
Se pide:
a) La capacidad del condensador MOST formado.
b) La transconductancia, gm, cuando se encuentre polarizado en la zona

lineal en saturacin
c) Deduzca un circuito equivalente para poca seal, y en los casos:
cl. Baja frecuencia
c2. Alta frecuencia
d) Calcule la frecuencia maxuna de trabajo del componente en cuestin,

cuando se polarice con una V GS = 1 V Y VDS = 5 V.
Solucin
a.- El condensador MOST se puede dibujar segn la figura 12.1.

165
L
~I
fig.12.1
La capacidad que presenta se puede calcular segn la expresin:
Cmost = OX O L W / tox (1)
Cmost = Cox. L . W (2)
Cmost = 0,0796 pF
b.- Sabemos que la transconductancia se define:
Vos = cte (3)
Para la regin lineal, valdr:
gro = (W/L ) Jln Cox Vos (4)
Para la de saturacin:
(5)
166
c.- Para baja frecuencia, despreciamos todos los efe~tos capacitivos, por
lo que podemos dibujar el siguiente circuito equivalente. (fig. 12.2)
9 o ,----------.---------0 d
gd
o-----------'--------~-----__o S
fig.12.2
En el que gd es la conductancia drenador-surtidor. Esto es:
gd =
(6)
Para alta frecuencia, hemos de considerar, adems, los efectos capaCItivos

entre los diferentes terminales. As, podemos dibujar el circuito de la figura
12.3.
9 o
9d
1
0------''----------'------"'-------'------05
fig. 12.3
d.- La frecuencia mxima de trabajo, se produce cuando la corriente a

travs de la capacidad Cg s es la misma que la producida por el generador
dependiente. Esto es:
167
De donde:
fm = gm / (2 11" C g s ) (7)
Aproximadamente, la capacidad entre puerta y surtidor se puede tomar

como la producida por el condensador MOST. As que:
(8)
Calculemos la fm en el punto de polarizacin. Para ello, avenguemos si se
encuentra en la zona lineal de saturacin. Como el MOST es de canal n (/.m),
la V T es negativa, se trata de un dispositivo de canal difundido de deplexin,
y como se cumple que Vos ~ V GS - V T, podemos decir que se encuentra en la
zona de saturacin, por lo que la gm la calcularemos segn la expresin (5).
Sustituyendo esta ltima en (7), nos queda:
fm ""663 Mhz
-0000000-
13.- Se ha efectuado un montaje con diversos componentes, tal y como se

muestra en el circuito de la figura 13.1.
fig.13.1
168
Del T 1 se conoce la curva de transferencia (figura 13.2), y del T 4 sus

curvas de salida (figura 13.3).
1o(mA) lo(mA)
60 f--~-----'r-------'-~----.------.------.-----'
VGS=7
6
5O
V
3O
V
V 10
./
V
O O
fig. 13.2 fig.13.3
Del D se sabe que su tensin zener es de 4 V Y su corriente inversa de

1J.LA.
De los transistores bipolares se sabe que presentan los mismos parmetros:
QF = 0,9; Ilesl = 100 nA e Ileol = 32,5 nA.
El C l yel C l son de 10 nF ideales.
En las condiciones presentadas, y considerando que la temperatura es de

300 K Yel circuito est en rgimen permanente, se pide:
a) Punto de funcionamiento ( ID' VDS) del T 1
b) Tensin en la resistencia R 3 (VR3)
e) Tensin en bornas del condensador C
d) Corriente por el drenador del T 4

169
Solucin
a.- El circuito de la figura 13.1, a los efectos del presente apartado, se

puede dibujar: (fig. 13.4)
R1=SO.n.
VI
fig.13.4
Del mencionado se puede obtener la ecuacin:
De donde:
Que representa una recta, la cual trazamos sobre la grfica de la figura

13.2, resultando la figura 13.5.
ID
20mA:V GG/ R1
fiz, 13.5
170
Es decir, la corriente por el drenador ser de:
ID = 19 roA
Conocida ID' vamos a la malla de salida de la figura 13.4, y formulamos:
Sustituyendo valores y 'calculando:
VDS = 10 V
b,- Para calcular VR3, hemos de calcular primero la corriente que circula
por el colector de T 2' que es la misma que circula por la R 3 , En un NPN, la
ecuacin de colector se puede escribir:
le = -les D(BC) + QF lES D(BE)
Por la presentacin del circuito, y con el fin de hacer los clculos ms

simples, supongamos que la unin BC est polarizada en inverso, y con una
tensin suficientemente grande (IV Be/ > > 0,026 ),
De la figura 13.1, deducimos que VBE = 0,4 V. De las especificaciones

obtenemos que les = 100 nA Yque QF = 0,9. Nos falta, pues, conocer ~.
De donde:
QR = (l/QF) (1 - leo/les) = 0,75
Del teorema se Reciprocidad, se desprende:

171
Por lo que nos quedar:
IC = 360 mA
Por lo que VR3 ser:
VR3 = -360 .1/60 = -6 V
c.- La tensin en bornas del C1 ser la misma que haya entre el colector
y la base del transistor PNP, T l' el cual tiene la unin base-emisor en corto-
circuito. En estas condiciones:
Ic = - Ics D(CB), siendo Ics = -100 nA
Despejando:
VCB = (KT/q) Ln (- Ie/l cs + 1)
VCB = 0,39 V
Efectuados estos clculos, hemos de comprobar S1 el supuesto realizado en

el apartado b era cierto.
VCB IT = V 3 + VR3-VCB = 18-6-0,39 = 11,61 V

2
Que confirma el supuesto.
d.- Como estamos en rgimen estacionario, y el condensador C 2 es ideal,

podemos decir que:
-0000000-
172
14.- Un transistor T 1 se conecta tal y como se muestra en la figura 14.1.

Realizando medidas, obtenemos:
Del circuito 14.1 y los interruptores en la posicin "a", 1Id 300 mA;
1121 = 270 mA.
Del circuito 14.1, y con los interruptores en la posicin "b", 111 / = 10 jjA
El transistor T 1 se conecta con otros dos ( T 2' T 3 ), tal como se muestra
en el circuito de la figura 14.2.
Del transistor T 2 conocemos las curvas de la figura 14.3. Del T 3 sabemos

que la tensin IVpl = 2,6 Vy su Ilos s l = 30 mA
V~KT/q
fig. 14.1
R,=SK
+
1",
fig. 14.2
173
IO(mA)
o 2 3 4 5 6 7 8 9
fig. 14.3
a) Determinar los parmetros 0F e leo del T l' sabiendo que 0R = 0,75
b) La tensin VBE del T 1
e) La tensin de V4
d) La tensin de V6' sabiendo que T 3 est en zona de saturacin.
Resolucin
a.- Del circuito de la figura 14.1, y con los interruptores puestos en la

posicin "a", podemos deducir:
De las cuales obtendremos:

174
Con los interruptores del circuito de la figura 14.1 en la posicin "b", y

teniendo en cuenta que que V > > KT/q, deducimos que:
Conocidos lES' QF' QR' Y teniendo en cuenta el teorema de la Reciproci-
dad, podemos escribir:
Por lo que:
leo = -3,9 J1.A
b.- Suponiendo que la umon colector-base est polarizada en inverso, y

con la tensin suficientemente grande, podemos escribir:
I = f3 F lB + (f3F + 1) leo
Ecuacin en la que:
Sustituyendo obtenemos:
le = -219 J1.A
y que , al tener en cuenta los valores de R z Y R 3 , queda demostrada la

suposicin planteada.
Como lE = - le - lB = 219 + 20 = 239 J1.A
Del circuito de entrada (figura 14.4) podemos escribir:

175
Sustituyendo valores, tendremos:
V BE = -0,081 V
Rl
c::::J o B
1 Vl
1v, R2
[3
--.
fig. 14.4
c.- Como ~S2 > > R 3 y R GS 3 > > R s, podemos dibujar el circuito de la
figura 14.5.
Rs
fig. 14.5
Del circuito de salida, podemos formular:
Ecuacin que representa la recta de carga del circuito de salida, dada en

la figura 14.3,y , teniendo en cuenta que la tensin entre puerta y surtidor
valdr:
VGS = -le R 3 = 219.13,7 = 3V

176
Podemos conseguir la figura 14.6,
30mA
Vos
fig.14.6
de la que obtendremos:
ID = 30 mA
Con lo que:
V4 = -R 4 ID = -2,46 V
c.- Como ~S3 > > R s, podemos dibujar el circuito de la figura 14.7.
fig.14.7
Teniendo en cuenta que el T 3 est en saturacin, podemos escribir:
ID = loss (1- VGS/Vp ) 2
V GS3 = -10 2 R s = -2,46 V

177
Y, sustituyendo valores, obtendremos:
ID = 0,087 roA
Por ltimo, podemos formular:
Vs = -R s . ID = -0,87 V
-0000000-
15.- Dos MOST de acumulacin, de canales n y p, se conectan segn se

indica en la figura 15.1.
Voo=5V
fig.15.1
Los parmetros de los transistores son:
VIl = 1 V IOSS 1 = +8 nA
V I 2 = -1 V Ios s 2 = -10 nA
Si en la entrada la Ve puede tomar los valores
tensin de salida correspondiente a las entradas citadas.
VDO' calcule la
Solucin
Cuando Ve = VDO' en T 2 se cumplir que la VGS2 = 0, por lo que, obser-

vando la funcin de transferencia del citado transistor, (figura 15.2)
178
VT2
fig. 15.2
deduciremos que la corriente que circular a travs de l ser la IDs s 2 '

que en este transistor es la inversa de saturacin de la unin P-N drenador-
canal, que se encuentra inversamente polarizada. Esto es:
ID2 = IDs s 2 = -10 nA
Esta corriente circular por el T l' por encontrarse el terminal de salida

en circuito abierto. As que:
A partir de este punto, hemos de conocer la zona en la que se encuentra

polarizado el T 1. Para ello, sabemos que:
(1)
De (1) deducimos que se encuentra en conduccin, siendo "probable" que

se cumpla, adems:
(2)
En este supuesto, el T 1 se encontrar en zona hmica, por lo que se

cumplir:
2V DS1 V GS1 V DS1

ID1 = -IDSS2 = IDSS1 ( - - 1-- ) (3)
v.. v.. 2V n
179
Operando con (3), y despejando VOSI' obtenemos:
VGSI VGSI Ioss2

VOSI = VT1 (_ -1) [( - - 1)2 + - p/2 (4)
VT1 VT1 IOSSI
V OS l = 0,15 V
VOSI=~
De las dos soluciones, despreciamos la segunda, por no pertenecer a la

zona hmica. Tomando la primera, COMPROBAMOS que la condicin (2) se
cumple, por lo que el TI se encuentra en zona OHMICA. Podemos, pues, con-
cluir que cuando:
Ve = Voo = 5 V, entonces V s = 0,15 V
Cuando Ve = V, el TI se encontrar cortado, circulando a travs de l

la I OSSI (que, como sabemos, en este transistor es una corriente inversa de
saturacin) tal y como se puede ver en la grfica de la figura 15.3.
10551
fig. 15.3
180
Esta corriente (por encontrarse el terminal de salida en circuito abierto)

deber circular por el T 2' que se encuentra en zona hmica, ya que, realizando
razonamientos similares a los del caso primero, se cumplir que:
y que:
V nS2 ~ V GS2 - V T2
Por lo que se puede escribir:
2V nS2 VGS2 V nS2

I n2 = -I nss1 = Inss2 ( - - 1- - ) (5)
V T2 V T2 2V T2
Despejando VnS2' e introduciendo datos numricos, obtenemos:
V nS2 = -0,1 V
Por lo que:
V nS1 = V nn + V nS2 = 4,9 V
Podemos, pues, afirmar:
Cuando Ve = O V, entonces V s = 4,9 V

Completando el estudio realizado, podemos sustituir los transistores de la
figura 15.1 por sus resistencias equivalentes entre drenador y surtidor en cada
caso, dando lugar al circuito de la figura 15.4.
VDD
fig. 15.4
181
En ella se cumple:
R OS i = V OSi / 10 1 (6)
y
(7)
Sustituyendo los valores obtenidos para cada valor de la tensin de entra-
da, resulta:
para Ve = 5V R OS i = 15 M; R DS2 = 485 M
para Ve = OV R DS i = 612,5 M; R OS2 = 12,5 M
Comentario final
A la vista de los resultados obtenidos (puesto que las resistencias drena-

dar-surtidor son elevadas), comprobamos que la potencia que se disipa (para
cualquier valor de la tensin de la entrada) es MUY pequea, y que la clula
compuesta por dos transistores Complementarios MOST (uno de canal n y otro
p), funciona invirtiendo la tensin de entrada en la salida, por lo que la citada
clula se conoce con el nombre de INVERSOR C MOST.
En la clula descrita se considera que el consumo en reposo es nulo, y
que ste se produce al efectuarse la transicin de un estado a otro. Por ello,
el consumo crece con la frecuencia.
-0000000-
182
DE CONJUNTO
16.- Un transistor unipolar FET, se conecta segn se indica en el circuito

de la figura 16.1.
s
e
o~-----j f--~.Ir-~
1
o- ----'L- ---L '---- ----.. m
fig.16.1
Del transistor se conocen las curvas de la figura 16.2.
20
BFW10
ID
Vos =15V. mA t ical vol~
Tj -25C
10
1V
2V
l' 3V
o 10 VOS(V) 20
fig. 16.2
Determinar:
a) El tipo de transistor.
b) Punto de polarizacin nominal y sus valores extremos a 25 "C
e) Valores de la transconductancia gm y de la resistencia dinmica r d s

nominales del transistor.
183
o) Rectas de carga estticas y dinmicas, con los interruptores i1 e i2

abiertos y cerrados.
e) Impedancias de entrada y salida con los interruptores i 1 e i2 abiertos y

cerrados.
f) Ganancias en tensin G Vs/Ve (a frecuencias medias) con i 1 e 12

abiertos y cerrados.
g) Obtenga conclusiones de los apartados anteriores.
Solucin
a.- A la vista de las curvas de salida y de transferencia dadas en la

figura 16.2, deducimos que ID e VDS son positivas, y la VGS negativa, por lo
que se trata de un F.E.T. de canal n.
b.- En corriente continua, los condensadores ideales son circuitos abiertos

y, adems, sabemos que IG = 0, por lo que podemos dibujar el circuito de la
figura 16.3.
RS
'----------'------<]m
fig. 16.3
Del circuito de entrada, se desprende que:
Por lo que:
(1)
Que representa una recta de carga, trazada sobre la funcin de transfe-

rencia (figura 16.4)
184
-1 O
fig.16.4
Trazndola, se obtiene que:
Inn = 8 mA
IDmi n = 5,1 mA
I Dma x = 11,6 mA
Del circuito de salida, se deduce que:
(2)
V OSn = 6V
VOSmx = 7,45 V
V OSmin = 4,2 V
c.- La transconductancia se define como:
gm= (3)
Luego, por las curvas de salida y por V OSn G", trazamos una recta
vertical, y obtenemos f,I o e f,V Gs (fig. 16.5)
185
10(mA)
10 1 =12,5 +--of-------=_t--- O =VGS1
Alo r-+---:::;;;oo--t--
fig.16.5
Luego:
gm = POi - I OZ )/( VGSi - VOZ)
gm = 4mA/V
La resistencia dinmica del colector (r d s ) se define como:
(4)
Interpretando (4) sobre las curvas de salida, dibujamos la grfica de la

figura 16.6.
lO
IOS2
10Sn
- VGS=-1V
los1
7
1
VOS
fig.16.6
186
De ella se deprende:
r d s :::; (7 - 5)/( 8,1 - 7,9)
Calculando resulta:
d.- La recta de carga esttica de continua, se obtiene sin considerar los

condensadores, por lo que vendr dada por la ecuacin (2). En alterna, con
C ... 00 , se puede considerar que la X, ... 0, por lo que hemos de considerar dos
casos:
1. Con iz abierto. El condensador C 3 se comporta como un corto, por lo

que el circuito a considerar ser el de la figura 16.7.
- 'e
fig. 16.7
(5)
que, como R L > > Re, se puede poner:
(6)
187
2. En el caso de que el interruptor est cerrado, resulta que R s o, por

lo que:
(7)
Como sabemos que las rectas de carga en alterna deben de pasar por el
punto de funcionamiento del transistor, trazando las rectas de cargas esttica y
dinmica sobre las curvas de salida, podemos dibujar la figura 16.8
-1 /(R c+Rs)
20
6 10 VoS(V)
fig.16.8
e.- Para efectuar el anlisis en "pequea seal", hemos de susutuir el

transistor por su circuito equivalente; los generadores por su resistencia in-
terna, y los condensadores por cortocicuitos. Realizando lo citado, podemos
dibujar el circuito de la figura 16.9, en que:
ie = ii; is = i,
ve = Vi; Vs = Vo
--
ie
i1 R)
9 - -- 's
rds
's
1'. R,//R2
Rc RL
Ze=Z
fig. 16.9
188
e.l. Clculo de impedancia de entrada (Zi)
La impedancia de entrada se define:
(8)
Calculando, resultar:
e.2. Clculo de impedancias de salida (Zo)
Se define como:
A la vista del circuito de la figura 16.9, y como vg s o (por serlo vJ,

podemos calcular:
Z = RcI!r d s = 0,25 K, con iz cerrado
y
Z = Re!! (r d s + R s) = 0,25 K, con iz abierto
f.- A la vista del circuito de la figura 16.9, deducimos que la posicin del
interruptor i 1 no influye sobre la ganancia, cosa que si realiza el izo
Sabemos que la ganancia se defme:
Con el interruptor iz abierto, y a la vista del circuito 16.9, podemos

escribir:
(8)
y
(9)
189
Combinando (8) Y(9), obtenemos:
G v = -gm . . . . . - - - - - - - - (10)
rd s Rs
+ (1 + - )
R e / /R L R e / /R t
Con el interruptor iz cerrado, R s o, y la expresin 10 se convierte en
la (11).
(11)
g.- Conclusiones:
g.1. Del apartado b deducimos que, como IG = O, la R 3 no influye en

el punto de trabajo y que, si realizamos una polarizacin para la caracterstica
de transferencia nominal, y posteriormente colocamos un transistor que no la
presente, el punto de funcionamiento variar. Por ello, convendr siempre
polarizar para el caso "ms desfavorable".
g.2. De "e" se desprende que la gm y la rd s dependen del punto de

trabajo.
g.3. Del apartado "d" se deduce que las rectas de carga estticas y
dinmicas, en general, no tienen porqu ser las mismas, pero SIEMPRE COIN-
CIDEN en el punto de polarizacin.
g.4. De "e" deducimos que la funcin de R 3 es, precisamente, aumen-

tar la impedancia de entrada del "paso", y no influye en la ganancia (f).
g.5. De "f" entendemos que, para que la ganancia del paso sea ma-
yor, hemos de procurar que, en "seal", R s = O. Lo que logramos con un con-
densador en paralelo con ella.
-0000000-
17.- Tres transistores unipolares se han conectado con otros componentes,

formando el circuito de la figura 17.1.
190
fig. 17.1
De los transistores T 1 Y Tz se conocen las curvas de las figuras 17.2 y

17.3, respectivamente. Del T 3 se sabe que, en el punto en el que se encuentra
polarizado, ofrece una transconductancia gm = 10 mA/Y, Y una resistencia
dinmica de 1 M (r d s )
!ID
---
(mA) IIDI (mA)
" bl... I
~2
~ 1. S
40
~ ~ 11
/, ~ zo 5
.-
'1/ -~ ..-
20 1/ -- ~
~ .-
"'3=
+ o5
! 1
- , "-
>--r-- +1 5
- -
~
~2-
...-
r- I
o -8 -4 o
fig.17.2 fig. 17.3
Otros datos:
Rz = 0,35 K;
R s = 10M; R7 = 1 K
D = D z de Silicio = D 3 ; Zener ideal de 5,25 Y;
El circuito se encuentra en rgimen estacionario.

191
Se pide:
a) Sobre la grfica de la figura 17.2, tache los signos que no procedan.
b) Corriente 11, sabiendo que la tensin en bornas del diodo D 2 es de

O,5V.
c) Corriente inversa de saturacin de diodo D 2 a la temperatura de

300 0K.
d) Tipo del transistor T 2' Razone la respuesta.
e) Corriente 12 a la temperatura de 25 oc.
1) Si las temperaturas ambientales de funcionamiento del T 2 pudieran ser

25 -c T -c, Qu punto de funcionamiento elegira ( ID' VDS ) en funcin
de una mayor estabilidad? Razone la respuesta.
g) Si el interruptor "i" se sita en la posicin "2" (figura 17.1), calcule en

frecuencias medias:
g.l. Impedancia de entrada (ZeJ
g.2. Ganancia en tensin ( G = Vsm/ vem )
Solucin
a.- A la vista de su smbolo, el transistor TI es un MOST de deplexi6n

de canal P, por lo que los signos de la caracterstica de salida sern:
-ID VGS<O
VGS=O
-----VGS>O
-vos
b.- A la vista de la figura 17.1, en rgimen estacionario, y teniendo en

cuenta que las corrientes de puerta de los unipolares son despreciables, el
circuito del transistor TI se puede dibujar segn la figura 17.4.
192
. V1
fig. 17.4
Del citado se desprende que:
y que:
Trazando esta recta sobre la curva de salida del T l' Y buscando la inter-
seccin con la curva correspondiente aVGs = 1 V, deducimos:
-[o
(mAl
30
"- +1
15
10,5 -VOS
fig.17.5
c.- Sabemos que:
Luego:
193
Is = 66,72 pA
d.- Como las tensiones entre puerta y surtidor de la grfica de la figura

17.3 son negativos, el transistor T 2 ha de ser un F.E.T. de canal n.
e.- Observando la figura 17.1, y concretamente el circuito del T 2' pode-
mos escribir:
VGS = 5,25 - 5,25 = O
Por lo que, de la grfica de la figura 17.3, ya 25 "C, deducimos que:
ID = - 12 = 20 mA
Luego:
12 = -20 mA
f.- Para que no vare el punto de funcionamiento al tomar el transistor

las temperaturas de 25 "C y de T, hemos de polarizar en el punto en el cual
se cruzan ambas grficas. As pues:
Del circuito de salida:
VDS = ( V3 - V z ) - (R 3 + R 4 ) ID
VDS = 5,57 V
g.- Para seal, el circuito a estudiar ser el de la figura 17.6.

194
d
e ------,----9 r--------.,--_-......,------.. S
r~'m m
fig.17.6
g.l.- A la vista del circuito, la impedancia de entrada ser:
Ze = vgm/i g Ip = R s/ R 6
Calculando:
g.2.- La tensin de salida se puede escribir:
Como R 7 < < R g < < r d s ' se puede escribir:
-0000000-
18.- El circuito de la figura 18.1 es un sistema de alarma, para que la

temperatura en un determinado lugar no supere un valor que se puede consi-
derar perjudicial para el equipo situado en l.
Del transistor se conocen sus caractersticas de salida, dadas en la figura
18.2. Del rel utilizado se sabe que su resistencia interna es cero, y que se
excita (cerrando el contacto e) cuando la corriente a travs de l sea superior
a26mA.
195
,-------, V,=3V
I I
I
I I
----+-------o-- f - - - - - - , - - - - < > - - ,
I I
I I
I -r-c I
I I
I I
I I
I T L.---t--o-----'---------'---.L.- ---L..,
I I
L J
fig.18.1
ro5
R
en )
ro
ID
(mA )
1
35
lO 3 1111I I
V
60
3
NI. N N
o
25 io , ~II r ~ ~'N.lN.11 :JL
o N"'- 'N"'lL 15004
2
io ...t.III~:;~~
o
1.5 '!>DA "
20 N.'-N.N
, ~1~33
1 -VGS
22.
o .. ""
10
I ~3.3.n.
lO 15 20 25 30 10 -, 11I11I1111111
35 VDS eV)
-100 O 100 T('C) 200
fig.18.2 fig.18.3
Se pide:
a) Tipo de termistor utilizado.
b) Misin del diodo Di en paralelo-con el rel.
e) Tipo de transistor utilizado.

196
d) Punto de trabajo del transistor, SI la resistencia del termistor fuese

de 2K.
e) Si el rel (encontrndose el conmutador Com en la posicon 1) se ha

de excitar cuando la temperatura en el termistor alcance supere los
60 e.Qu termistor seleccionaremos? Los termistores disponibles presentan las
curvas R = f(T), presentadas en la figura18.3, y se considera que en el circuito
en el que se van a introducir no les afectar el sobrecalentamiento eltrico.
g) Con el termistor seleccionado en el apartado "e", y si el conmutador
(Com) se coloca en la posicin "3", A partir de qu temperatura sonar la
bocina y se encender la lmpara de alarma?
Solucin
a.- A la vista del smbolo de la figura 18.1, y de las curvas de la figura

18.2,podemos afirmar que se trata de un N.T.e.
b.- Cuando, despus de excitado el rel, de desexcita, en sus bornas se

produce una sobretensin, con el positivo en la borna D, que podra estropear
el transistor. Colocando el diodo, ste no hace nada cuando el rel se excita
(porque se encuentra polarizado en inverso), pero, cuando se desexcita, condu-
ce, y la extracorriente de ruptura se "cierra" sobre DI' quedando protegido el
transistor.
c.- Ante el smbolo y sus curvas de salida, podemos decir que se trata de
un MOST de acumulacin de canal n.
d.- A efectos del clculo del punto de trabajo, el circuito de la figura

18.1, se puede reducir al de la figura 18.4.
RD
o
--ID
G
VDD
R, s
fig.18.4
197
En el circuito de entrada, podemos formular:
(1)
VGS = 3 . 0,4 / ( 2 + 0,4) = 0,5 V
Del circuito de salida, tenemos:
(2)
Que representa la recta de carga del circuito de salida. Trazndola,

obtenemos la figura 18.5.
27,5 JO
Vos (V)
fig. 18.5
De lo que se deduce que:
IDQ = 6,66 mA
VOQ = 27,5 V
e.- Como el circuito de salida no cambia, la recta de carga tampoco lo

har y, por lo tanto, la corriente que circule por el circuito deber de ser un
punto de funcionamiento perteneciente a ella. Buscando el punto que d una
corriente de 26 mA, vemos que la tensin de entrada (VGS)' ha de ser aprox-
madamente de 1,5 V (fig. 18.6).
198
ID
(mA)
1.5 V. =VGS
26t---~~
Vos
fig.18.6
De la expresin (1) se deduce que:
(3)
RT = 0,4 (3 - 1,5) / 1,5 = 0,4 K
Con este valor nos vamos a las curvas de la fig. 17.3, Y deducimos (fig.
18.7) que el termistor seleccionado debe presentar a 25 OC una resistencia de:
R 25 = 1,5 K
RT
(K)
0.41--'-~1I.
1.5 K
60 T (!c)
fig. 18.7
f.- Utilizando la expresin (3), obtenemos:
R T = R 3 (3 - 1,5 ) / 1,5 = 1,2 K
Con este valor, y sobre la curva correspondiente del termistor seleccio-

nado (R 2 5 = 1,5 K ) de la figura 18.3, encontramos que la temperatura que
hace que el termistor tome una resistencia de 1,2 K resulta ser de:
T = 30C -0000000-
199
CAPITULO III
EJERCICIOS PROPUESTOS
1.- Se han conectado dos pilas, dos resisto res y un transistor, segn se
undica en el circuito de la figura 1.1. Las curvas caractersticas del tranistor
son las de la figura 1.2.
Re =(10/7)K.
T
Re =(1/e)M.
Ve=10 V.
Ve =1V.
fig. 1.1
-lB ~ -Ic
(pA) (mA)
8
7
6
I
I
8
6
-- ....- 7J-
~
~
6-~
1
5- ~
f-
5 5 4 l--
4 4
..... 3f-'+
....-
3 3 2-+-
2 1/ 2 I
ro- l~~=IB
1
J..,..; " 7
0,1 0,3 0,5 07 09 - VBE (v.) 123456 8 9 10 - VCE
fig. 1.2
200
Determine:
a.- Tipo del tranistor utilizado. Razone la respuesta.
b.- Las tensiones VRB, VRC'
-0000000-
2.- En el circuito de la figura 2.1 se dispone de un transistor cuyas
caractersticas de entrada y salida se adjuntan. Adems, se han realizado con
el mismo las mediciones sealadas en las figuras 2.2 y 2.3.
Re
Re
1 Vaa
lB = lmA
le=100mA
fig.2.2 fig..
23
le
lB
i
0,6 v. VBE 0,2 v, VeE
g.l g.2
201
a.- Sabiendo que V BB S V: V ee 10 V Y Re 1 K, hallar el punto de

polarizacin si:
a.1.- R B = 1 K
a.2.- R B = SO K
b.- Supongamos ahora que R B = 1 K Y R 1 K. Hallar, as mismo, los

puntos de trabajo para los siguientes casos:
b.1.-VBB=O y Vee=lOV
b.2.-VBB= SV y Vee=O
b.3.- VBB = -SV y Vee = lOV
bA.- VBB = SV y Vee = -10 V
b.5.- VBB = -S V Y Vee = -10 V
c.- Repetir ahora el apartado "a", si a la salida del emisor del transistor
intercalamos una resistencia de valor RE = 0,1 K.
-0000000-
3.- Un transistor bipolar se conecta con otros componentes pasivos, segn

se indica en el circuito de la figura 3.1.
-1Vs Vcc
fig.3.1
Del circuito se sabe que:
VBB = 2 V; Vee = 11 V; V eE = S V;
202
Del transistor se conocen las curvas del apndice A,4 y que, en el punto
de funcionamiento Ic = 2 mA Y VCE = 5 V, presenta los siguientes parme-
tros:
Ganancia de corriente hFE = 145,5
Parmetros hbridos medidos a 1 KHz:
hie = 2,7 K
h f e = 222
As mismo,se conoce que Ico = 0,15 nA Y que, en el punto de funciona-

miento en que est polarizado en el circuito de la figura, su hFE = 160.
Se pide:
a.- El punto de funcionamiento ( Ico' VCEQ ) del transistor bipolar.
b.- Los valores de las resistencias RE y R c.
c.- El valor de la resistencia R B
d.- Los parmetros h f e Y h i e , sabiendo que h c e 0, para el punto

de funcionamiento calculado en "a".
e.- La ganancia de tensin del paso Gv VS/VE, en el punto Q, a una

frecuencia de 1 KHz.
f.- Determinar los parmetros admitancia "Y" del transistor en el punto de

funcionamiento y en la configuracin Emisor Comn.
-0000000-
4.- Sea el circuito de la figura 4.1, donde ambos transistores son idnti-
cos, y de los que se sabe que:
I VCEsat I = 0,2 V
I f3 F I = 10
203
Vcc
Ro
fig.4.1
a.- Con Vee = VDD = 10 V; RB = R D = 900 O Y RE o O, calcular

los valores de Re que hacen que T 1 est en activa directa (a 25 "C).
b.- Suponiendo que el nico parmetro que vara con la temperatura es

VBE, de manera que VBEl = fl(T) Y VBEZ = fz(T); deducir qu condicin se
ha de cumplir para que, estando T 1 en activa, la intensidad ICl no vare con
la temperatura (dICl/dT = O). Suponer RE'" O.
nota: Poner Iel = f( VBE, VBEZ)
-0000000-
5.- Dos transistores se han conectado en un circuito como el de la

figura 5.1. El citado se encuentra a una temperatura ambiente de 300 0K.
Ve =13, 5 v.
vo: ='5 V.
Re =10 K
fig.5.1
204
De los transistores se conocen los siguientes datos:
del transistor T 1
En el emisor En la base En el colector
Dopados cm- 3
Movilidades (cm 2jV s) J.lp e = 346,154 J.lnb = %1,54 J.lp e = 615,39
Tiempos de
vida media (s) T
pe
= 10- 8 T
pe
= 10-8
Areas transversales
(cm)
Adems, se sabe que la anchura de la base es de Wb = 10- 5 cm; que la

anchura de la banda prohibida del material con el que est fabricado el tran-
sistor E G (300 K) = 1,12 eV y que las masas efectivas para la densidad de
estados en las bandas de valencia y conduccin son iguales a la masa libre del
electrn. m*de = m*dv = me
Del transistor T 2 se sabe que presenta una tensin de pinch-off

Vp = -4V, y una corriente de saturacin IDss = 20 mA.
Calcular:
a.- Corriente por el colector de T i-
b.- Corriente 11
c.- Tensin V 1 .
d.- Tensin VL .
-0000000-
205
6.- Se ha diseado un transistor de efecto de campo FET, cuya forma

geomtrica es la de la figura 6.1. El canal se ha dopado con una concentracin
de tomos aceptores de 1015 cm",
~----r-------------QG
s o
V= lOV.
fig.6.1
Datos:
J.'p = (1000/1,6) cm2/v s
El semiconductor es de Si y se encuentra a 300 K
Se pide:
a.- Indique, en el espacio reservado dentro del crculo de la figura, la

polarizacin que deber existir entre la puerta y el surtidor. Razone la res-
puesta.
206
b.- Polarizando el FET, de forma que el canal quede tal y como se indica
en la figura 6.1, Qu corriente circular por el drenador? Indique su sentido.
c.-Calcule la tensin "pinch-off" (Vp), suponiendo que el efecto de la

corriente del drenador sobre la polarizacin puerta-canal es despreciable.
(ID = O)
datos: En una union P-N la anchura de la zona de transicin al polari-
zada con una tensin V, se puede escribir:
1 = [(2E;fq NJ . (V o - V)]1/2
Vo=0,8V; f
O
= 8,85.10- 12 F/m
-0000000-
7.- Sea el circuito de la figura 7.1, del que se sabe, aparte de los datos
reseados sobre el mismo, lo siguiente acerca de los transistores:
T 2 ..... /Vp / = 4V
T 3 ... /Vr/ = 4 V
T 1..... Configuracin de minoritarios y datos de la figura 7.2.
V, R 4 =' OK /\ Rs = 20K/\
e
T2
R,
T,
E T3
Vcc
5 V.
6V.
fig.7.1
I W7
I
I
I
I
I
I
I
E I
o--l
I
I
I Peo
fig.7.2
datos:
Peo = 106 cm- 3 Pee = 108 cm- 3
Dnb = 30 cm2/s fJ F = 49
lE = -lES' D(BE) + QR les . D(BC)

Ec. de Ebers-Moll ~
para unnpn le = QF lES . D(BE) - les . D(BC)
Calcular:
a.- La intensidad por R 3
b.- Del transistor T l' calcular: QF' QR' les, lES' leo, lEO
c.- Valores de R 1 y V 1 en el circuito de polarizacin.
d.- Calcular la zona de trabajo de T 2 para los distintos valores de Vee

positivos, teniendo en cuenta que nunca Vee ser tan grande como para sobre-
pasar la VDS de ruptura. .
e.- Igual que en el apartado anterior (d), para el transistor T 3
f.- Si el transistor T 3 se cambia por un MOST de acumulacin de canal n,

con igual disposicin de salidas y con igual /VI / , volver a repetir el apartado
anterior. -0000000-
208
8.-
Rl =100 .n. Dl
Vl =10 V.
G
lig.8.1
-le
(mAl
-lB T1:: T2 :T3 30 O -6

(mAl 25 O
1 -5
20 O
11 -4
.12 1-------1
15 O - 3
10 O / -2
5O / - 1
V
2 6 10
0,6
ftg.8.2 lig.8.3
ID
D1 JFET +---4----:f--+----1 30 mA.
-+-----4--+---+-~ 20 mA.
-+---i--+---::il"'f:'--- 1O m A.
0,6 VOl -8 -6 -4 -2
lig.8.4 lig.8.5
209
Se dispone del circuito de la figura 8.1 y de las grficas siguientes:
- Caractersticas de entrada y salida de los transistores bipolares

(figuras 8.2 y 8.3 respectivamente)
- Caracterstica del diodo DI (figura 8.4)
- Curva de transferencia del FET (figura 8.5)
A la vista de todos estos datos, calcular:
a.- El punto de polarizacin de TI (lB' VBE' le> VeE ) sobre las grfi-
cas. Indicar zona de funcionamiento y hallar hFE> as como f3 F (si Ileo I = 10 .lA)
para ese punto de polarizacin
b.- Si se superpone una seal variable simtrica a la lB' Cul ser la

mxima variacin de la seal variable (sobre la componente continua) de la
tensin colector-base a la salida, sin que halla corte en la misma?
c.- En el FET, obtener V p , loss, ID, Vos Y V Gs. Indicar zona de funcio-
namiento.
d.- Explicar, a nivel cualitativo y de manera muy breve, qu suceder con

le e lo (en TI Y el FET, respectivamente) si hay una disminucin considerable
de la temperatura.
-0000000-
9.-
Rl=10K V1
Vs
RL=100K
Ve Oz
2
R 2= 2K
fig.9.1
210
-ID
VOS = VGS - Vr
(mA ) I
If I I J I
iI
5 VGS = -15 v.-I-
lA
/1
/
O / ,
~
VGS=-13V.- -
/ ~
V ~/
V ./~
5 V 1/ , VGS=-11V.- 1--
v:V lo'" i,...--' 11' ~ I 1
~ V ".-
!...;",....... I
lL
I I
o, 6 - - - -... VGS = - 9 V.- 1--
I~-
, ~
- VOS (V.
Curvas caractersticas del MOST
En el circuito de la figura 9.1, la tensin de entrada, Ve' puede vanar

entre 12 y 15 V. ( 12 V s Ve ~ 15 V). Se pide:
a.- Con el interruptor en la posicin 1, calcular los valores de V 1 que

hacen que el MOST trabaje en zona hmica ( para toda Ve' y supuesto el
Zener en la zona de avalancha).
b.- En iguales condiciones que el apartado anterior, calcular los valores

entre los que estar comprendida V l' para que el diodo estabilize adecuadamen-
te.
nota: Supongase el MOST trabajando en zona hmica, donde se comporta
como una resistencia entre drenador y fuente.
c.- Con el interruptor en la posicin 2, Estabilizar adecuadamente el

Zener?
211
APENDICE
Aol
PIHER DESCRIPCION: Proceso BOO de doble difusin. plc-

nar epitoxiol de silicio.
SC107 DESCRIPTlON, Pro ces> 800 is on double difuHed,
silicon plonar epita~ial.
NPN
APLICACIONES: Uses generales en cudie-frecven-
cie, no sto corrientes de colector de 1DOmA.
APPllCAT/ONS: General purpose in oudio.frequency.
far c01ledar current to 100mA.
DIMENSIONES DEL DADO

17 x 17 mils.1I "'~O.OOl"l
DIE SIZE
DIMENSIONES mm
MECHAN/CAL OUTLlNE -:c:
VALORES L1MnES la 2 SCI

ABSOLUTE MAX/MUM RATlNGS lar 25'CJ
Tensin colecrcr-ernisoc m ax.

VCEO 45 V
Conector la ermtter vo/rage
Corriente continua de colector

te m.k 100 mA
Collecror CufU:nt (d. c.t
Corriente de cresra de colector I CM max. 200 mA

Colleclof currenr (peak. vaJueJ
Potencia total disipable Pt Ot max. 250 mW

TOlal power dissip.tion
Temperatura de 1.1 unin

Juncnon temp.,.tu.'e
T m.k 150 -c
Temperatura de almlcenami~nto -65 150 -c
TU 9
Slo'~ge tllmp.r.tur.
Resistencia termica un.n ....rnbiente

RI1'lj-.
500 CW
ThtHm.1 resi.U.t1ce l/nelIOn lO .mbienl
212
A.2
CARACTERISTlCAS ESTATICAS la 25CI

5TAT/C CHARACTERIST/CS (al-25Ci
----
Par ame no Cooo.crone s de med,da Simboto rrun 1 nom m.. Unidad
p.".mtler Tesr cooan-ons Svrnoot mm 1 lVP m Umr
Curoerue de l.-l.Hte de
colector
Collectol cut-off
current
" "O Ve. ~ 45v 'C80 -
I 015
15 nA
lenslon de ruo\ur.
cotectce-ermso-
'c:0 2 m A ; /e .:... O V,BRICEO 45 - - V
Catte ctor la emiuer
bre.kdpwn voltage
Tensin de I\.Iplura
emisor-base
Emitter la base
lE ::::.l;JA: le O JVIBRIEBO 5 - - V
bre.kdown vOIC6gt!
Tensin de saturacin '(=10m,4,;/.=lm'" VOl""1 - 0,15 0.6 v

colector-emisor
Conector
fe o-=-10mA'
emurer
=O.5mA V Ch ll 'a - 0.06 0.25 V
lO
sacuraran volrage
le :E 1DOmA: /8 :=; SmA V C EW1 - 0.22 0.6 V
Tensi6n de utUfilCin 'c:IOrnA; '.=I""A V1t<_,

- 0,7 1 V
base-ermscr le ....lOmA: /e=O.5mA VaEUI - 0.66 - V
Sue to emitter
slIlur.t;on voltagr
le .. 100mA:/8 ~5mA VBEuI - 0.9 - V
le' '0:,'" : Ve, = 5V V.. - 0.5 - V

Tensin base-emisor le :; 2mA; V CE ....SV 0.56 0.62 0.66 V
V ..
81se to eminer
volt.ge 'c' tOmA: Vc , = 5V ,VQE - 0.66 - V
'C = toomA:VCE = 5V V" - 0.76 - V
Grupo
C/us
A 8
G,n.nci, estaliea 'c- t O:"A YCE = 5V hfE 90 1501401 --
de comente
'c
le -=
2m": VCE a::5V
20mA;VCf J::" SV
h"
hfE
160
225
290
350 -
St_tic cutrent gain le s: lOOmA:Ve E ... 5V hfE 210 300 -
Ganlnc.a de corriente
a peauefl, seal 'c : lOmA; VCE ': sv h,. i.s 3.3 - -
5m6" signll 1= lOOMHz
curreru g6m
I
rrecoenc.e de
IranS1CIon ~ lOmA; VCE ~ 5V 330 -
Treristtion IreQveney
le
" I t50 MHz
Cap~c'dad
em.s or-be se
ro b,He
VES,=O.5V. 1= 140khz CEeo I - 6 - pF
fmirler
csos cn ence I
Capacidad
ccrector base
Ves = 1QV:!=-14OkI-l.z C e eo - 2.6 4.5 pF
Conector ro O.se
cclpac/tdnce
I
Factor Ce rUIdo l'e.02mA: Ve, .5V
No/sr f'9vrr t ; HHz.)f= 200Hz F - 2 la d6
Rs =2k~:
GeuDO
Clus
A 6
2.7 '.5
-; 1164.51 3.2 .85 'U
P,rimetrO$ hibr,dO$ le ~ 2mA V CE -= 5V h .. 15 lo. 10 .... 20 ll. lO .... -
H~b"d ;;o.r.mrr.rs f",-1kHz 330
222
h ,
111Ll601 1H,L 1001 -
h~ , 8 JO) 30<, 601 :J.$
213
Car acteris trca s de salida

Caractersticas de salida
Output ctierecteristics
Output cherscteristics
t 80 l-+f-fV'--,.oY-7"'l-~-;:--:;"""~--f
lel mAI
40 I+--+--l--+
20
0~..L-l----lL.-..l-...l..-..l._.l-...l-~--l
o 0.4 0.8 1.2 1.6 10 20 30 40 50
VCE IV)_ VCEIVI-
Transconductancia T ranscooductaocia
Trensconductence Trerisconductence
lO' 10'
I
t m.o~
V.lor I I t I I I 1/ I
IclmAI -Typi(;MVM~
Velores lmites / ! 'cl mA l i I
I
i :r T
--Lmll! vMfH.S
. I
" //
Vcr - 5V:T'mb ~ 25"e!'
I 100-<: 25-<: -50-<:
, I
lO lO
--
! I
I
1- I
! / I !
. - l- .
1'/ 1
I
lO'
I I lO'
VCf- 5V
J I I
I
I / J 1 I
! I ;I I I
10~
o 0.2
i
0.4 '" 0.1\ 0.8 o
! i I !
!
0.2 0.4 0.6 08
214
Caracterstica de entrada Ganancia esttica de corriente

Input chorocteristic Sto';' curren' 90in
O.S
I I
I
t 0.4
'sImA)
V CE"" 5V
I
hfEnorm
v I
0.3
1.2~~ 2S'C
0.2
/ I
0.1
1/ 0.4 f--+-+-H+I-t"1----j--+-H-
./ 1111\ I 111\11
o
O 0.2 0.4 0.6 10' 10'
'e mAI-+
Tensin de saturacin colector-emisor Tensin de saturacin base-emisor

Collector to emitter saturotion vallage Base to emifter soturotion voltoge
O.S
t 0.4
VCEut(VI
h'O:20
..-.-
J
2S~ .-
0.3
~ lQOOC
f-"
0.2
'"./ 0.4
2.=?- h FE :.20
0.1 0.2
O
10' lO' 10' 10' 10' lO'
le (mAl .....
Parmetros hbridos en emisor comn

Parmetros hbridos en emisor comn
Common emitter hybrid porameters
Common emifter hybrid porometers
10'
I
~ h<
'"
....... ,1---llL 1.6
I
1---
i- ~ ...-
h. fiel
H =----
h.(lc",2mAI
\
~
---- ---- ----
he h 1e
h~
...-
r-
1--- h,.
Veo sv
I 1.2
"..-
~
......- ----- ~ f-"
--
r- h _
oo
I
~
~ -:
0.6
f 1kHz
I
-f I I 11 0.4
h..lVCEI
H e = ~iVCE""5V)
-- 'c=2mA
-
f= 1kHz
I I 1I1
10- 1 10' 10' 10' O
I
O 10 20 30
V CE (Vj-+
215
Potencio 10101 disipoble

Capacidad erniscr-bcse
Loto! power dissipotion
Emitter to bale coocc.rcoc e
(l.
10'
300
. ICa n' 78 Capacidad rotectcr-bcse
280
260
h\TTI- Colleetor '0 base cooocuonce
t L- \.
PolmW) 2.0
220
1\\ i
t
~
- CeBo/Vee'
'Ca, .\\ I Cn..... - CeeolVee-l0Vl
200 n' ! .5 \\ Cno<m 1--
180 1- r-r,...
160
''\- 1--
10'
1.0
Rrh ;-0 ,
120 I~
100 \\1 CEBo/VEe'
C_ m CEBoIVEe-0.5VI
\1\ f-- f-I
80
\
I
60 io-,
.0 \ :=
20
\ 1\ , I
1--
1--
O
150 200 250 I
10'
O 50 100
TArC) - ro . ! J
10'
1111111
10'
Frecuencia de transicin
Transi,ion frequency
fadar de ruido
500
10'
.
Noi,e figure
mm
/ ' -....,
6d8 "1"" lOd8 VeE - 5V
VeE K SV t 10'
I 1/ 111 IIIIIIIIN ' f= 1kH~
300 le Ip.AI
,
I 3d8
V I ~ 11I fll_I~1 "l-...
10
200 10'
~
~
V
lOO .1 ~I "'-.11'r\1.75dB I 11I l'
---
....
o 1"
\0' lO' ID' lO' ,1 I 111111 "'-J I"'NJ 1J~""l-J I1III1 I
10'
10' 10' 10' 10' ,
le lmAl-
RSIQ,-
Factor de ruido
Noise figure
100mIIB
10'~"" lO' 10' 10'
RSIOI-
216
BfBLIOGRAFIA
1.- Electrnica fsica y modelos de circuitos de transistores.
Tomo II de la coleccin SECC.
2.- Fsica de los dispositivos electrnicos. Tomo II
G. L. Araujo, G. Sala, J. M. Ruiz.
3.- Dispositivos electrnicos y circuitos.
Alberto Martn Fernndez y A. Rodrguez Daz.
4.- Circuitos electrnicos. Tomo 1
Coordinado por E. Muoz Merino
5.- Electrnica integrada.
Jacob Millman y Christos C. Halkias
6.- Integrated circuits and semiconductor devices: theory and applications.
Gordon J. Deboo y Clifford N. Burrous
7.- Physics of semiconductor devices
S. M. Sze.
8.- Physics technology of semiconductor devces.
A. S. Grove
9.- MOS/LSI. desing and applications
William N. Carr y Jack P. Mize
10.- Integrated circuits: material, devices and fabricacin.
T. Luxon.
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
I
1

Index

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Index

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Del documento, de los autores. Digitalizacin realizada por ULPGC.

Biblioteca universitaria, 2009

EJERCICIOS RESUELTOS Y PROPUESTOS

~ Edicin corregida y aumentada

Autor: Jos Miguel Lpez Higuera

Prohibida la reproduccin total o parcial sin autorizacin escrita del autor.

El presente trabajo pretende ser una humilde aportacin a la literatura

Jos Miguel LOPEZ HIGUERA.

A mis padres, Gabriel y Maria.

Parmetros y zonas de trabajo 28 a 41

El transistor en circuitos simples 42 a 54

El transistor en circuitos con

Modelos o circuitos equivalentes bsicos 85 a 93

Eleccin del transistor ptimo 94 a 96

Polarizacin, estabilidad y amplificacin 97 a 123

Captulo 11 TRANSISTORES UNIPOLARES 124 a 198

. TRANSISTORES F.E.T. 125 a 151

El F.E.T. Ysus zonas de trabajo 125 a 131

Estructura del F.E.T. 134 a 138

El F.E.T. Yla temperatura 138 a 140

El F.E.T. en circuitos simples con

. TRANSISTORES M.O.S.T. 152 a 198

Su circuito equivalente 164 a 167

Circuitos con otros componentes y

Inversor C.M.O.S.T. 177 a 181

De conjunto (polarizacin y amplificacin) 182 a 198

Captulo III EJERCICIOS PROPUESTOS 198 a 210

. APENDICE 219 a 215

1.- Al polarizar las dos uniones PN indicadas en la figura 1.1,

stas presentan el diagrama linealizado de concentracin de portadores, indica-

a) Cmo estn polarizadas las uniones T 2 - T 1 YT 3 - T 2 ?

b) Calcular la corriente In que circular por el terminal T 1 .

Pn(O) = 2000Pno' Pn(b) = O,

a.- A la vista de las distribuciones de portadores mostradas en la fig. 1.1,

In = I~(O) + 1<4(0) (1)

A la vista de las distribuciones de la fig. 1.1 podemos escribir:

Que al sustituir en las expresiones (2) y (3) Y stas en la (1) y calcular

2.- Se han conectado dos pilas, un resistor y un transistor bipolar tal y

El resistor R es una pastilla de silicio de rea transversal 0,01 cm 2 y

"10 690 750 810 870

Las corrientes de emisor y colector del transistor siguen las ecuaciones:

lE = - lEO ( e VBdVI - 1 ) - 36/ 41. le (Amp.)

En los que: VI = KT/q

E.1: Ganancia esttica de corriente f3 F = 40

E.2: Corriente inversa de saturacin del emisor con el colector en circuito

a) Resistencia del resistor R a una temperatura de 87 "C,

b) Los parmetros del transistor a R, a F e leo.

c) Tensin V BA en bornas de la resistencia R a la temperatura de 87 "C,

a.- La resistencia del resistor R se puede calcular por la expresin:

R(T) = p(T). (L/S)

Como tanto L como S son conocidos, si determinamos p(T) tendremos el

De las grficas ni = f(T) de la fig 2.2, deducimos que a la concentracin

p(T) = 1/ (No' q , .m)

Vamos a la grfica J-ln(T)I Y con no 1016 cm -3 y T 87 -c, deter-

Con todos estos datos, ya podemos determinar el valor de R, resultando:

R (87 "C) = lOO Ohmios

b.- Sabemos que las expresiones de Ebers-Moll se pueden escribir:

Al identificarlas con las dadas en el enunciado, deducimos:

Como sabemos que la expresin del parmetro f3 F es:

Introduciendo el valor de f3 F = 40 Ycalculando, resulta:

Aplicando el teorema de Reciprocidad:

c.- A la vista del circuito de la fig. 2.1 se deduce que la unin BC se

Y, adems, a 87 -c el factor VI vale:

Sustituyendo y calculando resulta: