ESCUELA POLITCNICA DEL EJRCITO

EXTENSIN LATACUNGA

CARRERA DE INGENIERA ELCTRONICA

Nombre: Dario Chanchay Fecha: 7/11/2017

Nivel: 7mo

TEMA: Clculo de Potencias Estticas y Dinmicas.

OBJETIVO GENERAL:
Calcular la potencia esttica y dinmica disipada en los semiconductores con los valores determinados.

OBJETIVOS ESPECIFICOS:
Investigar las perdidas estticas y dinmicas en los semiconductores de potencia.
Desarrollar el ejercicio propuesto.

RESUMEN:
El presente trabajo tiene como objetivo el anlisis de las potencias estticas y dinmicas en un
semiconductor que es fundamental en un circuito electrnico de este modo se puede dimensionar y
conocer cules deben ser las caractersticas del elemento al usarlo en el circuito, porque al no tomar en
cuenta las prdidas dinmicas puede ocurrir que el dispositivo de potencia deje de funcionar totalmente
ya que dichas prdidas se producen por cortos tiempos son muy dainas para los circuitos por sus altos
valores de potencia.

DESARROLLO:
PERDIDAS EN LOS SEMICONDUCTORES
Un aspecto fundamental en el diseo de convertidores es la minimizacin de las prdidas de energa.
Las prdidas en los dispositivos activos como transistores se pueden clasificar en:
Estticas
Dinmicas

PRDIDAS ESTTICAS

En estado ON un dispositivo real se puede modelar por una cada de tensin directa o umbral Ud y una
resistencia directa Rd. Las prdidas para una corriente Id pueden ser considerables y son:
= . + 2

En estado OFF se presenta una corriente de fuga Ii (valor que se puede tomar como cero en la mayora
delos casos) y el dispositivo bloque una diferencia de potencial dada Ui, la prdida fundamental es el
producto Ui. Ii si bien en la mayora de los dispositivos es de magnitud muy inferior a la prdida en
estado ON y puede ser despreciada.

PRDIDAS DINMICAS

Al producirse el paso de ON a OFF y viceversa entiempo finito se producen situaciones simultaneas

donde se obtiene valores altos de potencia U y corriente I.
 Figura 1: Prdidas en dispositivos de conmutacin

En la Figura 1 se representa la evolucin de tensin e intensidad en un dispositivo al conmutar entre OFF

y ON, viceversa y la potencia de prdidas asociada. Las prdidas debidas a la conmutacin son las ms
elevadas en magnitud durante el tiempo de conmutacin, la prdida en conduccin es sustancialmente
mayor que la prdida en bloqueo.
Un modelo sencillo que permite estimar las prdidas en un dispositivo trabajando en conmutacin a
frecuencia f=1/T, con tiempos de conmutacin ts=ton-toff dados, tiempos de permanencia en On Ton,
frecuencia de conmutacin f, tensin de estado off o trabajo U, cada de potencial interna en estado ON,
U on corriente de conduccin en ON o trabajo I y resistencia en estado ON, R on es el dado por:

= ( + 2 ) +

El factor a depender de las condiciones de conmutacin y del dispositivo y puede variar entre 2 y 6,
siendo 2 un valor adecuado para estimaciones. Como puede observarse para reducir prdidas son
deseables valores reducidos de cada de tensin y resistencia en conduccin, por una parte, y del tiempo
de conmutacin ts por otra.

CACULOS DE PRDIDAS ESTTICAS Y DINMICAS

tb ta

1 T
p= v(t) i(t)dt
T 0
1
p= (p + p2 + p3 + p4 )
T 1
 Calculo de P1
ecuacin de voltaje:
VCE sat V
vCE V = (t 0)
t1 0
VCE sat V
vCE = (t) + V
t1
ecuacin de corriente:
I Ifuga
ic Ifuga = (t 0)
t1 0
I Ifuga
ic = (t) + Ifuga
t1
t1 I Ifuga
VCE sat V
P1 = [ (t) + V] [ (t) + Ifuga ] dt
0 t 1 t1
t1 t 2 (V Ifuga (VCE sat V)t V(I Ifuga )t
CE sat V)(I Ifuga )
= [ 2 + + + V. Ifuga ] dt
0 t1 t1 t1
(VCE sat V)(I Ifuga ) t1 2 Ifuga (VCE sat V) + V(I Ifuga ) t1 t1
= t dt + t dt + V. I fuga dt
t12 0 t1 0 0
(VCE sat V)(I Ifuga ) t 3 t1 Ifuga (VCE sat V) + V(I Ifuga ) t 2 t1 t1
= 2 ( )| + ( )| + V. Ifuga (t)|
t1 3 0 t1 2 0 0
(VCE sat V)(I Ifuga ) t13 Ifuga (VCE sat V) + V(I Ifuga ) t12
= ( )+ ( ) + V. Ifuga (t1 )
t12 3 t1 2
t1 (VCE sat V)(I Ifuga ) t1 [Ifuga (VCE sat V) + V(I Ifuga )]
= + + V. Ifuga (t1 )
3 2
(VCE sat V)(I Ifuga ) Ifuga (VCE sat V) + V(I Ifuga )
p1 = t1 { + + V. Ifuga }
3 2

Clculo de p2
t2
P2 = VCE sat . I dt
t1
P2 = VCE sat . I (t 2 t1 )

Clculo de p3
ecuacin de voltaje:
V VCE SAT
V VCE sat = (t t 2 )
t3 t2
V VCE SAT
V= (t t 2 ) + VCE sat
t3 t2
ecuacin de corriente:
Ifuga I
ic I = (t t 2 )
t3 t2
Ifuga I
ic = (t t 2 ) + I
t3 t2
t3 Ifuga I
V VCE SAT
P3 = [ (t t 2 ) + VCE sat ] [ (t t 2 ) + I] dt
t2 t 3 t 2 t3 t2
t3 (V V 2
CE SAT )(Ifuga I)(t t 2 ) I(V VCE SAT ) + VCE sat (Ifuga I)
P3 = [ 2
+ (t t 2 ) + VCE sat . I] dt
t2 (t 3 t 2 ) t3 t2
(V VCE SAT )(Ifuga I) t3 2
I(V VCE SAT ) + VCE sat (Ifuga I) t3
P3 = (t t 2 ) dt + (t t 2 )dt
(t 3 t 2 )2 t2 t3 t2 t2
t3
+ VCE sat . I dt
t2
 (V VCE SAT )(Ifuga I) t3 2
P3 = (t 2t. t 2 + t 22 )dt
(t 3 t 2 )2 t2
I(V VCE SAT ) + VCE sat (Ifuga I) t3 t3
+ (t t 2 )dt + VCE sat . I dt
t3 t2 t2 t2
3
(V VCE SAT )(Ifuga I) t 2t 2 t 2 t
P3 = ( + t 22 t)| t 3
(t 3 t 2 )2 3 2 2
I(V VCE SAT ) + VCE sat (Ifuga I) t 2 t t
+ ( t 2 . t)| t 3 + VCE sat . I(t)|t 3
t3 t2 2 2 2
(V VCE SAT )(Ifuga I) (t 3 )3 2t 2 t 3 2 (t 2 ) 3
2t 2
3
P3 = ( + t 22 t 3 + t 32 )
(t 3 t 2 )2 3 2 3 2
I(V VCE SAT ) + VCE sat (Ifuga I) t 23 t 22 t
+ ( t 2 . t 3 + t 22 )| t 3 + VCE sat . I(t 3 t 2 )
t3 t2 2 2 2
(V VCE SAT )(Ifuga I) (t 3 )3 2t 2 t 3 2 2
(t 2 )3
P3 = ( + t 2 t 3 )
(t 3 t 2 )2 3 2 3
I(V VCE SAT ) + VCE sat (Ifuga I) t 23 t 22 t
+ ( t 2 . t 3 + )| t 3 + VCE sat . I(t 3 t 2 )
t3 t2 2 2 2
(V VCE SAT )(Ifuga I) 2 t 3 3t 2 3t 3 t 2
P3 = [ t3 ( ) + t 22 ( )]
(t 3 t 2 )2 3 3
2
I(V VCE SAT ) + VCE sat (Ifuga I) t 3 t 22 t
+ ( t 2 . t 3 + )| t 3 + VCE sat . I(t 3 t 2 )
t3 t2 2 2 2
Clculo de p4
t4
P4 = V. Ifuga dt
t3
P4 = V. Ifuga (t 4 t 3 )
Ejercicio 1

t b = 1s
t a = 1s

t1 = 5ms
t2 = 1s
t3 = 1.01s
t4 = 2s

V = 1000V
VCE sat = 1V

I = 200A
Ifuga = 50mA

1
p= (p + p2 + p3 + p4 )
T 1
(VCE sat V)(I Ifuga ) Ifuga (VCE sat V) + V(I Ifuga )
p1 = t1 { + + V. Ifuga }
3 2
(1 1000)(200 0.05) 0.05(1 1000) + 1000(200 0.05)
p1 = 5 103 { + + 1000 0.05}
3 2
p1 = (5 103 )(33416.675)

= .

p2 = VCE sat . I (t 2 t1 )
p2 = 1 200 (1 0.005)
 =

(V VCE SAT )(Ifuga I) 2 t 3 3t 2 3t 3 t 2

p3 = [ t3 ( ) + t 22 ( )]
(t 3 t 2 )2 3 3
I(V VCE SAT ) + VCE sat (Ifuga I) t 23 t 22
+ ( t 2 . t 3 + ) + VCE sat . I(t 3 t 2 )
t3 t2 2 2
(1000 1)(0.05 200) 200(1000 1) + 1(0.05 200)
p3 = [ 0.676 + 0.676] + (5 105 ) + 1
(10 103 )2 10 103
200(10 103 )
p3 = 998.00 + 2
=

P4 = V. Ifuga (t 4 t 3 )
p4 = 1000 0.05 (2 1.01)
= .
1
p = (p1 + p2 + p3 + p4 )
T
1
p = (167.0833 + 199 + 1000 + 49.5)
2
= .

Ejercicio 2

t b = 20ms
t a = 20ms

t1 = 5ms
t2 = 20ms
t3 = 30ms
t4 = 40ms

V = 1000V
VCE sat = 1V

I = 200A
Ifuga = 50mA

1
p= (p + p2 + p3 + p4 )
T 1
(VCE sat V)(I Ifuga ) Ifuga (VCE sat V) + V(I Ifuga )
p1 = t1 { + + V. Ifuga }
3 2
(1 1000)(200 0.05) 0.05(1 1000) + 1000(200 0.05)
p1 = 5 103 { + + 1000 0.05}
3 2
p1 = (5 103 )(33416.675)

= .

p2 = VCE sat . I (t 2 t1 )
p2 = 1 200 (0.02 0.005)

=
 (V VCE SAT )(Ifuga I) 2 t 3 3t 2 3t 3 t 2
p3 = [ t3 ( ) + t 22 ( )]
(t 3 t 2 )2 3 3
I(V VCE SAT ) + VCE sat (Ifuga I) t 23 t 22
+ ( t 2 . t 3 + ) + VCE sat . I(t 3 t 2 )
t3 t2 2 2
(1000 1)(0.05 200)
p3 = [ 9 106 + 9.33 106 ]
(0.01)2
200(1000 1) + 1(0.05 200)
+ (5 105 ) + 1 200(10 103 )
0.01
p3 = 0.0659 + 998.00 + 2
= .

P4 = V. Ifuga (t 4 t 3 )
p4 = 1000 0.05 (40 103 30 103 )
= .
1
p = (p1 + p2 + p3 + p4 )
T
1
p= (167.0833 + 3 + 999.934 + 0.5)
40 103
= .

CONCLUSIONES

Las prdidas dinmicas en los semiconductores son generadas en el proceso de conmutacin en los
dispositivos, provocando que fugas de corrientes.
las prdidas estticas se presentan en el encendido o apagado de un semiconductor de potencia
debido a una cada de tensin directa lo cual afecta a la corriente que fluye por el mismo.
En Electrnica de Potencia se trabaja con tensiones y corrientes elevadas, por eso la disipacin de
potencia debe evacuarse de algn modo, o de lo contrario podemos llegar a destruir el
semiconductor por una excesiva temperatura en su interior.

BIBLIOGRAFIA:
[1]Rashid, H., (1995). Electrnica de Potencia, Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Mxico: PRENTICE
HALL HISPANOAMERICANA, S.A.
[2]Klein P.T, Elements of Power Electronics Oxford University Press, 1998
http://riubu.ubu.es/bitstream/10259/3791/3/Semiconductores_de_potencia.pdf