CAPITULO 8 FLOYD

EXAMEN DE VERDADERO/FALSO

1. El JFET siempre opera con una unin PN de compuerta a fuente polarizada en inversa.
(VERDADERO)
2. La resistencia del canal de un JFET es una constante. (FALSO)
3. El voltaje de compuerta a fuente de un JFET de canal n debe ser negativo.
(VERDADERO)
4. se vuelve cero al voltaje de estrangulamiento. (FALSO)
5. no tiene ningn efecto en . (FALSO)
6. () y siempre son iguales en magnitud, pero de polaridad opuesta.
(VERDADERO)
7. El JFET es un dispositivo de ley cuadrtica debido a la expresin matemtica de su curva
de caracterstica de transferencia. (VERDADERO)
8. La transconductancia en directa es el cambio del voltaje en el drenaje para un cambio
dado del voltaje en la compuerta. (FALSO)
9. Los parmetros y son los mismos. (VERDADERO)
10. El D-MOSFET puede ser operado en dos modos. (VERDADERO)
11. Un E-MOSFET opera en el modo de empobrecimiento. (FALSO)
12. Un D-MOSFET tiene un canal fsico y un E-MOSFET tiene un canal inducido.
(VERDADERO)
13. ESD significa dispositivo semiconductor electrnico. (FALSO)
14. Los MOSFET deben ser manejados con cuidado. (VERDADERO)

EXAMEN DE ACCIN DE CIRCUITO.

1. Si se incrementa la corriente en el drenaje en la figura 8-17, VDS se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

2. Si se incrementa la corriente en el drenaje en la figura 8-17, VGS se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

3. Si se incrementa el valor de RD en la figura 8-24, ID se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia
4. El valor de R2 se reduce en la figura 8-24, VG se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

5. Si VGS se incrementa en la figura 8-47, ID se
(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia
6. Si R2 se abre en la figura 8-47, VGS se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

7. Si RG se incrementa en la figura 8-50, VG se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

8. Si el valor de IDSS se incrementa en la figura 8-50, VDS se
(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

AUTOEVALUACIN
1. El JFET es:
(a) un dispositivo unipolar.
(b) un dispositivo controlado por voltaje.
(c) un dispositivo controlado por corriente.
(d) respuestas a) y c).
(e) respuestas a) y b).
2. El canal de un JFET se encuentra entre:
(a) la compuerta y el drenaje.
(b) el drenaje y la fuente.
(c) la compuerta y la fuente.
(d) la entrada y la salida.
3. Un JFET siempre opera con:
(a) la unin pn de compuerta a fuente polarizada en inversa.
(b) la unin pn de compuerta a fuente polarizada en directa.
(c) el drenaje conectado a tierra.
(d) el drenaje conectado a la fuente.
4. Con = 0 V, la corriente en el drenaje se vuelve constante cuando sobrepasa:
(a) el voltaje de corte
(b)
(c)
(d) 0 V
5. La regin de corriente constante de un FET queda entre:
(a) el corte y la saturacin
(b) el corte y el estrangulamiento
 (c) 0 e
(d) el estrangulamiento y la ruptura
6. IDSS es:
(a) la corriente en el drenaje con la fuente en cortocircuito.
(b) la corriente en el drenaje en corte.
(c) la corriente mxima posible en el drenaje.
(d) La corriente en drenaje del punto medio.
7. La corriente en el drenaje en la regin de corriente constante se incrementa cuando:
(a) el voltaje de polarizacin de compuerta a fuente se reduce.
(b) el voltaje de polarizacin de compuerta a fuente se incrementa.
(c) el voltaje de drenaje a fuente se incrementa.
(d) el voltaje de drenaje a fuente se reduce.
8. En un cierto circuito FET, = 0 V, = 15 V, = 15 mA y = 470 .
Si se reduce a 330 , es:
(a) 19.5 mA (b) 10.5 mA
(c) 15 mA (d) 1 mA
9. En corte, el canal de un JFET est:
(a) en su punto ms ancho.
(b) completamente cerrado por la regin de empobrecimiento.
(c) extremadamente angosto.
(d) polarizado en inversa.
10. La hoja de datos de cierto JFET da vgs(corte)4 V. El voltaje de estrangulamiento, VP,
(a) no puede ser determinado.
(b) es de -4 V.
(c) depende de .
(d) es de +4 V.
11. El JFET de la pregunta 10:
(a) es un canal n.
(b) es un canal p.
(c) puede ser uno u otro.
12. Para un cierto JFET, = 10 nA con = 10 V. La resistencia de entrada es
(a) 100 M (b) 1M
 (c) 1000 M (d) 100 m

13. Para cierto JFET de canal p, () = 8 V. El valor de para polarizacin de punto

medio aproximada es:
(a) 4 V (b) 0 V
(c) 1.25 V (d) 2.34 V
14. En un JFET autopolarizado, la compuerta est a:
(a) un voltaje positivo.
(b) 0 V.
(c) un voltaje negativo.
(d) conectada a tierra.
15. La resistencia de drenaje a fuente en la regin hmica depende de:
(a) .
(b) los valores del punto Q.
(c) la pendiente de la curva en el punto Q.
(d) todos los anteriores.
16. Para utilizarlo como resistor variable, un JFET debe:
(a) ser un dispositivo de canal n.
(b) ser un dispositivo de canal p.
(c) estar polarizado en la regin hmica.
(d) estar polarizado en saturacin.
17. Cuando se polariza un JFET en el origen, la resistencia de ca del canal est determinada
por:
(a) los valores del punto Q. (b) VGS.
(c) la transconductancia. (d) las respuestas (b) y (c).
18. Un MOSFET difiere de un JFET principalmente:
(a) debido a la capacidad de potencia.
(b) porque el MOSFET tiene dos compuertas.
(c) el JFET tiene una unin pn.
(d) porque los MOSFET no tienen un canal fsico.
19. Un D-MOSFET opera:
(a) slo en el modo de empobrecimiento.
(b) slo en el modo de enriquecimiento.
 (c) slo en la regin hmica.
(d) en los modos de empobrecimiento y de enriquecimiento.
20. Un D-MOSFET de canal n con VGS positivo opera:
(a) en el modo de empobrecimiento.
(b) en el modo de enriquecimiento.
(c) en corte.
(d) en saturacin.
21. Cierto E-MOSFET de canal p tiene un (umbral)= -2 V. Si = 0 V, la corriente en
el drenaje es
(a) 0 A (b) ()
(c) mxima (d)
22. En un E-MOSFET no hay corriente en el drenaje hasta que :
(a) alcanza () (b) es positivo
(c) es negativo (d) es igual a 0 V
23. Todos los dispositivos MOS son propensos a sufrir daos a consecuencia de:
(a) calor excesivo
(b) descarga electrosttica
(c) voltaje excesivo
(d) todas las respuestas anteriores
24. Cierto D-MOSFET se polariza con = 0 V. Su hoja de datos especifica =20 mA
y () =5 V. El valor de la corriente en el drenaje:
(a) es de 0 A
(b) no puede ser determinada
(c) es de 20 mA
25. Un IGBT en general se utiliza en:
(a) aplicaciones de baja potencia.
(b) aplicaciones de radiofrecuencia.
(c) aplicaciones de alto voltaje.
(d) aplicacin de baja corriente.
PROBLEMAS BASICOS.

El JFET
1. El de un JFET de canal p se incrementa desde 1 V hasta 3 V.

(a) Se estrecha o ensancha la regin de empobrecimiento?

Se estrecha

(b) Se incrementa o reduce la resistencia del canal?

Se incrementa

2. Por qu el voltaje de la compuerta a la fuente de un JFET de canal n siempre debe ser

cero 0 o negativo?
El voltaje de compuerta a fuente de un JFET de canal n debe ser cero o negativo para
mantener la condicin de polarizacin inversa requerida.
3. Trace los diagramas esquemticos de un JFET de canal p y uno de canal n. Identifique las
terminales.

4. Muestre cmo se conectan los voltajes de polarizacin entre la compuerta y la fuente de

los JFET de la figura.
CARACTERSTICA Y PARMETROS DEL JFET.
5. Un JFET tiene un voltaje de estrangulamiento especificado de 5 V. Cuando = 0, cul
es en el punto donde la corriente en el drenaje se vuelve constante?

= =

6. Un cierto JFET de canal n se polariza de tal forma que = -2 V. Cul es el valor de

() si es de 6 V? Est prendido del dispositivo?

() = =

El dispositivo esta prendido, porque = 2

7. La hoja de datos de cierto JFET da () = -8 V e = 10 mA. Cuando = 0,

cul es ID con valores de VDS por encima del valor de estrangulamiento? VDD = 15 V.
Por definicin, = cuando = 0 para valores de > .

Por lo tanto, =

8. Cierto JFET de canal p tiene un () = 6 V. Cul es ID cuando = 8 V?

Ya que > () , El JFET est apagado y =

9. El JFET de la figura 8-65 tiene un () = -4 V. Suponga que incrementa el voltaje
de alimentacin , desde cero hasta que el ampermetro alcanza un valor constante. Qu
lee el voltmetro en este momento?

= () = (4 ) = 4

El voltmetro lee . A medida que aumenta , tambin aumenta. El punto en el

que alcanza un valor constante es = =

10. Se obtienen los siguientes parmetros de cierta hoja de datos de un JFET: () = -8

V e = 5 mA. Determine los valores de ID con cada uno de los valores de desde 0 V
hasta -8 V en incrementos de 1 V. Trace la curva de la caracterstica de transferencia con
estos datos.
2

= (1 )
()

0 2
= 0 = 5 (1 ) = 5
8
1 2
= 1 = 5 (1 ) = 3,83
8
2 2
= 2 = 5 (1 ) = 2,81
8
3 2
= 3 = 5 (1 ) = 1,95
8
4 2
= 4 = 5 (1 ) = 1,25
8
5 2
= 5 = 5 (1 ) = 0,703
8
6 2
= 6 = 5 (1 ) = 0,313
8
7 2
= 7 = 5 (1 ) = 0,078
8
8 2
= 8 = 5 (1 ) = 0
8
 Curva de la caracterstica de transferencia

11. Para el JFET del problema 10, qu valor de se requiere para establecer una corriente
en el drenaje de 2.25 mA?
2

= (1 )
()

1 =
()

= () (1 )

2,25
= 8 (1 ) = 8 (, 329) = ,
5

12. Para un JFET particular, 0 = 3200 mS. Cul es cuando = -4 V, dado que
() = -8 V?

4
= 0 (1 ) = 3200 (1 ) =
() 8

13. Determine la transconductancia en directa de un JFET polarizado con = -2 V. En las

hojas de datos, () = -7 V y = -2000 mS con = 0 V. Determine tambin la
conductancia de transferencia en directa .

2
= 0 (1 ) = 2000 (1 ) =
() 7

= =

14. La hoja de datos de un JFET de canal p muestra que = 5 nA con = 10 V.

Determine la resistencia de entrada.
 10
() = = =
5

15. Con la ecuacin 8-1, trace la curva de la caracterstica de transferencia de un JFET con
= 8 mA y () = -5 V. Use por lo menos cuatro puntos.
2

= (1 )
()

0 2
= 0 = 8 (1 ) =
8
1 2
= 1 = 8 (1 ) = ,
5
2 2
= 2 = 8 (1 ) = ,
5
3 2
= 3 = 8 (1 ) = ,
5
4 2
= 4 = 8 (1 ) = ,
5
5 2
= 5 = 8 (1 ) =
5
9
8
7
6
5
ID

4
3
2
1
0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0
-VGS

Curva de la caracterstica de transferencia

Polarizacin de un JFET
16. Un JFET autopolarizado de canal n tiene una corriente en el drenaje de 12 mA y una
resistencia de fuente de 100. Cul es el valor de ?

= = (12 )(0,1 ) = .

17. Determine el valor de RS requerido para que un JFET autopolarizado produzca un

de -4 V cuando = 5 mA.
 4
= | | = | | =
5

18. Determine el valor de RS requerido para que un JFET autopolarizado produzca una =
2.5 mA cuando = -3 V.
3
= | | = | | = ,
2,5

19. = 20 mA y ()= -6 V para un JFET particular.

(a) Cul es cuando = 0 V?

= =

(b) Cul es cuando =()?

=
(c) Si se incrementa desde = 4 V hasta 1 V, se incrementa o reduce la ?

se incrementa

20. Para cada uno de los circuitos de la figura 8-66, determine y .

(a) = (1 )(1.0 ) = 1
= 12 (1 )(4,7 ) = 7.3
= 0
= = 0 1 =
= 7,3 1 = ,

(b) = (5 )(0,1 ) = 0,5

= 9 (5 )(0,47 ) = 6,65
 = 0
= = 0 0,5 = ,
= 6,65 0,5 = ,

(c) = (3 )(0,47 ) = 1,41

= 15 (3 )(2,2 ) = 8,4
= 0
= = 0 (1,41 ) = ,
= 8,4 (1,41 ) = ,
21. Con la curva que aparece en la figura 8-67, determine el valor de RS requerido para una
corriente en el drenaje de 9.5 mA.
El grafico dice que: 2 a = ,
2
= | | = | | =
9,5

22. Establezca una polarizacin del punto medio para un JFET con = 14 mA y ()
= -10 V. Use una fuente de cd de 24 V. Muestre los valores de circuito y resistores. Indique
los valores de , y .
14
= = =
2 2
() 10
= = = ,
3,414 3,414
Ya que = 0 , =
2,93
= | | = | | = 419 (El valor estndar ms cercano es 430 )
7

24 12
=
= 7
= 1,7 k (El valor estndar ms cercano es 1,8 k)

23. Determine la resistencia de entrada total en la figura. = 20 nA con = -10 V.

() =

10
= | |=| | =
20

() = 10 500 = ,

24. Determine grficamente el punto Q para el circuito de la figura 8-69(a) con la curva de
la caracterstica de transferencia de la figura.

Para = 0
= = (0)(330 ) = 0
Para = = 5
= = (5 )(330 ) = 1,64
Para el grafico de la figura 8-69, el punto Q es:
, y ,
25. Localice el punto Q para el circuito de JFET de canal p mostrado en la figura.
Para = 0 = = (10 )(390 )
= 3,9
= 0
Para el grafico de la figura 8-69, el punto
Para = = 10 Q es: , y ,
TRANSISTORES DE CAMPO FET
26. Dado que el voltaje de drenaje a tierra en la figura 8-71 es de 5 V, determine el punto Q
del circuito.

Ya que = 9 5 = 4
4
= = = 0,85
4,7

= = (0,85 )(3,3 ) = 2,81

2 2,2
= ( ) = ( ) 9 = 1,62
1 + 2 12,2

= = 1,62 2,81 = 1,19

Punto Q: = , , = ,

27. Determine los valores del punto Q para el JFET con polarizacin mediante divisor de
voltaje en la figura 8-72.

Para = 0
2 2,2
= = ( ) = ( ) 12 = 4,8
1 + 2 5,5
Para = 0 , = 4,8
| | 4,8
= = = = 1,45
3,3

Los valores del punto Q para el JFET del grafico 8-72 son:

, , = ,
LA REGIN HMICA
28. Cierto JFET se polariza en la regin hmica con = 0.8 V e = 0.20 mA. Cul es
la resistencia del drenaje a la fuente?
1 0,8
= = =
0,20
29. El punto Q de un JFET cambia de = 0.4 V e = 0.15 mA a = 0.6 V e = 0.45
mA. Determine el intervalo de valores de RDS.
0,6
0 ; = = = ,
0,45
0,4
1 ; = = = ,
0,15
Los intervalos son de 1.33 a 2.67 k

30. Determine la transconductancia de un JFET polarizado en el origen dado que 0 = 1.5

mS, = -1 V y ()= -3.5 V.

1
= 0 (1 ) = 1.5 mS (1 ) = ,
() 3,5

31. Determine la resistencia de ca del drenaje a la fuente del JFET del problema 30.
1 1
= = = 0,935
1,07 mS

El MOSFET
32. Trace los smbolos esquemticos para los E-MOSFET y los D-MOSFET de canal n y
canal p. Marque las terminales.
33. En qu modo opera un D-MOSFET de canal n con un positivo?

Esta en modo de mejora o enriquecimiento.

34. Describa la diferencia bsica entre un E-MOSFET y un D-MOSFET.

Un E-MOSFET no tiene canal fsico ni modo de empobrecimiento. Un D-MOSFET

tiene un canal fsico y puede ser operado en modos de empobrecimiento o
enriquecimiento.

35. Explique por qu ambos tipos de MOSFET tienen una resistencia de entrada
extremadamente alta en la compuerta.

Porque la compuerta est aislada del canal.

Caractersticas y parmetros de MOSFET

36. La hoja de datos de un E-MOSFET revela que () = 10 mA con = -12V y
() = -3 V. Determine cuando = -6 V.

Solucin
() 10 10
= 2
= 2
= = 0,12 2
( () ) (12 (3 )) 81 2

= ( () )2

= (0,12 2 ) (6 (3 ))2

= (0,12 2 ) (3 )2

= (0,12 2 ) (9 2 )

=1,08 mA

37. Determine dada = 3 mA, = -2 V y () = -10 V.

Solucin
 2

(1 )
()

3 3
2 = 2 = = ,
(2 ) 0,64
(1 ) (1 )
() (10 )

38. La hoja de datos de un cierto D-MOSFET da () = -5 V e = 8 mA.

(a) Es este dispositivo de canal p o de canal n?

El dispositivo tiene un VGS (corte) negativo; as que es un MOSFET de canal n.
(b) Determine con valores de desde -5 V hasta +5 V en incrementos de 1V.
2 2
(5 )
= 5 (1 ) = (8 ) (1 ) =0
() (5 )
2 2
(4 )
= 4 (1 ) = (8 ) (1 ) = 0,32
() (5 )
2 2
(3 )
= 3 (1 ) = (8 ) (1 ) = 1,28
() (5 )
2 2
(2 )
= 2 (1 ) = (8 ) (1 ) = 2,88
() (5 )
2 2
(1 )
= 1 (1 ) = (8 ) (1 ) = 5,12
() (5 )
2 2
(0 )
= 0 (1 ) = (8 ) (1 ) = 8
() (5 )
2 2
(1 )
= 1 (1 ) = (8 ) (1 ) = 11,52
() (5 )
2 2
(2 )
= 2 (1 ) = (8 ) (1 ) = 15,68
() (5 )
2 2
(3 )
= 3 (1 ) = (8 ) (1 ) = 20,48
() (5 )
2 2
(4 )
= 4 (1 ) = (8 ) (1 ) = 25,92
() (5 )
2 2
(5 )
= 5 (1 ) = (8 ) (1 ) = 32
() (5 )
(c) Trace la curva de la caracterstica de transferencia con los datos de la parte b).

Curva de la caracterstica de transferencia

POLARIZACIN DE UN MOSFET
39. Determine en qu modo (empobrecimiento, de enriquecimiento o ninguno) se polariza
cada uno de los MOSFET mostrados en la figura 8-73.

(a) Empobrecimiento
(b) Ninguno (Realimentacin del drenaje)

(c) Ninguno (Polarizacin en cero)

(d) Empobrecimiento

40. Cada E-MOSFET que aparece en la figura 8-74 tiene un () de -5 V o +5 V,

dependiendo de si es un dispositivo de canal n o uno de canal p. Determine cada uno de los
MOSFET est encendido o apagado.
 (a) El MOSFET est encendido.

2 10000
= ( ) = ( ) 10 = ,
1 + 2 4700 + 10000
(b) El MOSFET est apagado.

2 1000
= ( ) = ( ) (25 ) = ,
1 + 2 10000 + 1000

41. Determine el para cada uno de los circuitos de la figura 8-75. = 8 mA.

= 0 = = 8
(a) = = 12 (8 )(1 ) =
(b) = = 15 (8 )(1,2 ) = ,
(c) = = 9 (8 )(0,56 ) = ,

42. Determine y para los E-MOSFET de la figura. La informacin dada en la hoja

de datos aparece con cada circuito.
(a) () = 3 = 4 () = 2
2 4700
= ( ) = ( ) 10 = ,
1 + 2 10000 + 4700
() 3 3
= = = = 0,75 2
( () )2 (4 2 )2 4 2

= ( () )2 = (0,75 2 )(3,2 2 )2 = 1,08 mA

= = 10 (1,08 )(1 ) = ,

(b) () = 2 = 3 () = 1,5
2 10000
= ( ) = ( ) 5 = ,
1 + 2 10000 + 10000
() 2 2
= = = = 0,89 2
( () )2 (3 1,5 )2 2,25 2

= ( () )2 = (0,89 2 )(2,5 1,5 )2 = 0,89 mA

= = 5 (0,89 )(1,5 ) = ,

43. Basado en las mediciones de , determine la corriente en el drenaje y el voltaje del

drenaje a la fuente para cada uno de los circuitos de la figura.
 (a) = =
12 5
= = = ,
2,2
(b) = = ,
8 3,2
= = = ,
4,7
44. Determine el voltaje real de la compuerta a la fuente en la figura 8-78 teniendo en cuenta
la corriente de fuga en la compuerta . Asuma que es de 50 pA e ID es de 1 mA en
las condiciones de polarizacin existentes.

= = 15 (1 )(8,2 ) = 6,8

= = 6,8 (5 108 )(22000 ) = ,

45. Explique por qu el tiene una resistencia de entrada muy alta.

La resistencia de entrada de un IGBT es muy alta a causa de la estructura de

compuerta aislada.

46. Explique cmo puede producir una corriente excesiva en el colector para una condicin
de enganche en un .

SOLUCIN DE FALLAS
47. La lectura de corriente en la figura 8-66(a) repentinamente se reduce a cero. Cules son
las posibles fallas?

RD o RS abierto, JFET abierto de D a S, VDD = 0 V o conexin a tierra abierta.

48. La lectura de corriente en la figura 8-66(b) repentinamente salta aproximadamente a 16
mA. Cules son las posibles fallas?

El JFET est cortocircuitado desde el drenaje (D) a la fuente (S) o VDD ha

aumentado.
49. Si el voltaje de la fuente en la figura 8-66(c) se cambia a -20 V, cul sera la lectura en
el ampermetro?

Cambiar muy poco o nada porque le dispositivo est funcionando en la regin de

corriente constante de la curva caracterstica.

50. Usted obtiene una medicin de +10 V en el drenaje del MOSFET de la figura 8-74(a).
El transistor est en buen estado y las conexiones a tierra estn bien hechas. Cul puede ser
el problema?

El dispositivo est apagado. El voltaje de polarizacin de puerta debe ser menor que
VGS (umbral). La puerta podra estar cortocircuitada o parcialmente en cortocircuito
a tierra.
51. Usted obtiene una medicin de aproximadamente 0 V en el drenaje del MOSFET de la
figura 8-74(b). No hay cortos y el transistor est en buen estado. Cul es el problema ms
probable?

El resistor de polarizacin de 1.0 M est abierto

PROBLEMAS DE LA ACTIVIDAD DE APLICACIN

52. Consulte la figura 8-58 y determine el voltaje en el sensor con cada uno de los siguientes
valores.
(a) 2 (b) 5 (c) 7 (d) 11

53. Consultando las curvas de transconductancia del BF998 mostrado en la figura 8-79,
determine el cambio de cuando la polarizacin en la segunda compuerta cambia de 6V a
1V y 1 es de 0.0 V. Cada curva representa un valor de 2 diferente.

54. Consulte la figura 8-61 y trace la curva de transconductancia ( vs. 1 ).

55. Consulte la figura 8-79. Determine el voltaje de salida del circuito de la figura 8-61 si
1 = = 0 V y R2 se cambia a 50 k.

PROBLEMAS RESUELTOS CON HOJA DE DATOS

56. Qu tipo de FET es el 2N5457?

El 2N5457 es un FET de canal n.

57. Consulte la hoja de datos de la figura 8-14 para determinar lo siguiente:

a) El () mnimo para el 2N5457.

() = ,
b) El voltaje mximo del drenaje a la fuente para el 2N5457.
() =
c) Disipacin de potencia mxima para el 2N5458 a una temperatura ambiente de
25C.
(max) =
d) El voltaje en inversa de la compuerta a la fuente mxima para el 2N5459.
() =

58. Consulte la figura 8-14 para determinar la disipacin de potencia mxima para un
2N5457 a una temperatura ambiente de 65C.
 (max) = 310 (2,82 )(65 25 ) =

59. Consultando la figura 8-14, determine la gm0 mnima para el 2N5459 a una frecuencia
de 1 kHz.

0(min) = =

60. Consultando la figura 8-14, cul es la corriente tpica en el drenaje en un 2N5459 con
= 0 V?

La corriente tpica es = =

61. Consultando la hoja de datos del 2N3796 en la figura 8-80, determine la corriente en el
drenaje con = 0 V.

,
62. Consultando la figura 8-80, cul es la corriente en el drenaje para un 2N3796 cuando
= 6 V?

63. Consultando la hoja de datos de la figura 8-80, determine en un 2N3797 cuando

= +3 V. Determine cuando = -2 V.

= +3 V,
= -2 V, ,
64. Consultando la figura 8-80, cunto cambio la transconductancia en directa mxima de
un 2N3796 dentro de un intervalo de frecuencias de seal desde 1 kHz hasta 1 MHz?
65. Consultando la figura 8-80, determine el valor tpico del voltaje de la compuerta a la
fuente la cual el 2N3796 se ir a corte.

() = .

PROBLEMAS AVANZADOS
66. Determine y en la figura 8-81 utilizando valores mnimos tomados de la hoja de
datos.

2

= (1 ) =
()
De la hoja de datos del 2N5457
() = 1.0 () = 0,5

= 66,3
= (66,3 )(5,6 ) = ,
= 12 (66,3 )(10 + 5,6 ) =
67. Determine la ID y el VGS mximos para el circuito de la figura 8-82.

3,3
= ( ) 9 = (0,248)(9 ) = 2,23
13,3
De la ecuacin
2

= (1 ) =
()

es mximo para () () max , as que

= 16 () = 8.0

= ,

= 2,23 (3,58 )(1,8 ) = 2,23 6,45 = ,

68. Determine el intervalo de posibles valores del punto Q desde el mnimo hasta el
mximo para el circuito de la figura 8-81.
De la hoja de datos del 2N5457

() = 1.0 () = 0,5

() = ,

() = 12 (66,3 )(15,6 ) = .

() = 5.0 () = 6.0

() =

() = 12 (667 )(15,6 ) = ,
69. Determine el voltaje del drenaje a la fuente para el circuito sensor de pH de la figura 8-
59 cuando se mide un pH de 5. Suponga que el restato est ajustado para producir 4 V en
el drenaje cuando se mide un pH de 7.

= 300
2
= (2,9 )(1 + 0,3 5.0 ) = (2,9 )(1,06)2 = 3,26

= 15 (3,26 )(2,76 ) = 15 8,99 = ,

70. Disee un circuito de MOSFET con polarizacin en cero utilizando un 2N3797 que opere
con una fuente de +9 V de cd y produzca un de 4.5 V. La corriente mxima extrada de
la fuente tiene que ser de 1 mA.
2
(1)
1 = (1 )
()
2
(1)
1 = 2,9 (1 )
5
2
(1 )
0,345 = (1 )
0,5
(1 )
0,587 = 1
0, 5
(1 )
0,413 =
0, 5
= 2,06
Utilizar = ,
Entonces = 963
= = (963 )( 2,2 ) = 2,19
As que, = 2,19 + 4,5 = 6,62
9 6,62
= = 2,47
963
Utilizar = ,
As que = 9 (963 )(4,6 ) = 4,57

71. Disee un circuito utilizando E-MOSFET de canal n con las siguientes especificaciones
incluidas en la hoja de datos: () = 500 mA con =10V y () = 1 V. Use
un voltaje de alimentacin de cd de +12 V con polarizacin mediante divisor de voltaje. El
voltaje en el drenaje con respecto a tierra tiene que ser de +8 V. La corriente mxima
suministrada por la fuente tiene que ser de 20 mA.
 = 20
4
= =
20
=
2
= =
20
Por el 2N7008
() 500
= 2 = = 6,17 2
( () ) (10 1 )2

= 20
20
( 1 )2 = = 3,24
6,17 2
1 = 1,8
= 2,8
Por divisor de voltaje
1 7,2
= = 1,5
2 4,8
2 =
1 = (1,5)(10 ) =